觸控面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭露一種觸控面板，包含一基板與設(shè)置于基板上的低反射導(dǎo)電層。低反射導(dǎo)電層包含設(shè)置于基板上的氧化物層、金屬層以及設(shè)置于金屬層以及氧化物層之間的氮化物層。其中金屬層、氧化物層以及氮化物層緊密接觸，氧化物層與氮化物層之間的厚度的比例介于1：0.6至1：1.5之間。
【專利說(shuō)明】觸控面板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種應(yīng)用低反射導(dǎo)電層的觸控面板。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，輕薄的平面顯示器已成為各種電子產(chǎn)品廣泛使用的顯示器。為了達(dá)到使用便利性、外觀簡(jiǎn)潔以及多功能的目的，許多信息產(chǎn)品已由傳統(tǒng)的鍵盤或鼠標(biāo)等輸入裝置，轉(zhuǎn)變?yōu)槭褂糜|控面板(Touch Panel)作為輸入裝置。
[0003]隨著平面顯示器與觸控輸入裝置的技術(shù)快速發(fā)展，為了在有限的體積下，讓使用者有較大的可視畫面以及提供更方便的操作模式，某些電子產(chǎn)品將觸控面板與顯示面板結(jié)合，而構(gòu)成觸控顯示面板。
[0004]觸控面板的操作原理為，當(dāng)一導(dǎo)體對(duì)象(例如手指)接觸到觸控面板的觸控感測(cè)陣列時(shí)，觸控感測(cè)陣列的電氣特性(例如電阻值或電容值)會(huì)隨著改變，并導(dǎo)致觸控感測(cè)陣列的偏壓改變。此電氣特性上的改變會(huì)轉(zhuǎn)換為控制信號(hào)傳送至外部的控制電路板上，并經(jīng)由處理器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理并運(yùn)算得出結(jié)果。接著，再通過(guò)外部控制電路板輸出一顯示信號(hào)至顯示面板中，并經(jīng)由顯示面板將影像顯示在使用者眼前。
[0005]由于觸控面板是疊置于顯示面板之上，因此，如何解決因觸控面板上的金屬層的反射而影響顯示面板的顯示品質(zhì)，便成為一個(gè)重要的課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供了一種應(yīng)用低反射導(dǎo)電層的觸控面板，用以解決金屬反射所造成的問(wèn)題。
[0007]本發(fā)明的一方面提供了一種觸控面板，包含基板以及設(shè)置于基板上的低反射導(dǎo)電層。低反射金屬層依序包含氧化物層、金屬層以及設(shè)置于金屬層以及氧化物層之間的氮化物層。其中金屬層、氧化物層以及氮化物層緊密接觸，氧化物層與氮化物層之間的厚度比例介于1:0.6至1:1.5之間。
[0008]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，氧化物層為金屬氧化物層，氮化物層為金屬氮化物層。
[0009]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，氧化物層的厚度介于20納米至100納米之間，氮化物層的厚度介于20納米至100納米之間，金屬層的厚度介于50納米至500納米之間。
[0010]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，金屬層的材料為鑰，氮化物層的材料為氮化鑰，氧化物層的材料為氧化鑰。
[0011]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，金屬層的厚度為90納米，氮化物層的厚度為40納米，氧化物層的厚度為40納米。
[0012]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，觸控面板為一導(dǎo)電網(wǎng)觸控面板，低反射導(dǎo)電層包含一導(dǎo)電網(wǎng)結(jié)構(gòu),導(dǎo)電網(wǎng)結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線線寬為2-10微米(μ--)。
[0013]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，氧化物層直接接觸基板。
[0014]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，金屬材料是選自鑰、銅、銀、鉻和鋁其中之一。
[0015]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，觸控面板為一單層式觸控面板，低反射導(dǎo)電層包含多個(gè)觸控單元，以及分別連接觸控單元的多個(gè)導(dǎo)線。
