本發(fā)明涉及到觸摸屏的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到一種改進(jìn)的GF結(jié)構(gòu)觸摸屏及其FPC連接方法。

背景技術(shù)：
觸摸屏作為一種智能化的人機(jī)交互界面產(chǎn)品，目前在社會(huì)生產(chǎn)和生活中的很多領(lǐng)域得到了越來越廣泛地應(yīng)用，尤其在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域(如智能手機(jī)、平板電腦等領(lǐng)域)中發(fā)展最為迅速。觸摸屏技術(shù)種類繁多，主要包括電阻式、電容式、紅外式、表聲波式等。電容式觸摸屏不僅具有反應(yīng)靈敏，支持多點(diǎn)觸控的優(yōu)點(diǎn)，而且壽命長，隨著相關(guān)控制IC技術(shù)的成熟和成本的降低，電容式觸摸屏已成為目前市場(chǎng)上的主流技術(shù)。目前主流的電容式觸摸屏一般為GG結(jié)構(gòu)，如圖1所示，感應(yīng)器(sensor)12制作在玻璃基板11表面，F(xiàn)PC14(帶觸控IC15)通過熱壓與電極引腳連接形成玻璃sensor1，最后將玻璃sensor1與玻璃蓋板13進(jìn)行貼合形成觸摸屏面板2。GG結(jié)構(gòu)觸摸屏的優(yōu)點(diǎn)是觸摸感應(yīng)靈敏度高，產(chǎn)品性能穩(wěn)定，可靠性高；但是，這種結(jié)構(gòu)厚度比較厚，成本較高，不利于產(chǎn)品的輕薄化設(shè)計(jì)和低成本化制作。如果將圖1中的玻璃基板11用薄膜基板(如PET薄膜)替代，即將sensor圖案電極層12制作在PET薄膜的表面，這樣就構(gòu)成了一種新型的電容式觸摸屏——GF結(jié)構(gòu)觸摸屏。由于PET薄膜很薄(～0.2mm)，而且成本較低，因此這種結(jié)構(gòu)可以使得觸摸屏的整體厚度減小，成本得以降低，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品輕薄化和低成本化。但是，現(xiàn)有的GF結(jié)構(gòu)觸摸屏存在一個(gè)很大的問題，就是FPC的熱壓良率不高；原因是由于PET薄膜的熱膨脹系數(shù)較高，在高溫下容易變形，并且與FPC的熱膨脹系數(shù)存在差異，而一般FPC熱壓溫度要求在300℃左右；因此在FPC熱壓的時(shí)候容易出現(xiàn)對(duì)位偏移、接觸不良等問題，極大地影響了FPC的熱壓良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的就是解決現(xiàn)有的GF結(jié)構(gòu)觸摸屏FPC熱壓良率不高的問題，提出一種改進(jìn)的GF結(jié)構(gòu)觸摸屏及其FPC連接方法。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種改進(jìn)的GF結(jié)構(gòu)觸摸屏，其特征在于：觸摸屏呈疊層結(jié)構(gòu)，從上往下依次為玻璃蓋板、第一感測(cè)電極層、PET薄膜層和第二感測(cè)電極層，所述的第一感測(cè)電極層設(shè)置在玻璃蓋板的下表面，第二感測(cè)電極層設(shè)置在PET薄膜層，PET薄膜層上設(shè)置有通孔，第二感測(cè)電極層通過通孔連接到第一感測(cè)電極層上的對(duì)應(yīng)電極單元，F(xiàn)PC通過熱壓連接在第一感測(cè)電極層的電極引出引腳；PET薄膜層與玻璃蓋板通過光學(xué)透明膠貼合到一起。所述的一種改進(jìn)的GF結(jié)構(gòu)觸摸屏，其特征在于：所述的光學(xué)透明膠采用OCA膠。所述的一種改進(jìn)的GF結(jié)構(gòu)觸摸屏，其特征在于：所述的FPC帶有觸控IC。一種改進(jìn)的GF結(jié)構(gòu)觸摸屏的FPC連接方法，其特征在于，具體包括有以下步驟：(1)在PET薄膜層上制作第二感測(cè)電極層并且圖形化在室溫下，利用真空磁控濺射的方法在PET薄膜層上制作ITO薄膜，然后在150℃溫度下真空退火，退火時(shí)間為1個(gè)小時(shí)，最后形成第二感測(cè)電極層，方塊電阻在200～300Ω/sqr之間；通過激光刻蝕方法形成需要的ITO圖案電極；(2)在玻璃蓋板上制作第一感測(cè)電極層并且圖形化在玻璃蓋板上絲印油墨遮光層，高溫真空濺射ITO透明導(dǎo)電層，濺射溫度設(shè)定在200～300℃，ITO薄膜方塊電阻在50～150