Dram控制方法和系統(tǒng)以及計(jì)算機(jī)節(jié)電控制方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種DRAM控制方法以及系統(tǒng)。該方法包括如下步驟：當(dāng)該DRAM處于正常操作狀態(tài)時(shí)，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值，如果該DRAM的工作負(fù)載小于或等于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，那么執(zhí)行使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持正常操作狀態(tài)的步驟，如果該DRAM的工作負(fù)載大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則繼續(xù)將該DRAM保持在正常操作狀態(tài)并重新執(zhí)行所述判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值的步驟。通過使得DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)保持剩余的存儲(chǔ)器組在正常操作狀態(tài)，本發(fā)明的方法能夠更好地節(jié)約電能。
【專利說(shuō)明】DRAM控制方法和系統(tǒng)以及計(jì)算機(jī)節(jié)電控制方法和系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體技術(shù)，包括半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件。更具體地，本發(fā)明涉及DRAM控制方法和系統(tǒng)，以及計(jì)算機(jī)節(jié)電控制方法和系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著計(jì)算機(jī)和移動(dòng)設(shè)備技術(shù)的發(fā)展，節(jié)電已成為越來(lái)越重要的特性。
[0003]目前，包括移動(dòng)設(shè)備的計(jì)算機(jī)設(shè)備具有三種常見的節(jié)電狀態(tài)。第一種節(jié)電狀態(tài)通常被稱為“掛起”狀態(tài)。在這種狀態(tài)中，計(jì)算機(jī)設(shè)備的顯示器自動(dòng)斷電，但主機(jī)仍然通電，后臺(tái)任務(wù)仍然在后臺(tái)繼續(xù)運(yùn)行。在這種狀態(tài)中，當(dāng)對(duì)該計(jì)算機(jī)設(shè)備作出觸動(dòng)時(shí)(例如敲任意鍵)，該計(jì)算機(jī)設(shè)備事實(shí)上能夠立即回到正常工作狀態(tài)。
[0004]第二種節(jié)電狀態(tài)是S3狀態(tài)，其通常被稱為“掛起到RAM (隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)狀態(tài)”。在這種狀態(tài)中，該計(jì)算機(jī)設(shè)備將當(dāng)前的信息存儲(chǔ)在RAM中，并且所有的風(fēng)扇、硬盤驅(qū)動(dòng)器以及其它部件斷電并進(jìn)入休眠狀態(tài)。在這種狀態(tài)中，該計(jì)算機(jī)設(shè)備處于高度節(jié)電狀態(tài)，但是當(dāng)給予該計(jì)算機(jī)觸動(dòng)(例如敲任意鍵)后，該計(jì)算機(jī)會(huì)從RAM中讀取信息并快速回到正常工作狀態(tài)。
[0005]第三種狀態(tài)是S4狀態(tài)，通常被稱為“休眠”或者“掛起到DISK (硬盤)”狀態(tài)。在這種狀態(tài)中，主存儲(chǔ)器(例如RAM)中的所有內(nèi)容被保存到非易失性存儲(chǔ)器(例如硬盤)中，并且主存儲(chǔ)器(例如RAM)斷電。當(dāng)給予該計(jì)算機(jī)一激發(fā)時(shí)，例如按下開關(guān)鍵預(yù)定的時(shí)間，該計(jì)算機(jī)設(shè)備會(huì)從該非易失性存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)并回到正常工作狀態(tài)，而無(wú)須重新啟動(dòng)操作系統(tǒng)。
[0006]許多計(jì)算機(jī)設(shè)備，包括移動(dòng)設(shè)備，使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。DRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)中的一種類型，其將每個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)保存在集成電路或芯片中的獨(dú)立的電容中。在使用DRAM的計(jì)算機(jī)或者移動(dòng)設(shè)備中，DRAM的控制在該計(jì)算機(jī)或移動(dòng)設(shè)備的節(jié)電方面能起到重要的作用。
[0007]與上述的三種節(jié)電狀態(tài)相對(duì)應(yīng)，DRAM具有三種操作狀態(tài)。對(duì)此，在DRAM芯片中具有結(jié)構(gòu)為由多行和多列(類似電子制表程序例如微軟Excel中的工作表)形成的存儲(chǔ)器組(memory bank)。第一種DRAM操作狀態(tài)如圖1所示，其對(duì)應(yīng)于上面描述的“掛起”狀態(tài)。在該第一種DRAM操作狀態(tài)中，該DRAM的所有的存儲(chǔ)器組(例如圖1中所示的存儲(chǔ)器組O-存儲(chǔ)器組3)都處于正常操作狀態(tài)(即，被讀和/或?qū)懙臓顟B(tài))并保持?jǐn)?shù)據(jù)。相應(yīng)地，在該第一種操作狀態(tài)中，該DRAM的能耗是很高的。
[0008]第二種DRAM操作狀態(tài)如圖2所示，其對(duì)應(yīng)于上面描述的S3狀態(tài)，S卩“掛起到RAM”狀態(tài)。該第二種DRAM操作狀態(tài)是自刷新狀態(tài)，其中，保存在該DRAM中的數(shù)據(jù)通過周期性的存儲(chǔ)器刷新(即，周期性地從計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的一區(qū)域讀取信息并且立即將該讀取的信息不作任何改變重寫到相同的區(qū)域以維持該信息)來(lái)保持。在這種狀態(tài)中，沒有存儲(chǔ)器組(例如，圖2中的存儲(chǔ)器組O-存儲(chǔ)器組3)是處于正常操作狀態(tài)的，這些存儲(chǔ)器組都處于自刷新狀態(tài)。因而，在該第二種操作狀態(tài)的DRAM的能耗是很低的。
