專利名稱：校正電路及實時時鐘電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子技術(shù)，尤其涉及一種校正電路及實時時鐘電路。
背景技術(shù)：
通常實時時鐘(Real Time Clock，簡稱RTC)是使用32.768千赫茲(KHz)的石英晶體振蕩器提供計時脈沖，由于石英晶體振蕩器中的32.768KHz的石英晶體的振蕩頻率輸出在不同溫度下會有不同頻率偏差，對于RTC而言，頻率的偏差即意味著時間的偏差，而且此偏差是隨著時間的增加而累積的，所以對于采用32.768KHZ的石英晶體振蕩器提供計時脈沖的RTC而言，如果要達(dá)到高精度的時間計時，必需對石英晶體振蕩器的頻率偏差根據(jù)溫度進(jìn)行校正。圖1為通常的校正方案示意圖。具體地，對RTC進(jìn)行頻率校正時采用的校正方案是:通過外置溫度傳感器100采集石英晶體振蕩器300中石英晶體表面的溫度，送入微控制單元(Micro controller Unit,簡稱MCU) 200,MCU200根據(jù)輸入的溫度值計算得出頻率偏差，將該頻率偏差作為分頻系數(shù)送至整數(shù)分頻電路400，整數(shù)分頻電路400在石英晶體振蕩器300提供的信號和通過MCU200得到的分頻系數(shù)作用下得到一個IHz的時鐘信號，并將該時鐘信號提供至RTC500計時。但是上述校正方案的主要問題是:當(dāng)芯片下電時無法為該外置溫度傳感器供電，造成無法進(jìn)行溫度采集。另外，分頻系數(shù)需要MCU運(yùn)算，造成MCU資源浪費。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種校正電路及實時時鐘電路，以解決上述芯片下電時無法進(jìn)行根據(jù)溫度進(jìn)行校正，且分頻系數(shù)需MCU運(yùn)算造成MCU資源浪費的問題。第一方面，本發(fā)明實施例提供一種校正電路，包括:集成在芯片中的分頻電路、分頻系數(shù)運(yùn)算電路、內(nèi)置溫度采集電路和上下電檢測電路。其中，所述內(nèi)置溫度采集電路，用于采集所述芯片的溫度；所述上下電檢測電路，用于檢測所述芯片上電或下電；所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路，用于在所述上下電檢測電路檢測到所述芯片下電時，根據(jù)所述內(nèi)置溫度采集電路采集到的所述芯片的溫度，計算分頻系數(shù)，并將所述分頻系數(shù)輸出給所述分頻電路；所述分頻電路，用于根據(jù)所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路輸出的所述分頻系數(shù)，向?qū)崟r時鐘提供計時脈沖，以使所述時鐘根據(jù)所述計時脈沖輸出時鐘信號。在第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中，溫度采集控制電路，與所述實時時鐘和所述內(nèi)置溫度采集電路連接，用于根據(jù)所述實時時鐘輸出的時鐘信號，控制所述內(nèi)置溫度采集電路采集所述芯片的溫度。根據(jù)第一方面及第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第二種可能的實現(xiàn)方式中，所述上下電檢測電路還用于檢測所述芯片是否上電，所述校正電路還包括外置溫度采集器和溫度選擇電路。其中外置溫度采集器用于采集所述芯片外部的石英晶體的溫度；溫度選擇電路，與所述內(nèi)置溫度采集電路、外置溫度采集器、上下電檢測電路、分頻系數(shù)運(yùn)算電路連接，用于在所述上下電檢測電路檢測到所述芯片下電時，將所述內(nèi)置溫度采集電路采集到的所述芯片的溫度輸出給所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路，在所述上下電檢測電路檢測到所述芯片上電時，將所述外置溫度采集器采集到的所述石英晶體的溫度輸出給所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路。根據(jù)第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式，在第三種可能的實現(xiàn)方式中，所述溫度采集控制電路還與所述外置溫度采集器連接，還用于根據(jù)所述實時時鐘輸出的時鐘信號，控制所述外置溫度采集電路采集所述石英晶體的溫度。