專利名稱：磁盤陣列刷盤方法及磁盤陣列刷盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實施例涉及計算機技術(shù)，尤其涉及一種磁盤陣列刷盤方法及磁盤陣列刷盤裝置。
背景技術(shù)：
隨著計算機應(yīng)用技術(shù)的快速發(fā)展，隨之產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)對存儲的空間和性能的要求都在不斷提高。由于當(dāng)前的主流磁盤操作中仍然存在大量的機械操作，其性能和處理器以及內(nèi)存都有較大的差距。將高速緩沖存儲器(CACHE)技術(shù)應(yīng)用于存儲領(lǐng)域，不僅可以隱藏主機時延，還可以整合數(shù)據(jù)，通過CACHE將數(shù)據(jù)以磁盤友好的方式寫入磁盤，即通過對磁盤進行刷盤，從而達到存儲系統(tǒng)最佳的吞吐量。經(jīng)過幾十年 的研究，現(xiàn)有的CACHE算法已經(jīng)趨于成熟。但是計算機提供的應(yīng)用日趨多樣化，磁盤陣列提供的空間以及性能都需要更靈活的調(diào)度方法。而同一磁盤陣列中往往會包括不同類型的盤，即使是同類型的盤組成的獨立磁盤冗余陣列(Redundant Arrayof Independent Disks,以下簡稱RAID)組,每個RAID組包含的成員盤數(shù)往往也會不同。同時單個RAID組中以邏輯單元號(Logic Unit Number,以下簡稱LUN)標(biāo)識的邏輯單元的個數(shù)也在逐漸增多?，F(xiàn)有技術(shù)中，磁盤陣列的刷盤都是在邏輯單元的層面進行調(diào)度，即每個刷盤輸入輸出(Input/Output,以下簡稱10)均針對單個邏輯單元,而在磁盤陣列中同時包括多個RAID組，每個RAID組中又有多個邏輯單元，目前的磁盤陣列刷盤方法不能對該情況進行很好地處理。比如同一個RAID組內(nèi)的多個邏輯單元，針對單個邏輯單元的刷盤IO在該邏輯單元內(nèi)是有序的，但由于需要對多個邏輯單元并發(fā)刷盤、且并發(fā)刷盤的多個邏輯單元之間的順序是離散的，表現(xiàn)在整個RAID組內(nèi)的刷盤并發(fā)IO往往是離散的。離散的刷盤并發(fā)IO會導(dǎo)致磁盤的磁臂來回跳動尋址，大量的時間消耗在磁臂尋址而非數(shù)據(jù)讀寫，對磁盤陣列的整體性能造成極大的負面影響，磁盤陣列的吞吐量較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種磁盤陣列刷盤方法及磁盤陣列刷盤裝置，用以提高磁盤陣列的刷盤效率，增加磁盤陣列的吞吐量。第一方面，本發(fā)明實施例提供的一種磁盤陣列刷盤方法，包括:獲取磁盤陣列中同一獨立磁盤冗余陣列RAID組中各邏輯單元按照所述各邏輯單元的物理地址的排序；將所述RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的排序依次刷盤至所述RAID組中的邏輯單元，每個刷盤并發(fā)IO包括待刷盤至所述RAID組中一個邏輯單元的至少一個臟頁面。在第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中，所述將所述RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的頁序依次刷盤至所述RAID組中的邏輯單元之前，還包括:根據(jù)待刷盤至所述磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至所述RAID組的臟頁面總數(shù)和所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，確定所述RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)。根據(jù)第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式中，所述根據(jù)待刷盤至所述磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至所述RAID組的臟頁面總數(shù)和所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，確定所述RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)，包括:確定所述RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)Cln = MX (pn/P) X (1-U)，其中，M為所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，pn為所述待刷盤至所述RAID組的臟頁面總數(shù)，P為所述待刷盤至所述磁盤陣列的臟頁面總數(shù)，U為所述磁盤陣列的當(dāng)前利用率。根據(jù)第一方面或第一方面的前兩種可能的實現(xiàn)方式之一，在第一方面的第三種可能的實現(xiàn)方式中，所述將所述RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的順序依次刷盤至所述RAID組中的邏輯單元，包括:從所述RAID組的刷盤指針指向的當(dāng)前邏輯單元開始遍歷；若待刷盤至所述RAID組的臟頁面不包含待刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，則將所述RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在所述當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元；若所述待刷盤至所述RAID組的臟頁面包含待刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤。根據(jù)第一方面第三種可能的實現(xiàn)方式，在第一方面的第四種可能的實現(xiàn)方式中，所述對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，包括:若所述當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到所述當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則將對應(yīng)所述當(dāng)前邏輯單元的刷盤并發(fā)IO中的臟頁面刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元；若所述當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到所述當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則停止對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，將所述RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在所述當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元。