磁氣回路和鍵輸入裝置制造方法
【專利摘要】提供一種磁氣回路和鍵輸入裝置。該磁氣回路包括第一磁體和第二磁體，該第一磁體構(gòu)造為包括磁鐵和軛板。該軛板在第二磁體側(cè)形成開口空間。磁鐵設(shè)置在開口空間中或者在軛板之間夾著的位置。
【專利說明】磁氣回路和鍵輸入裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及磁氣回路(magnetic circuit)和鍵輸入裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，已經(jīng)開發(fā)了諸如鍵盤的減小厚度的鍵輸入裝置。例如，提供有橡膠頂部和剪狀機(jī)構(gòu)(scissor mechanism)的鍵輸入裝置主要用在個人計(jì)算機(jī)(PC)鍵盤中。在這樣的鍵輸入裝置中，當(dāng)使用者壓下由剪狀機(jī)構(gòu)水平支撐的鍵頂時，該鍵頂壓下橡膠頂部，然后在隔膜片電路中建立電連接，并且傳輸輸入信號。
[0003]通常，橡膠頂部可以有效地利用成本而制造，并且因此能制造低成本的鍵輸入裝置。然而，存在對橡膠頂部和剪狀機(jī)構(gòu)厚度的進(jìn)一步減小的限制。作為示例，橡膠頂部厚度的進(jìn)一步減小在壓下鍵頂部時導(dǎo)致給使用者壓鍵感覺(該感覺在下文稱為“點(diǎn)擊感覺”)因橡膠頂部的屈曲特性的變壞而變差，并且如果壓下鍵頂部則它變得不清楚。另外，例如，剪狀機(jī)構(gòu)厚度的進(jìn)一步減小將導(dǎo)致其長度減小，并且因此其耐久性被削弱。
[0004]因此，提出了一種利用磁吸引力或者作用在成對磁鐵之間(或磁鐵和諸如金屬片的磁體之間)的吸引力而不利用橡膠頂部的屈曲特性的方法(例如，參見美國專利申請公開N0.2012/0169603)。當(dāng)該方法(利用磁力)應(yīng)用于鍵輸入裝置時，能利用磁引力或者作用在成對磁鐵之間(或磁鐵和諸如金屬片的磁體之間)的吸引力作為保持鍵頂部就位的力。因此，能實(shí)現(xiàn)鍵輸入裝置厚度的進(jìn)一步減小，而抑制給使用者點(diǎn)擊感覺的變差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]然而，在上面描述的技術(shù)中，提供有“開磁路(open magnetic path)”,其中一對或多對磁鐵或者磁鐵和諸如金屬片的磁體的結(jié)合設(shè)置在磁化方向上。在此情況下，磁場(磁力線)的泄漏，即從非面對磁鐵的極面或者諸如金屬片的磁鐵的極面穿過周圍空間的磁通量的泄漏很大。另外，位于產(chǎn)品內(nèi)或產(chǎn)品外的磁記錄介質(zhì)或傳感器等受到磁噪聲等的影響。此夕卜，一對或多對磁鐵等的使用增加了制造成本。因此，希望實(shí)施能利用磁引力或者由磁鐵產(chǎn)生引力且能有效地利用成本而制造的技術(shù)。
[0006]根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供一種磁氣回路，其包括第一磁體和第二磁體。第一磁體包括磁鐵和軛板。軛板在面對第二磁鐵的位置形成開口空間，并且磁鐵設(shè)置在開口空間中或者在軛板之間夾著的位置。
[0007]如上所述，根據(jù)本公開的一個或多個實(shí)施例，能顯著防止從磁鐵發(fā)出的磁場(磁力線)泄漏到其周圍空間且有效地利用磁場。因此，能以非常低的成本制造利用磁引力或者磁鐵和磁體之間弓I力的磁氣回路。另外，變得能減少磁通量的泄漏。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是示出根據(jù)本公開實(shí)施例的信息處理設(shè)備示范性外觀的示意圖；
[0009]圖2是示出根據(jù)本公開實(shí)施例的鍵盤的示范性外觀的示意圖；[0010]圖3是根據(jù)本公開第一實(shí)施例的鍵輸入裝置的平面圖的示例；
[0011]圖4是根據(jù)本公開第一實(shí)施例的鍵輸入裝置的側(cè)視圖的示例；