根據(jù)第一方面及第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式的任意一種，在第三種可能的實現(xiàn)方式中，溫度偏差運(yùn)算電路，與所述內(nèi)置溫度采集電路、上下電檢測電路、分頻系數(shù)運(yùn)算電路連接，用于在所述上下電檢測電路檢測到所述芯片下電時，將所述內(nèi)置溫度采集電路采集到的所述芯片的溫度輸出給所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路，在在所述上下電檢測電路檢測到所述芯片上電時，對所述內(nèi)置溫度采集電路采集到的所述芯片的溫度進(jìn)行偏差補(bǔ)償，將偏差補(bǔ)償?shù)玫降臏囟容敵鼋o所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路。根據(jù)第一方面、第一方面的第一種至第四種可能的實現(xiàn)方式的任意一種，在第五種可能的實現(xiàn)方式中，所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路具體用于，根據(jù)預(yù)先保存的多個溫度和各溫度相對于標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率的頻率偏差，獲得輸入溫度對應(yīng)的頻率偏差，將所述輸入溫度對應(yīng)的頻率偏差得到所述分頻系數(shù)輸出給所述分頻電路；其中，所述標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率為石英晶體的振蕩頻率32768千赫茲。根據(jù)第一方面的第五種可能的實現(xiàn)方式，在第六種可能的實現(xiàn)方式中，所述預(yù)先保存的多個溫度均大于所述中心溫度，或均小于所述中心溫度，其中所述中心溫度為所述石英晶體的振蕩頻率和溫度關(guān)系曲線的中心對稱點對應(yīng)的溫度；所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路還包括:比較電路、溫度對稱電路、多路選擇電路、查表電路和插值運(yùn)算電路。其中，所述比較電路，用于比較所述輸入溫度和所述中心溫度的大??；所述溫度對稱電路，用于計算與所述輸入溫度關(guān)于所述中心溫度對稱的溫度；所述多路選擇電路，與所述比較電路、溫度對稱電路、查表電路連接，用于若所述輸入溫度大于所述中心溫度且所述預(yù)先保存的多個溫度均小于所述中心溫度，或所述輸入溫度小于所述中心溫度且所述預(yù)先保存的多個溫度均大于所述中心溫度時，將所述溫度輸出給所述查表電路，否則將所述輸入溫度輸出給所述查表電路；所述查表電路與所述多路選擇電路和差值運(yùn)算電路連接，用于根據(jù)接收到的溫度在預(yù)先保存的多個溫度和各溫度相對于所述中心溫度的頻率偏差中查找，將與所述接收到的溫度相關(guān)的兩個溫度相對于所述標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率的頻率偏差輸出給所述插值運(yùn)算電路；所述插值運(yùn)算電路，與所述查表電路和分頻電路連接，用于根據(jù)所述查表電路輸出的所述兩個溫度相對于所述標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率的頻率偏差，進(jìn)行插值運(yùn)算，得到所述輸入溫度對應(yīng)的頻率偏差，根據(jù)所述輸入溫度對應(yīng)的頻率偏差得到所述分頻系數(shù)，并將所述分頻系數(shù)輸出給所述分頻電路。根據(jù)第一方面、第一方面的第一種至第六種可能實現(xiàn)方式，在第七種可能的實現(xiàn)方式中，所述分頻電路為小數(shù)分頻電路。第二方面，本發(fā)明實施例提供一種校正電路，包括:溫度采集模塊、分頻系數(shù)計算模塊和小數(shù)分頻電路。其中所述溫度采集模塊，用于采集溫度；所述分頻系數(shù)計算模塊，與所述溫度采集模塊連接，用于根據(jù)所述溫度采集模塊采集到的溫度，計算分頻系數(shù)，并將所述分頻系數(shù)輸出給所述小數(shù)分頻電路；所述小數(shù)分頻電路，與所述分頻系數(shù)計算模塊和振蕩電路連接，用于根據(jù)所述分頻系數(shù)，對所述振蕩電路輸出的頻率進(jìn)行小數(shù)分頻，得到實時時鐘的計時脈沖。