[0016]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，觸控單元包含一指狀單元，以及呈Π字狀并與指狀單元對(duì)向排列的多個(gè)對(duì)向單元。
[0017]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，觸控單元為矩形網(wǎng)格狀。
[0018]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)線為直線狀。
[0019]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)線為規(guī)則或不規(guī)則波浪狀。
[0020]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，觸控單元為規(guī)則或不規(guī)則的波浪網(wǎng)狀。
[0021]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，觸控面板為一單片玻璃解決方案觸控面板，低反射導(dǎo)電層包含多個(gè)導(dǎo)線以及多個(gè)架橋部，單片玻璃解決方案觸控面板還包含局部覆蓋架橋部的多個(gè)絕緣層，以及設(shè)置于基板上的多個(gè)透明導(dǎo)電電極，其中部分的透明導(dǎo)電電極之間通過(guò)架橋部連接，每一透明導(dǎo)電電極分別連接至導(dǎo)線。
[0022]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，觸控面板還包含一遮光層，設(shè)置于基板上并圍繞透明導(dǎo)電電極，其中導(dǎo)線位于遮光層與基板之間。
[0023]本發(fā)明提供了一種應(yīng)用低反射導(dǎo)電層的觸控面板，其可以降低金屬層的光線反射率而使其可視度降低，以減少因金屬反射而影響觸控面板顯示能力的問(wèn)題。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1繪示本發(fā)明的低反射導(dǎo)電層一實(shí)施例的示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明的導(dǎo)電網(wǎng)觸控面板一實(shí)施例的局部上視圖；
[0026]圖3為沿圖2中的線段A-A的剖面圖；
[0027]圖4為本發(fā)明的一種單層式觸控面板一實(shí)施例的上視圖；
[0028]圖5為沿圖4中的B-B線段的剖面圖；
[0029]圖6為本發(fā)明的一種單層式觸控面板另一實(shí)施例的上視圖；
[0030]圖7為本發(fā)明的一種單層式觸控面板再一實(shí)施例的上視圖；
[0031]圖8A至圖8D分別繪示本發(fā)明的一種單片玻璃解決方案觸控面板的制作方法一實(shí)施例不同階段的示意圖；
[0032]圖9繪示沿圖8D中的線段C-C的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033]以下將以附圖及詳細(xì)說(shuō)明清楚說(shuō)明本發(fā)明的精神，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在了解本發(fā)明的較佳實(shí)施例后，當(dāng)可由本發(fā)明所教示的技術(shù)，加以改變及修飾，其并不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
[0034]參照?qǐng)D1，其繪示本發(fā)明所應(yīng)用的低反射導(dǎo)電層一實(shí)施例的示意圖。低反射導(dǎo)電層100包含有金屬層110、氧化物層120以及氮化物層130，其中氮化物層130設(shè)置于金屬層110以及氧化物層120之間，且金屬層110、氧化物層120以及氮化物層130之間彼此緊密地接觸。
[0035]因氧化物層120以及氮化物層130對(duì)于光線的折射率不同，因此可以達(dá)到黑化金屬層110使其消光的目的。使得金屬層110在面對(duì)于氧化物層120以及氮化物層130的一面的光線反射能力降低而降低金屬層110在視覺(jué)上的亮度。如此一來(lái)，低反射導(dǎo)電層100通過(guò)氧化物層120以及氮化物層130破壞金屬層110的反射能力，便可以降低低反射導(dǎo)電層100的可見(jiàn)度，達(dá)到黑化金屬層110的功效。
