專利名稱：可開關(guān)的非接觸智能卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及非接觸智能卡，并且尤其涉及可開關(guān)的非接觸智能卡。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的非接觸智能卡允許讀卡器在通常為2cm至IOcm進行讀卡操作，而且某些特制的讀卡器能夠在更大的范圍進行讀卡操作。存在一些情況，非接觸智能卡非接觸智能卡尚未被持卡人出示或者未經(jīng)持卡人允許而由讀卡器進行讀卡操作。因此，需要一種能夠防止非接觸智能卡上的數(shù)據(jù)被意外讀取或者被惡意竊取的非接觸智能卡。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種可開關(guān)的非接觸智能卡，其特征在于，包括線圈、·儲電電容、供電電容、單通路電子泵以及集成電路芯片，其中，儲電電容能夠通過線圈產(chǎn)生的電磁共振被充電，儲電電容通過連接在儲電電容和供電電容之間的單通路電子泵對供電電容充電，供電電容用于為集成電路芯片提供工作電壓，其中，還包括與儲電電容連接的附加電阻，該附加電阻用于在特定的條件下阻止儲電電容被充電。優(yōu)選地，該附加電阻是與儲電電容并聯(lián)的熱敏電阻。優(yōu)選地，該附加電阻是與儲電電容串聯(lián)的光敏電阻。本實用新型通過附加電阻，例如熱敏電阻或光敏電阻，對非接觸智能卡的數(shù)據(jù)訪問提供了安全保護，實現(xiàn)了一種可開關(guān)的非接觸式智能卡。

在參照附圖閱讀了本實用新型的具體實施方式
以后，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會更清楚地了解本實用新型的各個方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應當理解的是這些附圖僅僅用于配合具體實施方式
說明本實用新型的技術(shù)方案，而并非意在對本實用新型的保護范圍構(gòu)成限制。圖I是根據(jù)本實用新型實施例的非接觸智能卡的結(jié)構(gòu)組成示意圖。圖2是根據(jù)本實用新型的一個實施例的非接觸智能卡的電路布置示意圖。圖3是根據(jù)本實用新型的另一個實施例的非接觸智能卡的電路布置示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖闡述本實用新型的具體實施方式
。如圖I所示，根據(jù)本實用新型實施例的非接觸智能卡包括線圈、儲電電容、供電電容、單通路電子泵以及集成電路芯片。其中，儲電電容與線圈耦合，該儲電電容能夠通過線圈產(chǎn)生的電磁共振被充電。這里，智能卡內(nèi)的線圈產(chǎn)生的電磁共振由讀卡器發(fā)送的一組固定頻率的電磁波引起。儲電電容通過連接在儲電電容和供電電容之間的單通路電子泵將儲電電容的電荷傳送到供電電容以對供電電容充電。供電電容用于為集成電路芯片提供工作電壓。如圖I所示，非接觸智能卡還包括與儲電電容連接的附加電阻，該附加電阻用于在特定的條件下阻止儲電電容被充電，從而防止儲電電容對供電電容充電，由此避免非接觸智能卡在上述特定條件下被讀卡器從中讀取數(shù)據(jù)。圖2是根據(jù)本實用新型的一個實施例的非接觸智能卡的電路布置示意圖。在該實施例中，附加電阻是與儲電電容并聯(lián)的熱敏電阻。處于常溫狀態(tài)下，熱敏電阻阻值較小，儲電電容會因為熱敏電阻通路而無法完成充電。僅僅當持卡人將智能卡握在手里時，熱敏電阻受熱電阻變大，儲電電容才能完成充電，從而允許完成數(shù)據(jù)讀取功能。該實施例根據(jù)熱敏電阻在低溫、高溫的時的不同阻值來控制儲電電容的充放電，從而實現(xiàn)對非接儲智能卡的控制。圖3是根據(jù)本實用新型的另一個實施例的非接觸智能卡的電路布置示意圖。在該實施例中，該附加電阻是與儲電電容串聯(lián)的光敏電阻。在智能卡不見光的情況下，光敏電阻阻值較大，從而阻止儲電電容被充電，而在智能卡被暴露在光源下時，光敏電阻阻值變小，從而允許儲電電容被充電。根據(jù)該實施例的智能卡使得能夠在有光照的情況下才能被讀取 數(shù)據(jù)?？ㄆ环旁诒嘲蛘呖诖葻o光照環(huán)境的時候，卡片內(nèi)的數(shù)據(jù)無法被讀取。上文中，參照附圖描述了本實用新型的具體實施方式
。但是，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員能夠理解，在不偏離本實用新型的精神和范圍的情況下，還可以對本實用新型的具體實施方式
作各種變更和替換。這些變更和替換都落在本實用新型權(quán)利要求書所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.ー種可開關(guān)的非接觸智能卡，其特征在于，包括線圈、儲電電容、供電電容、單通路電子泵以及集成電路芯片，其中， 儲電電容能夠通過線圈產(chǎn)生的電磁共振被充電， 儲電電容通過連接在儲電電容和供電電容之間的單通路電子泵對供電電容充電， 供電電容用于為集成電路芯片提供工作電壓， 其中，還包括與儲電電容連接的附加電阻，該附加電阻用于在特定的條件下阻止儲電電容被充電。
2.如權(quán)利要求1所述的可開關(guān)的非接觸智能卡，其特征在于，該附加電阻是與儲電電容并聯(lián)的熱敏電阻。
3.如權(quán)利要求1所述的可開關(guān)的非接觸智能卡，其特征在于，該附加電阻是與儲電電容串聯(lián)的光敏電阻。
專利摘要本實用新型公開一種可開關(guān)的非接觸智能卡，其特征在于，包括線圈、儲電電容、供電電容、單通路電子泵以及集成電路芯片，其中，儲電電容能夠通過線圈產(chǎn)生的電磁共振被充電，儲電電容通過連接在儲電電容和供電電容之間的單通路電子泵對供電電容充電，供電電容用于為集成電路芯片提供工作電壓，其中，還包括與儲電電容連接的附加電阻，該附加電阻用于在特定的條件下阻止儲電電容被充電。
文檔編號G06K19/077GK202758377SQ20122034261
公開日2013年2月27日 申請日期2012年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月16日
發(fā)明者嚴翔翔, 周鈺, 鄭建賓, 彭敏 申請人:中國銀聯(lián)股份有限公司