專(zhuān)利名稱(chēng)：觸控裝置結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
觸控裝置結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，特別是有關(guān)于一種觸控裝置結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
[0002]隨著資訊科技的發(fā)展，觸控裝置成為人機(jī)之間資訊傳遞的方式之一。觸控裝置分 為可視區(qū)及邊框區(qū)，在可視區(qū)中制作電極，在邊框區(qū)分布電極引線(xiàn)，電極引線(xiàn)通過(guò)軟性電路 板將電極的訊號(hào)傳遞到訊號(hào)處理器中，完成觸控感應(yīng)的功能。電極通常由復(fù)數(shù)X方向電極 及復(fù)數(shù)Y方向電極交錯(cuò)形成。例如，X方向電極及Y方向電極設(shè)置在同一透明基底的同側(cè)， X方向電極為連續(xù)的，Y方向電極為不連續(xù)的。在X方向電極及Y方向電極交錯(cuò)位置設(shè)置絕 緣層及導(dǎo)電架橋，導(dǎo)電架橋連接相鄰兩個(gè)Y方向電極，絕緣層設(shè)置于導(dǎo)電架橋與X方向電極 之間，藉此，X方向電極及Y方向電極相互絕緣并確保在各自方向?qū)?。[0003]這種具有導(dǎo)電架橋、絕緣層及電極等數(shù)層結(jié)構(gòu)的觸控裝置的制作方法，通常是通 過(guò)多道濺鍍及光刻制程在基底上依序制作出X方向及Y方向電極、覆蓋X方向及Y方向電 極的絕緣層以及連接Y方向電極的導(dǎo)電架橋。[0004]然而，上述觸控裝置的制作方法中，形成次一層結(jié)構(gòu)時(shí)會(huì)對(duì)前一步驟已形成之層 結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響。例如，上述制作方法中經(jīng)過(guò)多次真空濺鍍、曝光、顯影與蝕刻制程后，電極可 能會(huì)出現(xiàn)裂紋或脫離基底等問(wèn)題。[0005]再者，上述制作方法采用真空濺鍍及光刻制程的多道程序，所需設(shè)備昂貴，制作成 本較高，且化學(xué)藥劑污染性大。[0006]因此，有必要尋求一種新的觸控裝置結(jié)構(gòu)之制造方法，其能夠解決或改善上述的 問(wèn)題。實(shí)用新型內(nèi)容[0007]本實(shí)用新型提供一種觸控裝置結(jié)構(gòu)，通過(guò)轉(zhuǎn)印制程制作導(dǎo)電架橋、絕緣層及感測(cè) 電極，以降低或排除形成次一層結(jié)構(gòu)時(shí)對(duì)前一步驟已形成之層結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的不良影響，進(jìn)而 提升良率。[0008]本實(shí)用新型提供一種觸控裝置結(jié)構(gòu)，包括一基底，基底區(qū)分有一可視區(qū)；復(fù)數(shù)第一 感測(cè)電極及復(fù)數(shù)第二感測(cè)電極相互絕緣且交錯(cuò)排列于可視區(qū)的基底上，其中第二感測(cè)電極 為不連續(xù)，且相鄰的第二感測(cè)電極之間具有一架橋區(qū)；一絕緣層，設(shè)置于第一感測(cè)電極及第 二感測(cè)電極上；一轉(zhuǎn)印基膜；以及復(fù)數(shù)導(dǎo)電架橋，相互間隔地設(shè)置于轉(zhuǎn)印基膜上，其中導(dǎo)電 架橋通過(guò)一轉(zhuǎn)印制程設(shè)置于絕緣層上，且對(duì)應(yīng)于架橋區(qū)，每一導(dǎo)電架橋電性連接相鄰的第 二感測(cè)電極，且導(dǎo)電架橋與第一感測(cè)電極通過(guò)絕緣層相互絕緣。