[0009]第三種DRAM狀態(tài)與上面描述的S4狀態(tài)，S卩“掛起到DISK”狀態(tài)相對(duì)應(yīng)。在這種狀態(tài)中，DRAM處于斷電狀態(tài)，即不工作狀態(tài)，此時(shí)該DRAM中不保存數(shù)據(jù)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)DRAM的控制的缺陷在于，在正常操作狀態(tài)中(即，上述第一種DRAM操作狀態(tài))，不管該DRAM是高負(fù)載還是低負(fù)載，該DRAM的所有存儲(chǔ)器組都是處于正常操作狀態(tài)，這在DRAM處于低負(fù)載而無(wú)須所有的存儲(chǔ)器組都處于正常操作狀態(tài)時(shí)不利于節(jié)約電能。
[0011]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)DRAM的控制的缺陷，本發(fā)明提供了一種具有更好的節(jié)電性能的DRAM控制方法。
[0012]在第一方面，提供了一種DRAM控制方法。該DRAM控制方法包括如下步驟:當(dāng)該DRAM處于正常操作狀態(tài)時(shí)，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值，如果該DRAM的工作負(fù)載小于或等于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，那么執(zhí)行使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持正常操作狀態(tài)的步驟，如果該DRAM的工作負(fù)載大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則繼續(xù)將該DRAM保持在正常操作狀態(tài)并重新執(zhí)行所述判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值的步驟。
[0013]在進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持正常操作狀態(tài)的步驟包括如下步驟:根據(jù)該DRAM中的現(xiàn)行的任務(wù)判斷該DRAM的哪些存儲(chǔ)器組需保持在正常操作狀態(tài)以及哪些存儲(chǔ)器組需進(jìn)入自刷新狀態(tài)；重新組織該DRAM的數(shù)據(jù)區(qū)并釋放該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組；以及使該釋放的存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。
[0014]在第二方面，提供了一種DRAM控制系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括:裝置，用于當(dāng)該DRAM處于正常操作狀態(tài)時(shí)，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及裝置，用于使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述用于使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)的裝置包括:裝置，用于根據(jù)該DRAM中的現(xiàn)行的任務(wù)判斷該DRAM的哪些存儲(chǔ)器組需保持在正常操作狀態(tài)以及哪些存儲(chǔ)器組需進(jìn)入自刷新狀態(tài)；裝置，用于重新組織該DRAM的數(shù)據(jù)區(qū)并釋放該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組；以及裝置，用于使該釋放的存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。
[0015]在第三方面，提供了一種計(jì)算機(jī)節(jié)電控制方法，該方法包括如下步驟:當(dāng)該DRAM處于正常操作狀態(tài)時(shí)，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值，如果該DRAM的工作負(fù)載小于或等于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，那么執(zhí)行使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持正常操作狀態(tài)的步驟，如果該DRAM的工作負(fù)載大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則繼續(xù)將該DRAM保持在正常操作狀態(tài)并重新執(zhí)行所述判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值的步驟。
[0016]在第四方面，提供了一種計(jì)算機(jī)節(jié)電控制系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括:裝置，用于當(dāng)該DRAM處于正常操作狀態(tài)時(shí)，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及裝置，用于使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持正常操作狀態(tài)。
[0017]通過提供上述方法和系統(tǒng)，本發(fā)明能克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]附圖以示例的方式圖示了本發(fā)明，其并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中相同的數(shù)字表示相同的部件，其中:
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中DRAM的正常操作狀態(tài)的示意圖；
[0020]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中DRAM的自刷新狀態(tài)的示意圖；
[0021]圖3為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的DRAM控制方法的流程圖；
[0022]圖4為圖3中的框302中的步驟的流程圖；
[0023]圖5為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的DRAM的部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)的示意圖；
