電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法及電容屏的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法，設(shè)置電容屏，按功能設(shè)定制作出邊緣導(dǎo)通電路的分列排布方式及規(guī)格；按樣板規(guī)格在電容屏布線(xiàn)區(qū)域完成布線(xiàn)蝕刻及微蝕形成導(dǎo)通電路的通路組成；將完成蝕刻的電容屏預(yù)浸后活化處理；將活化后的電容屏布線(xiàn)區(qū)進(jìn)行鍍鎳或鍍薄金的化學(xué)鍍金屬處理；經(jīng)烘烤干燥后覆上保護(hù)膜，完成電鍍過(guò)程并封裝成型。適用于所有電容式觸控面板邊緣線(xiàn)路的形成，使邊緣走線(xiàn)更簡(jiǎn)單，電阻穩(wěn)定，降低通道阻抗，簡(jiǎn)化工藝流程，提高成品良品率；本發(fā)明還提供一種滿(mǎn)足該方法的電容屏，提高了導(dǎo)電性，增強(qiáng)了走線(xiàn)的穩(wěn)定性，并簡(jiǎn)化工藝，降低生產(chǎn)成本，產(chǎn)量比常規(guī)絲印銀膠方式要高，品質(zhì)更有保證，做到高質(zhì)量、高精度的品質(zhì)保障。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法及電容屏

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電容屏設(shè)計(jì)技術(shù)，尤其涉及一種電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法，更涉及一種滿(mǎn)足該方法的電容屏。

【背景技術(shù)】
[0002]電容式觸摸屏是在玻璃表面鍍上一層透明的特殊金屬導(dǎo)電物質(zhì)。當(dāng)手指觸摸在金屬層上時(shí)，觸點(diǎn)的電容就會(huì)發(fā)生變化，使得與之相連的振蕩器頻率發(fā)生變化，通過(guò)測(cè)量頻率變化可以確定觸摸位置獲得信息。電容屏為了降低邊緣走線(xiàn)部分的阻抗需要一層導(dǎo)電性能良好的金屬膜來(lái)輔助實(shí)現(xiàn)。傳統(tǒng)的邊緣線(xiàn)路都采用絲印銀膠或鑰鋁鑰工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)。常規(guī)絲印銀膠的方法是將電容屏做好PATTERN后，采用鋼網(wǎng)大張絲印銀膠，然后烘烤，并絲印保護(hù)油墨后再烘烤，使得絲印方式精度低鋼絲網(wǎng)和銀膠成本高且流程時(shí)間長(zhǎng)并銀膠存在斷路，短路現(xiàn)象。鑰鋁鑰工藝流程是將鑰鋁鑰ITO鍍膜玻璃是在真空狀態(tài)下以磁控濺射的方法在玻璃正反表面鍍上ITO導(dǎo)電膜，然后再在浮法面鍍上鑰、鋁、鑰金屬膜層。此方法造成前期投入資金龐大且流程復(fù)雜，工序繁瑣。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法，適用于所有電容式觸控面板邊緣線(xiàn)路的形成，采用化學(xué)鍍金屬屬的方法在邊緣形成線(xiàn)路，降低通道阻抗，簡(jiǎn)化工藝流程，提高成品良品率；本發(fā)明還提供一種滿(mǎn)足該方法的電容屏，提高了導(dǎo)電性，增強(qiáng)了走線(xiàn)的穩(wěn)定性，并簡(jiǎn)化工藝，降低生產(chǎn)成本。
[0004]為有效解決上述問(wèn)題，本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下:
[0005]一種電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法，該方法包括以下步驟:
[0006](I)設(shè)置電容屏，該電容屏由ITO玻璃/膜基板及邊緣導(dǎo)通電路組成；
[0007](2)制作樣板，按所述電容屏功能設(shè)定制作出邊緣導(dǎo)通電路的分列排布方式及規(guī)格；
[0008](3)蝕刻，按所述樣板規(guī)格在所述電容屏布線(xiàn)區(qū)域完成布線(xiàn)蝕刻及微蝕形成導(dǎo)通電路的通路組成；
[0009](4)活化，將完成蝕刻的電容屏預(yù)浸后活化處理；
[0010](5)鍍金屬，將活化后的電容屏布線(xiàn)區(qū)進(jìn)行鍍鎳或鍍薄金的化學(xué)鍍金屬處理；
[0011](6)烘烤成型，將鍍金屬完成的電容屏經(jīng)烘烤干燥后覆上保護(hù)膜，完成電鍍過(guò)程并封裝成型。
[0012]特別的，所述步驟(I)還包括以下步驟:
[0013]所述電容屏ITO玻璃基板/膜由ITO玻璃面及背面組成，所述邊緣導(dǎo)通電路由分別位于兩個(gè)平面的垂直交互的雙向電極連通雙向電路組成，所述電容屏為清洗完成的無(wú)塵品O
[0014]特別的，所述步驟(2)還包括以下步驟:
[0015]樣板制作包括不同尺寸、規(guī)格與功能控制的不同電容屏系列制作，根據(jù)不同的需求可任意設(shè)計(jì)或更改樣板的走線(xiàn)方式及導(dǎo)通電路內(nèi)部組成結(jié)構(gòu)，不影響所述電容屏的電路導(dǎo)通功能，并在同一電路排布區(qū)域設(shè)計(jì)不少于兩種的導(dǎo)通電路走線(xiàn)方式，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電路設(shè)計(jì)的靈活度選擇。