[0009]本實(shí)用新型提供另一種觸控裝置結(jié)構(gòu)，包括一基底，基底區(qū)分有一可視區(qū)；復(fù)數(shù)第 一感測(cè)電極及復(fù)數(shù)第二感測(cè)電極相互絕緣且交錯(cuò)排列于可視區(qū)的基底上，其中第二感測(cè)電 極為不連續(xù)，且相鄰的第二感測(cè)電極之間界定出一架橋區(qū)；一轉(zhuǎn)印基膜；復(fù)數(shù)導(dǎo)電架橋，相 互間隔地設(shè)置于轉(zhuǎn)印基膜上；以及一絕緣層，設(shè)置于導(dǎo)電架橋上，其中導(dǎo)電架橋及絕緣層通過(guò)一轉(zhuǎn)印制程設(shè)置于第一感測(cè)電極及第二感測(cè)電極上，且其中導(dǎo)電架對(duì)應(yīng)于架橋區(qū)，每 一導(dǎo)電架橋電性連接相鄰的第二感測(cè)電極，且導(dǎo)電架橋與第一感測(cè)電極通過(guò)絕緣層相互絕緣。[0010]本實(shí)用新型提供另一種觸控裝置結(jié)構(gòu)，包括一基底，基底區(qū)分有一可視區(qū)；一轉(zhuǎn)印 基膜；復(fù)數(shù)導(dǎo)電架橋，相互間隔地設(shè)置于轉(zhuǎn)印基膜上；一絕緣層，設(shè)置于導(dǎo)電架橋上；以及 復(fù)數(shù)第一感測(cè)電極及復(fù)數(shù)第二感測(cè)電極，交錯(cuò)排列在絕緣層上，其中第二感測(cè)電極為不連 續(xù)，且相鄰第二感測(cè)電極之間界定出一架橋區(qū)，每一導(dǎo)電架橋電性連接相鄰的第二感測(cè)電 極，且與第一感測(cè)電極通過(guò)絕緣層相互絕緣，且其中導(dǎo)電架橋、絕緣層、第一感測(cè)電極及第 二感測(cè)電極通過(guò)一轉(zhuǎn)印制程設(shè)置于可視區(qū)的基底上。[0011]進(jìn)一步的，所述基底更區(qū)分有圍繞所述可視區(qū)的邊框區(qū)，且所述觸控裝置結(jié)構(gòu)更 包括復(fù)數(shù)引線(xiàn)，設(shè)置于所述邊框區(qū)的所述基底上，以分別電性連接所述第一感測(cè)電極及所 述第二感測(cè)電極。[0012]進(jìn)一步的，所述基底更區(qū)分有圍繞所述可視區(qū)的邊框區(qū)，且所述觸控裝置結(jié)構(gòu)更 包括復(fù)數(shù)引線(xiàn)，設(shè)置于所述轉(zhuǎn)印基膜上，且對(duì)應(yīng)于所述邊框區(qū)，以分別電性連接所述第一感 測(cè)電極及所述第二感測(cè)電極。[0013]進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電架橋的材質(zhì)包括納米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶 膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米碳管溶膠或?qū)щ姼叻肿尤?膠。[0014]進(jìn)一步的，所述第一感測(cè)電極及所述第二感測(cè)電極的材質(zhì)包括納米銀溶膠、銦錫 氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米 碳管溶膠或?qū)щ姼叻肿尤苣z。[0015]進(jìn)一步的，所述絕緣層包括彼此隔開(kāi)的復(fù)數(shù)絕緣塊，對(duì)應(yīng)于所述架橋區(qū)。[0016]進(jìn)一步的，所述絕緣層具有復(fù)數(shù)對(duì)孔洞對(duì)應(yīng)于所述架橋區(qū)，使每一導(dǎo)電架橋經(jīng)由 每一對(duì)孔洞電性連接所述相鄰的第二感測(cè)電極。[0017]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，由于通過(guò)轉(zhuǎn)印制作觸控裝置的導(dǎo)電架橋、絕緣層及感測(cè) 電極，可降低或排除形成次一層結(jié)構(gòu)時(shí)對(duì)前一步驟已形成之層結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的不良影響，進(jìn)而 提升良率。另外，以轉(zhuǎn)印制程取代濺鍍及光刻制程，可簡(jiǎn)化制程，進(jìn)而提高生產(chǎn)效率。另外 由于無(wú)需昂貴的制程(例如，濺鍍及光刻制程)設(shè)備，因此可提高價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)以及降低化 學(xué)藥劑的污染。