[0024]圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的計(jì)算機(jī)節(jié)電控制方法的流程圖；
[0025]圖7為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的計(jì)算機(jī)節(jié)電控制方法的流程圖；以及
[0026]圖8顯示了本發(fā)明的方法和系統(tǒng)的節(jié)電效果的柱形圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將參照附圖中所示的一些實(shí)施例具體描述本發(fā)明。在下文的描述中，描述了一些具體的細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的更深的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見的是，即使不具有這些具體細(xì)節(jié)中的一些，本發(fā)明也可被實(shí)施。另一方面，一些公知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)沒有被詳細(xì)描述以避免不必要地使本發(fā)明變得難以理解。
[0028]參見圖3，其顯示了根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的DRAM控制方法的流程圖。該DRAM控制方法包括如下步驟:首先，當(dāng)該DRAM處于正常操作狀態(tài)(即，該DRAM的所有的存儲(chǔ)器組都處于正常操作狀態(tài))時(shí)，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值(框301和302)。如果該DRAM的工作負(fù)載小于或等于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，那么使該DRAM進(jìn)入部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)，即，使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)，同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)(框303)。如果該DRAM的工作負(fù)載大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則繼續(xù)將該DRAM保持在正常操作狀態(tài)并重新執(zhí)行框302中的步驟。
[0029]在一個(gè)實(shí)施例中，該DRAM控制方法還包括如下步驟:在使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)保持剩余的存儲(chǔ)器組在正常操作狀態(tài)之后，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值(框304)，如果該DRAM的工作負(fù)載變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則使該DRAM的所有存儲(chǔ)器組都進(jìn)入正常操作狀態(tài)(框305)。但是如果該DRAM的工作負(fù)載仍然小于或等于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則繼續(xù)保持所述部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)，即，繼續(xù)使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組保持自刷新狀態(tài)，同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)(框306)。
[0030]在圖4所示的示例性實(shí)施例中，框303中的步驟可包括如下步驟:首先根據(jù)該DRAM中的現(xiàn)行的任務(wù)判斷該DRAM的哪些存儲(chǔ)器組需保持在正常操作狀態(tài)以及哪些存儲(chǔ)器組需進(jìn)入自刷新狀態(tài)(框3031);然后重新組織該DRAM的數(shù)據(jù)區(qū)并釋放該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組(框3032);然后使該釋放的存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)并使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)(框3033)。
[0031]圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的DRAM的部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)的示意圖。如圖5所示，在該DRAM的部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)中，只有部分存儲(chǔ)器組(例如，存儲(chǔ)器組2和存儲(chǔ)器組3)處于自刷新狀態(tài)，其它剩余的存儲(chǔ)器組(例如存儲(chǔ)器組O和存儲(chǔ)器組I)處于正常操作狀態(tài)。當(dāng)該DRAM的工作負(fù)載小于或等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值時(shí)，這種部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)能夠節(jié)約電能。
[0032]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的DRAM控制方法能夠用在使用DRAM的多種電子設(shè)備中，例如任何計(jì)算機(jī)設(shè)備，如服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)、便攜式電腦、手機(jī)、平板電腦以及其它移動(dòng)設(shè)備。