根據(jù)第一方面的第三種或者第四種可能的實現(xiàn)方式，在第一方面的第五種可能的實現(xiàn)方式中，所述對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，包括:若所述RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，則對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤；若所述RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到所 述RAID組的并發(fā)刷盤上限，則停止對所述RAID組的刷盤。根據(jù)第一方面的第五種可能的實現(xiàn)方式，在第一方面的第六種可能的實現(xiàn)方式中，所述停止對所述RAID組的刷盤之后，還包括:保持所述RAID組的刷盤指針不變。第二方面，本發(fā)明實施例提供的一種磁盤陣列刷盤裝置，包括:獲取模塊，用于獲取磁盤陣列中同一獨立磁盤冗余陣列RAID組中各邏輯單元按照所述各邏輯單元的物理地址的排序；刷盤模塊，用于將所述RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的排序依次刷盤至所述RAID組中的邏輯單元，每個刷盤并發(fā)IO包括待刷盤至所述RAID組中一個邏輯單元的至少一個臟頁面。在第二方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中，還包括:確定模塊，用于根據(jù)待刷盤至所述磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至所述RAID組的臟頁面總數(shù)和所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，確定所述RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)。根據(jù)第二方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第二方面的第二種可能的實現(xiàn)方式中，所述確定模塊具體用于:確定所述RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)Cln = MX (pn/P) X (1_U)，其中，M為所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，Pn為所述待刷盤至所述RAID組的臟頁面總數(shù)，P為所述待刷盤至所述磁盤陣列的臟頁面總數(shù)，U為所述磁盤陣列的當(dāng)前利用率。
根據(jù)第二方面或第二方面的前兩種可能的實現(xiàn)方式之一，在第二方面的第三種可能的實現(xiàn)方式中，所述刷盤模塊具體用于:從所述RAID組的刷盤指針指向的當(dāng)前邏輯單元開始遍歷；若待刷盤至所述RAID組的臟頁面不包含待刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，則將所述RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在所述當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元；若所述待刷盤至所述RAID組的臟頁面包含待刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤。根據(jù)第二方面第三種可能的實現(xiàn)方式，在第二方面的第四種可能的實現(xiàn)方式中，所述刷盤模塊用于對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，具體包括:若所述當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到所述當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則將對應(yīng)所述當(dāng)前邏輯單元的刷盤并發(fā)IO中的臟頁面刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元；若所述當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到所述當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則停止對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，將所述RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在所述當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元。根據(jù)第二方面的第三種或者第四種可能的實現(xiàn)方式，在第二方面的第五種可能的實現(xiàn)方式中，所述刷盤模塊還用于:若所述RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，則對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤；若所述RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，則停止對所述RAID組的刷盤。根據(jù)第二方面的第五種可能的實現(xiàn)方式，在第二方面的第六種可能的實現(xiàn)方式中，所述刷盤模塊還用于:保持所述RAID組的刷盤指針不變。第三方面，本發(fā)明實施例提供的另一種磁盤陣列刷盤裝置，包括:存儲器，用于存儲指令；處理器，與所述存儲器耦合，處理器被配置為執(zhí)行存儲在存儲器中的指令，其中，
`
