專利名稱：Dram存儲(chǔ)器的省電方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)內(nèi)存設(shè)計(jì)與應(yīng)用領(lǐng)域，具體涉及一種DRAM存儲(chǔ)器的省電方法。
背景技術(shù)：
計(jì)算機(jī)以及各種電子設(shè)備廣泛的應(yīng)用于現(xiàn)代生活的各個(gè)方面，對(duì)內(nèi)存產(chǎn)品如DRAM存儲(chǔ)器等的需求越來(lái)越大。隨著人們對(duì)功耗的要求越來(lái)越苛刻相應(yīng)的對(duì)于DRAM的功耗要求也越來(lái)越高。DRAM的功耗已經(jīng)成為評(píng)價(jià)一款DRAM產(chǎn)品設(shè)計(jì)成功與否的關(guān)鍵因素。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種可以有效降低DRAM存儲(chǔ)器功耗的DRAM存儲(chǔ)器的省電方法。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種DRAM存儲(chǔ)器的省電方法，包括以下步驟:(I)激活DRAM所有堆棧；(2)在TO時(shí)刻進(jìn)行讀操作或者寫操作，同時(shí)獲取讀寫突發(fā)長(zhǎng)度N ；(3)在Tl時(shí)刻關(guān)閉DRAM命令和地址接收器，以減小DRAM功耗；(4)在了 * N時(shí)刻重新打開DRAM命令和地址接收器以接收有效命令。

所述讀寫突發(fā)長(zhǎng)度N彡4。DRAM存儲(chǔ)器在所有堆棧全部激活的條件下，在進(jìn)行讀或者寫操作時(shí)，從此次讀或者寫操作到下一次有效操作的最小時(shí)間取決于讀寫突發(fā)長(zhǎng)度N，讀寫突發(fā)長(zhǎng)度N為系統(tǒng)周期數(shù)的2倍，在此次操作的TO時(shí)刻進(jìn)行讀操作或者寫操作，同時(shí)獲取讀寫突發(fā)長(zhǎng)度N，在
Tl時(shí)刻關(guān)閉DRAM命令和地址接收器，在此次讀操作或?qū)懖僮鹘Y(jié)束時(shí)，即Tf時(shí)刻再次打開
DRAM命令和地址接收器以接收有效命令；現(xiàn)有技術(shù)中在堆棧激活情況下，DRAM命令和地址接收器一直處于打開狀態(tài)，存儲(chǔ)器耗電量大，本發(fā)明DRAM存儲(chǔ)器進(jìn)行讀或?qū)懖僮鲿r(shí)，在Tl
至IJTf時(shí)刻關(guān)閉DRAM命令和地址接收器，減小存儲(chǔ)器功耗，達(dá)到省電的目的，解決了現(xiàn)有
DRAM存儲(chǔ)器耗電量大的問(wèn)題。


圖1本發(fā)明實(shí)施例1DRAM存儲(chǔ)器的省電方法示意圖；圖2本發(fā)明實(shí)施例2DRAM存儲(chǔ)器的省電方法示意具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述:本發(fā)明DRAM存儲(chǔ)器的省電方法，包括以下步驟:
(I)激活DRAM所有堆棧；(2)在TO時(shí)刻進(jìn)行讀操作或者寫操作，同時(shí)獲取讀寫突發(fā)長(zhǎng)度N ；(3)在Tl時(shí)刻關(guān)閉DRAM命令和地址接收器，以減小DRAM功耗；(4)在了|.時(shí)刻重新打開DRAM命令和地址接收器以接收有效命令。如果讀寫突發(fā)長(zhǎng)度為N，則本次多操作或?qū)懖僮鞯较麓斡行Р僮鞯臅r(shí)間為N/2個(gè)系統(tǒng)周期，激活DRAM所有堆棧，TO時(shí)刻進(jìn)行讀操作或者寫操作，在Tl到時(shí)刻關(guān)閉了
DRAM命令和地址接收器，減小了存儲(chǔ)器功耗，達(dá)到省電的目的。讀寫突發(fā)長(zhǎng)度N > 4時(shí)，省電效果更明顯，存儲(chǔ)器功耗明顯減小，使用時(shí)間長(zhǎng)。如圖1所示，為讀寫突發(fā)長(zhǎng)度為4，DRAM存儲(chǔ)器的省電方法示意圖。(I)激活DRAM所有堆棧；(2)在TO時(shí)刻進(jìn)行讀操作或者寫操作，同時(shí)獲取讀寫突發(fā)長(zhǎng)度為4 ；(3)在Tl時(shí)刻關(guān)閉命令和地址接收器，以減小DRAM功耗；(4)在T2時(shí)刻重新打開命令和地址接收器以接收有效命令。在Tl到T2時(shí)刻關(guān)閉了 DRAM命令和地址接收器，減小了功耗。如圖2所示，為讀寫突發(fā)長(zhǎng)度為8，DRAM存儲(chǔ)器的省電方法示意圖。(I)激活DRAM所有堆棧；(2)在TO時(shí)刻進(jìn)行讀或者寫操作，同時(shí)獲取讀寫突發(fā)長(zhǎng)度為8 ；(3)在Tl時(shí)刻關(guān)閉命令和地址接收器，以減小DRAM功耗；(4)在T4時(shí)刻重新打開命令和地址接收器以接收有效命令。在Tl到T4時(shí)刻關(guān)閉了 DRAM命令和地址接收器，減小了功耗。
權(quán)利要求
1.一種DRAM存儲(chǔ)器的省電方法，其特征在于包括以下步驟: (1)激活DRAM所有堆棧； (2)在TO時(shí)刻進(jìn)行讀操作或者寫操作，同時(shí)獲取讀寫突發(fā)長(zhǎng)度N； (3)在Tl時(shí)刻關(guān)閉DRAM命令和地址接收器，以減小DRAM功耗； (4)在TI時(shí)刻重新打開DRAM命令和地址接收器以接收有效命令。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DRAM存儲(chǔ)器的省電方法，其特征在于:所述讀寫突發(fā)長(zhǎng)度N≥4。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種DRAM存儲(chǔ)器的省電方法，包括以下步驟激活DRAM所有堆棧；在T0時(shí)刻進(jìn)行讀操作或者寫操作，同時(shí)獲取讀寫突發(fā)長(zhǎng)度N；在T1時(shí)刻關(guān)閉DRAM命令和地址接收器，以減小DRAM功耗；在時(shí)刻重新打開DRAM命令和地址接收器以接收有效命令；在T1到時(shí)刻關(guān)閉DRAM命令和地址接收器，減小存儲(chǔ)器功耗，達(dá)到省電的目的，解決了現(xiàn)有DRAM存儲(chǔ)器耗電量大的問(wèn)題。
文檔編號(hào)G06F1/32GK103150006SQ20131009778
公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2013年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月25日
發(fā)明者亞歷山大, 談杰, 王嵩 申請(qǐng)人:西安華芯半導(dǎo)體有限公司