[0018]圖1A至1E-2為本實(shí)用新型一實(shí)施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面示意圖；[0019]圖2A至2E為本實(shí)用新型另一實(shí)施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面示意圖；[0020]圖3A至3E為本實(shí)用新型另一實(shí)施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面示意圖；[0021]圖1D-1、1D_2、2D及3D為本實(shí)用新型不同實(shí)施例的觸控裝置結(jié)構(gòu)剖面示意圖；以 及[0022]圖4為圖1D-1所示觸控裝置結(jié)構(gòu)的爆炸圖。
具體實(shí)施方式
[0023]以下說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例觸控裝置結(jié)構(gòu)及其制造方法。然而，可輕易了解本實(shí)用新型所提供的實(shí)施例僅用于說(shuō)明以特定方法制作及使用本實(shí)用新型，并非用以局限本實(shí)用新型的范圍。再者，在本實(shí)用新型實(shí)施例之圖式及說(shuō)明內(nèi)容中使用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或相似的部件。[0024]請(qǐng)參照?qǐng)D1D-1及圖4，其為根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例之觸控裝置結(jié)構(gòu)剖面示意圖及爆炸圖。在本實(shí)施例中，觸控裝置結(jié)構(gòu)包括一基底100、復(fù)數(shù)導(dǎo)電架橋210、一絕緣層 224、復(fù)數(shù)第一感測(cè)電極230、復(fù)數(shù)第二感測(cè)電極240及一轉(zhuǎn)印基膜2 00?；?00區(qū)分有一可視區(qū)110。第一感測(cè)電極230及第二感測(cè)電極240相互絕緣且交錯(cuò)排列于可視區(qū)110的基底100上，其中第一感測(cè)電極230沿第一軸向(例如X方向)排列，且為連續(xù)結(jié)構(gòu)。第二感測(cè)電極240沿第二軸向(例如Y方向)相互間隔排列，且為不連續(xù)，且相鄰的第二感測(cè)電極240之間界定出架橋區(qū)120。其中第一軸向與第二軸向相互交叉，例如第一軸向與第二軸向相互垂直，但不以此為限。架橋區(qū)120位于可視區(qū)110內(nèi)。絕緣層224設(shè)置于第一感測(cè)電極230及第二感測(cè)電極240上。導(dǎo)電架橋210相互間隔地設(shè)置于轉(zhuǎn)印基膜200上，且對(duì)應(yīng)于架橋區(qū)120，每一導(dǎo)電架橋210電性連接相鄰的第二感測(cè)電極240，且與第一感測(cè)電極 230通過(guò)絕緣層224相互絕緣。[0025]第一感測(cè)電極230及第二感測(cè)電極240可通過(guò)轉(zhuǎn)印制程形成于可視區(qū)110的基底 100上。在本實(shí)施例中，可先通過(guò)印刷制程，例如凹版印刷制程，在一轉(zhuǎn)印基膜(未繪示) 上形成第一感測(cè)電極230及第二感測(cè)電極240。接著，通過(guò)轉(zhuǎn)印制程將轉(zhuǎn)印基膜上的第一感測(cè)電極230及第二感測(cè)電極240轉(zhuǎn)印至可視區(qū)110的基底100上。在其他實(shí)施例中，也可通過(guò)印刷制程將第一感測(cè)電極230及第二感測(cè)電極240形成于基底100上。相較于傳統(tǒng)的濺鍍及光刻制程，由于進(jìn)行轉(zhuǎn)印制程時(shí)不需要高溫處理，因此第一感測(cè)電極230及第二感測(cè)電極240的材料不受限于耐高溫的導(dǎo)電材料。