專利名稱：一種實(shí)現(xiàn)觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法，特別是涉及一種利用觸控芯片的引腳電容實(shí)現(xiàn)初始校準(zhǔn)的方法。
背景技術(shù)：
在電容觸控裝置中，設(shè)計(jì)者希望觸控芯片的每個(gè)引腳電容都處于最佳測量范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)觸控芯片的初始校準(zhǔn)，以利于推斷感應(yīng)量的變化完全來自于手指觸碰到感應(yīng)電極而導(dǎo)致，這樣，可以容易地判斷出該電極是否被手指觸碰到。但在實(shí)際情況中，由于FPC/IT0設(shè)計(jì)的缺陷或者由FPC/IT0材料、工藝引起的電氣性能的改變，都會造成相同觸摸屏上不同電極通道或不同觸摸屏的阻抗及靜態(tài)電容有差異，即使沒有手指觸摸觸摸屏，在觸控芯片的初始校準(zhǔn)中，所述差異造成待測電容的初始狀態(tài)非零。另外，芯片的設(shè)計(jì)或工藝也會導(dǎo)致觸控芯片的內(nèi)部砝碼電容初始狀態(tài)非零，通常方式是在觸控芯片中增加內(nèi)部感應(yīng)量補(bǔ)償電容的方式來補(bǔ)償這部分差異電容，但由于受芯片體積的大小及芯片設(shè)計(jì)工藝的限制，內(nèi)部感應(yīng)量補(bǔ)償電容的大小也受到限制，無法抵消以上兩種非零初始值。針對該問題，專利CN102622142采用外部感應(yīng)量補(bǔ)償電容結(jié)合內(nèi)部感應(yīng)量補(bǔ)償電容的方式來解決，但是增加外部感應(yīng)量補(bǔ)償電容也相應(yīng)地提高了芯片的成本，工藝變得復(fù)雜。為了避免觸控芯片內(nèi)部電容與待測電容之間較大的差值電容影響觸控芯片的正常運(yùn)作，需要提供一種利用觸控芯片即可補(bǔ)償這部分差值電容的方法，實(shí)現(xiàn)對觸控芯片的初始校準(zhǔn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種應(yīng)用觸控芯片剩余引腳實(shí)現(xiàn)觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法，節(jié)約了芯片的面積。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種實(shí)現(xiàn)觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法，所述觸控芯片的內(nèi)部電路產(chǎn)生的電容包括內(nèi)部砝碼電容、內(nèi)部補(bǔ)償電容、弓丨腳電容，其中所述觸控芯片的部分引腳與觸控屏的引腳相連接，剩余引腳處于懸空狀態(tài)，當(dāng)所述觸控芯片的內(nèi)部砝碼電容與待測電容之間的差值在所述觸控芯片的容值可接受范圍內(nèi)時(shí)，由所述觸控芯片中的內(nèi)部補(bǔ)償電容補(bǔ)償；當(dāng)所述觸控芯片的內(nèi)部砝碼電容與待測電容之間的差值超過所述觸控芯片的容值可接受范圍時(shí)，由所述觸控芯片剩余引腳的電容補(bǔ)
\-ZX O本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明充分利用觸控芯片的剩余引腳實(shí)現(xiàn)對觸控芯片的初始校準(zhǔn)，增大了觸控芯片的補(bǔ)償電容范圍，進(jìn)而擴(kuò)大了觸控芯片的電容測量范圍，節(jié)約了觸控芯片的面積。


圖1是本發(fā)明實(shí)現(xiàn)觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。一種實(shí)現(xiàn)觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法，所述觸控芯片的內(nèi)部電路產(chǎn)生的電容包括內(nèi)部砝碼電容、內(nèi)部補(bǔ)償電容、引腳電容，其中所述觸控芯片的部分引腳與觸摸屏的引腳相連接，剩余引腳處于懸空或接地狀態(tài)。所述剩余引腳電容包括內(nèi)部尚未使用的引腳電容和外部懸空引腳電容。所述內(nèi)部砝碼電容為芯片內(nèi)部已經(jīng)使用的引腳電容，所述觸控芯片的內(nèi)部砝碼電容量的大小決定了所述觸控芯片能夠測量的電容范圍，而是所述觸控芯片中的內(nèi)部補(bǔ)償電容量決定了所述觸控芯片的容值可接受范圍。請參閱圖1，在對觸控芯片的初始校準(zhǔn)中，需要對所述觸控芯片的內(nèi)部砝碼電容與待測電容之間進(jìn)行一個(gè)平衡校準(zhǔn)，當(dāng)兩者之間具有差值，而所述差值在所述觸控芯片的容值可接受范圍內(nèi)時(shí)，首先由所述觸控芯片中的內(nèi)部補(bǔ)償電容進(jìn)行補(bǔ)償，使得所述內(nèi)部砝碼電容與待測電容在相同的電容容值范圍內(nèi)，進(jìn)而測量待測電容量。而當(dāng)所述差值超過所述觸控芯片的容值可接受范圍時(shí)，由所述觸控芯片中的內(nèi)部補(bǔ)償電容和觸控芯片的剩余的引腳電容進(jìn)行補(bǔ)償。