在第二方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中，所述小數(shù)分頻電路包括兩級西格瑪-德爾塔Σ - Λ調(diào)制器電路和整數(shù)分頻器。其中所述整數(shù)分頻器的分頻參數(shù)包括327和328 ;所述兩級Σ - Λ調(diào)制器電路，與所述分頻系數(shù)計算模塊連接，用于進(jìn)行小數(shù)分頻；所述整數(shù)分頻器，與所述兩級Σ -Λ調(diào)制器電路和振蕩電路連接，用于在第二級Σ -Λ調(diào)制器電路輸出結(jié)果大于O時，用分頻參數(shù)328對振蕩電路的輸出脈沖進(jìn)行328分頻；在第二級Σ - Λ調(diào)制器電路輸出結(jié)果小于或等于O時，用分頻參數(shù)327對振蕩電路的輸出脈沖進(jìn)行327分頻。第三方面本發(fā)明實施例提供一種實時時鐘電路，包括:石英晶體振蕩器、實時計時和上述任一所述的校正電路。，本發(fā)明實施例的校正電路及實時時鐘電路，通過上下電檢測電路檢測到所述芯片下電時，根據(jù)內(nèi)置溫度采集電路采集到的芯片的溫度輸出時鐘信號，因此實現(xiàn)在芯片下電時也能進(jìn)行根據(jù)溫度進(jìn)行時鐘校正。解決現(xiàn)有技術(shù)在芯片下電時無法進(jìn)行根據(jù)溫度進(jìn)行時鐘校正的問題，并且，校正時所需的分頻系數(shù)通過分頻系數(shù)運(yùn)算電路來得到，從而節(jié)省了MCU資源。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為通常的校正電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明校正電路實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明校正電路實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明校正電路實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明校正電路中的分頻系數(shù)運(yùn)算電路120的一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明校正電路中的分頻系數(shù)運(yùn)算電路120的一種電路原理圖；圖7為本發(fā)明校正電路中的小數(shù)分頻電路的電路原理圖；圖8為本發(fā)明校正電路實施例四的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明RTC電路實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實施例一圖2為本發(fā)明校正電路實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例的電路適用于給RTC提供計時脈沖的石英晶體振蕩器進(jìn)行校正。參考圖2該校正電路包括:分頻電路110、分頻系數(shù)運(yùn)算電路120、內(nèi)置溫度采集電路130和上下電檢測電路140，上述電路都集成在芯片中；內(nèi)置溫度采集電路130，用于采集所述芯片的溫度；上下電檢測電路140，用于檢測所述芯片是否下電；分頻系數(shù)運(yùn)算電路120，用于在上下電檢測電路檢140測到所述芯片下電時，根據(jù)內(nèi)置溫度采集電路130采集到的所述芯片的溫度，計算分頻系數(shù)，并將所述分頻系數(shù)輸出給分頻電路110 ;分頻電路110，用于根據(jù)分頻系數(shù)運(yùn)算電路120輸出的所述分頻系數(shù)，向RTC提供計時脈沖，以使所述時鐘根據(jù)所述計時脈沖輸出時鐘信號。本實施例中，當(dāng)芯片上電時，RTC的供電來源為芯片的電源，當(dāng)芯片下電時，RTC的供電來源為外部電池，例如通常選用紐扣電池等，由于RCT功耗極小，外部電池可以滿足。