[0036]氧化物層120以及氮化物層130之間的厚度的比例較佳地為介于1:0.6至1:1.5之間。氧化物層120可以為金屬氧化物層，而氮化物層130可以為金屬氮化物層。氧化物層120的厚度介于20納米至100納米之間。氮化物層130的厚度介于20納米至100納米之間。金屬層110的厚度則是介于30納米至500納米之間。金屬層110的材料可以為鑰、銅、銀、鉻或鋁等金屬材質(zhì)。另外，較佳的，氧化物層120的厚度可介于20納米至60納米之間。氮化物層130的厚度介于20納米至60納米之間。金屬層110的厚度則是介于50納米至300納米之間。
[0037]根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，以鑰為例，單純的厚度為90納米的鑰層，其阻抗約為13.38歐姆，其光線反射率為47.77%。而在采用本發(fā)明所提供的結(jié)構(gòu)后，以MoO/MoN/Mo所組成的低反射導(dǎo)電層100為例，其中三者的厚度依序分別為30?50納米/30?50納米/80?100納米。以三者的厚度依序分別為30?50納米/30?50納米/80?100納米為例，此低反射導(dǎo)電層100的阻抗可達(dá)12.42歐姆，而其光線反射率為6.63%。由此可以得知，采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的低反射導(dǎo)電層100可以兼具有低阻抗以及低光線反射率的優(yōu)點(diǎn)。
[0038]低反射導(dǎo)電層100中，金屬層110、氧化物層120以及氮化物層130的材料、厚度以及比例關(guān)系可以根據(jù)實(shí)務(wù)上的設(shè)計(jì)需求，例如不同的分布面積、線寬等需求進(jìn)行變更，并不以前述揭露為限。
[0039]低反射導(dǎo)電層100可以應(yīng)用于不同領(lǐng)域的觸控面板中，以下將以實(shí)施例具體說(shuō)明的。
[0040]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2與圖3，其中圖2為本發(fā)明的導(dǎo)電網(wǎng)觸控面板一實(shí)施例的局部上視圖，圖3為沿圖2中的線段A-A的剖面圖。低反射導(dǎo)電層100可以應(yīng)用于導(dǎo)電網(wǎng)(metalmesh)形式的觸控面板中。導(dǎo)電網(wǎng)觸控面板200包含有基板210以及分布于基板210上的導(dǎo)電網(wǎng)結(jié)構(gòu)220，其中導(dǎo)電網(wǎng)結(jié)構(gòu)220的材料為前述的低反射導(dǎo)電層100。
[0041]導(dǎo)電網(wǎng)結(jié)構(gòu)220的材料為低反射導(dǎo)電層100，其中氧化物層120為直接接觸或鄰近基板210的一面。更具體地說(shuō)，氧化物層120介于氮化物層130與基板210之間，氮化物層130則是介于金屬層110以及基板210之間。基板210為面對(duì)人眼的顯示面或觸控面。導(dǎo)電網(wǎng)結(jié)構(gòu)220因采用低反射導(dǎo)電層100作為材料，因此可以使得金屬層110在面對(duì)基板210的一面被黑化而降低導(dǎo)電網(wǎng)結(jié)構(gòu)220在基板210上的可視度。
[0042]導(dǎo)電網(wǎng)結(jié)構(gòu)220可以為規(guī)則或是不規(guī)則的圖案，導(dǎo)電網(wǎng)結(jié)構(gòu)220是由多條導(dǎo)線交織排列所構(gòu)成。導(dǎo)電網(wǎng)結(jié)構(gòu)220的導(dǎo)線的線寬約為2-10微米(μπι)。低反射導(dǎo)電層100中，氧化物層120以及氮化物層130之間的厚度的比例較佳地為介于1:0.6至1:1.5之間。氧化物層120可以為金屬氧化物層，而氮化物層130可以為金屬氮化物層。氧化物層120的厚度介于20納米至100納米之間。氮化物層130的厚度介于20納米至100納米之間。金屬層110的厚度則是介于30納米至500納米之間。金屬層110的材料可以為鑰、銅、銀、鉻或鋁等金屬材質(zhì)。另外，較佳的，氧化物層120的厚度可介于20納米至60納米之間。氮化物層130的厚度介于20納米至60納米之間。金屬層110的厚度則是介于50納米至300納米之間。
[0043]接著請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4與圖5，其中圖4為本發(fā)明的一種單層式觸控面板一實(shí)施例的上視圖，圖5為沿圖4中的B-B線段的剖面圖。單層式(one layer)觸控面板300包含有基板310以及設(shè)置于基板310上的多個(gè)觸控單元320。觸控單元320包含為呈現(xiàn)指狀外形的指狀單元321及呈π字狀并與指狀單元321對(duì)向交錯(cuò)排列設(shè)置的對(duì)向單元322。指狀單兀321與對(duì)向單兀322為同一材質(zhì)并透過(guò)同一光罩同時(shí)形成于基板310上,觸控單兀320的形狀以及排列方式可以依照不同的設(shè)計(jì)需求變更，并不以此為限。