第一感測(cè)電極230及第二感測(cè)電極240 的材料可為光學(xué)透明導(dǎo)電油墨，透明導(dǎo)電油墨包括納米銀溶膠、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)溶膠、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide, IZO)溶膠、銦錫氟氧化物(Indium Tin Fluorine Oxide, ITF0)溶膠、招鋒氧化物(Aluminum Zinc Oxide, ΑΖ0)溶膠、氟鋒氧化物 (Fluorine Zinc Oxide, FZ0)溶膠、納米碳管溶膠或?qū)щ姼叻肿?例如，聚乙烯二氧噻吩 (poly (3,4-ethylenedioxythiophene), PED0T)溶膠,其中透明導(dǎo)電油墨的導(dǎo)電率可高于 1/Ωοπι0在其他實(shí)施例中，也可通過(guò)濺鍍及光刻制程取代上述轉(zhuǎn)印制程，其中第一感測(cè)電極 230及第二感測(cè)電極240的材質(zhì)包括ΙΤ0、ΙΖ0、ITF0, AZO或FZO等耐高溫材料。[0026]在本實(shí)施例中，絕緣層224包括彼此隔開(kāi)的復(fù)數(shù)絕緣塊222。絕緣塊222對(duì)應(yīng)于架橋區(qū)120，且設(shè)置于第一感測(cè)電極230上，以使連接相鄰第二感測(cè)電極240的導(dǎo)電架橋210 與第一感測(cè)電極230電性絕緣。絕緣層224可通過(guò)轉(zhuǎn)印或沉積制程形成。
權(quán)利要求1.一種觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基底，所述基底區(qū)分有一可視區(qū)；復(fù)數(shù)第一感測(cè)電極及復(fù)數(shù)第二感測(cè)電極相互絕緣且交錯(cuò)排列于所述可視區(qū)的所述基底上，其中所述第二感測(cè)電極為不連續(xù)，且所述相鄰的第二感測(cè)電極之間界定出一架橋區(qū)；絕緣層，設(shè)置于所述第一感測(cè)電極及所述第二感測(cè)電極上；轉(zhuǎn)印基膜；以及復(fù)數(shù)導(dǎo)電架橋，相互間隔地設(shè)置于所述轉(zhuǎn)印基膜上，其中所述導(dǎo)電架橋通過(guò)轉(zhuǎn)印制程設(shè)置于所述絕緣層上，且對(duì)應(yīng)于所述架橋區(qū)，每一導(dǎo)電架橋電性連接所述相鄰的第二感測(cè)電極，且所述導(dǎo)電架橋與所述第一感測(cè)電極通過(guò)所述絕緣層相互絕緣。
2.一種觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基底，所述基底區(qū)分有一可視區(qū)；復(fù)數(shù)第一感測(cè)電極及復(fù)數(shù)第二感測(cè)電極相互絕緣且交錯(cuò)排列于所述可視區(qū)的所述基底上，其中所述第二感測(cè)電極為不連續(xù)，且所述相鄰的第二感測(cè)電極之間界定出一架橋區(qū)；轉(zhuǎn)印基膜；復(fù)數(shù)導(dǎo)電架橋，相互間隔地設(shè)置于所述轉(zhuǎn)印基膜上；以及絕緣層，設(shè)置于所述導(dǎo)電架橋上，其中所述導(dǎo)電架橋及所述絕緣層通過(guò)轉(zhuǎn)印制程設(shè)置于所述第一感測(cè)電極及所述第二感測(cè)電極上，且其中所述導(dǎo)電架對(duì)應(yīng)于所述架橋區(qū)，每一導(dǎo)電架橋電性連接所述相鄰的第二感測(cè)電極，且所述導(dǎo)電架橋與所述第一感測(cè)電極通過(guò)所述絕緣層相互絕緣。
3.—種觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基底，所述基底區(qū)分有一可視區(qū)；轉(zhuǎn)印基膜；復(fù)數(shù)導(dǎo)電架橋，相互間隔地設(shè)置于所述轉(zhuǎn)印基膜上；絕緣層，設(shè)置于所述導(dǎo)電架橋上；以及復(fù)數(shù)第一感測(cè)電極及復(fù)數(shù)第二感測(cè)電極，交錯(cuò)排列在所述絕緣層上，其中所述第二感測(cè)電極為不連續(xù)，且所述相鄰的第二感測(cè)電極之間界定出一架橋區(qū)，每一導(dǎo)電架橋電性連接所述相鄰的第二感測(cè