[0012]圖5是根據(jù)本公開第一實(shí)施例的鍵輸入裝置的分解透視圖的示例；
[0013]圖6是示出根據(jù)本公開第一實(shí)施例的鍵輸入裝置在每個按鍵上運(yùn)動示例的示意圖；
[0014]圖1是不出鍵頂部的壓縮量和施加到鍵頂部的負(fù)載之間關(guān)系的不意圖；
[0015]圖8是示出在開始壓鍵頂部時磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0016]圖9是示出在壓鍵頂部的狀態(tài)下磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0017]圖10是示出在結(jié)束壓鍵頂部時磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0018]圖1lA是不出在根據(jù)本公開第一實(shí)施例的磁氣回路不例中在軛和磁體附近的磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0019]圖1lB是示出在磁體之間的距離與圖1IA所示狀態(tài)相比較大的狀態(tài)下在軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0020]圖1lC是示出在支撐構(gòu)件中設(shè)置的磁體的厚度與圖1lA所示的狀態(tài)相比增加的狀態(tài)下軛和磁體附近的磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0021]圖1lD是示出在磁體之間的距離與圖1IC所示的狀態(tài)較大的狀態(tài)下軛和磁體附近的磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0022]圖1lE是示出在支撐構(gòu)件中設(shè)置的磁體的厚度與圖1lC所示的狀態(tài)相比增加的狀態(tài)下軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0023]圖1IF是示出在磁體之間的距離與圖1IE所示的狀態(tài)相比較大的狀態(tài)下軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0024]圖12是示出在根據(jù)本公開第一實(shí)施例的修改示例的磁氣回路示例中軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0025]圖13是示出在根據(jù)本公開第二實(shí)施例的磁氣回路示例中軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0026]圖14是示出在根據(jù)本公開第三實(shí)施例的磁氣回路示例中軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0027]圖15是示出在根據(jù)本公開第四實(shí)施例的磁氣回路示例中軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0028]圖16是示出在開始壓根據(jù)比較示例的鍵頂部時磁場(磁力線)分布的示意圖；
[0029]圖17是示出在鍵頂部根據(jù)比較示例壓下的狀態(tài)下磁場(磁力線)分布的示意圖；以及
[0030]圖18是在結(jié)束壓根據(jù)比較示例的鍵頂部時磁場(磁力線)分布的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]在下文，將參考附圖詳細(xì)描述本公開的優(yōu)選實(shí)施例。應(yīng)注意，在該說明書和附圖中，具有基本上相同功能和結(jié)構(gòu)的構(gòu)成元件用相同的附圖標(biāo)記表示，并且省略這些構(gòu)成元件的重復(fù)說明。