[0033]圖6顯示了結(jié)合有上述的部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)的一種示例性的計(jì)算機(jī)節(jié)電控制方法的流程圖。如圖6所示，該計(jì)算機(jī)節(jié)電控制方法包括如下步驟:首先，在該計(jì)算機(jī)的正常操作過程中(此時(shí)，計(jì)算機(jī)中的DRAM處于正常操作狀態(tài)),該計(jì)算機(jī)(例如該計(jì)算機(jī)的操作系統(tǒng))判斷該計(jì)算機(jī)中的DRAM的工作負(fù)載是否小于或等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值(框601和602)。如果該DRAM的工作負(fù)載小于或等于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則使該DRAM進(jìn)入部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)，即，使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)并將剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)(框603)。如果該DRAM的工作負(fù)載大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則繼續(xù)將該DRAM保持在正常操作狀態(tài)并重新執(zhí)行框602中的步驟。
[0034]在一個(gè)實(shí)施例中，該計(jì)算機(jī)節(jié)電控制方法可進(jìn)一步包括如下步驟:在使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)同時(shí)保持剩余的存儲(chǔ)器組在正常操作狀態(tài)之后，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值(框604)，如果該DRAM的工作負(fù)載變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則使該DRAM的所有存儲(chǔ)器組都進(jìn)入正常操作狀態(tài)(框605)。但是如果該DRAM的工作負(fù)載仍然小于或等于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則繼續(xù)保持所述部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)，即，繼續(xù)使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組保持自刷新狀態(tài)，同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)(框606)。
[0035]與圖4所示的實(shí)施例相似，框603中的步驟可包括如下步驟:首先根據(jù)該DRAM中的現(xiàn)行的任務(wù)判斷該DRAM的哪些存儲(chǔ)器組需保持在正常操作狀態(tài)以及哪些存儲(chǔ)器組需進(jìn)入自刷新狀態(tài)；然后重新組織該DRAM的數(shù)據(jù)區(qū)并釋放該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組；然后使該釋放的存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)并使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。
[0036]圖7顯示了根據(jù)另一個(gè)示例性的實(shí)施例的結(jié)合有上述的部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)的一種計(jì)算機(jī)節(jié)電控制方法的流程圖。該計(jì)算機(jī)節(jié)電控制方法可包括如下步驟:首先，在該計(jì)算機(jī)的正常操作期間，該計(jì)算機(jī)(例如該計(jì)算機(jī)的操作系統(tǒng))判斷是否觸發(fā)了 “掛起到RAM”事件(框701和702)。如果“掛起到RAM”事件被觸發(fā)，則使該DRAM進(jìn)入自刷新狀態(tài)(框703)，即，是該DRAM的所有存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)。如果“掛起到RAM”事件沒有被觸發(fā)，則執(zhí)行判斷“掛起到DISK”事件是否被觸發(fā)這一步驟(框704)。如果“掛起到DISK”事件被觸發(fā)，則使該計(jì)算機(jī)進(jìn)入“掛起到DISK”狀態(tài)(框705)。如果“掛起到DISK”事件沒有被觸發(fā)，則執(zhí)行判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值這一步驟(框706)。如果該DRAM的工作負(fù)載小于或等于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則執(zhí)行使該DRAM開始進(jìn)入部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)這一步驟(框707)，以及如果該DRAM的工作負(fù)載大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則回到框701。
[0037]使DRAM進(jìn)入部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)這一步驟可包括如下步驟:首先，根據(jù)該DRAM中的現(xiàn)行的任務(wù)判斷該DRAM的哪些存儲(chǔ)器組需保持在正常操作狀態(tài)以及哪些存儲(chǔ)器組需進(jìn)入自刷新狀態(tài)(框708);然后重新組織該DRAM的數(shù)據(jù)區(qū)并釋放該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組(框709);然后使該釋放的存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)并使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)(框710)。
[0038]為了退出上面描述的部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)，計(jì)算機(jī)可繼續(xù)判斷“掛起到RAM”事件是否被觸發(fā)(框711)，如果是，則使整個(gè)DRAM進(jìn)入自刷新狀態(tài)(框712)，如果不是，則該計(jì)算機(jī)可判斷是否觸發(fā)了“掛起到DISK”事件(框713)，如果觸發(fā)了“掛起到DISK事件”，則使計(jì)算機(jī)進(jìn)入“掛起到DISK”狀態(tài)(框714);如果沒有觸發(fā)“掛起到DISK事件”，則可判斷是否觸發(fā)了退出部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)的事件(框715)，該事件例如為該DRAM的工作負(fù)載不再小于或等于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值。如果觸發(fā)了退出部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)的事件，則使計(jì)算機(jī)進(jìn)入正常操作狀態(tài)(框701)，如果沒有觸發(fā)退出部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)的事件，則回到框711中的步驟。