)電極，且與所述第一感測(cè)電極通過(guò)所述絕緣層相互絕緣，且其中所述導(dǎo)電架橋、所述絕緣層、所述第一感測(cè)電極及所述第二感測(cè)電極通過(guò)一轉(zhuǎn)印制程設(shè)置于所述可視區(qū)的所述基底上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底更區(qū)分有圍繞所述可視區(qū)的邊框區(qū)，且所述觸控裝置結(jié)構(gòu)更包括復(fù)數(shù)引線(xiàn)，設(shè)置于所述邊框區(qū)的所述基底上，以分別電性連接所述第一感測(cè)電極及所述第二感測(cè)電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底更區(qū)分有圍繞所述可視區(qū)的邊框區(qū)，且所述觸控裝置結(jié)構(gòu)更包括復(fù)數(shù)引線(xiàn)，設(shè)置于所述轉(zhuǎn)印基膜上，且對(duì)應(yīng)于所述邊框區(qū)，以分別電性連接所述第一感測(cè)電極及所述第二感測(cè)電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電架橋的材質(zhì)包括納米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米碳管溶膠或?qū)щ姼叻肿尤苣z。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一感測(cè)電極及所述第二感測(cè)電極的材質(zhì)包括納米銀溶膠、銦錫氧化物溶膠、銦鋅氧化物溶膠、銦錫氟氧化物溶膠、鋁鋅氧化物溶膠、氟鋅氧化物溶膠、納米碳管溶膠或?qū)щ姼叻肿尤苣z。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層包括彼此隔開(kāi)的復(fù)數(shù)絕緣塊，對(duì)應(yīng)于所述架橋區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的觸控裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層具有復(fù)數(shù)對(duì)孔洞對(duì)應(yīng)于所述架橋區(qū)，使每一導(dǎo)電架橋經(jīng)由每一對(duì)孔洞電性連接所述相鄰的第二感測(cè)電極。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供一種觸控裝置結(jié)構(gòu)，包括一基底，基底區(qū)分有一可視區(qū)；復(fù)數(shù)第一感測(cè)電極及復(fù)數(shù)第二感測(cè)電極相互絕緣且交錯(cuò)排列于可視區(qū)的基底上，其中第二感測(cè)電極為不連續(xù)，且相鄰的第二感測(cè)電極之間具有一架橋區(qū)；一絕緣層，設(shè)置于第一感測(cè)電極及第二感測(cè)電極上；一轉(zhuǎn)印基膜；以及復(fù)數(shù)導(dǎo)電架橋，相互間隔地設(shè)置于轉(zhuǎn)印基膜上，其中導(dǎo)電架橋通過(guò)一轉(zhuǎn)印制程設(shè)置于絕緣層上，且對(duì)應(yīng)于架橋區(qū)，每一導(dǎo)電架橋電性連接相鄰的第二感測(cè)電極，且導(dǎo)電架橋與第一感測(cè)電極通過(guò)絕緣層相互絕緣。通過(guò)轉(zhuǎn)印制程制作導(dǎo)電架橋、絕緣層及感測(cè)電極，以降低或排除形成次一層結(jié)構(gòu)時(shí)對(duì)前一步驟已形成之層結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的不良影響，進(jìn)而提升良率。
文檔編號(hào)G06F3/041GK202838264SQ20122051565
公開(kāi)日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月27日
發(fā)明者張恒耀, 張振炘, 吳孟學(xué), 伍哲毅, 陳麗嫻 申請(qǐng)人:寶宸(廈門(mén))光學(xué)科技有限公司