[0032]而且，在該說明書和附圖中，具有基本上相同功能和結(jié)構(gòu)的多個部件也可通過對相同的附圖標(biāo)記附加不同的依字母順序的字母加以區(qū)別。然而，當(dāng)具有基本上相同功能和結(jié)構(gòu)的多個部件之間不必特別區(qū)別時，它們由相同的附圖標(biāo)記表示。
[0033]下面，將以下面的順序描述用于實(shí)施本公開的實(shí)施例。
[0034]1.實(shí)施例
[0035]1-1.信息處理設(shè)備的示范性外觀
[0036]1-2.鍵輸入裝置的示范性外觀
[0037]2.第一實(shí)施例
[0038]2-1.鍵輸入單元的示范性構(gòu)造
[0039]2-2.鍵輸入單元的示范性運(yùn)動
[0040]2-3.磁場(磁力線)分布中的示范性變化
[0041]2-4.磁體厚度和磁場(磁力線)分布之間的關(guān)系
[0042]2-5.修改示例
[0043]3.第二實(shí)施例
[0044]4.第三實(shí)施例
[0045]5.第四實(shí)施例
[0046]6.結(jié)論`
[0047]?1.實(shí)施例 >>
[0048]現(xiàn)在描述本公開的實(shí)施例。
[0049][1-1.信息處理設(shè)備的示范性外觀]
[0050]描述根據(jù)本公開實(shí)施例的信息處理設(shè)備10的示范性外觀。圖1是示出根據(jù)本公開實(shí)施例的信息處理設(shè)備10的示范性外觀的示意圖。如圖1所示，信息處理設(shè)備10包括鍵輸入裝置12。圖1示出了構(gòu)造為筆記本個人計(jì)算機(jī)(PC)的信息處理設(shè)備10，但是信息處理設(shè)備10可構(gòu)造為配備有鍵輸入裝置12的不同類型的PC (例如，臺式PC)。
[0051]鍵輸入裝置12僅為結(jié)合根據(jù)本公開實(shí)施例的磁氣回路的一個裝置示例。因此，根據(jù)本公開實(shí)施例的磁氣回路可結(jié)合在鍵輸入裝置12之外的任何裝置中。作為示例，根據(jù)本公開實(shí)施例的磁氣回路可結(jié)合成輸入裝置用于接收按鈕操作的輸入。當(dāng)根據(jù)本公開實(shí)施例的磁氣回路結(jié)合成鍵輸入裝置12之外的裝置時，可不提供信息處理設(shè)備10。
[0052]上面已經(jīng)描述了根據(jù)本公開實(shí)施例的信息處理設(shè)備10的示范性外觀。
[0053][1-2.鍵輸入裝置的示范性外觀]
[0054]現(xiàn)在描述根據(jù)本公開實(shí)施例的鍵輸入裝置12的示范性外觀。圖2是示出根據(jù)本公開實(shí)施例的鍵輸入裝置12的示范性外觀的示意圖。鍵輸入裝置12包括多個鍵輸入單元。圖2示出了鍵輸入單元100，作為多個鍵輸入單元的示例。下面，將描述圖2所示鍵輸入單元100的功能，但是鍵輸入單元100描述為說明多個鍵輸入單元的代表性示例。因此，鍵輸入單元100之外的任何其它鍵輸入單元可具有類似的功能。
[0055]上面已經(jīng)描述了根據(jù)本公開實(shí)施例的鍵輸入裝置12的示范性外觀。
[0056]〈〈2.第一實(shí)施例》
[0057]下面描述本公開的第一實(shí)施例。
[0058][2-1.鍵輸入單元的示范性構(gòu)造]
[0059]現(xiàn)在將描述根據(jù)本公開第一實(shí)施例的鍵輸入單元100的示范性構(gòu)造。圖3是示出根據(jù)本公開第一實(shí)施例的鍵輸入單元100的平面圖示例。圖4是示出根據(jù)本公開第一實(shí)施例的鍵輸入單元100的側(cè)視圖示例。圖5是示出根據(jù)本公開第一實(shí)施例的鍵輸入裝置100的分解透視圖示例。
[0060]如圖3所示，鍵輸入單元100包括磁氣回路300A、鍵頂部130和支撐構(gòu)件200。鍵頂部130僅為可動體(movable body)的一個示例。因此在磁氣回路300A結(jié)合成鍵輸入裝置12之外的裝置的情況下，任何其它的可動體(例如，按鈕)可用作可動體而代替鍵頂部130。另外，如圖3所不,磁氣回路300A包括第一磁體IlOA和第二磁體120。第一磁體IlOA包括磁鐵112和軛板111A。磁鐵112的類型沒有特別限定。作為示例，磁鐵112可為永久磁鐵或電磁鐵。
