專利名稱：用于表面電容觸摸屏的功能片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電容觸摸屏領(lǐng)域，尤其涉及用于表面電容觸摸屏的功能片。
背景技術(shù)：
由于蘋果公司推出的iphone提供的友好人機(jī)界面，流暢操作性能使電容式觸摸屏受到了市場(chǎng)追捧，各種電容式觸摸屏產(chǎn)品紛紛面世。而且隨著工藝進(jìn)步，它的成本不斷下降，開始顯現(xiàn)逐步取代電阻式觸摸屏的趨勢(shì)，其中電容觸摸屏又分為感應(yīng)和表面電容兩種方式；感應(yīng)電容式在兩層ITO涂層上蝕刻出不同的ITO模塊，此種結(jié)構(gòu)制作簡單，工藝 成熟，現(xiàn)在國內(nèi)很多中小型生產(chǎn)功能片的廠家都在批量生產(chǎn)，但所有雙面ITO結(jié)構(gòu)電容屏都涉及蘋果公司的專利，國內(nèi)一、二線的手機(jī)生產(chǎn)廠家如果采用此類觸摸屏有面臨官司的風(fēng)險(xiǎn)，故國內(nèi)的電容屏廠家都在開發(fā)表面電容觸摸屏，搭橋處常規(guī)工藝一般采用金屬M(fèi)O-AL-MO搭橋，但此工藝在生產(chǎn)功能片過程中，搭橋處的金屬容易出現(xiàn)斷路，造成前段的生產(chǎn)良率過低。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本實(shí)用新型提供了一種用于表面電容觸摸屏的功能片。本實(shí)用新型提供了一種用于表面電容觸摸屏的功能片，包括用于做橋的第一 ITO膜層、絕緣膠層、用于做為線路層的第二 ITO膜層、用于做為電極的鑰鋁鑰膜層，所述絕緣膠層布置于所述第一 ITO膜層上方，所述第二 ITO膜層布置于所述絕緣膠層上方，所述鑰鋁鑰膜層布置于所述第二 ITO膜層上方。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，該功能片還包括玻璃底層，所述第一 ITO膜層布置于所述玻璃底層上方。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述絕緣膠層采用介電絕緣層。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一 ITO膜層厚度為30nm。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述鑰鋁鑰膜層鍍于所述第二 ITO膜層表面上。本實(shí)用新型的有益效果是將橋放在玻璃底層上，減少后段生產(chǎn)過程中橋不可避免的磨擦外物而導(dǎo)制傳感器造成報(bào)廢，而且ITO膜層耐膜，穩(wěn)定性能好，使此類功能片壽命更長，當(dāng)在鑰鋁鑰膜層上刻蝕表面金屬層時(shí)，只要刻出電極就好，而不必即要刻電極，又要刻橋，減少了不良發(fā)生的可能性。

圖I是本實(shí)用新型的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0012]如圖I所示，本實(shí)用新型公開了一種用于表面電容觸摸屏的功能片，包括用于做橋的第一 ITO膜層2、絕緣膠層3、用于做為線路層的第二 ITO膜層4、用于做為電極的鑰鋁鑰膜層5，所述絕緣膠3層布置于所述第一 ITO膜層2上方，所述第二 ITO膜層4布置于所述絕緣膠層3上方，所述鑰鋁鑰膜層5布置于所述第二 ITO膜層4上方。該功能片還包括玻璃底層1，所述第一 ITO膜層2布置于所述玻璃底層I上方。所述絕緣膠層3采用采用介電絕緣層，介電絕緣層也就是本領(lǐng)域所稱的OC絕緣膠。所述鑰鋁鑰膜層5鍍于所述第二 ITO膜層4表面上。制作時(shí)，首先在玻璃底層I鍍一層第一 ITO膜層2用來做橋，在橋上涂OC絕緣膠后，低溫沉積第二 ITO膜層4，對(duì)第二 ITO膜層4經(jīng)過黃光刻蝕后，再在第二 ITO膜層4表面鍍一層MO-AL-MO作電極。該MO-AL-MO膜層即是鑰鋁鑰膜層5。所述第一 ITO膜層2厚度 為 30nm。本實(shí)用新型的有效效果是將橋放在玻璃底層I上，減少后段生產(chǎn)過程中橋不可避免的磨擦外物而導(dǎo)制功能片(senser)造成報(bào)廢,而且ITO膜層耐膜,穩(wěn)定性能好,使此類功能片壽命更長，當(dāng)在鑰鋁鑰膜層5上刻蝕表面金屬層時(shí)，只要刻出電極就好，而不必即要刻電極，又要刻橋，減少了不良發(fā)生的可能性，當(dāng)刻蝕完金屬后，表面不可避免的出現(xiàn)金屬殘留時(shí)，也可以通過手工返修功能片，大大提高產(chǎn)品的直通率。ITO膜層包括第一 ITO膜層2和第二 ITO膜層4。本實(shí)用新型根據(jù)ITO膜層比MO-AL-MO膜層耐磨、穩(wěn)定性強(qiáng)等特點(diǎn)，用第一 ITO膜層2來取代MO-AL-MO膜層來搭橋，此過程工藝簡單，對(duì)設(shè)備精度要求不高，對(duì)于國內(nèi)普通的功能片生產(chǎn)廠家量產(chǎn)表面式電容功能片提供可行性。ITO膜層的主要成份是氧化銦錫，在厚度只有幾千埃的情況下，氧化銦透過率高，氧化錫導(dǎo)電能力強(qiáng)。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種用于表面電容觸摸屏的功能片，其特征在于包括用于做橋的第一 ITO膜層、絕緣膠層、用于做為線路層的第二 ITO膜層、用于做為電極的鑰鋁鑰膜層，所述絕緣膠層布置于所述第一 ITO膜層上方，所述第二 ITO膜層布置于所述絕緣膠層上方，所述鑰鋁鑰膜層布置于所述第二 ITO膜層上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功能片，其特征在于該功能片還包括玻璃底層，所述第一ITO膜層布置于所述玻璃底層上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功能片，其特征在于所述絕緣膠層采用介電絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功能片，其特征在于所述第一ITO膜層厚度為30nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4任一項(xiàng)所述的功能片，其特征在于所述鑰鋁鑰膜層鍍于所述第二 ITO膜層表面上。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種用于表面電容觸摸屏的功能片，包括用于做橋的第一ITO膜層、絕緣膠層、用于做為線路層的第二ITO膜層、用于做為電極的鉬鋁鉬膜層，所述絕緣膠層布置于所述第一ITO膜層上方，所述第二ITO膜層布置于所述絕緣膠層上方，所述鉬鋁鉬膜層布置于所述第二ITO膜層上方。本實(shí)用新型的有益效果是將橋放在玻璃底層上，減少后段生產(chǎn)過程中橋不可避免的磨擦外物而導(dǎo)制傳感器造成報(bào)廢，而且ITO膜層耐膜，穩(wěn)定性能好，使此類功能片壽命更長，當(dāng)在鉬鋁鉬膜層上刻蝕表面金屬層時(shí)，只要刻出電極就好，而不必即要刻電極，又要刻橋，減少了不良發(fā)生的可能性。
文檔編號(hào)G06F3/044GK202711220SQ20122032603
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月6日
發(fā)明者黃國鋒, 吳僑, 陳箭云 申請(qǐng)人:深圳市新濟(jì)達(dá)光電科技有限公司