由于芯片下電時內(nèi)部只有RTC和校正電路工作，而RTC和校正電路的功耗均極小，所以，芯片下電時芯片的溫度與外部石英晶體振蕩器中石英晶體的溫度偏差極小，因此，本發(fā)明實施例在芯片下電時，采用芯片溫度代替石英晶體溫度，來計算分頻系數(shù)。另外，分頻電路110可以為整數(shù)分頻電路或小數(shù)分頻電路。本實施例通過內(nèi)置溫度采集電路，可以在芯片下電時采集芯片的溫度送入分頻系數(shù)運(yùn)算電路計算分頻系數(shù)，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)在芯片下電時無法得到分頻系數(shù)，造成無法進(jìn)行校正的問題。同時由于通過內(nèi)置溫度采集電路采集溫度，解決了當(dāng)芯片下電時無法為外置溫度傳感器供電，造成無法進(jìn)行溫度采集的問題。并且本實施例中校正所需的分頻系數(shù)由分頻系數(shù)運(yùn)算電路得到，不需要占用MCU資源。進(jìn)一步地，本實施例的校正電路還可以包括:溫度采集控制電路，溫度采集控制電路與RTC和內(nèi)置溫度采集電路130連接，用于根據(jù)RTC輸出的時鐘信號，控制內(nèi)置溫度采集電路130采集所述芯片的溫度。具體地，溫度采集控制電路控制內(nèi)置溫度采集電路130采集溫度的時間周期。通過溫度采集控制電路，可以使溫度采集的時間周期和RTC的時間周期保持一致，從而提高了計時時鐘的準(zhǔn)確性。實施例二圖3為本發(fā)明校正電路實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖3，在上述實施例一基礎(chǔ)上，為了實現(xiàn)芯片上電時的校正，本實施例中的上下電檢測電路140還用于檢測所述芯片是否上電，校正電路還包括:外置溫度采集器160，用于采集所述芯片外部的石英晶體振蕩器12中石英晶體的溫度；溫度選擇電路170，與內(nèi)置溫度采集電路130、外置溫度采集器160、上下電檢測電路140、分頻系數(shù)運(yùn)算電路120連接，用于在上下電檢測電路140檢測到所述芯片下電時，將內(nèi)置溫度采集電路130采集到的所述芯片的溫度輸出給分頻系數(shù)運(yùn)算電路120，在上下電檢測電路140檢測到所述芯片上電時，將外置溫度采集器160采集到的所述石英晶體的溫度輸出給分頻系數(shù)運(yùn)算電路120。具體地，當(dāng)上下電檢測電路140檢測到芯片上電時，溫度選擇電路170選擇外置溫度采集器160采集到的石英晶體的溫度，并送至分頻系數(shù)運(yùn)算電路120，分頻系數(shù)運(yùn)算電路120根據(jù)石英晶體的振蕩頻率與溫度的特性，根據(jù)輸入溫度輸出相應(yīng)的頻率偏差，并將所述頻率偏差得到的分頻系數(shù)送至分頻電路110中，分頻電路110根據(jù)所述分頻系數(shù)對石英晶體振蕩器輸出的振蕩頻率進(jìn)行分頻，從而得到一個時鐘脈沖，該時鐘脈沖輸入RTC11。進(jìn)一步地，RTCll除完成計時工作同時還提供一計時信號給溫度采集控制電路150，溫度采集控制電路150通過該計時信號控制內(nèi)置溫度采集電路130和外置溫度采集器160采集溫度。
當(dāng)芯片下電時，RTCll可以選擇外部電池供電，需要說明的是，由于外置溫度采集器160由于功耗較大，外部電池通常不能滿足其供電。由于內(nèi)置溫度采集電路130為集成在芯片中的電路，電路功耗極小，外部電池可以滿足其供電。本實施例在實施例一的基礎(chǔ)上，通過上下電檢測電路檢測到芯片上電時，將外置溫度采集器采集到的石英晶體振蕩器中石英晶體的溫度輸出給分頻系數(shù)運(yùn)算電路，實現(xiàn)在芯片上電時根據(jù)溫度進(jìn)行時鐘校正。實施例三圖4為本發(fā)明校正電路實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖4，在上述實施例一基礎(chǔ)上，為了實現(xiàn)芯片上電時的校正，本實施例中的上下電檢測電路140還用于檢測所述芯片是否上電，校正電路還包括:溫度偏差運(yùn)算電路180，分別與內(nèi)置溫度采集電路130、上下電檢測電路140、分頻系數(shù)運(yùn)算電路120連接；溫度偏差運(yùn)算電路180，用于在上下電檢測電路140檢測到所述芯片下電時，將內(nèi)置溫度采集電路130采集到的所述芯片的溫度輸出給分頻系數(shù)運(yùn)算電路120，在上下電檢測電路140檢測到所述芯片上電時，對內(nèi)置溫度采集電路130采集到的所述芯片的溫度進(jìn)行偏差補(bǔ)償，并將該偏差補(bǔ)償?shù)玫降臏囟容敵鼋o分頻系數(shù)運(yùn)算電路120。