處理器被配置為用于:獲取磁盤陣列中同一獨立磁盤冗余陣列RAID組中各邏輯單元按照所述各邏輯單元的物理地址的排序；將所述RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的排序依次刷盤至所述RAID組中的邏輯單元，每個刷盤并發(fā)IO包括待刷盤至所述RAID組中一個邏輯單元的至少一個臟頁面。在第三方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中，處理器被配置為用于:根據(jù)待刷盤至所述磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至所述RAID組的臟頁面總數(shù)和所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，確定所述RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)。根據(jù)第三方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第三方面的第二種可能的實現(xiàn)方式中，所述處理器被配置為具體用于:確定所述RAID組的刷盤并發(fā)10數(shù)dn = MX (pn/P) X (1-U)，其中，M為所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，pn為所述待刷盤至所述RAID組的臟頁面總數(shù)，P為所述待刷盤至所述磁盤陣列的臟頁面總數(shù)，U為所述磁盤陣列的當(dāng)前利用率。根據(jù)第三方面或第三方面的前兩種可能的實現(xiàn)方式之一，在第三方面的第三種可能的實現(xiàn)方式中，所述處理器配置為具體用于:從所述RAID組的刷盤指針指向的當(dāng)前邏輯單元開始遍歷；若待刷盤至所述RAID組的臟頁面不包含待刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，則將所述RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在所述當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元；若所述待刷盤至所述RAID組的臟頁面包含待刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤。
根據(jù)第三方面第三種可能的實現(xiàn)方式，在第三方面的第四種可能的實現(xiàn)方式中，所述處理器配置為用于對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，具體包括:若所述當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到所述當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則將對應(yīng)所述當(dāng)前邏輯單元的刷盤并發(fā)IO中的臟頁面刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元；若所述當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到所述當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則停止對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，將所述RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在所述當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元。根據(jù)第三方面的第三種或者第四種可能的實現(xiàn)方式，在第三方面的第五種可能的實現(xiàn)方式中，所述處理器配置為還用于:若所述RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，則對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤；若所述RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，則停止對所述RAID組的刷盤。根據(jù)第三方面的第五種可能的實現(xiàn)方式，在第三方面的第六種可能的實現(xiàn)方式中，所述處理器配置為還用于:保持所述RAID組的刷盤指針不變。本發(fā)明實施例提供的磁盤陣列刷盤方法及磁盤陣列刷盤裝置，通過對單個RAID組內(nèi)的多個邏輯單元統(tǒng)一調(diào)度按物理地址順序進行刷盤，減少了磁臂來回跳動尋址消耗的時間，通過對各RAID組獨立的控制，避免了各RAID組之間的影響，從而提高了磁盤陣列的刷盤效率，增加了磁盤陣列的吞吐量。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明 提供的磁 盤陣列刷盤方法實施例一的流程圖；圖2為本發(fā)明提供的磁盤陣列刷盤方法實施例二的流程圖；圖3為本發(fā)明提供的磁盤陣列刷盤方法實施例三的流程圖；圖4為本發(fā)明提供的磁盤陣列刷盤裝置實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明提供的磁盤陣列刷盤裝置實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。圖1為本發(fā)明提供的磁盤陣列刷盤方法實施例一的流程圖，如圖1所示，本實施例提供的磁盤陣列刷盤方法可以包括:步驟S110、獲取磁盤陣列中同一 RAID組中各邏輯單元按照各邏輯單元的物理地址的排序。具體地，磁盤陣列中可以包括多個RAID組，每個RAID組可以包括多個邏輯單元，邏輯單元可以以邏輯單元號LUN作為標(biāo)識，邏輯單元用以劃分RAID組中的存儲空間。通常，可以在創(chuàng)建邏輯單元時，將同一 RAID組中的所有邏輯單元按照其在RAID組上的物理地址順序進行劃分，每個邏輯單元占用RAID組中連續(xù)的物理地址空間。舉例來說，LUNl 5按照物理地址的排序可能為:LUN2、LUN4、LUNl、LUN5、LUN3。步驟S120、將RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的排序依次刷盤至RAID組中的邏輯單元，每個刷盤并發(fā)IO包括待刷盤至RAID組中一個邏輯單元的至少一個臟頁面。RAID組的一個刷盤并發(fā)IO中可以包含一個或多個需刷盤至RAID組中的同一邏輯單元的臟頁面，RAID組的一個刷盤并發(fā)IO可以理解為將該刷盤并發(fā)IO中的臟頁面刷盤至該RAID組的一次刷盤操作。