[0039]與上文描述的DRAM控制方法相對(duì)應(yīng),本發(fā)明還提供了一種DRAM控制系統(tǒng)。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，該DRAM控制系統(tǒng)包括:裝置，用于當(dāng)該DRAM處于正常操作狀態(tài)時(shí)，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及裝置，用于使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述用于使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)的裝置還包括:裝置，用于根據(jù)該DRAM中的現(xiàn)行的任務(wù)判斷該DRAM的哪些存儲(chǔ)器組需保持在正常操作狀態(tài)以及哪些存儲(chǔ)器組需進(jìn)入自刷新狀態(tài)；裝置，用于重新組織該DRAM的數(shù)據(jù)區(qū)并釋放該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組；以及裝置，用于使該釋放的存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)并使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。在另一個(gè)實(shí)施例中，該DRAM控制系統(tǒng)還包括:裝置，用于在使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)之后，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及裝置，用于當(dāng)該DRAM的工作負(fù)載變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值時(shí)使該DRAM的所有存儲(chǔ)器組都進(jìn)入正常操作狀態(tài)。
[0040]在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明還提供了一種計(jì)算機(jī)節(jié)電控制系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括:裝置，用于當(dāng)該計(jì)算機(jī)的DRAM處于正常操作狀態(tài)時(shí)，判斷該計(jì)算機(jī)中的DRAM的工作負(fù)載是否小于或等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及裝置，用于使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)并使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，用于使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)并使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)的裝置包括:裝置，用于根據(jù)該DRAM中的現(xiàn)行的任務(wù)判斷該DRAM的哪些存儲(chǔ)器組需保持在正常操作狀態(tài)以及哪些存儲(chǔ)器組需進(jìn)入自刷新狀態(tài)；裝置，用于重新組織該DRAM的數(shù)據(jù)區(qū)并釋放該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組；以及裝置，用于使該釋放的存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)并使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，該計(jì)算機(jī)節(jié)電控制系統(tǒng)還包括:裝置，用于在使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)之后，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及裝置，用于如果該DRAM的工作負(fù)載變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則使該DRAM的所有存儲(chǔ)器組都進(jìn)入正常操作狀態(tài)。
[0041]在一個(gè)實(shí)施例中，該計(jì)算機(jī)節(jié)電控制系統(tǒng)還包括:裝置，用于在“掛起到RAM”事件被觸發(fā)時(shí)使整個(gè)DRAM進(jìn)入自刷新狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中，該計(jì)算機(jī)節(jié)電控制系統(tǒng)還包括:裝置，用于在“掛起到DISK”事件被觸發(fā)時(shí)使計(jì)算機(jī)進(jìn)入“掛起到DISK”狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中，該計(jì)算機(jī)節(jié)電控制系統(tǒng)還包括:裝置，用于在該DRAM的工作負(fù)載變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值時(shí)使該DRAM退出部分存儲(chǔ)器組自刷新狀態(tài)(S卩，是該DRAM的所有存儲(chǔ)器組進(jìn)入正常操作狀態(tài))。
[0042]此外，本發(fā)明的實(shí)施例還涉及具有計(jì)算機(jī)可讀代碼的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。本發(fā)明的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的例子包括但不限于:磁介質(zhì)，如硬盤、軟盤和磁帶；光介質(zhì)，如CD-ROM和全息設(shè)備；磁_(tái)光介質(zhì)，如光軟盤；以及為了存儲(chǔ)和執(zhí)行程序代碼專門配置的硬件設(shè)備，如專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯器件(PLD)以及ROM和RAM器件。