[0044]單層式觸控面板300還包含有多條導(dǎo)線330，導(dǎo)線330分別連接至觸控單元320。導(dǎo)線330以及觸控單元320為采用同樣的光罩制作而成，導(dǎo)線330以及觸控單元320是在相同的制程中制作而成。導(dǎo)線330以及觸控單元320的材料可為低反射導(dǎo)電層100。因?qū)Ь€330以及觸控單元320采用低反射導(dǎo)電層100作為材料，因此可以使得金屬層110在面對(duì)基板310的一面被黑化而降低導(dǎo)線330以及觸控單元320在基板310上的可視度，使得低反射導(dǎo)電層100不僅應(yīng)用于導(dǎo)線330，而更可取代傳統(tǒng)的透明導(dǎo)電層作為觸控單元320的材料。
[0045]低反射導(dǎo)電層100中，氧化物層120為直接接觸或鄰近基板310的一面。更具體地說(shuō)，氧化物層120介于氮化物層130與基板310之間，氮化物層130則是介于金屬層110以及基板310之間。氧化物層120以及氮化物層130之間的厚度的比例較佳地為介于1:0.6至1:1.5之間。氧化物層120可以為金屬氧化物層，而氮化物層130可以為金屬氮化物層。氧化物層120的厚度介于20納米至100納米之間。氮化物層130的厚度介于20納米至100納米之間。金屬層110的厚度則是介于50納米至500納米之間。金屬層110的材料可以為鑰、銅、銀、鉻或鋁等金屬材質(zhì)。
[0046]參照?qǐng)D6，其繪示本發(fā)明的一種單層式觸控面板另一實(shí)施例的上視圖。單層式觸控面板300’包含有基板310以及設(shè)置于基板310上的多個(gè)觸控單元320’。觸控單元320’的外形可以為矩形網(wǎng)格狀，其中包含有多個(gè)縱橫相交的線條。觸控單元320’成陣列地排列于基板310上。單層式觸控面板300’還包含有多條導(dǎo)線330，導(dǎo)線330分別連接至觸控單元320’，導(dǎo)線330是成直線狀。導(dǎo)線330以及觸控單元320’為透過(guò)同一光罩在相同的制程中制作而成。導(dǎo)線330以及觸控單元320’的材料可為前述的低反射導(dǎo)電層，在此不再贅述。
[0047]參照?qǐng)D7，其繪示本發(fā)明的一種單層式觸控面板再一實(shí)施例的上視圖。單層式觸控面板300”包含有基板310、設(shè)置于基板310上的多個(gè)觸控單元320”以及分別與觸控單元320”連接的多條導(dǎo)線330”。觸控單元320’成陣列地排列于基板310上。本實(shí)施例中的觸控單元320”的外形可以為規(guī)則或不規(guī)則的波浪網(wǎng)狀，例如包含有多個(gè)橫向以及縱向交錯(cuò)的規(guī)則(例如正弦波(Sinusoid wave)等)或不規(guī)則波浪線，而對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線330”亦可以為規(guī)則或不規(guī)則波浪線，然在其它實(shí)施例，導(dǎo)線330’’可為如圖6的直線狀結(jié)構(gòu)。通過(guò)將觸控單元320”以及導(dǎo)線330”進(jìn)行規(guī)則或不規(guī)則形狀的彎曲處理，便可以解決因線條影像重疊所導(dǎo)致的莫瑞(Moire)效應(yīng)。在另一實(shí)施例中，要特別一提的是觸控單元320”可以為如圖6所示的矩形網(wǎng)格狀，而導(dǎo)線330”為如圖7所示的規(guī)則或不規(guī)則波浪線；此實(shí)施例特別適合當(dāng)觸控單元320’’和導(dǎo)線330’’設(shè)置于彩色濾光片基板時(shí)，但不以此為限。
[0048]同樣地，將線條進(jìn)行規(guī)則或不規(guī)則處理以解決莫瑞效應(yīng)的設(shè)計(jì)亦可以應(yīng)用于圖2、圖4以及圖6中的觸控面板，本【技術(shù)領(lǐng)域】人員可以依照實(shí)際的需求進(jìn)行變化。導(dǎo)線330”以及觸控單元320”為透過(guò)同一光罩在相同的制程中制作而成。導(dǎo)線330”以及觸控單元320”的材料可為前述的低反射導(dǎo)電層，在此不再贅述。
[0049]參照?qǐng)D8A至圖8D，其分別繪示本發(fā)明的一種單片玻璃解決方案觸控面板的制作方法一實(shí)施例不同階段的示意圖。低反射導(dǎo)電層亦可以應(yīng)用于單片玻璃解決方案(oneglass solut1n ；0GS)觸控面板中,用以解決其架橋部以及周圍導(dǎo)線金屬反射影響視覺(jué)效果的問(wèn)題。