通常，將待刷盤至所述RAID組的臟頁面按照其對應(yīng)的目的地址的順序連續(xù)打包，形成一個個刷盤并發(fā)10，其中，臟頁面的目的地址對應(yīng)該臟頁面待寫入的邏輯單元的物理地址。對各RAID組分別進行刷盤，在刷盤的過程中，各RAID組之間互不影響。將RAID組中的刷盤并發(fā)IO按照一定順序分別刷盤至RAID組的邏輯單元，如果該順序與該RAID組中邏輯單元的物理地址的排列順序一致，由于RAID組中各邏輯單元的物理地址連續(xù)，那么將RAID組的刷盤并發(fā)IO刷盤至該RAID組的過程即為該RAID組中的磁臂順序?qū)ぶ?，并將臟頁面寫入磁盤的過程。本發(fā)明實施例提供的磁盤陣列刷盤方法，通過對單個RAID組內(nèi)的邏輯單元統(tǒng)一調(diào)度按物理地址順序進行刷盤，減少了磁臂來回跳動尋址消耗的時間，通過對各RAID組獨立的控制，避免了各RAID組之間的影響，從而提高了磁盤陣列的刷盤效率，增加了磁盤陣列的吞吐量。圖2為本發(fā)明提供的磁盤陣列刷盤方法實施例二的流程圖，如圖2所示，本實施例提供的磁盤陣列刷盤方法可以包括:
步驟S210、獲取磁盤陣列中同一 RAID組中各邏輯單元按照各邏輯單元的物理地址的排序。具體地，磁盤陣列中可以包括多個RAID組，每個RAID組可以包括多個邏輯單元，邏輯單元可以以邏輯單元號LUN作為標(biāo)識，邏輯單元用以劃分RAID組中的存儲空間。通常，可以在創(chuàng)建邏輯單元時，將同一 RAID組中的所有邏輯單元按照其在RAID組上的物理地址順序進行劃分，每個邏輯單元占用RAID組中連續(xù)的物理地址空間。步驟S220、根據(jù)待刷盤至磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至RAID組的臟頁面總數(shù)和RAID組的并發(fā)刷盤上限，確定RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)。本步驟也可以在步驟S210之前實施，具體而言，待刷盤至磁盤陣列的臟頁面為已寫入CACHE，但尚未寫入磁盤陣列的數(shù)據(jù)，如果CACHE中的臟頁面超過了高水位，即CACHE中存放臟頁面的空間即將耗盡，則將每個RAID組的并發(fā)刷盤上限作為該RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)。如果CACHE中的臟頁面沒有達到高水位，則可以根據(jù)待刷盤至該RAID組的臟頁面總數(shù)占待刷盤至磁盤陣列的臟頁面總數(shù)的比例、該RAID組的并發(fā)刷盤上限，以及磁盤陣列的忙閑程度來確定本次該RAID組中邏輯單元的刷盤并發(fā)IO的個數(shù)。其中RAID組的并發(fā)刷盤上限，即每次刷盤并發(fā)中該RAID組可以進行刷盤IO的個數(shù)上限，RAID組的并發(fā)刷盤上限由該RAID組的成員盤類型、成員盤個數(shù)以及該RAID組采用的RAID級別決定。成員盤的速度越快，作為數(shù)據(jù)盤的成員盤的數(shù)量越多，RAID組的并發(fā)刷盤上限就越大。
可選地，如果CACHE中的臟頁面數(shù)沒有達到高水位，可以根據(jù)下述公式確定本次該RAID組的刷盤并發(fā)IO的個數(shù):dn = MX (pn/P) X (1-U)其中，dn為RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)，包括該RAID組中所有邏輯單元的刷盤并發(fā)IO的總數(shù)；M為該RAID組的并發(fā)刷盤上限；pn為待刷盤至RAID組的臟頁面總數(shù)；P為待刷盤至磁盤陣列的臟頁面總數(shù)；U為磁盤陣列的當(dāng)前利用率。由此可見，待刷盤至某一 RAID組的臟頁面總數(shù)相對于待刷盤至磁盤陣列的臟頁面總數(shù)的比例越大，則該RAID組的刷盤并發(fā)IO的個數(shù)也越多；磁盤陣列的當(dāng)前利用率越低，則每個RAID組的刷盤并發(fā)IO的個數(shù)也越多。步驟S230、將RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的排序依次刷盤至RAID組中的邏輯單元，每個刷盤并發(fā)IO包括待刷盤至RAID組中一個邏輯單元的至少一個臟頁面。RAID組的一個刷盤并發(fā)IO中可以包含一個或多個需刷盤至RAID組中的同一邏輯單元的臟頁面，RAID組的一個刷盤并發(fā)IO可以理解為將該刷盤并發(fā)IO中的臟頁面刷盤至該RAID組的一次刷盤操作，RAID組的一個刷盤并發(fā)IO中可以包含一個或多個需刷盤至RAID組中的同一邏輯單元的臟頁面。通常，將待刷盤至所述RAID組的臟頁面按照其對應(yīng)的目的地址的順序連續(xù)打包，形成一個個刷盤并發(fā)10，其中，臟頁面的目的地址對應(yīng)該臟頁面待寫入的邏輯單元的物理地址。對各RAID組分別進行刷盤，在刷盤的過程中，各RAID組之間互不影響。將RAID組中的刷盤并發(fā)IO按照一定順序分別刷盤至RAID組的邏輯單元，如果該順序與該RAID組中邏輯單元的物理地址的排列順序一致，由于RAID組中各邏輯單元的物理地址連續(xù)，那么將RAID組的刷盤并發(fā)IO刷盤至該RAID組的過程即為該RAID組中的磁臂順序?qū)ぶ?，并將臟頁面寫入磁盤的過程。

本發(fā)明實施例提供的磁盤陣列刷盤方法，通過對單個RAID組內(nèi)的邏輯單元統(tǒng)一調(diào)度按物理地址順序進行刷盤，減少了磁臂來回跳動尋址消耗的時間，通過對各RAID組獨立的控制，避免了各RAID組之間的影響，并且通過在RAID組層面對各RAID組刷盤并發(fā)IO數(shù)的統(tǒng)一管理，一定程度上平衡了各RAID組的使用率。從而提高了磁盤陣列的刷盤效率，增加了磁盤陣列的吞吐量。進一步地，將RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的順序依次刷盤至RAID組中的邏輯單元，包括:從RAID組的刷盤指針指向的當(dāng)前邏輯單元開始遍歷；若待刷盤至RAID組的臟頁面不包含待刷盤至當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，則將RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元；若待刷盤至RAID組的臟頁面包含對應(yīng)當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，意味著有對應(yīng)該當(dāng)前邏輯單元的刷盤并發(fā)10，則對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤。簡單而言，單個RAID組中，可以設(shè)置刷盤指針，用于指示當(dāng)前刷盤操作起始的邏輯單元，即上次并發(fā)刷盤操作終止的邏輯單元。若在刷盤過程中，待刷盤至RAID組的臟頁面不包括待刷盤至刷盤指針指向的當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，意味著沒有對應(yīng)該當(dāng)前邏輯單元的刷盤并發(fā)10，則將刷盤指針指向另一邏輯單元，另一邏輯單元為依照物理地址順序排在當(dāng)前邏輯單元下一個的邏輯單元，對另一邏輯單元進行刷盤。如果當(dāng)前邏輯單元依照物理地址順序排在該RAID組的最后，則將刷盤指針指向依照物理地址順序排在該RAID組的首位的邏輯單元。