由于在芯片上電時，芯片內(nèi)部功耗 較大，導(dǎo)致芯片溫度和石英晶體溫度存在一定偏差值，因此，本實施例中，在芯片上電時對內(nèi)置溫度采集電路采集到的芯片的溫度進(jìn)行補(bǔ)償，得到石英晶體的溫度，從而可以省去外置溫度采集器的成本。進(jìn)一步地，本實施例的校正電路還可以包括:溫度采集控制電路150，溫度采集控制電路與RTC和內(nèi)置溫度采集電路130連接，用于根據(jù)RTC輸出的時鐘信號，控制內(nèi)置溫度采集電路130采集所述芯片的溫度。在上述任一實施例的基礎(chǔ)上，石英晶體的振蕩頻率與溫度的關(guān)系如公式(I)所示:F= (Ks* (T-T0) 2+l+C) *32768(I)其中:F為石英晶體在溫度T下的振蕩頻率，單體為Hz。Ks為一系數(shù)，和選取的石英晶體相關(guān)，本實施例以Ks為-4*10_8/°C 2為例進(jìn)行說明。Ttl是中心溫度，所述中心溫度為所述石英晶體的振蕩頻率和溫度關(guān)系曲線的中心對稱點對應(yīng)的溫度，通常為24.94°C。C為石英晶體在中心溫度時的頻率和32.768千赫茲的頻率偏差，本實施例以C等于O為例。根據(jù)公式(I)，將公式(I)中的F減去32768的差值除以32768，得到溫度與頻率偏差的關(guān)系如公式(2)所示:Foffset = Ks* (T-T0) 2+C(2)其中，F(xiàn)tjffset為石英晶體在溫度T下的振蕩頻率與32768Hz的頻率偏差，單位為百萬分之一，即溫度T時的頻率相對于標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率的頻率偏差。在上述實施例中，分頻系數(shù)運(yùn)算電路120具體用于，根據(jù)預(yù)先保存的多個溫度和各溫度相對于標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率的頻率偏差，獲得所述輸入溫度對應(yīng)的頻率偏差，將所述輸入溫度對應(yīng)的頻率偏差得到的所述分頻系數(shù)輸出給分頻電路110 ;所述中心溫度為所述石英晶體的振蕩頻率和溫度關(guān)系曲線的中心對稱點對應(yīng)的溫度。所述標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率為石英晶體的振蕩頻率32768赫茲，即32.768千赫茲。具體地，根據(jù)公式2所示的溫度與頻率偏差的關(guān)系，預(yù)先將一些溫度及該溫度對應(yīng)的頻率偏差保存在分頻系數(shù)運(yùn)算電路120中。如表I所示，溫度-40/89.88對應(yīng)的頻率為32762.4724、對應(yīng)的頻率偏差為-169，表示溫度為-40°C和89.88°C時石英晶體的振蕩頻率均為32762.4724Hz，且-40°C和89.88°C相對于標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率的頻率偏差均為-169。當(dāng)分頻系數(shù)運(yùn)算電路120接收到輸入溫度時，根據(jù)預(yù)先保存的表格可直接得到該輸入溫度該輸入溫度相對標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率的頻率偏差，如表I中所示，省去運(yùn)算過程，提高了計算效率；其中，該輸入溫度可以是外置溫度采集器采集到的石英晶體的溫度，或內(nèi)置溫度采集電路采集的芯片的溫度。表I
權(quán)利要求