[0061]如圖3所示，磁氣回路300A可利用作用在磁鐵112和第二磁體120之間的磁引力作為保持鍵頂部130定位的力。而且，本公開的實(shí)施例允許利用磁鐵112和第二磁體120之間吸引力的磁氣回路300A以非常低的成本制作。
[0062]更具體而言，如圖3所示，軛板IllA在面對第二磁體120的位置(即第二磁體120偵D形成開口空間160A。磁鐵112設(shè)置在開口空間160A中。在圖3所示的示例中，開口空間160A為矩形形狀，但是開口空間160A的形狀沒有限制，如稍后所描述。而且，在圖3所示的示例中，示出了單一的開口空間160A，但是可形成多個開口空間160A。
[0063]采用這樣的構(gòu)造，第一磁體IlOA和第二磁體120形成閉磁路(closed magneticpath)。特別是，在圖3所示的示例中，磁鐵112設(shè)置在開口空間160A中，并且因此兩個閉磁路由第一磁體IlOA和第二磁體120形成。應(yīng)注意，閉磁路對應(yīng)于磁場的路徑(磁力線)，其從磁鐵112的一個磁極端發(fā)出且通過軛板IllA和第二磁體120返回到磁鐵112的另一個磁極端。
[0064]這樣，提供了限定的磁氣回路(閉磁路)，其中由導(dǎo)磁率高于空氣的磁材料(磁阻小于空氣)形成的空間用作磁場(磁力線)的路徑。因此，從磁鐵112發(fā)出的磁場(磁力線)可集中在特定的位置，因此降低磁通量的泄漏。
[0065]而且，磁通量泄漏的減少也可導(dǎo)致其它的影響。例如，能減小磁場對周圍環(huán)境的影響。作為磁場影響的示例，當(dāng)磁記錄介質(zhì)設(shè)置為靠近磁鐵112時，存儲在磁記錄介質(zhì)中的數(shù)據(jù)可因從磁鐵112發(fā)出的磁場而被破壞。這樣的影響可通過最小化磁通量的泄漏而減小。
[0066]此外，變得能通過減小不希望的磁通量的泄漏和通過形成適當(dāng)?shù)拇怕范黾幼饔迷诖盆F112和第二磁體120之間的引力。換言之，甚至在磁鐵112減小尺寸時，也可保持吸引力。這使得能減少所需磁鐵112的數(shù)量，并且以很低的成本制造利用磁鐵112和第二磁體120之間吸引力的磁氣回路300A。另外，在減少必要磁鐵112的數(shù)量時，變得能減小施加于環(huán)境的負(fù)載。
[0067]作為磁場影響的另一個不例，在磁鐵112附近有傳感器時，電磁鐵的噪聲可傳到由傳感器獲得的產(chǎn)品中。該傳感器可為地磁傳感器或靜電電容型傳感器等。這樣的影響可通過最小化磁通量的泄漏而減少。
[0068]此外，作為磁場影響的另一個示例，灰塵可能易于粘附到磁鐵112的周邊。作為示例，當(dāng)磁氣回路300A結(jié)合成鍵輸入裝置12時，灰塵可能易于粘附到鍵輸入裝置12的表面。這樣的影響可通過最小化磁通量的泄漏而減小。
[0069]如稍后所描述，磁鐵112可不設(shè)置在開口空間160A中。作為示例，磁鐵120可設(shè)置在軛板IllA之間夾著的位置。因此，磁鐵112可設(shè)置在開口空間160A中，或者可設(shè)置在軛板IllA之間夾著的位置。
[0070]當(dāng)使用者壓下鍵頂部130而執(zhí)行鍵入時，釋放了磁鐵112和第二磁體120彼此磁吸引的狀態(tài)，然后向下移動鍵頂部130。由于鍵頂部130的向下移動，建立了電連接且產(chǎn)生輸入信號。作為示例，當(dāng)信息處理設(shè)備10接收所產(chǎn)生的輸入信號時，信息處理設(shè)備10可檢測使用者已經(jīng)實(shí)施了鍵入。
[0071]優(yōu)選鍵頂部130向下傾斜運(yùn)動。
[0072]為此，如圖4所示，支撐構(gòu)件200包括引導(dǎo)表面141，其相對于垂直于鍵頂部130的高度方向的水平面傾斜。鍵頂部130可提供有滑動部分150以沿著引導(dǎo)表面141滑動。引導(dǎo)表面141提供在支撐構(gòu)件200中包括的引導(dǎo)部分140上。引導(dǎo)表面141的形狀可為平面或彎曲面。
