非接觸rfid模塊及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種非接觸射頻識別RFID模塊，包括：一具有導(dǎo)電功能的基板，該基板的兩端具有互相之間不導(dǎo)通的導(dǎo)電端；位于所述基板上端的非接觸射頻識別RFID芯片，所述非接觸RFID芯片的天線發(fā)射和接收襯墊PAD上具有凸塊；位于所述基板和非接觸射頻識別RFID芯片之間的異向?qū)щ娊橘|(zhì)；所述天線發(fā)射/接收襯墊PAD上的凸塊通過異向?qū)щ娊橘|(zhì)與所述導(dǎo)電端相連；對所述非接觸射頻識別RFID芯片、異向?qū)щ娊橘|(zhì)和基板的端面進行整體的包封的包封材料。本發(fā)明還公開了一種非接觸射頻識別RFID模塊的制造方法。本發(fā)明能夠提高非接觸射頻識別RFID模塊的性能，縮小其外形尺寸，提高加工效率。
【專利說明】非接觸RF ID模塊及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及非接觸RFID (射頻識別rad1 frequency identificat1n)模塊生產(chǎn)制造領(lǐng)域，特別是涉及一種非接觸RFID模塊。本發(fā)明還涉及一種采用倒扣芯片(FlipChip)工藝方法來生產(chǎn)制造非接觸RFID模塊的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在RFID實際應(yīng)用中，隨著應(yīng)用環(huán)境的不斷擴展，對于非接觸RFID模塊的性能提升、外形尺寸縮小以及加工效率提高等提出了更高的要求。目前常規(guī)的方法都是采用打線的方式來加工非接觸RFID模塊，模塊尺寸縮小空間有限，且加工效率較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種非接觸RFID模塊，能夠提高非接觸RFID模塊的性能，縮小其外形尺寸，提高加工效率；為此，本發(fā)明還要提供一種所述非接觸RFID模塊的制造方法。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的非接觸RFID模塊，包括:
[0005]一具有導(dǎo)電功能的基板，該基板的兩端具有互相之間不導(dǎo)通的導(dǎo)電端；位于所述基板上端的非接觸射頻識別RFID芯片，所述非接觸RFID芯片的天線發(fā)射和接收PADQf-)上具有凸塊；位于所述基板和非接觸射頻識別RFID芯片之間的異向?qū)щ娊橘|(zhì)；所述天線發(fā)射和接收PAD上的凸塊通過異向?qū)щ娊橘|(zhì)與所述導(dǎo)電端相連；對所述非接觸射頻識別RFID芯片、異向?qū)щ娊橘|(zhì)和基板的端面進行整體的包封的包封材料。
[0006]所述非接觸RFID模塊的制造方法，采用倒扣芯片工藝方法，將所述非接觸RFID芯片翻轉(zhuǎn)，使所述非接觸RFID芯片的天線發(fā)射和接收PAD上的凸塊通過異向?qū)щ娊橘|(zhì)與具有導(dǎo)電功能的基板的兩端相連，然后在所述非接觸RFID芯片背面用包封材料進行整體的包封保護，形成最終的非接觸RFID模塊。
[0007]本發(fā)明能夠降低非接觸RFID芯片與基板之間的連線距離，減少了寄生效應(yīng)對非接觸RFID芯片的干擾，進而提升非接觸RFID模塊性能。
[0008]非接觸RFID模塊面積尺寸理論上可以做到和非接觸RFID芯片面積一樣大小，厚度比常規(guī)非接觸RFID模塊要薄。
[0009]采用倒扣芯片工藝方法，其加工對象是單顆非接觸RFID芯片，與常規(guī)打線工藝相比(其加工對象是非接觸RFID芯片上每個PAD)，其生產(chǎn)加工效率被大大提升。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]下面結(jié)合附圖與【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明:
[0011]圖1是非接觸RFID模塊的制造方法實施例一剖面示意圖；
[0012]圖2是圖1的俯視圖；
[0013]圖3是非接觸RFID模塊的制造方法實施例二剖面示意圖；
[0014]圖4是圖3的俯視圖。

【具體實施方式】
[0015]實施例一
[0016]參見圖1、2所示，非接觸RFID模塊包含有一顆非接觸RFID芯片1，一塊基板4，位于所述非接觸RFID芯片I和基板4之間的異向?qū)щ娊橘|(zhì)5，以及包封材料6。所述非接觸RFID芯片I的天線發(fā)射和接收PAD上具有凸塊2。所述基板4上覆有金屬導(dǎo)電層3，形成覆有金屬導(dǎo)電層的基板。所述金屬導(dǎo)電層3上有兩個導(dǎo)電端，該導(dǎo)電端位于基板4的兩端，其互相之間不導(dǎo)通。
[0017]采用倒扣芯片工藝方法加工制造非接觸RFID模塊，翻轉(zhuǎn)非接觸RFID芯片1，使其天線發(fā)射和接收PAD上的凸塊2通過異向?qū)щ娊橘|(zhì)5與基板4上的金屬導(dǎo)電層3兩端的導(dǎo)電端相連，并在非接觸RFID芯片I背面用包封材料6 (—般包封材料都為樹脂類聚合物)進行整體的包封保護，形成最終的非接觸RFID模塊。
[0018]實施例二
[0019]參見圖2，所述非接觸RFID模塊包含有一顆非接觸RFID芯片I，一塊由金屬直接形成的基板8，位于所述非接觸RFID芯片I和基板8之間的異向?qū)щ娊橘|(zhì)5，以及包封材料
6。所述非接觸RFID芯片I的天線發(fā)射/接收PAD上具有凸塊2。金屬基板8的兩端上有兩個導(dǎo)電端，其互相之間通過外部連筋7連接。
[0020]采用倒扣芯片工藝方法加工制造非接觸RFID模塊，翻轉(zhuǎn)非接觸RFID芯片1，使其天線發(fā)射和接收PAD上的凸塊2通過異向?qū)щ娊橘|(zhì)5與位于金屬基板8兩端的導(dǎo)電端相連，并在非接觸RFID芯片I背面用包封材料6 (—般包封材料都為樹脂類聚合物)進行整體的包封保護。最后將金屬基板3的外部連筋7切除，以確保兩個導(dǎo)電端之間不導(dǎo)通，形成最終的非接觸RFID模塊。
[0021]在上述實施例中:
[0022]非接觸RFID芯片的PAD上通過電鍍、化學(xué)鍍、植球等方式，形成高度為十幾到幾十微米的凸塊。
[0023]所述凸塊的主要材料為金、銅、錫或鉛等中的任意一種金屬，或者是所述金、銅、錫或鉛中任意兩種或兩種以上金屬組合物。
[0024]所述覆有金屬導(dǎo)電層的基板，其基板本身的材質(zhì)一般是不導(dǎo)電的，通常會采用FR4(玻璃纖維環(huán)氧樹脂)、PI (聚酰亞胺)、PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)等聚合物材料。
[0025]所述異向?qū)щ娊橘|(zhì)在空間X、Y、Z三個方向中，只允許其中垂直非接觸RFID芯片表面的那一個方向電導(dǎo)通。
[0026]所述異向?qū)щ娊橘|(zhì)本身需要具有粘性，以確保非接觸RFID芯片與基板的可靠連接。
[0027]以上通過【具體實施方式】對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種非接觸射頻識別RFID模塊，其特征在于，包括: 一具有導(dǎo)電功能的基板，該基板的兩端具有互相之間不導(dǎo)通的導(dǎo)電端；位于所述基板上端的非接觸射頻識別RFID芯片，所述非接觸RFID芯片的天線發(fā)射和接收襯墊PAD上具有凸塊；位于所述基板和非接觸射頻識別RFID芯片之間的異向?qū)щ娊橘|(zhì)；所述天線發(fā)射和接收襯墊PAD上的凸塊通過異向?qū)щ娊橘|(zhì)與所述導(dǎo)電端相連；對所述非接觸射頻識別RFID芯片、異向?qū)щ娊橘|(zhì)和基板的端面進行整體的包封的包封材料。