[0043]本發(fā)明的示例性實(shí)施例的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括:計(jì)算機(jī)可讀代碼，用于當(dāng)該DRAM處于正常操作狀態(tài)時(shí)，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及計(jì)算機(jī)可讀代碼，用于使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。
[0044]在一個(gè)實(shí)施例中，所述用于使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)的計(jì)算機(jī)可讀代碼包括:計(jì)算機(jī)可讀代碼，用于根據(jù)該DRAM中的現(xiàn)行的任務(wù)判斷該DRAM的哪些存儲(chǔ)器組需保持在正常操作狀態(tài)以及哪些存儲(chǔ)器組需進(jìn)入自刷新狀態(tài)；計(jì)算機(jī)可讀代碼，用于重新組織該DRAM的數(shù)據(jù)區(qū)并釋放該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組；以及計(jì)算機(jī)可讀代碼，用于使該釋放的存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)并使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。
[0045]本發(fā)明的示例性實(shí)施例的計(jì)算機(jī)可讀代介質(zhì)進(jìn)一步包括:計(jì)算機(jī)可讀代碼，用于在使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)同時(shí)保持剩余的存儲(chǔ)器組在正常操作狀態(tài)之后，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及計(jì)算機(jī)可讀代碼，用于在該DRAM的工作負(fù)載變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值時(shí)，使該DRAM的所有存儲(chǔ)器組都進(jìn)入正常操作狀態(tài)。
[0046]本發(fā)明的DRAM控制方法和系統(tǒng)能夠在DRAM的工作負(fù)載小于或等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值時(shí)，使DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常工作狀態(tài)，這大大節(jié)約了電能。例如，對(duì)于容量為4GB、工作電壓為1.5V、型號(hào)為DDR31866的DRAM來(lái)說(shuō)，如圖8所示，與正常操作狀態(tài)中的最低能耗狀態(tài)相比，使得該DRAM的一個(gè)存儲(chǔ)器組(包括8個(gè)8位芯片，這8個(gè)芯片拼成一組64位寬的存儲(chǔ)器組)進(jìn)入自刷新狀態(tài)能夠節(jié)約240mA (即，416mA-176mA)的電能,這節(jié)約了大約60%的電能,這對(duì)于計(jì)算機(jī)設(shè)備,尤其是移動(dòng)設(shè)備而言具有很大的益處。
[0047]對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見的是，可以在不背離本發(fā)明的精神和權(quán)利要求的范圍的情況下對(duì)本發(fā)明作不同的修改和變型。特別的是，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的DRAM控制方法可以在使用DRAM的多種電子設(shè)備上執(zhí)行，例如任何計(jì)算設(shè)備，如服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)、便攜式電腦、手機(jī)、平板電腦以及其它移動(dòng)設(shè)備。因此，如果對(duì)本發(fā)明的修改和變型落入了權(quán)利要求和它們的等同物的范圍內(nèi)，那么應(yīng)當(dāng)認(rèn)為本發(fā)明覆蓋了對(duì)本發(fā)明所描述的不同實(shí)施例的修改和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種DRAM控制方法，包括如下步驟: 當(dāng)該DRAM處于正常操作狀態(tài)時(shí)，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值， 如果該DRAM的工作負(fù)載小于或等于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，那么執(zhí)行使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持正常操作狀態(tài)的步驟， 如果該DRAM的工作負(fù)載大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則繼續(xù)將該DRAM保持在正常操作狀態(tài)并重新執(zhí)行所述判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持正常操作狀態(tài)的步驟包括如下步驟: 根據(jù)該DRAM中的現(xiàn)行的任務(wù)判斷該DRAM的哪些存儲(chǔ)器組需保持在正常操作狀態(tài)以及哪些存儲(chǔ)器組需進(jìn)入自刷新狀態(tài)； 重新組織該DRAM的數(shù)據(jù)區(qū)并釋放該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組；以及 使該釋放的存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，還包括執(zhí)行如下步驟: 在使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)之后，判斷該DRA M的工作負(fù)載是否變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及 如果該DRAM的工作負(fù)載變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則使該DRAM的所有存儲(chǔ)器組都進(jìn)入正常操作狀態(tài)。