進一步地，對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，包括:若當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則將對應(yīng)當(dāng)前邏輯單元的刷盤并發(fā)IO中的臟頁面刷盤至當(dāng)前邏輯單元；若當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則停止對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，將所述RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在所述當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元。簡單而言，在將一個刷盤并發(fā)IO中的臟頁面刷盤至當(dāng)前邏輯單元之前，若判斷當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則停止對當(dāng)前邏輯單元的刷盤，將刷盤指針指向另一邏輯單元，另一邏輯單元為依照物理地址順序排在當(dāng)前邏輯單元下一個的邏輯單元，對另一邏輯單元進行刷盤。進一步地，對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，包括:若RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到RAID組的并發(fā)刷盤上限，則對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤；若RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到RAID組的并發(fā)刷盤上限，則停止對RAID組的刷盤。同樣，在將臟頁面刷盤至當(dāng)前邏輯單元之前，如果判斷RAID組中所有邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO的個數(shù)達到RAID組中邏輯單元的刷盤并發(fā)IO數(shù)，即本次對該RAID組的刷盤已完成，也將RAID組的刷盤指針停留至當(dāng)前邏輯單元，退出本次對該RAID組的刷盤。本發(fā)明實施例提供的磁盤陣列刷盤方法，通過對單個RAID組內(nèi)的邏輯單元統(tǒng)一調(diào)度按物理地址順序進行刷盤，減少了磁臂來回跳動尋址消耗的時間，通過對各RAID組獨立的控制，并且根據(jù)待刷盤至磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至各RAID組的臟頁面總數(shù)和各RAID組的并發(fā)刷盤上限，分別確定各RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)，避免了各RAID組的邏輯單元個數(shù)差別較大的影響，提高了磁盤陣列的刷盤效率，增加了磁盤陣列的吞吐量。圖3為本發(fā)明提供的磁盤陣列刷盤方法實施例三的流程圖，如圖3所示，本實施例提供的磁盤陣列刷盤方法應(yīng)用于為對單個RAID組進行刷盤的方法時，可以包括:步驟S302、確定RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)。具體地，可以根據(jù)待刷盤至磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至RAID組的臟頁面總數(shù)和RAID組的并發(fā)刷盤上限，確定RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)。步驟S304、確定RAID組的刷盤指針指向的當(dāng)前邏輯單元。單個RAID組中，可以設(shè)置刷盤指針，用于指向當(dāng)前刷盤操作起始的邏輯單元，也即上次刷盤操作終止時指向的邏輯單元。步驟S306、判斷RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)是否達到RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)，若是則執(zhí)行步驟S320，若否則執(zhí)行步驟S308。步驟S308、判斷待刷盤至RAID組的臟頁面是否包含待刷盤至當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，若是則執(zhí)行步驟S310，若否則執(zhí)行步驟S316。步驟S310、判斷RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)是否達到RAID組的并發(fā)刷盤上限，若是則執(zhí)行步驟S320，若否則執(zhí)行步驟S312。步驟S312、判斷當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)是否達到當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，若是則執(zhí)行步驟S316，若否執(zhí)行步驟S314。進一步地， 針對RAID組中的每個邏輯單元也可設(shè)置并發(fā)刷盤上限。對應(yīng)地，可以判斷刷盤指針指向的當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)是否達到當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限。
