本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品的觸摸屏加工方法，主要涉及一種電容式觸摸屏金屬刻蝕工藝。

背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的電容屏金屬走線刻蝕工藝，需要將大部分金屬鍍膜層刻蝕掉，并形成金屬走線和“架橋”線條，因受集成生產(chǎn)時(shí)需要基板玻璃邊緣留有較多的空間作為“對準(zhǔn)”等符號(hào)與無效邊緣（通常有10~15mm），四邊的無效空間原來都是將金屬鍍膜層全部刻蝕掉，露出透明玻璃，從而消耗掉更多的蝕刻溶液，浪費(fèi)材料，同時(shí)也增大了成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種電容式觸摸屏金屬刻蝕工藝，該生產(chǎn)工藝可以有效節(jié)省蝕刻溶液的用量從而節(jié)省生產(chǎn)成本。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種電容式觸摸屏金屬刻蝕工藝，其特征在于包括以下步驟：步驟1：對電容式觸摸屏金屬鍍膜層涂光刻保護(hù)膠，涂光刻保護(hù)膠區(qū)域包括經(jīng)過后續(xù)加工最終保留在觸摸屏上的有效金屬走線、架橋線條以及最終將被去除掉的四邊無效金屬鍍膜層；步驟2：對不涂有光刻保護(hù)膠的金屬鍍膜層進(jìn)行蝕刻；步驟3：對電容式觸摸屏進(jìn)行切割成形，切割去除掉四邊無效金屬鍍膜層區(qū)域。本發(fā)明是將這些四邊無效空間的金屬鍍膜層不進(jìn)行蝕刻，從而節(jié)省刻蝕液，對370X470玻璃可以節(jié)省約10%~15%的刻蝕液，680X880產(chǎn)品可以節(jié)省約8%~10%的刻蝕液，如果是混排方式，可以節(jié)省8%~30%的刻蝕液。作為優(yōu)選，步驟1中有效金屬走線、架橋線條與四邊無效金屬鍍膜層之間留有不涂光刻保護(hù)膠的切割縫隙。該優(yōu)選使得產(chǎn)品的后續(xù)切割時(shí)更加方便、高效，定位精度高，有效保護(hù)產(chǎn)品加工后的質(zhì)量。作為優(yōu)選，步驟1中涂光刻保護(hù)膠的工藝采用直接的局部涂膠的絲印工藝，并作烘烤、堅(jiān)膜處理。該優(yōu)選使得加工更加快速、便捷。作為優(yōu)選，步驟1中涂光刻保護(hù)膠的工藝采用光刻工藝，首先對金屬鍍膜層進(jìn)行全部涂布光刻保護(hù)膠，然后烘干，接著采用一塊掩膜板（MASK板）對光刻保護(hù)膠進(jìn)行曝光、顯影、堅(jiān)膜處理，掩膜板的遮掩圖形包括有效金屬走線、架橋線條以及四邊無效金屬鍍膜層圖形。該工藝的涂膠精確度更高，有效提高產(chǎn)品良率。作為優(yōu)選，曝光工序采用黃光光刻，曝光量40mj/cm2-100mj/cm2,時(shí)間1s-5s,照度20mw/cm2-50mw/cm2；作為優(yōu)選，步驟1中涂的保護(hù)膠膜厚1μm-2μm。作為優(yōu)選，光刻保護(hù)膠烘干工序時(shí)在100℃-150℃下，烘烤8min-13min。作為優(yōu)選，顯影工序時(shí)采用濃度為0.5%-1.5%的NaOH堿液，顯影時(shí)間50s-150s。作為優(yōu)選，步驟2中蝕刻工序采用酸性蝕刻溶液為：磷酸60%~100%+醋酸10%~15%。作為優(yōu)選，蝕刻時(shí)間為5-15分鐘。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)和效果如下：本發(fā)明通過對四邊無效金屬鍍膜層涂光刻保護(hù)膠，刻蝕時(shí)，此部分金屬層因有光刻保護(hù)膠保護(hù)，不與蝕刻溶液發(fā)生反應(yīng)，從而減少了蝕刻溶液的消耗，同時(shí)也能精確定位，在后續(xù)的切割過程中，切掉這些無效區(qū)域，成本上可節(jié)約10%~30%。