[0050]圖8A為提供一基板410，并在基板410上形成多個(gè)導(dǎo)線420以及多個(gè)架橋部430。其中基板410較佳地為透明基板，如玻璃。導(dǎo)線420以及架橋部430為采用相同的光罩在相同的制程中制作而成。導(dǎo)線420以及架橋部430的材料為前述的低反射導(dǎo)電層。
[0051]接著，圖SB為在基板410上形成多個(gè)絕緣層440，其中絕緣層440分別局部覆蓋架橋部430。以本實(shí)施例而言，架橋部430是用以連接橫向的電極，因此，架橋部430的左右兩端會(huì)外露于絕緣層440，不被絕緣層440所覆蓋。
[0052]接著，圖8C為在基板410上形成多個(gè)透明導(dǎo)電電極450，其中部分的透明導(dǎo)電電極450于縱向排列的方向彼此直接連接,而另一部份的透明導(dǎo)電電極450則是于橫向的方向上透過(guò)架橋部430連接。
[0053]最后，圖8D為在基板410上形成遮光層460，且遮光層460為圍繞透明導(dǎo)電電極450設(shè)置。其中位于透明導(dǎo)電電極450周圍的導(dǎo)線420被遮光層460所覆蓋。如此一來(lái)，便可以得到單片玻璃解決方案觸控面板400。
[0054]由于導(dǎo)線420以及架橋部430是采用反射不明顯而具有低可視度的低反射導(dǎo)電層作為材料，因此，可以減少于顯示面直接看到導(dǎo)線420以及架橋部430的可能性，而使得遮光層460可以在導(dǎo)線420的后制作。
[0055]參照?qǐng)D9，其繪示沿圖8D中的線段C-C的剖面圖。單片玻璃解決方案觸控面板400中包含有基板410、設(shè)置于基板410上的導(dǎo)線420，以及設(shè)置于基板410以及導(dǎo)線420上的遮光層460。遮光層460是在導(dǎo)線420制作完成后才制作于基板410上，因此導(dǎo)線420會(huì)位于基板410以及遮光層460之間。
[0056]導(dǎo)線420以及架橋部430 (見(jiàn)圖8A)的材料為低反射導(dǎo)電層100。低反射導(dǎo)電層100中，氧化物層120為接觸基板410的一面。更具體地說(shuō)，氧化物層120介于氮化物層130與基板410之間，氮化物層130則是介于金屬層110以及基板410之間。氧化物層120以及氮化物層130之間的厚度的比例較佳地為介于1:0.6至1:1.5之間。氧化物層120可以為金屬氧化物層，氮化物層130可以為金屬氮化物層。氧化物層120的厚度介于20納米至100納米之間。氮化物層130的厚度介于20納米至100納米之間。金屬層110的厚度則是介于30納米至500納米之間。金屬層110的材料可以為鑰、銅、銀、鉻或鋁等金屬材質(zhì)。另夕卜，較佳的，氧化物層120的厚度可介于20納米至60納米之間。氮化物層130的厚度介于20納米至60納米之間。金屬層110的厚度則是介于50納米至300納米之間。
[0057]傳統(tǒng)制程中，因材料的限制多是將金屬導(dǎo)線制作于遮光層上。此種制作方式因?yàn)榻饘賹?dǎo)線與有機(jī)材料的遮光層之間附著力不佳而產(chǎn)生金屬導(dǎo)線剝落的問(wèn)題。但是，本發(fā)明中因?yàn)椴捎玫头瓷鋵?dǎo)電層作為導(dǎo)線420的材料，因此可以先將導(dǎo)線420制作在基板410上之后，再將遮光層460覆蓋在導(dǎo)線420上。由于導(dǎo)線420與基板410 (如玻璃)之間的附著力大于導(dǎo)線420與遮光層460之間的附著力，因此可以有效避免導(dǎo)線420剝落的情形。
[0058]本發(fā)明提供了一種應(yīng)用低反射導(dǎo)電層的觸控面板，其可以降低金屬層的光線反射率而使其可視度降低，以減少因金屬反射而影響觸控面板顯示能力的問(wèn)題。
[0059]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種觸控面板,其特征在于,包含: 一基板；以及 一低反射導(dǎo)電層，設(shè)置于該基板上，該低反射導(dǎo)電層依序包含:一氧化物層；一氮化物層；以及一金屬層，其中該氧化物層設(shè)置于該氮化物層和該基板間，及該氮化物層設(shè)置于該金屬層以及該氧化物層之間，其中該金屬層、該氧化物層以及該氮化物層緊密接觸，該氧化物層與該氮化物層之間的厚度比例介于1:0.6至1:1.5之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該氧化物層為金屬氧化物層，該氮化物層為金屬氮化物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該氧化物層的厚度介于20納米至100納米之間，該氮化物層的厚度介于20納米至100納米之間，該金屬層的厚度介于30納米至500納米之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該金屬層的材料為鑰，該氮化物層的材料為氮化鑰，該氧化物層的材料為氧化鑰。