[0016]特別的，所述步驟(3)還包括以下步驟:
[0017]在蝕刻的過(guò)程中首先完成蝕刻，對(duì)導(dǎo)通電路走向總體定型后并清洗干凈，然后對(duì)定型完成的導(dǎo)通電路進(jìn)行局部修改與調(diào)整，即完成微蝕過(guò)程，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電路的高精度設(shè)計(jì)，整體修改完成后對(duì)整個(gè)布線(xiàn)區(qū)域或整塊電容屏進(jìn)行水洗。
[0018]特別的，所述步驟(4)還包括以下步驟:
[0019]所述活化過(guò)程首先在熱固性/熱塑性預(yù)浸料中進(jìn)行預(yù)浸，然后在循環(huán)攪拌后的酸度2.6的藥液中活化1-4分鐘，活化過(guò)程的溫度控制在26°C _30°C之間，活化完成后通過(guò)預(yù)浸料中的后浸處理完成并鞏固活化效果。
[0020]特別的，所述步驟(5)還包括以下步驟:
[0021]將活化完成后的電容屏通過(guò)化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)鍍鎳，其鍍鎳過(guò)程中進(jìn)料區(qū)域需要接近攪拌區(qū)，避免局部濃度過(guò)高，造成鍍層不均勻，且PH值控制在5-7之間，鍍鎳完成后經(jīng)雙純水洗后，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)鍍薄金，其溫度控制在90°C左右，PH控制在5-7之間，鍍金屬溶液濃度在0.5-1.0g/Ι之間，將鍍鎳或鍍薄金完成后完成水洗。
[0022]一種滿(mǎn)足上述方法的電容屏，該電容屏由基板及設(shè)置在基板邊緣的布線(xiàn)區(qū)域組成，所述基板由由ITO玻璃/膜基板組成，所述布線(xiàn)區(qū)域包括垂直交互的兩組電極及多組組合排布的導(dǎo)通電路，所述導(dǎo)通電路及與之相連的電極通過(guò)化學(xué)鍍金屬形成鍍金屬層實(shí)現(xiàn)走線(xiàn)分布。
[0023]特別的，所述電極走線(xiàn)及導(dǎo)通電路走線(xiàn)不在同一平面內(nèi)。
[0024]特別的，所述布線(xiàn)區(qū)域上包括一層絲印保護(hù)膠。
[0025]特別的，所述鍍金屬層由鍍鎳層和/或鍍薄金層組成。
[0026]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法，適用于所有電容式觸控面板邊緣線(xiàn)路的形成，采用化學(xué)鍍金屬屬的方法在邊緣形成線(xiàn)路，使邊緣走線(xiàn)更簡(jiǎn)單，電阻穩(wěn)定，降低通道阻抗，簡(jiǎn)化工藝流程，提高成品良品率；本發(fā)明還提供一種滿(mǎn)足該方法的電容屏，提高了導(dǎo)電性，增強(qiáng)了走線(xiàn)的穩(wěn)定性，并簡(jiǎn)化工藝，降低生產(chǎn)成本，產(chǎn)量比常規(guī)絲印銀膠方式要高，品質(zhì)更有保證，做到高質(zhì)量、高精度的品質(zhì)保障。
[0027]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1是本發(fā)明公開(kāi)的電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法流程圖；
[0029]圖2是本發(fā)明公開(kāi)的電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法又一流程圖；
[0030]圖3是本發(fā)明公開(kāi)的電容屏組成結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031]實(shí)施例:
[0032]如圖1及圖2所示，本實(shí)施例中的電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法包括以下步驟:
[0033](I)設(shè)置電容屏，該電容屏由ITO玻璃/膜基板及邊緣導(dǎo)通電路組成；所述電容屏ITO玻璃基板/膜由ITO玻璃面及背面組成，所述邊緣導(dǎo)通電路由分別位于兩個(gè)平面的垂直交互的雙向電極連通雙向電路組成，所述電容屏為清洗完成的無(wú)塵品。
[0034](2)制作樣板，按所述電容屏功能設(shè)定制作出邊緣導(dǎo)通電路的分列排布方式及規(guī)格；樣板制作包括不同尺寸、規(guī)格與功能控制的不同電容屏系列制作，根據(jù)不同的需求可任意設(shè)計(jì)或更改樣板的走線(xiàn)方式及導(dǎo)通電路內(nèi)部組成結(jié)構(gòu)，不影響所述電容屏的電路導(dǎo)通功能，并在同一電路排布區(qū)域設(shè)計(jì)不少于兩種的導(dǎo)通電路走線(xiàn)方式，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電路設(shè)計(jì)的靈活度選擇。