Ω/sqr之間；ITO電極層通過涂膠、曝光、顯影、蝕刻、去膜等工序?qū)崿F(xiàn)圖形化；具體工藝參數(shù)如下：鍍膜真空度：0.01～0.5Pa，溫度：220～300℃，ITO薄膜層的厚度10nm～20nm；涂布光刻膠，將蝕刻的ITO薄膜層覆蓋，光刻膠的厚度1600～2000nm，均勻性5％以內(nèi)，預(yù)烘溫度：80～90℃；對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，即在光刻膠上光刻電極圖形，曝光條件為：紫外光波長：365nm，光通量：100～120lm，ITO電極圖案的光罩是鉻版，距離基板的尺寸100um～200um；對(duì)光刻膠顯影并硬化，采用NaOH，濃度0.1～0.08MOL/L，溫度：20～35℃，時(shí)間50秒～120秒，硬化溫度：100～120℃，時(shí)間30～35分鐘；蝕刻ITO薄膜層，形成ITO薄膜層電極圖形，蝕刻使用材料：HCl60％～65％+HO240％～35％，溫度：40～45℃，時(shí)間：120～220秒；去除光刻膠，形成ITO電極，使用材料：NaOH，濃度2.0～1.5MOL/L，溫度：30～35℃，時(shí)間100秒～120秒，最后用純水漂洗；網(wǎng)版與玻璃的距離：網(wǎng)距：3.0-4.0mm，膠刮高度20-30mm，膠刮角度：60-85度，膠刮壓力3.0-4.0Mpa；烘烤燒結(jié)：將絲印好的玻璃放入烤箱中；烤箱升溫時(shí)間為15-30min，恒溫時(shí)間為25-35min，溫度為130-160℃，溫差不大于10℃；(3)FPC的連接利用熱壓工藝，將帶有觸控IC的FPC連接到玻璃蓋板上第一感測(cè)電極層的電極引出引腳；具體工藝參數(shù)：ACF的連接：熱壓溫度90℃、熱壓時(shí)間3s、熱壓壓強(qiáng)0.154MPa；FPC的連接：熱壓溫度290℃、熱壓時(shí)間10s、熱壓壓強(qiáng)0.21MPa；(4)PET薄膜層上通孔的制作利用激光切割加工的方法在PET薄膜邊緣ITO電極引腳區(qū)域形成通孔，通孔可以是圓柱形，也可以是矩形或其他形狀；(5)PET薄膜層與玻璃蓋板的貼合通過光學(xué)透明膠將PET薄膜層和玻璃蓋板貼合到一起，主要控制貼合精度，將PET薄膜層上的通孔對(duì)準(zhǔn)第一感測(cè)電極層上的對(duì)應(yīng)電極單元，這些電極單元通過第一感測(cè)電極層的電極走線連接到引出引腳；(6)實(shí)現(xiàn)PET薄膜層通孔的上下導(dǎo)通在PET薄膜層的通孔區(qū)域絲印銀漿，控制銀漿的厚度，使得銀漿能夠?qū)⑼撞厶顫M，實(shí)現(xiàn)第二感測(cè)電極層引線與通孔下對(duì)應(yīng)電極單元的電學(xué)連接，從而實(shí)現(xiàn)第二感測(cè)電極層與FPC的電學(xué)連接。與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：(1)、由于FPC并沒有直接通過熱壓連接到PET薄膜表面，而將FPC的熱壓工藝轉(zhuǎn)移到相對(duì)耐高溫的玻璃表面，因此避免了目前塑料(PET)薄膜熱壓良率低的問題，從而大大提高了FPC的熱壓良率。(2)、將一感測(cè)電極層直接制作在玻璃蓋板的下表面，相對(duì)于在塑料(PET薄膜層上制作雙面電極層而言，一方面，第一感測(cè)電極層和第二感測(cè)電極層距離增大，提高了感測(cè)靈敏度；另一方面，由于是在玻璃上制作ITO透明電極層，因此ITO電極層可以再一定厚度的前提下實(shí)現(xiàn)較低的方塊電阻，提高了sensor產(chǎn)品的性能。(3)、通過激光加工和絲印銀漿制作電學(xué)導(dǎo)通的通孔，工藝比較簡(jiǎn)單，能夠較好地控制生產(chǎn)良率，有效降低成本。附圖說明圖1是GG結(jié)構(gòu)電容式觸摸屏的示意圖。圖2是一種改進(jìn)的GF結(jié)構(gòu)電容式觸摸屏的示意圖。圖3是一種PET薄膜通孔結(jié)構(gòu)的示意圖。具體實(shí)施方式為了使本發(fā)明解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案讓本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更加清楚明白，以下結(jié)合附圖說明，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。