步驟S314、將對應(yīng)當(dāng)前邏輯單元的一個刷盤并發(fā)IO中包含的臟頁面寫入當(dāng)前邏輯單元中，返回步驟S306。具體地，步驟S314之前還包括，將對應(yīng)當(dāng)前邏輯單元的至少一個臟頁面打包成對應(yīng)當(dāng)前邏輯單元的一個刷盤并發(fā)10。步驟S316、刷盤指針是否已遍歷所有邏輯單元。若是則執(zhí)行步驟320，若否執(zhí)行步驟 S318。具體地，這里的所有邏輯單元是指所述RAID組中的所有邏輯單元。步驟S318、將刷盤指針指向下一邏輯單元，返回步驟S304。具體地，下一邏輯單元為按照邏輯塊尋址順序排列在刷盤指針指向的當(dāng)前邏輯單元下一個的邏輯單元。如果當(dāng)前邏輯單元依照物理地址順序排在該RAID組的最后，則將刷盤指針指向依照物理地址順序排在該RAID組的首位的邏輯單元。步驟S320、刷盤完成。本發(fā)明實施例提供的磁盤陣列刷盤方法，通過上述各步驟，對單個RAID組內(nèi)的邏輯單元統(tǒng)一調(diào)度按物理地址順序進行刷盤，減少了磁臂來回跳動尋址消耗的時間，通過對各RAID組獨立的控制，并且根據(jù)待刷盤至磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至各RAID組的臟頁面總數(shù)和各RAID組的并發(fā)刷盤上限，分別確定各RAID組的刷盤并發(fā)IO的個數(shù)，避免了各RAID組的邏輯單元個數(shù)差別較大的影響。圖4為本發(fā)明提供的磁盤陣列刷盤裝置實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，本實施例提供的磁盤陣列刷盤裝 置400可以包括:獲取模塊410，可以用于獲取磁盤陣列中同一獨立磁盤冗余陣列RAID組中各邏輯單元按照各邏輯單元的物理地址的排序；刷盤模塊420，可以用于將RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的排序依次刷盤至RAID組中的邏輯單元，每個刷盤并發(fā)IO包括待刷盤至RAID組中一個邏輯單元的至少一個臟頁面。進一步地，還可以包括:確定模塊430，用于根據(jù)待刷盤至磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至RAID組的臟頁面總數(shù)和RAID組的并發(fā)刷盤上限，確定RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)。進一步地，確定模塊430可以具體用于:確定RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)dn =MX(pn/P)X(l_U)，其中，M為RAID組的并發(fā)刷盤上限，Pn為待刷盤至RAID組的臟頁面總數(shù)，P為待刷盤至磁盤陣列的臟頁面總數(shù)，U為磁盤陣列的當(dāng)前利用率。進一步地，刷盤模塊420可以具體用于:從RAID組的刷盤指針指向的當(dāng)前邏輯單元開始遍歷；若待刷盤至RAID組的臟頁面不包含待刷盤至當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，則將RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元；若待刷盤至RAID組的臟頁面包含待刷盤至當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤。進一步地，刷盤模塊420用于對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，具體可以包括:若當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則將對應(yīng)當(dāng)前邏輯單元的刷盤并發(fā)IO中的臟頁面刷盤至當(dāng)前邏輯單元；若當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則停止對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，將RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元。進一步地，刷盤模塊420還可以用于:若RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到RAID組的并發(fā)刷盤上限，則對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤；若RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到RAID組的并發(fā)刷盤上限，則停止對RAID組的刷盤。進一步地，刷盤模塊420還可以用于:保持RAID組的刷盤指針不變。本實施例提供的磁盤陣列刷盤裝置400，可以用于執(zhí)行圖1至圖3中任一所示方法實施例的技術(shù)方案，其實現(xiàn)原理和技術(shù)效果類似，此處不再贅述。圖5為本發(fā)明提供的磁盤陣列刷盤裝置實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，磁盤陣列刷盤裝置500包括:存儲器501，用于存儲指令；處理器502，與所述存儲器耦合，處理器502被配置為執(zhí)行存儲在存儲器501中的指令；磁盤陣列刷盤裝置500還可以包括網(wǎng)絡(luò)接口 503以及其他用戶接口 504以及通信總線505。通信總線505用于實現(xiàn)這些裝置之間的連接通信。存儲器501可能包含高速隨機存儲器(Random Access Memory,簡稱RAM),也可能還包括非易失性存儲器(non-volatile memory),例如至少一個磁盤存儲器。存儲器501可選的可以包含至少一個位于遠離前述處理器502的存儲裝置。其中，處理器502被配置為用于:獲取磁盤陣列中同一獨立磁盤冗余陣列RAID組中各邏輯單元按照各邏輯單元的物理地址的排序；將RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出10按照各邏輯單元的物理地址的排序依次刷盤至RAID組中的邏輯單元，每個刷盤并發(fā)10包括待刷盤至RAID組中一個邏輯單元的至少一個臟頁面。進一步地，處理器502被配置為還用于:根據(jù)待刷盤至磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至RAID組的臟頁面總數(shù)和RAID組的并發(fā)刷盤上限，確定RAID組的刷盤并發(fā)10數(shù)。進一步地，處理器502`被配置為具體用于:確定RAID組的刷盤并發(fā)10數(shù)dn =MX(pn/P)X(l_U)，其中，M為RAID組的并發(fā)刷盤上限，Pn為待刷盤至RAID組的臟頁面總數(shù)，P為待刷盤至磁盤陣列的臟頁面總數(shù)，U為磁盤陣列的當(dāng)前利用率。