專利名稱：一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電容屏制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
電容屏是既電阻屏應(yīng)用后迅速崛起的移動(dòng)終端屏幕類型，并廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端。電容屏有多種類型，其中單層互容觸摸屏的結(jié)構(gòu)由單層納米銦錫金屬氧化物ITOI實(shí)現(xiàn)，結(jié)合圖1a-圖1b所示:可視區(qū)域2供用戶實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互，在可視區(qū)域2的邊沿設(shè)置有不透光區(qū)域3，用于遮擋驅(qū)動(dòng)可視區(qū)域2的元器件，參見(jiàn)圖lb，所述單層互容觸摸屏上還設(shè)置有覆蓋層4，該種結(jié)構(gòu)使用互容觸摸屏原理實(shí)現(xiàn)觸摸定位，即在所述觸摸屏上通過(guò)計(jì)算驅(qū)動(dòng)電極與所有接收電極間的耦合電容值變化量，確定觸摸點(diǎn)坐標(biāo)。以現(xiàn)有的單層互容觸摸屏為例，所述不透光區(qū)域3的相對(duì)介電常數(shù)與所述覆蓋層4的相對(duì)介電常數(shù)不同，因而所述可視區(qū)域2與所述不透光區(qū)域3在檢測(cè)觸摸點(diǎn)時(shí)的耦合電容值變化量將不同，從而在不透光區(qū)域3檢測(cè)到觸摸點(diǎn)，同樣的報(bào)點(diǎn)條件，將出現(xiàn)報(bào)點(diǎn)數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確的技術(shù)問(wèn)題。因而，如何提高所述不透光區(qū)域的報(bào)點(diǎn)準(zhǔn)確性，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)提高單層電容屏中不透光區(qū)域的報(bào)點(diǎn)準(zhǔn)確性的技術(shù)目的。一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，包括:所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下設(shè)置有補(bǔ)償層，所述補(bǔ)償層的面積至少包括除不透光區(qū)域以外的區(qū)域，所述補(bǔ)償層的相對(duì)介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)匹配?？蛇x地，在單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下通過(guò)真空濺鍍或涂布形成所述補(bǔ)償層；所述補(bǔ)償層的相對(duì)介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對(duì)介電常
數(shù)一致?？蛇x地，所述補(bǔ)償層設(shè)置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間，所述補(bǔ)償層對(duì)應(yīng)所述不透光區(qū)域的部分平鋪于所述不透光區(qū)域上。
可選地，所述補(bǔ)償層設(shè)置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間，所述補(bǔ)償層對(duì)應(yīng)所述不透光區(qū)域的部分介于所述不透光區(qū)域與所述ITO層之間?？蛇x地，所述補(bǔ)償層覆蓋所述ITO層內(nèi)表面。[0013]可選地，所述補(bǔ)償層設(shè)置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面與所述單層電容觸摸屏的ITO層之間，所述補(bǔ)償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿相接?？蛇x地，所述補(bǔ)償層設(shè)置于單層電容觸摸屏的ITO層內(nèi)表面，所述補(bǔ)償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿在同一豎直線上。從上述的技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型實(shí)施例的面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，通過(guò)在單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下設(shè)置與不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)匹配的補(bǔ)償層，優(yōu)選為設(shè)置與不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)相同的補(bǔ)償層，使單層觸摸屏中的可視區(qū)域與所述不透光區(qū)域在檢測(cè)觸摸點(diǎn)時(shí)的耦合電容值和耦合電容值變化量一致，從而提高所述不透光區(qū)域的報(bào)點(diǎn)準(zhǔn)確性。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1a為本實(shí)用新型公開(kāi)的現(xiàn)有面向單層電容觸摸屏的正視結(jié)構(gòu)示意圖；圖1b為本實(shí)用新型公開(kāi)的現(xiàn)有面向單層電容觸摸屏的縱剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)的面向單層電容觸摸屏的縱剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型又一實(shí)施例公開(kāi)的一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型又一實(shí)施例公開(kāi)的一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本實(shí)用新型又一實(shí)施例公開(kāi)的一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)示意圖圖6為本實(shí)用新型又一實(shí)施例公開(kāi)的一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍?，F(xiàn)有的單層互容觸摸屏中，如圖1a-圖lb，在同樣的報(bào)點(diǎn)條件下，單層互容觸摸屏在所述不透光區(qū)域3 (Black matrix)內(nèi)的報(bào)點(diǎn)將出現(xiàn)不準(zhǔn)確的情況，原因在于，所述不透光區(qū)域3的相對(duì)介電常數(shù)與所述覆蓋層4的相對(duì)介電常數(shù)不同，從而造成所述不透光區(qū)域3與可視區(qū)域(View area)2出現(xiàn)報(bào)點(diǎn)條件不一致的情況，也就是在同樣的報(bào)點(diǎn)條件下所述不透光區(qū)域3報(bào)點(diǎn)不準(zhǔn)確?，F(xiàn)有解決上述不透光區(qū)域3報(bào)點(diǎn)不準(zhǔn)確的問(wèn)題所采取的方式是通過(guò)軟件算法進(jìn)行修正，而由于覆蓋層4的材料與所述不透光區(qū)域3的材料的相對(duì)介電常數(shù)時(shí)常變化，因而軟件算法不僅復(fù)雜度高且修正準(zhǔn)確度得不到保證。本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)了一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)提高單層電容屏中不透光區(qū)域的報(bào)點(diǎn)準(zhǔn)確性的技術(shù)目的。圖2示出了一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，包括:補(bǔ)償層21，所述補(bǔ)償層設(shè)置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層22內(nèi)表面以下，所述補(bǔ)償層的面積至少包括除不透光區(qū)域以外的區(qū)域，所述補(bǔ)償層的相對(duì)介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域23的相對(duì)介電常數(shù)匹配。在實(shí)施例中，所述補(bǔ)償層21設(shè)置于覆蓋層22內(nèi)表面，圖中ITO層24設(shè)置于所述不透光區(qū)域23與所述補(bǔ)償層21內(nèi)表面。作為優(yōu)選，所述補(bǔ)償層的相對(duì)介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)一致。并且，所述補(bǔ)償層可通過(guò)真空濺鍍或涂布設(shè)置形成。當(dāng)所述單層電容觸摸屏中具備了該補(bǔ)償層后，所述驅(qū)動(dòng)電極與接收電機(jī)之間的耦合電容值變化量，可表不為ACdibm:Δ Ciiibm-Ciii1bm-Ciii0bm-f (ε CL, ε BM, Cf) _f ( ε Cl> ε βμ)，其中:Cdi0bm= f( ε CL, ε ΒΜ)是在不透光區(qū)域未檢測(cè)到觸摸點(diǎn)時(shí)，驅(qū)動(dòng)電極與接收電極之間耦合電容，CmlBM =f(eCL, ε BM, Cf)是不透光區(qū)域在檢測(cè)到觸摸點(diǎn)時(shí)，驅(qū)動(dòng)電極與接收電極之間耦合電容，所述為覆蓋層的相對(duì)介電常數(shù)，所述εΒΜ為不透光區(qū)域材料的相對(duì)介電常數(shù)，Cf人體與驅(qū)動(dòng)電極之間的耦合電容。優(yōu)選地，當(dāng)所述補(bǔ)償層的相對(duì)介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)一致時(shí)，所述耦合電容值變化量，可表示為:Δ Ciiibm- Δ CmVA-CmlvA-Cm0VA-f ( ε CL, Cf) _f ( ε CL)。上述實(shí)施例從單層互容觸摸屏的工作原理角度驗(yàn)證，采用本實(shí)用新型中的改良工藝，將改觀現(xiàn)有單層觸摸屏中的可視區(qū)域2與所述不透光區(qū)域3在檢測(cè)觸摸點(diǎn)時(shí)的耦合電容值和耦合電容值變化量不一致的情況。需要說(shuō)明的是:所述補(bǔ)償層可采用透明樹(shù)脂類作為相對(duì)介電常數(shù)的補(bǔ)償材料，所述透明樹(shù)脂類具有良好的耐化學(xué)性、耐熱性能，可選用丙烯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂好、聚酰亞胺樹(shù)脂、硅樹(shù)脂等，并不局限。上述實(shí)施例中所述補(bǔ)償層的相對(duì)介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)匹配但不一致的情況下，可借助軟件算法輔助實(shí)現(xiàn)不透光區(qū)域3報(bào)點(diǎn)準(zhǔn)確性提聞的技術(shù)目的。所述補(bǔ)償層的厚度可由實(shí)際應(yīng)用和相對(duì)介電常數(shù)的設(shè)置不同而調(diào)整，此處不做過(guò)多局限。所述覆蓋層通常為玻璃基板，一般地，其厚度約為0.7mm在本說(shuō)明書(shū)的實(shí)施例中，補(bǔ)償層、ITO層及不透光區(qū)域均以該玻璃基板為基礎(chǔ)進(jìn)行濺鍍或涂布。圖3示出了又一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，包括:在本實(shí)施例中，補(bǔ)償層31設(shè)置于所述覆蓋層32內(nèi)表面與所述ITO層34之間,所述補(bǔ)償層31對(duì)應(yīng)所述不透光區(qū)域的部分介于所述不透光區(qū)域33與所述ITO層34之間，圖中所述補(bǔ)償層31與所述不透光區(qū)域33的平面在所述覆蓋層32內(nèi)表面。[0045]圖4示出了又一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，包括:在本實(shí)施例中，補(bǔ)償層41覆蓋所述ITO層44內(nèi)表面，所述ITO層44的邊沿設(shè)置不透光區(qū)域43，覆蓋層42平鋪在所述ITO層44與所述不透光區(qū)域43表面。圖5示出了又一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，包括:在本實(shí)施例中，補(bǔ)償層51設(shè)置于所述覆蓋層52內(nèi)表面與所述單層電容觸摸屏的ITO層54之間，圖中所述補(bǔ)償層51與所述不透光區(qū)域53的平面在所述覆蓋層52內(nèi)表面。