[0035](3)蝕刻，按所述樣板規(guī)格在所述電容屏布線(xiàn)區(qū)域完成布線(xiàn)蝕刻及微蝕形成導(dǎo)通電路的通路組成；在蝕刻的過(guò)程中首先完成蝕刻，對(duì)導(dǎo)通電路走向總體定型后并清洗干凈，然后對(duì)定型完成的導(dǎo)通電路進(jìn)行局部修改與調(diào)整，即完成微蝕過(guò)程，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電路的高精度設(shè)計(jì)，整體修改完成后對(duì)整個(gè)布線(xiàn)區(qū)域或整塊電容屏進(jìn)行水洗。
[0036](4)活化，將完成蝕刻的電容屏預(yù)浸后活化處理；所述活化過(guò)程首先在熱固性/熱塑性預(yù)浸料中進(jìn)行預(yù)浸，然后在循環(huán)攪拌后的酸度2.6的藥液中活化1-4分鐘，活化過(guò)程的溫度控制在26°C _30°C之間，活化完成后通過(guò)預(yù)浸料中的后浸處理完成并鞏固活化效果。
[0037](5)鍍金屬，將活化后的電容屏布線(xiàn)區(qū)進(jìn)行鍍鎳或鍍薄金的化學(xué)鍍金屬處理；將活化完成后的電容屏通過(guò)化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)鍍鎳，其鍍鎳過(guò)程中進(jìn)料區(qū)域需要接近攪拌區(qū)，避免局部濃度過(guò)高，造成鍍層不均勻，且PH值控制在5-7之間，鍍鎳完成后經(jīng)雙純水洗后，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)鍍薄金，其溫度控制在90°C左右，PH控制在5-7之間，鍍金屬溶液濃度在0.5-1.0g/Ι之間，將鍍鎳或鍍薄金完成后完成水洗。
[0038](6)烘烤成型，將鍍金屬完成的電容屏經(jīng)烘烤干燥后覆上保護(hù)膜，完成電鍍過(guò)程并封裝成型。
[0039] 申請(qǐng)人:聲明，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，將上述實(shí)施例某步驟，與
【發(fā)明內(nèi)容】
部分的技術(shù)方案相組合，從而產(chǎn)生的新的方法，也是本發(fā)明的記載范圍之一，本申請(qǐng)為使說(shuō)明書(shū)簡(jiǎn)明，不再羅列這些步驟的其它實(shí)施方式。
[0040]如圖3所示，一種滿(mǎn)足上述方法的電容屏，該電容屏由基板及設(shè)置在基板邊緣的布線(xiàn)區(qū)域組成，所述基板由由ITO玻璃/膜基板組成，所述布線(xiàn)區(qū)域包括垂直交互的兩組電極及多組組合排布的導(dǎo)通電路，所述導(dǎo)通電路及與之相連的電極通過(guò)化學(xué)鍍金屬形成鍍金屬層實(shí)現(xiàn)走線(xiàn)分布。
[0041]所述電極走線(xiàn)及導(dǎo)通電路走線(xiàn)不在同一平面內(nèi)。所述布線(xiàn)區(qū)域上包括一層絲印保護(hù)膠。所述鍍金屬層由鍍鎳層和/或鍍薄金層組成。
[0042]本實(shí)施例重要技術(shù)原理為:
[0043]本發(fā)明提供的電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法，適用于所有電容式觸控面板邊緣線(xiàn)路的形成，采用化學(xué)鍍金屬屬的方法在邊緣形成線(xiàn)路，使邊緣走線(xiàn)更簡(jiǎn)單，電阻穩(wěn)定，降低通道阻抗，簡(jiǎn)化工藝流程，提高成品良品率；本發(fā)明還提供一種滿(mǎn)足該方法的電容屏，提高了導(dǎo)電性，增強(qiáng)了走線(xiàn)的穩(wěn)定性，并簡(jiǎn)化工藝，降低生產(chǎn)成本，產(chǎn)量比常規(guī)絲印銀膠方式要高，品質(zhì)更有保證，做到聞質(zhì)量、聞精度的品質(zhì)保障。
[0044] 申請(qǐng)人:又一聲明，本發(fā)明通過(guò)上述實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方法及裝置結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，即不意味著本發(fā)明必須依賴(lài)上述方法及結(jié)構(gòu)才能實(shí)施。所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對(duì)本發(fā)明的任何改進(jìn)，對(duì)本發(fā)明所選用實(shí)現(xiàn)方法等效替換及及步驟的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開(kāi)范圍之內(nèi)。