[0073]此外，當(dāng)使用者釋放對鍵頂部130的壓力時，鍵頂部130向上運(yùn)動且它返回到磁鐵112和第二磁體120彼此磁吸引的狀態(tài)。在圖5中，示出了滑動部分150設(shè)置在鍵頂部130的四個拐角且引導(dǎo)部分140設(shè)置在支撐構(gòu)件200的四個拐角的情況。然而，設(shè)置引導(dǎo)部分140的位置以及引導(dǎo)部分140的數(shù)量沒有特別限制。設(shè)置滑動部分150的位置和滑動部分150的數(shù)量沒有特別限制。
[0074]已經(jīng)描述了根據(jù)本公開實(shí)施例的鍵輸入單元100的示范性構(gòu)造。
[0075][2-2.鍵輸入單元的示范性運(yùn)動]
[0076]現(xiàn)在將描述根據(jù)本公開第一實(shí)施例的鍵輸入單元100的示范性運(yùn)動。圖6是示出根據(jù)本公開的第一實(shí)施例在每次鍵擊時鍵輸入單元100的示范性運(yùn)動的示意圖。
[0077]第一磁體IIOA和第二磁體120中的一個可設(shè)置在鍵頂部130中，并且其另一個可設(shè)置在支撐構(gòu)件200中。換言之，第一磁體IIOA和第二磁體120中的一個磁體可設(shè)置在鍵頂部130中，并且第一磁體IlOA和第二磁體120的另一個磁體可設(shè)置在支撐構(gòu)件200中。在此情況下，支撐構(gòu)件200可通過導(dǎo)致第一磁體IIOA和第二磁體120彼此磁吸引而支撐鍵頂部130。
[0078]在圖6所示的示例中，第一磁體IlOA設(shè)置在支撐構(gòu)件200中，并且第二磁體120設(shè)置在鍵頂部130中。這樣，當(dāng)?shù)谝淮朋wIlOA設(shè)置在支撐構(gòu)件200中時，磁鐵112固定到支撐構(gòu)件200，并且因此磁鐵自身不運(yùn)動。從而，在此情況下，磁場變化對周圍環(huán)境的影響與第一磁體IlOA設(shè)置在鍵頂部130中的情況相比很小。作為示例，諸如地磁傳感器的傳感器具有這樣的特性，其能糾正外部產(chǎn)生的固定磁噪聲但對外部產(chǎn)生的變化磁噪聲具有弱的抵抗。
[0079]作為示例，在第一磁體IlOA設(shè)置在鍵頂部130中的情況下，當(dāng)使用者壓下鍵頂部130時，第一磁體IlOA中包括的磁鐵112向下運(yùn)動。在此情況下，例如，如果電子裝置(例如，磁記錄介質(zhì)或傳感器等)構(gòu)建在磁鐵112的下側(cè)中，則從磁鐵112發(fā)出的磁場可能在電子裝置上有影響。如圖6所示，當(dāng)?shù)谝淮朋wIlOA設(shè)置在支撐構(gòu)件200中時，這樣的影響可變?yōu)楹苌侔l(fā)生。
[0080]當(dāng)使用者壓鍵頂部130時，引導(dǎo)表面141可傾斜為使滑動部分150相對于使用者的位置從后向前滑動。作為選擇，引導(dǎo)表面141可傾斜為使滑動部分150相對于使用者的位置從前向后滑動。[0081]在圖6中，示出了這樣的示例，其中引導(dǎo)表面141傾斜為當(dāng)使用者壓鍵頂部130時使滑動部分150相對于使用者的位置從后向前滑動運(yùn)動量I。
[0082]當(dāng)?shù)谝淮朋wIlOA設(shè)置在支撐構(gòu)件200中時，必須使第一磁體IlOA設(shè)置在第一磁體IlOA與鍵頂部130的上下運(yùn)動不干擾且第一磁體IlOA磁吸引到第二磁體120的位置。換言之，如圖6所示，第二磁體120形成在鍵頂部130的邊緣。第一磁體IlOA可在磁吸引到第二磁體120的位置形成在鍵頂部130上下運(yùn)動范圍的外側(cè)。
[0083]圖7是示出鍵頂部130的壓下量和施加給鍵頂部130的負(fù)載之間關(guān)系的圖。如上所述，根據(jù)本公開實(shí)施例的鍵輸入裝置12利用磁鐵112和第二磁體120之間的吸引力。因此，鍵頂部130的壓下量和使用者施加給鍵頂部130的負(fù)載之間的關(guān)系表示為圖7所示的曲線(N-狀曲線)。