當(dāng)然，所述內(nèi)部砝碼電容與所述待測電容之間的差值超過所述觸控芯片的容值可接受范圍時(shí)，也可直接利用所述觸控芯片剩余引腳電容來補(bǔ)償。假設(shè)內(nèi)部砝碼電容量記為R，待測電容量為S，正常校準(zhǔn)情況下，所述觸控芯片的內(nèi)部砝碼電容量R與待測電容量S處于相同的容值范圍，所述觸控芯片通過增加或減少內(nèi)部砝碼電容量R與待測電容量S進(jìn)行比較，當(dāng)兩者近似相等時(shí)即測量出待測電容量S，所述觸控芯片完成初始校準(zhǔn)；若待測電容量S過大，超出了內(nèi)部砝碼電容量R的容值范圍，即S遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于R，且內(nèi)部補(bǔ)償電容無法補(bǔ)償所述內(nèi)部砝碼電容量R與待測電容量S之間的差值時(shí)，則可通過所述觸控芯片內(nèi)部尚未使用引腳的電容或者芯片外部懸空引腳的電容來補(bǔ)償待測電容S超出內(nèi)部砝碼電容量R的容值，使得所述觸控芯片能夠正常測量。因此，利用觸控芯片的剩余引腳就可實(shí)現(xiàn)對差值電容量的補(bǔ)償，完成對觸控芯片的初始校準(zhǔn)。另外，外部懸空引腳還可連接外部補(bǔ)償電容，所述外部補(bǔ)償電容為附加的ITO設(shè)計(jì)，其電容量可根據(jù)所需的補(bǔ)償電容量來確定，因此也擴(kuò)大了觸控芯片的電容測量范圍，節(jié)約了觸控芯片的面積。以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種實(shí)現(xiàn)觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法，所述觸控芯片的內(nèi)部電路產(chǎn)生的電容包括內(nèi)部砝碼電容、內(nèi)部補(bǔ)償電容、引腳電容，其中所述觸控芯片的部分引腳與觸控屏的引腳相連接，剩余引腳處于懸空狀態(tài)，當(dāng)所述觸控芯片的內(nèi)部砝碼電容與待測電容之間的差值在所述觸控芯片的容值可接受范圍內(nèi)時(shí)，由所述觸控芯片中的內(nèi)部補(bǔ)償電容補(bǔ)償，其特征在于，當(dāng)所述觸控芯片的內(nèi)部砝碼電容與待測電容之間的差值超過所述觸控芯片的容值可接受范圍時(shí)，由所述觸控芯片剩余引腳的電容補(bǔ)償。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法，其特征在于，當(dāng)所述觸控芯片的內(nèi)部砝碼電容與待測電容之間的差值超過所述觸控芯片的容值可接受范圍時(shí)，可由所述觸控芯片中的內(nèi)部補(bǔ)償電容和剩余引腳的電容補(bǔ)償。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法，其特征在于，所述觸控芯片的剩余引腳包括外部懸空引腳和芯片內(nèi)部尚未使用的引腳。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法，其特征在于，所述觸控芯片的內(nèi)部砝碼電容為芯片內(nèi)部已經(jīng)使用的引腳電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的實(shí)現(xiàn)觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法，其特征在于，所述觸控芯片能夠測量的電容范圍取決于所述觸控芯片的內(nèi)部砝碼電容量的大小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的實(shí)現(xiàn)觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法，其特征在于，所述觸控芯片的容值可接受范圍是由所述觸控芯片中的內(nèi)部補(bǔ)償電容量決定的。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種實(shí)現(xiàn)觸控芯片初始校準(zhǔn)的方法，所述觸控芯片的內(nèi)部電路產(chǎn)生的電容包括內(nèi)部砝碼電容、內(nèi)部補(bǔ)償電容、引腳電容，其中所述觸控芯片的部分引腳與觸控屏的引腳相連接，剩余引腳處于懸空狀態(tài)，當(dāng)所述觸控芯片的內(nèi)部砝碼電容與待測電容之間具有差值時(shí)，由所述觸控芯片剩余引腳的電容進(jìn)行補(bǔ)償。通過上述方法，本發(fā)明充分利用觸控芯片的剩余引腳實(shí)現(xiàn)對觸控芯片的初始校準(zhǔn)，增大了觸控芯片的補(bǔ)償電容范圍，進(jìn)而擴(kuò)大了觸控芯片的電容測量范圍，節(jié)約了觸控芯片的面積。
文檔編號G06F3/044GK103150076SQ201310102989
公開日2013年6月12日 申請日期2013年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月28日
發(fā)明者楊坤 申請人:蘇州瀚瑞微電子有限公司