4.一種DRAM控制系統(tǒng)，包括: 裝置，用于當(dāng)該DRAM處于正常操作狀態(tài)時(shí)，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及 裝置，用于使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中所述用于使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)的裝置包括: 裝置，用于根據(jù)該DRAM中的現(xiàn)行的任務(wù)判斷該DRAM的哪些存儲(chǔ)器組需保持在正常操作狀態(tài)以及哪些存儲(chǔ)器組需進(jìn)入自刷新狀態(tài)； 裝置，用于重新組織該DRAM的數(shù)據(jù)區(qū)并釋放該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組；以及裝置，用于使該釋放的存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的系統(tǒng)，還包括: 裝置，用于在使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)之后，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及 裝置，用于當(dāng)該DRAM的工作負(fù)載變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值時(shí)使該DRAM的所有存儲(chǔ)器組都進(jìn)入正常操作狀態(tài)。
7.—種計(jì)算機(jī)節(jié)電控制方法,包括如下步驟: 當(dāng)該DRAM處于正常操作狀態(tài)時(shí)，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值， 如果該DRAM的工作負(fù)載小于或等于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，那么執(zhí)行使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持正常操作狀態(tài)的步驟， 如果該DRAM的工作負(fù)載大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則繼續(xù)將該DRAM保持在正常操作狀態(tài)并重新執(zhí)行所述判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持正常操作狀態(tài)的步驟包括如下步驟: 根據(jù)該DRAM中的現(xiàn)行的任務(wù)判斷該DRAM的哪些存儲(chǔ)器組需保持在正常操作狀態(tài)以及哪些存儲(chǔ)器組需進(jìn)入自刷新狀態(tài)； 重新組織該DRAM的數(shù)據(jù)區(qū)并釋放該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組；以及 使該釋放的存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括當(dāng)“掛起到RAM”事件被觸發(fā)時(shí)，使該DRAM進(jìn)入自刷新狀態(tài)的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括當(dāng)“掛起到DISK”事件被觸發(fā)時(shí)，使該計(jì)算機(jī)進(jìn)入“掛起到DISK”狀態(tài)的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求7 -10中任一項(xiàng)所述的方法，還包括: 在使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)之后，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及 如果該DRAM的工作負(fù)載變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則使該DRAM的所有存儲(chǔ)器組都進(jìn)入正常操作狀態(tài)。
12.—種計(jì)算機(jī)節(jié)電控制系統(tǒng)，包括: 裝置，用于當(dāng)該DRAM處于正常操作狀態(tài)時(shí)，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否小于或者等于預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及 裝置，用于使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持正常操作狀態(tài)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持正常操作狀態(tài)的裝置包括: 裝置，用于根據(jù)該DRAM中的現(xiàn)行的任務(wù)判斷該DRAM的哪些存儲(chǔ)器組需保持在正常操作狀態(tài)以及哪些存儲(chǔ)器組需進(jìn)入自刷新狀態(tài)； 裝置，用于重新組織該DRAM的數(shù)據(jù)區(qū)并釋放該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組；以及裝置，用于使該釋放的存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)、同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，還包括: 裝置，用于當(dāng)“掛起到RAM”事件被觸發(fā)時(shí)，使該DRAM進(jìn)入自刷新狀態(tài)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，還包括: 裝置，用于當(dāng)“掛起到DISK”事件被觸發(fā)時(shí)，使該計(jì)算機(jī)進(jìn)入“掛起到DISK”狀態(tài)。
16.根據(jù)權(quán)利要求12-15中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，還包括: 裝置，用于在使該DRAM的一部分存儲(chǔ)器組進(jìn)入自刷新狀態(tài)同時(shí)使剩余的存儲(chǔ)器組保持在正常操作狀態(tài)之后，判斷該DRAM的工作負(fù)載是否變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值；以及 裝置，用于如果該DRAM的工作負(fù)載變得大于該預(yù)定的工作負(fù)載閾值，則使該DRAM的所有存儲(chǔ)器組都進(jìn)入正 常操作狀態(tài)。
【文檔編號(hào)】G06F1/32GK104076900SQ201310105279
【公開日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月28日
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