[0045]本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，凡采用和本發(fā)明相似結(jié)構(gòu)及其方法來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的所有方式，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法，其特征在于，該方法包括以下步驟: (1)設(shè)置電容屏，該電容屏由ITO玻璃/膜基板及邊緣導(dǎo)通電路組成； (2)制作樣板，按所述電容屏功能設(shè)定制作出邊緣導(dǎo)通電路的分列排布方式及規(guī)格； (3)蝕刻，按所述樣板規(guī)格在所述電容屏布線(xiàn)區(qū)域完成布線(xiàn)蝕刻及微蝕形成導(dǎo)通電路的通路組成； (4)活化，將完成蝕刻的電容屏預(yù)浸后活化處理； (5)鍍金屬，將活化后的電容屏布線(xiàn)區(qū)進(jìn)行鍍鎳或鍍薄金的化學(xué)鍍金屬處理； (6)烘烤成型，將鍍金屬完成的電容屏經(jīng)烘烤干燥后覆上保護(hù)膜，完成電鍍過(guò)程并封裝成型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法，其特征在于，所述步驟(I)還包括以下步驟: 所述電容屏ITO玻璃基板/膜由ITO玻璃面及背面組成，所述邊緣導(dǎo)通電路由分別位于兩個(gè)平面的垂直交互的雙向電極連通雙向電路組成，所述電容屏為清洗完成的無(wú)塵品。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法，其特征在于，所述步驟(2)還包括以下步驟: 樣板制作包括不同尺寸、規(guī)格與功能控制的不同電容屏系列制作，根據(jù)不同的需求可任意設(shè)計(jì)或更改樣板的走線(xiàn)方式及導(dǎo)通電路內(nèi)部組成結(jié)構(gòu)，不影響所述電容屏的電路導(dǎo)通功能，并在同一電路排布區(qū)域設(shè)計(jì)不少于兩種的導(dǎo)通電路走線(xiàn)方式，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電路設(shè)計(jì)的靈活度選擇。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法，其特征在于，所述步驟(3)還包括以下步驟: 在蝕刻的過(guò)程中首先完成蝕刻，對(duì)導(dǎo)通電路走向總體定型后并清洗干凈，然后對(duì)定型完成的導(dǎo)通電路進(jìn)行局部修改與調(diào)整，即完成微蝕過(guò)程，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電路的高精度設(shè)計(jì)，整體修改完成后對(duì)整個(gè)布線(xiàn)區(qū)域或整塊電容屏進(jìn)行水洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法，其特征在于，所述步驟(4)還包括以下步驟: 所述活化過(guò)程首先在熱固性/熱塑性預(yù)浸料中進(jìn)行預(yù)浸，然后在循環(huán)攪拌后的酸度2.6的藥液中活化1-4分鐘，活化過(guò)程的溫度控制在26°C _30°C之間，活化完成后通過(guò)預(yù)浸料中的后浸處理完成并鞏固活化效果。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容屏邊緣走線(xiàn)鍍金屬方法，其特征在于，所述步驟(5)還包括以下步驟: 將活化完成后的電容屏通過(guò)化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)鍍鎳，其鍍鎳過(guò)程中進(jìn)料區(qū)域需要接近攪拌區(qū)，避免局部濃度過(guò)高，造成鍍層不均勻，且PH值控制在5-7之間，鍍鎳完成后經(jīng)雙純水洗后，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)鍍薄金，其溫度控制在90°C左右，PH控制在5-7之間，鍍金屬溶液濃度在0.5-1.0g/Ι之間，將鍍鎳或鍍薄金完成后完成水洗。
7.一種滿(mǎn)足權(quán)利要求1所述方法的電容屏，其特征在于，該電容屏由基板及設(shè)置在基板邊緣的布線(xiàn)區(qū)域組成，所述基板由由ITO玻璃/膜基板組成，所述布線(xiàn)區(qū)域包括垂直交互的兩組電極及多組組合排布的導(dǎo)通電路，所述導(dǎo)通電路及與之相連的電極通過(guò)化學(xué)鍍金屬形成鍍金屬層實(shí)現(xiàn)走線(xiàn)分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電容屏，其特征在于，所述電極走線(xiàn)及導(dǎo)通電路走線(xiàn)不在同一平面內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電容屏，其特征在于，所述布線(xiàn)區(qū)域上包括一層絲印保護(hù)膠。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電容屏，其特征在于，所述鍍金屬層由鍍鎳層和/或鍍薄金層組成。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK104281337SQ201310277024
【公開(kāi)日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2013年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月3日
【發(fā)明者】向火平 申請(qǐng)人:向火平