1.一種校正電路，其特征在于，包括:集成在芯片中的分頻電路、分頻系數(shù)運(yùn)算電路、內(nèi)置溫度采集電路和上下電檢測電路； 所述內(nèi)置溫度采集電路，用于采集所述芯片的溫度； 所述上下電檢測電路，用于檢測所述芯片上電或下電； 所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路，用于在所述上下電檢測電路檢測到所述芯片下電時，根據(jù)所述內(nèi)置溫度采集電路采集到的所述芯片的溫度，計算分頻系數(shù)，并將所述分頻系數(shù)輸出給所述分頻電路； 所述分頻電路，用于根據(jù)所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路輸出的所述分頻系數(shù)，向?qū)崟r時鐘提供計時脈沖，以使所述時鐘根據(jù)所述計時脈沖輸出時鐘信號。
2.根據(jù)權(quán)利I所述的校正電路，其特征在于，還包括: 溫度采集控制電路，與所述實時時鐘和所述內(nèi)置溫度采集電路連接，用于根據(jù)所述實時時鐘輸出的時鐘信號，控制所述內(nèi)置溫度采集電路采集所述芯片的溫度。
3.根據(jù)權(quán)利I或2所述的校正電路，其特征在于，所述校正電路還包括: 外置溫度采集器，用于采集所述芯片外部的石英晶體的溫度； 溫度選擇電路，與所述內(nèi)置溫度采集電路、外置溫度采集器、上下電檢測電路、分頻系數(shù)運(yùn)算電路連接，用于在所述上下電檢測電路檢測到所述芯片下電時，將所述內(nèi)置溫度采集電路采集到的所述芯片的溫度輸出給所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路，在所述上下電檢測電路檢測到所述芯片上電時，將所述外置溫度采集器采集到的所述石英晶體的溫度輸出給所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路。
4.根據(jù)權(quán)利3所述的校正電路，其特征在于，所述溫度采集控制電路還與所述外置溫度采集器連接，還用于根據(jù)所述實時時鐘輸出的時鐘信號，控制所述外置溫度采集電路采集所述石英晶體的溫度。
5.根據(jù)權(quán)利I或2所述的校正電路，其特征在于，還包括: 溫度偏差運(yùn)算電路，與所述內(nèi)置溫度采集電路、上下電檢測電路、分頻系數(shù)運(yùn)算電路連接，用于在所述上下電檢測電路檢測到所述芯片下電時，將所述內(nèi)置溫度采集電路采集到的所述芯片的溫度輸出給所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路，在在所述上下電檢測電路檢測到所述芯片上電時，對所述內(nèi)置溫度采集電路采集到的所述芯片的溫度進(jìn)行偏差補(bǔ)償，將偏差補(bǔ)償?shù)玫降臏囟容敵鼋o所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的校正電路，其特征在于，所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路具體用于，根據(jù)預(yù)先保存的多個溫度和各溫度相對于標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率的頻率偏差，獲得輸入溫度對應(yīng)的頻率偏差，根據(jù)所述輸入溫度對應(yīng)的頻率偏差得到所述分頻系數(shù)，并輸出給所述分頻電路；其中，所述標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率為石英晶體的振蕩頻率32768赫茲。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的校正電路，其特征在于，所述預(yù)先保存的多個溫度均大于所述中心溫度，或均小于所述中心溫度，其中所述中心溫度為所述石英晶體的振蕩頻率和溫度關(guān)系曲線的中心對稱點對應(yīng)的溫度；所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路包括:比較電路、溫度對稱電路、多路選擇電路、查表電路和插值運(yùn)算電路； 所述比較電路，用于比較所述輸入溫度和所述中心溫度的大?。? 