進一步地，處理器502被配置為具體用于:從RAID組的刷盤指針指向的當(dāng)前邏輯單元開始遍歷；若待刷盤至RAID組的臟頁面不包含待刷盤至當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，則將RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元；若待刷盤至RAID組的臟頁面包含待刷盤至當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤。進一步地，處理器502被配置為用于對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，具體包括:若當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)10數(shù)未達到當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則將對應(yīng)當(dāng)前邏輯單元的刷盤并發(fā)10中的臟頁面刷盤至當(dāng)前邏輯單元；若當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)10數(shù)達到當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則停止對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，將RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元。進一步地，處理器502被配置為還用于:若RAID組的已完成刷盤并發(fā)10數(shù)未達到RAID組的并發(fā)刷盤上限，則對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤；若RAID組的已完成刷盤并發(fā)10數(shù)達到RAID組的并發(fā)刷盤上限，則停止對RAID組的刷盤。進一步地，處理器502被配置為還用于:保持RAID組的刷盤指針不變。本實施例提供的磁盤陣列刷盤裝置500，可以用于執(zhí)行圖1至圖3任一所示方法實施的技術(shù)方案，其實現(xiàn)原理和技術(shù)效果類似，此處不再贅述。圖5僅為本發(fā)明提供的磁盤陣列刷盤裝置的結(jié)構(gòu)的一種示意圖，具體結(jié)構(gòu)可根據(jù)實際進行調(diào)整。綜上所述，本發(fā)明實施例提供的磁盤陣列刷盤方法和磁盤陣列刷盤裝置，通過對單個RAID組內(nèi)的邏輯單元統(tǒng)一調(diào)度按物理地址順序進行刷盤，減少了磁臂來回跳動尋址消耗的時間，通過對各RAID組獨立的控制，避免了各RAID組之間的影響，并且通過在RAID組層面對各RAID組刷盤IO數(shù)的平衡，一定程度上平衡了各RAID組的使用率，提高了磁盤陣列的刷盤效率，增加了磁盤陣列的吞吐量。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

最后應(yīng)說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。
權(quán)利要求
1.一種磁盤陣列刷盤方法，其特征在于，包括: 獲取磁盤陣列中同一獨立磁盤冗余陣列RAID組中各邏輯單元按照所述各邏輯單元的物理地址的排序； 將所述RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的排序依次刷盤至所述RAID組中的邏輯單元，每個刷盤并發(fā)IO包括待刷盤至所述RAID組中一個邏輯單元的至少一個臟頁面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的順序依次刷盤至所述RAID組中的邏輯單元之前，還包括: 根據(jù)待刷盤至所述磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至所述RAID組的臟頁面總數(shù)和所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，確定所述RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)待刷盤至所述磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至所述RAID組的臟頁面總數(shù)和所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，確定所述RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)，包括: 確定所述RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)dn = MX (pn/P) X (1-U)， 其中，M為所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，pn為所述待刷盤至所述RAID組的臟頁面總數(shù)，P為所述待刷盤至所述磁盤陣列的臟頁面總數(shù)，U為所述磁盤陣列的當(dāng)前利用率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的方法，其特征在于，所述將所述RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的順序依次刷盤至所述RAID組中的邏輯單元，包括: 從所述RAID組的刷盤指針指向的當(dāng)前邏輯單元開始遍歷； 若待刷盤至所述RAID組的臟頁面不包含待刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，則將所述RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在所述當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元； 若所述待刷盤至所述RAID組的臟頁面包含待刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，包括: 若所述當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到所述當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則將對應(yīng)所述當(dāng)前邏輯單元的刷盤并發(fā)IO中的臟頁面刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元； 