[0084]表示為曲線的鍵頂部130的壓下量和施加給鍵頂部130的負(fù)載之間的關(guān)系允許使用者感覺到點(diǎn)擊感覺。
[0085]已經(jīng)描述了根據(jù)本公開第一實(shí)施例的鍵輸入單元100的示范性運(yùn)動。
[0086][2-3.磁場(磁力線)分布的示范性變化]
[0087]現(xiàn)在將描述在根據(jù)本公開第一實(shí)施例的磁氣回路300A中磁場(磁力線)分布的不范性變化。圖8是示出在開始壓下鍵頂部時磁場(磁力線)分布的示意圖。圖9是示出在壓下鍵頂部的狀態(tài)下磁場(磁力線)分布的示意圖。圖10是示出在結(jié)束壓下鍵頂部時磁場(磁力線)分布的示意圖。
[0088]參見圖8，可見從磁鐵112發(fā)出的磁場(磁力線)的泄漏在開始壓下鍵頂部時極小。在圖8中，支撐構(gòu)件200的厚度表示為距離LB，鍵頂部130的厚度表示為距離LK，并且磁鐵112的厚度表示為距離LG。
[0089]此外，參見圖9，在鍵頂部被壓下的狀態(tài)下，來自磁鐵112的磁場(磁力線)發(fā)生泄漏。在此情況下，磁場(磁力線)集中在磁鐵112和第二磁體120之間的間隙附近，并且因此發(fā)現(xiàn)磁場(磁力線)的泄漏很小。在圖9中，第二磁體120的向下運(yùn)動量表示為距離LSI。
[0090]參見圖10，在壓下鍵頂部結(jié)束時，磁鐵112和第二磁體120之間的間隙大，并且從磁鐵112泄漏的磁場(磁力線)延伸到支撐構(gòu)件200。然而，可發(fā)現(xiàn)磁場(磁力線)的泄漏保持很小。特別是，抑制了到磁鐵112下側(cè)的磁場(磁力線)，并且因此當(dāng)電子裝置構(gòu)建在磁鐵112的下側(cè)中時，可能減小來自磁鐵112的磁通量的泄漏對電子裝置影響的可能性。
[0091]在圖10中，第二磁體120的向下運(yùn)動量表示為距離LS2。
[0092]上面已經(jīng)描述了在根據(jù)本公開第一實(shí)施例的磁氣回路300A的不例中磁場(磁力線)分布的示范性變化。稍后將參考圖16至18描述在根據(jù)比較示例的成對磁鐵的示例中磁場(磁力線)分布的示范性變化。
[0093][2-4.磁體厚度和磁場(磁力線)分布之間的關(guān)系]
[0094]隨后，將描述支撐構(gòu)件200中設(shè)置的磁體的厚度和磁場(磁力線)分布之間的關(guān)系。圖1lA是不出在根據(jù)本公開第一實(shí)施例的磁氣回路300A的不例中軛和磁體附近的磁場(磁力線)分布的示意圖。圖1lB是示出在磁體之間的距離與圖1lA所示的狀態(tài)相比大的情況下軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖。相對磁極面之間的磁引力通常具有這樣的關(guān)系，其與受到吸引力的磁極面的通量密度的平方成比例，并且與磁極面的面積成比例。
[0095]在圖1lA和IlB所示的狀態(tài)下，軛板IllA和第二磁體120每一個的厚度表示為LMl0在圖1lA所示的狀態(tài)下，有“七條”磁力線通過磁體的相對磁極面之間。另一方面，在圖1lB所示的狀態(tài)下，磁體之間的距離大，并且有“四條”磁力線在磁體之間。
[0096]圖1lC是示出在支撐構(gòu)件200中設(shè)置的磁體的厚度與圖1lA所示的狀態(tài)相比增加的情況下軛和磁體附近的磁場(磁力線)分布的示意圖。圖1lD是示出在磁體之間的距離與圖1lC所示的狀態(tài)相比大的狀態(tài)下軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖。
[0097]在圖1lC和IlD所示的狀態(tài)下，第二磁體120的厚度表示為LM1，并且軛板IllA的厚度表示為LM2。在圖1lC所示的狀態(tài)下，有“十條”磁力線在磁體之間。另一方面，在圖1lD所示的狀態(tài)下，磁體之間的距離大，并且有“六條”磁力線在磁體之間。