所述溫度對稱電路，用于計算與所述輸入溫度關(guān)于所述中心溫度對稱的溫度； 所述多路選擇電路，與所述比較電路、溫度對稱電路、查表電路連接，用于若所述輸入溫度大于所述中心溫度且所述預(yù)先保存的多個溫度均小于所述中心溫度，或所述輸入溫度小于所述中心溫度且所述預(yù)先保存的多個溫度均大于所述中心溫度時，將所述對應(yīng)的溫度輸出給所述查表電路，否則將所述輸入溫度輸出給所述查表電路； 所述查表電路，與所述多路選擇電路和插值運(yùn)算電路連接，用于根據(jù)接收到的溫度在預(yù)先保存的多個溫度和各溫度相對于所述標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率的頻率偏差查找，將與所述接收到的溫度相關(guān)的兩個溫度相對于所述標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率的頻率偏差輸出給所述插值運(yùn)算電路； 所述插值運(yùn)算電路，與所述查表電路和分頻電路連接，用于根據(jù)所述查表電路輸出的所述兩個溫度相對于所述標(biāo)準(zhǔn)振蕩頻率的頻率偏差，進(jìn)行插值運(yùn)算，得到所述輸入溫度對應(yīng)的頻率偏差，根據(jù)所述輸入溫度對應(yīng)的頻率偏差得到所述分頻系數(shù)，并將所述分頻系數(shù)輸出給所述分頻電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一所述的校正電路，其特征在于，所述分頻電路為小數(shù)分頻電路。
9.一種校正電路，其特征在于，包括:溫度采集模塊、分頻系數(shù)計算模塊和小數(shù)分頻電路； 所述溫度采集模塊，用于采集溫度； 所述分頻系數(shù)計算模塊，與所述溫度采集模塊連接，用于根據(jù)所述溫度采集模塊采集到的溫度，計算分頻系數(shù)，并將所述分頻系數(shù)輸出給所述小數(shù)分頻電路； 所述小數(shù)分頻電路，與所述分頻系數(shù)計算模塊和石英晶體振蕩器連接，用于根據(jù)所述分頻系數(shù)，對所述石英晶體振蕩器輸出的頻率進(jìn)行小數(shù)分頻，得到實時時鐘的計時脈沖。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的校正電路，其特征在于，所述小數(shù)分頻電路包括兩級西格瑪-德爾塔Σ - Λ調(diào)制器電路 和整數(shù)分頻器，所述整數(shù)分頻器的分頻參數(shù)包括327和328 ； 所述兩級Σ - Λ調(diào)制器電路，與所述分頻系數(shù)計算模塊連接； 所述整數(shù)分頻器，與所述兩級Σ -Λ調(diào)制器電路和振蕩電路連接，用于在第二級Σ -Λ調(diào)制器電路輸出結(jié)果大于O時，用分頻參數(shù)328對所述石英晶體振蕩器的輸出脈沖進(jìn)行328分頻；在第二級Σ -Λ調(diào)制器電路輸出結(jié)果小于或等于O時，用分頻參數(shù)327對所述石英晶體振蕩器的輸出脈沖進(jìn)行327分頻。
11.一種實時時鐘電路，其特征在于，包括:石英晶體振蕩器、實時計時和，如權(quán)利要求1至8任一所述的校正電路或如權(quán)利要求9或10所述的校正電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種校正電路及實時時鐘電路。該校正電路包括集成在芯片中的分頻電路、分頻系數(shù)運(yùn)算電路、內(nèi)置溫度采集電路和上下電檢測電路。所述內(nèi)置溫度采集電路，用于采集所述芯片的溫度；所述上下電檢測電路，用于檢測所述芯片是否下電；所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路，用于在所述上下電檢測電路檢測到所述芯片下電時，根據(jù)所述內(nèi)置溫度采集電路采集到的所述芯片的溫度，計算分頻系數(shù)，并將所述分頻系數(shù)輸出給所述分頻電路；所述分頻電路，用于根據(jù)所述分頻系數(shù)運(yùn)算電路輸出的所述分頻系數(shù)，向?qū)崟r時鐘提供計時脈沖。本發(fā)明提供的校正電路及實時時鐘電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)校正電路在在芯片下電時不能工作的問題，并提高計時電路的精度。
文檔編號G06F1/14GK103116385SQ20131006706
公開日2013年5月22日 申請日期2013年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月1日
發(fā)明者劉錦秀, 郭書苞, 李定 申請人:華為技術(shù)有限公司