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的觸控面板，其特征在于，該金屬層的厚度為100?80納米，該氮化物層的厚度為30?50納米，該氧化物層的厚度為30?50納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該觸控面板為一導(dǎo)電網(wǎng)觸控面板，該低反射導(dǎo)電層包含一導(dǎo)電網(wǎng)結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電網(wǎng)結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線線寬為2-10微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該氧化物層直接接觸該基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控面板，其特征在于，該金屬材料是選自鑰、銅、銀、鉻和鋁其中之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的觸控面板，其特征在于，該氧化物層的厚度介于20納米至60納米之間，該氮化物層的厚度介于20納米至60納米之間，該金屬層的厚度介于50納米至300納米之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控面板，其特征在于，所述多個(gè)觸控單元包含一指狀單元，以及呈π字狀并與該指狀單元對(duì)向排列的多個(gè)對(duì)向單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控面板，其特征在于，所述觸控單元為矩形網(wǎng)格狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸控面板，其特征在于，所述導(dǎo)線為直線狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸控面板，其特征在于，所述導(dǎo)線為規(guī)則或不規(guī)則波浪狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控面板，其特征在于，所述觸控單元為規(guī)則或不規(guī)則的波浪網(wǎng)狀。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的觸控面板，其特征在于，所述導(dǎo)線為直線狀。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的觸控面板，其特征在于，所述導(dǎo)線為規(guī)則或不規(guī)則波浪狀。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該觸控面板為一單片玻璃解決方案觸控面板，該低反射導(dǎo)電層包含多個(gè)導(dǎo)線以及多個(gè)架橋部，該單片玻璃解決方案觸控面板還包含: 多個(gè)絕緣層，局部覆蓋所述多個(gè)架橋部；以及 多個(gè)透明導(dǎo)電電極，設(shè)置于該基板上，其中部分的所述透明導(dǎo)電電極之間通過(guò)所述架橋部連接，每一所述透明導(dǎo)電電極分別連接至所述多個(gè)導(dǎo)線。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的觸控面板，其特征在于，該氧化物層直接接觸該基板。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的觸控面板，其特征在于，還包含一遮光層，設(shè)置于該基板上并圍繞所述多個(gè)透明導(dǎo)電電極，其中所述多個(gè)導(dǎo)線位于該遮光層與該基板之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的觸控面板，其特征在于，該金屬層的材料為鑰，該氮化物層的材料為氮化鑰，該氧化物層的材料為氧化鑰。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK104345932SQ201310323083
【公開(kāi)日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2013年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】莊堯智, 陳漢民, 廖顯宗 申請(qǐng)人:和鑫光電股份有限公司