附圖說明圖1是本發(fā)明實(shí)施例1中產(chǎn)品全部涂光刻保護(hù)膠后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1中產(chǎn)品進(jìn)行曝光、顯影、堅(jiān)膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2中產(chǎn)品蝕刻后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖3中產(chǎn)品去除光刻保護(hù)膠、清洗、切割后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中：1-光刻保護(hù)膠、2-有效金屬走線、架橋線條、3-四邊無效金屬鍍膜層、4-切割縫隙。具體實(shí)施方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清晰明白，一下結(jié)合實(shí)施案例，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用與限定本發(fā)明。實(shí)施例1如圖1、2、3、4所示，步驟1：對電容式觸摸屏金屬鍍膜層涂光刻保護(hù)膠1，涂光刻保護(hù)膠1區(qū)域包括經(jīng)過后續(xù)加工最終保留在觸摸屏上的有效金屬走線、架橋線條2以及最終將被去除掉的四邊無效金屬鍍膜層3；步驟2：對不涂有光刻保護(hù)膠1的金屬鍍膜層進(jìn)行蝕刻；步驟3：對電容式觸摸屏進(jìn)行切割成形，切割去除掉四邊無效金屬鍍膜層3區(qū)域。步驟1中有效金屬走線、架橋線條2與四邊無效金屬鍍膜層3之間留有不涂光刻保護(hù)膠1的切割縫隙4，涂光刻保護(hù)膠1的工藝采用光刻工藝，首先對金屬鍍膜層進(jìn)行全部涂布光刻保護(hù)膠1，然后烘干，接著采用一塊掩膜板對光刻保護(hù)膠1進(jìn)行曝光、顯影、堅(jiān)膜處理，掩膜板的遮掩圖形包括有效金屬走線、架橋線條2圖形以及四邊無效金屬鍍膜層3圖形，涂的光刻保護(hù)膠1膜厚1μm，曝光工序采用黃光光刻，曝光量40mj/cm2,時(shí)間1s,照度20mw/cm2，光刻保護(hù)膠1烘干工序時(shí)在100℃下，烘烤8min，顯影工序時(shí)采用濃度為0.5%的NaOH堿液，顯影時(shí)間50s；步驟2中蝕刻工序采用酸性蝕刻溶液為：磷酸60%+醋酸10%，蝕刻時(shí)間為5分鐘；去除光刻保護(hù)膠1并清洗。實(shí)施例2其與實(shí)施例1的區(qū)別在于：步驟1中涂的光刻保護(hù)膠1膜厚1.5μm，曝光工序采用黃光光刻，曝光量70mj/cm2,時(shí)間3s,照度35mw/cm2，光刻保護(hù)膠1烘干工序時(shí)在125℃下，烘烤11min，顯影工序時(shí)采用濃度為1.0%的NaOH堿液，顯影時(shí)間100s；步驟2中蝕刻工序采用酸性蝕刻溶液為：磷酸80%+醋酸13%，蝕刻時(shí)間為5-15分鐘。實(shí)施例3其與實(shí)施例2的區(qū)別在于：步驟1中涂的光刻保護(hù)膠1膜厚2μm，曝光工序采用黃光光刻，曝光量100mj/cm2,時(shí)間-5s,照度50mw/cm2，光刻保護(hù)膠1烘干工序時(shí)在150℃下，烘烤13min，顯影工序時(shí)采用濃度為1.5%的NaOH堿液，顯影時(shí)間150s；步驟2中蝕刻工序采用酸性蝕刻溶液為：磷酸100%+醋酸15%，蝕刻時(shí)間為15分鐘。實(shí)施例4其與實(shí)施例1的區(qū)別在于：步驟1中涂光刻保護(hù)膠1的工藝采用直接的局部涂膠的絲印工藝，并作烘烤、堅(jiān)膜處理，并形成有效金屬走線、架橋線條2以及四邊無效金屬鍍膜層3的光刻保護(hù)膠1層。