圖6示出了又一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，包括:在本實(shí)施例中，所述補(bǔ)償層61設(shè)置于所述ITO層64內(nèi)表面，且所述補(bǔ)償層61的邊沿與所述不透光區(qū)域63邊沿在同一豎直線上，所述ITO層64與所述不透光區(qū)域63表面在覆蓋層62的內(nèi)表面。上述實(shí)施例中的改良結(jié)構(gòu)，從硬件上改進(jìn)了現(xiàn)有的單層電容觸摸屏層疊結(jié)構(gòu)，使單層觸摸屏中的可視區(qū)域與所述不透光區(qū)域在檢測(cè)觸摸點(diǎn)時(shí)的耦合電容值和耦合電容值變化量匹配，從而提高所述不透光區(qū)域的報(bào)點(diǎn)準(zhǔn)確性。綜上所述:本實(shí)用新型實(shí)施例中的面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，通過(guò)在單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下設(shè)置與不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)匹配的補(bǔ)償層，優(yōu)選為設(shè)置與不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)相同的補(bǔ)償層，使單層觸摸屏中的可視區(qū)域與所述不透光區(qū)域在檢測(cè)觸摸點(diǎn)時(shí)的耦合電容值和耦合電容值變化量一致，從而提高所述不透光區(qū)域的報(bào)點(diǎn)準(zhǔn)確性。本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型實(shí)施例的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型實(shí)施例將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下設(shè)置有補(bǔ)償層； 所述補(bǔ)償層的面積至少包括除不透光區(qū)域以外的區(qū)域； 所述補(bǔ)償層的相對(duì)介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)匹配。
2.如權(quán)利要求1所述的面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，其特征在于， 在單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下通過(guò)真空濺鍍或涂布形成所述補(bǔ)償層； 所述補(bǔ)償層的相對(duì)介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)一致。
3.如權(quán)利要求1或2所述的面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下設(shè)置有補(bǔ)償層包括: 所述補(bǔ)償層設(shè)置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間，所述補(bǔ)償層對(duì)應(yīng)所述不透光區(qū)域的部分平鋪于所述不透光區(qū)域上。
4.如權(quán)利要求1或2所述的面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下設(shè)置有補(bǔ)償層包括: 所述補(bǔ)償層設(shè)置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面與所述單層電容觸摸屏的納米銦錫金屬氧化物ITO層之間，所述補(bǔ)償層對(duì)應(yīng)所述不透光區(qū)域的部分介于所述不透光區(qū)域與所述ITO層之間。
5.如權(quán)利要求1或2所述的面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下設(shè)置有補(bǔ)償層包括: 所述補(bǔ)償層覆蓋所述ITO層內(nèi)表面。
6.如權(quán)利要求1或2所述的面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下設(shè)置有補(bǔ)償層包括: 所述補(bǔ)償層設(shè)置于所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面與所述單層電容觸摸屏的ITO層之間，所述補(bǔ)償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿相接。
7.如權(quán)利要求1或2所述的面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下設(shè)置有補(bǔ)償層包括: 所述補(bǔ)償層設(shè)置于單層電容觸摸屏的ITO層內(nèi)表面，所述補(bǔ)償層的邊沿與所述不透光區(qū)域邊沿在同一豎直線上。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)了一種面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，包括所述單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下設(shè)置有補(bǔ)償層，所述補(bǔ)償層的面積至少包括除不透光區(qū)域以外的區(qū)域，所述補(bǔ)償層的相對(duì)介電常數(shù)與所述單層電容觸摸屏的不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)匹配。本實(shí)用新型實(shí)施例的面向單層電容觸摸屏的改良結(jié)構(gòu)，通過(guò)在單層電容觸摸屏的覆蓋層內(nèi)表面以下設(shè)置與不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)匹配的補(bǔ)償層，優(yōu)選為設(shè)置與不透光區(qū)域的相對(duì)介電常數(shù)相同的補(bǔ)償層，使單層觸摸屏中的可視區(qū)域與所述不透光區(qū)域在檢測(cè)觸摸點(diǎn)時(shí)的耦合電容值和耦合電容值變化量一致，從而提高所述不透光區(qū)域的報(bào)點(diǎn)準(zhǔn)確性。
文檔編號(hào)G06F3/044GK202976044SQ20122061047
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月16日
發(fā)明者王朋, 侯衛(wèi)京, 郭明, 李華, 劉伯政, 劉輝 申請(qǐng)人:敦泰科技有限公司