2.如權(quán)利要求1所述的模塊，其特征在于:所述具有導(dǎo)電功能的基板為一個覆有金屬導(dǎo)電層的基板，所述金屬導(dǎo)電層的兩端上有兩個導(dǎo)電端，該導(dǎo)電端互相之間不導(dǎo)通。
3.如權(quán)利要求1所述的模塊，其特征在于:所述具有導(dǎo)電功能的基板為一個由金屬直接形成的基板，該由金屬直接形成的基板的兩端上有兩個導(dǎo)電端，兩個導(dǎo)電端之間不導(dǎo)通。
4.如權(quán)利要求1所述的模塊，其特征在于:所述異向?qū)щ娊橘|(zhì)在空間X、Y、Z三個方向中，只允許其中垂直非接觸射頻識別RFID芯片表面的那一個方向電導(dǎo)通。
5.如權(quán)利要求1所述模塊，其特征在于，所述凸塊的材料為金、銅、錫或鉛中任意一種金屬，或者是所述金、銅、錫或鉛中任意兩種或兩種以上金屬組合物。
6.一種非接觸射頻識別RFID模塊的制造方法，其特征在于:采用倒扣芯片工藝方法，將非接觸射頻識別RFID芯片翻轉(zhuǎn)，使所述非接觸射頻識別RFID芯片的天線發(fā)射/接收襯墊PAD上的凸塊通過異向?qū)щ娊橘|(zhì)與具有導(dǎo)電功能的基板兩端上的導(dǎo)電端相連，然后在所述非接觸射頻識別RFID芯片背面用包封材料進行整體的包封保護，形成最終的非接觸射頻識別RFID模塊。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于:所述凸塊采用電鍍、化學(xué)鍍或植球方式，在所述非接觸射頻識別RFID芯片的天線發(fā)射和接收襯墊PAD上形成高度為十幾到幾十微米的凸塊。
8.如權(quán)利要求6或7所述方法，其特征在于，所述凸塊的材料為金、銅、錫或鉛中任意一種金屬，或者是所述金、銅、錫或鉛中任意兩種或兩種以上金屬組合物。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于:所述具有導(dǎo)電功能的基板為一個覆有金屬導(dǎo)電層的基板，所述金屬導(dǎo)電層的兩端上有兩個導(dǎo)電端。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于:所述覆有金屬導(dǎo)電層的基板，其基板自身材質(zhì)不導(dǎo)電，采用玻璃纖維環(huán)氧樹脂F(xiàn)R4、聚酰亞胺PI或聚對苯二甲酸乙二醇酯PET聚合物材料制作。
11.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于:所述具有導(dǎo)電功能的基板為一個由金屬直接形成的基板，該由金屬直接形成的基板的兩端上有兩個導(dǎo)電端，其互相之間通過外部連筋連接；在所述非接觸射頻識別RFID模塊加工完后，斷開外部連筋，以確保兩個導(dǎo)電端之間不導(dǎo)通。
12.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于:所述異向?qū)щ娊橘|(zhì)在空間X、Y、Z三個方向中，只允許其中垂直非接觸射頻識別RFID芯片表面的那一個方向電導(dǎo)通。
13.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于:所述異向?qū)щ娊橘|(zhì)本身具有粘性，以確保非接觸射頻識別RFID芯片與基板的可靠連接。
【文檔編號】G06K19/077GK104463308SQ201310440384
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月24日
【發(fā)明者】金瑋, 肖海濱, 孫雪芳 申請人:上海華虹集成電路有限責(zé)任公司