若所述當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到所述當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則停止對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，將所述RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在所述當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，包括: 若所述RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，則對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤； 若所述RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，則停止對所述RAID組的刷盤。
7.根據(jù)權(quán)利要求6 所述的方法，其特征在于，所述停止對所述RAID組的刷盤之后，還包括:保持所述RAID組的刷盤指針不變。
8.一種磁盤陣列刷盤裝置，其特征在于，包括: 獲取模塊，用于獲取磁盤陣列中同一獨立磁盤冗余陣列RAID組中各邏輯單元按照所述各邏輯單元的物理地址的排序； 刷盤模塊，用于將所述RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的排序依次刷盤至所述RAID組中的邏輯單元，每個刷盤并發(fā)IO包括待刷盤至所述RAID組中一個邏輯單元的至少一個臟頁面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，還包括: 確定模塊，用于根據(jù)待刷盤至所述磁盤陣列的臟頁面總數(shù)、待刷盤至所述RAID組的臟頁面總數(shù)和所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，確定所述RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述確定模塊具體用于: 確定所述RAID組的刷盤并發(fā)IO數(shù)dn = MX (pn/P) X (1-U)， 其中，M為所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，pn為所述待刷盤至所述RAID組的臟頁面總數(shù)，P為所述待刷盤至所述磁盤陣列的臟頁面總數(shù)，U為所述磁盤陣列的當(dāng)前利用率。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項所述的裝置，其特征在于，所述刷盤模塊具體用于: 從所述RAID組的刷盤指針指向的當(dāng)前邏輯單元開始遍歷； 若待刷盤至所述RAID組的 臟頁面不包含待刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，則將所述RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在所述當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元； 若所述待刷盤至所述RAID組的臟頁面包含待刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元的臟頁面，對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述刷盤模塊用于對當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，具體包括: 若所述當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到所述當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則將對應(yīng)所述當(dāng)前邏輯單元的刷盤并發(fā)IO中的臟頁面刷盤至所述當(dāng)前邏輯單元； 若所述當(dāng)前邏輯單元的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到所述當(dāng)前邏輯單元的并發(fā)刷盤上限，則停止對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤，將所述RAID組的刷盤指針指向按照物理地址的順序排在所述當(dāng)前邏輯單元下一個的另一邏輯單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的裝置，其特征在于，所述刷盤模塊還用于: 若所述RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)未達到所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，則對所述當(dāng)前邏輯單元進行刷盤； 若所述RAID組的已完成刷盤并發(fā)IO數(shù)達到所述RAID組的并發(fā)刷盤上限，則停止對所述RAID組的刷盤。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述刷盤模塊還用于: 保持所述RAID組的刷盤指針不變。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供一種磁盤陣列刷盤方法及磁盤陣列刷盤裝置，方法包括獲取磁盤陣列中同一獨立磁盤冗余陣列RAID組中各邏輯單元按照各邏輯單元的物理地址的排序；將RAID組的刷盤并發(fā)輸入輸出IO按照各邏輯單元的物理地址的排序依次刷盤至RAID組中的邏輯單元，每個刷盤并發(fā)IO包括待刷盤至RAID組中一個邏輯單元的至少一個臟頁面。本發(fā)明實施例提供的磁盤陣列刷盤方法及磁盤陣列刷盤裝置，通過對單個RAID組內(nèi)的邏輯單元統(tǒng)一調(diào)度按物理地址順序進行刷盤，減少了磁臂來回跳動尋址消耗的時間，通過對各RAID組獨立的控制，避免了各RAID組之間的影響，從而提高了磁盤陣列的刷盤效率，增加了磁盤陣列的吞吐量。
文檔編號G06F3/06GK103229136SQ201280002903
公開日2013年7月31日 申請日期2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月26日
發(fā)明者張翔, 董浩, 李 權(quán) 申請人:華為技術(shù)有限公司