如圖2所示，一種改進(jìn)的GF結(jié)構(gòu)觸摸屏，觸摸屏呈疊層結(jié)構(gòu)，從上往下依次為玻璃蓋板22、第一感測(cè)電極層24、PET薄膜層21和第二感測(cè)電極層23，所述的第一感測(cè)電極層24設(shè)置在玻璃蓋板22的下表面，第二感測(cè)電極層23設(shè)置在PET薄膜層21，PET薄膜層21上設(shè)置有通孔27，第二感測(cè)電極層23通過通孔27連接到第一感測(cè)電極層24上的對(duì)應(yīng)電極單元，F(xiàn)PC25通過熱壓連接在第一感測(cè)電極層24的電極引出引腳；PET薄膜層21與玻璃蓋板22通過光學(xué)透明膠貼合到一起。光學(xué)透明膠采用OCA膠。FPC25帶有觸控IC26。一種改進(jìn)的GF結(jié)構(gòu)觸摸屏的FPC連接方法，具體包括有以下步驟：(1)在PET薄膜層21上制作第二感測(cè)電極層23并且圖形化在室溫下，利用真空磁控濺射的方法在PET薄膜層21上制作ITO薄膜，然后在150℃溫度下真空退火，退火時(shí)間為1個(gè)小時(shí)，最后形成第二感測(cè)電極層，方塊電阻在200～300Ω/sqr之間；通過激光刻蝕方法形成需要的ITO圖案電極；(2)在玻璃蓋板22上制作第一感測(cè)電極層24并且圖形化在玻璃蓋板22上絲印油墨遮光層，高溫真空濺射ITO透明導(dǎo)電層，濺射溫度設(shè)定在200～300℃，ITO薄膜方塊電阻在50～150Ω/sqr之間；ITO電極層通過涂膠、曝光、顯影、蝕刻、去膜等工序?qū)崿F(xiàn)圖形化；具體工藝參數(shù)如下：鍍膜真空度：0.01～0.5Pa，溫度：220～300℃，ITO薄膜層的厚度10nm～20nm；涂布光刻膠，將蝕刻的ITO薄膜層覆蓋，光刻膠的厚度1600～2000nm，均勻性5％以內(nèi)，預(yù)烘溫度：80～90℃；對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，即在光刻膠上光刻電極圖形，曝光條件為：紫外光波長：365nm，光通量：100～120lm，ITO電極圖案的光罩是鉻版，距離基板的尺寸100um～200um；對(duì)光刻膠顯影并硬化，采用NaOH，濃度0.1～0.08MOL/L，溫度：20～35℃，時(shí)間50秒～120秒，硬化溫度：100～120℃，時(shí)間30～35分鐘；蝕刻ITO薄膜層，形成ITO薄膜層電極圖形，蝕刻使用材料：HCl60％～65％+HO240％～35％，溫度：40～45℃，時(shí)間：120～220秒；去除光刻膠，形成ITO電極，使用材料：NaOH，濃度2.0～1.5MOL/L，溫度：30～35℃，時(shí)間100秒～120秒，最后用純水漂洗；網(wǎng)版與玻璃的距離：網(wǎng)距：3.0-4.0mm，膠刮高度20-30mm，膠刮角度：60-85度，膠刮壓力3.0-4.0Mpa；烘烤燒結(jié)：將絲印好的玻璃放入烤箱中；烤箱升溫時(shí)間為15-30min，恒溫時(shí)間為25-35min，溫度為130-160℃，溫差不大于10℃；(3)FPC25的連接利用熱壓工藝，將帶有觸控IC26的FPC25連接到玻璃蓋板22上第一感測(cè)電極層24的電極引出引腳；具體工藝參數(shù)：ACF的連接：熱壓溫度90℃、熱壓時(shí)間3s、熱壓壓強(qiáng)0.154MPa；FPC的連接：熱壓溫度290℃、熱壓時(shí)間10s、熱壓壓強(qiáng)0.21MPa；(4)PET薄膜層21上通孔27的制作利用激光切割加工的方法在PET薄膜邊緣ITO電極引腳區(qū)域形成通孔，通孔27的平面示意圖如圖3所示，31為塑料(PET)基板，32為第二感測(cè)電極層中的其中一條電極，33為電極走線，34為利用激光加工制作的通孔，通孔可以是圓柱形，也可以是矩形或其他形狀；(5)PET薄膜層21與玻璃蓋板22的貼合通過光學(xué)透明膠將PET薄膜層21和玻璃蓋板22貼合到一起，主要控制貼合精度，將PET薄膜層21上的通孔27對(duì)準(zhǔn)第一感測(cè)電極層24上的對(duì)應(yīng)電極單元，這些電極單元通過第一感測(cè)電極層24的電極走線連接到引出引腳；(6)實(shí)現(xiàn)PET薄膜層21通孔27的上下導(dǎo)通在PET薄膜層21的通孔區(qū)域絲印銀漿，控制銀漿的厚度，使得銀漿能夠?qū)⑼撞厶顫M，實(shí)現(xiàn)第二感測(cè)電極層23引線與通孔27下對(duì)應(yīng)電極單元的電學(xué)連接，從而實(shí)現(xiàn)第二感測(cè)電極層23與FPC25的電學(xué)連接。