[0098]圖1lE是示出在支撐構(gòu)件200中設(shè)置的磁體的厚度與圖1IC所示的狀態(tài)相比增大的狀態(tài)下軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖。圖1lF是示出在磁體之間的距離與圖1lE所示的狀態(tài)相比大的狀態(tài)下軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖。
[0099]在圖1lE和IlF所示的狀態(tài)下，第二磁體120的厚度表示為LM1，并且軛板IllA的厚度表示為LM3。在圖1lE所示的狀態(tài)下，有“十一條”磁力線在磁體之間。另一方面，在圖1IF所示的狀態(tài)下，磁體之間的距離大，并且有“八條”磁力線在磁體之間。
[0100]如圖1lA至IlF所示，當(dāng)使用者壓下鍵頂部130時，鍵頂部130中設(shè)置的磁體與鍵頂部130 —起向下運(yùn)動。因此，考慮到鍵頂部130中設(shè)置的磁體的向下或向上運(yùn)動，優(yōu)選支撐構(gòu)件200中設(shè)置的磁體的厚度大于鍵頂部130中設(shè)置的磁體的厚度。這樣，甚至在鍵頂部130中設(shè)置的磁體向下運(yùn)動時，也能保持較強(qiáng)的吸引力。
[0101]如圖1lA至IlF所示，由于支撐構(gòu)件200中設(shè)置的磁體的厚度較大，吸引力可更加穩(wěn)定地得以保持。特別是，當(dāng)磁體之間的距離大時，通過增加支撐構(gòu)件200中設(shè)置的磁體的厚度實(shí)現(xiàn)了通過相對磁極面之間的磁力線的增加率的顯著改善，因此更加穩(wěn)定地保持吸引力。
[0102]上面已經(jīng)描述了支撐構(gòu)件200中設(shè)置的磁體的厚度和磁場(磁力線)分布之間的關(guān)
系O
[0103][2-5.修改示例]
[0104]現(xiàn)在將描述在根據(jù)本公開第一實(shí)施例的修改示例的磁氣回路300A’的示例中的磁場(磁力線)分布。根據(jù)本公開第一實(shí)施例的修改示例的磁氣回路300A’的構(gòu)造與根據(jù)本公開第一實(shí)施例的磁氣回路的不同。因此，下面的描述主要集中在根據(jù)本公開第一實(shí)施例的修改示例的磁氣回路300A’上。圖12是示出在根據(jù)本公開第一實(shí)施例的修改示例的磁氣回路300A’的示例中軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖。
[0105]如圖12所示，磁氣回路300A’包括第一磁體110A’和第二磁體120。然而，在與根據(jù)本公開第一實(shí)施例的第一磁體IlOA比較時，在根據(jù)本公開的修改示例的第一磁體110A’中，軛板IllA具有突向第二磁體120的端部以長于磁鐵112。圖12示出了軛板IllA面對第二磁體120的端部從磁鐵112以突出量X突向第二磁體120的示例。
[0106]對于這樣的構(gòu)造，能防止磁鐵112因磁鐵112和第二磁體120之間的直接碰撞引起的損壞，因此改善磁氣回路300A’的耐久性。特別是，如果作為強(qiáng)永磁鐵的釹(Nd-Fe-B)磁鐵用作磁鐵112，則進(jìn)行防止作為釹磁鐵的主要成分包含的鐵氧化的電鍍工藝。因此，也能防止經(jīng)受電鍍的表面處理層剝離。
[0107]上面已經(jīng)描述了在根據(jù)本公開第一實(shí)施例的修改示例的磁氣回路300A’的示例中的磁場(磁力線)分布。
[0108]上面已經(jīng)描述了本公開的第一實(shí)施例。
[0109]〈〈3.第二實(shí)施例》
[0110]隨后，將描述本公開的第二實(shí)施例。根據(jù)本公開第二實(shí)施例的磁氣回路的構(gòu)造與根據(jù)本公開第一實(shí)施例的磁氣回路的構(gòu)造不同。因此，下面的描述主要集中在根據(jù)本公開第二實(shí)施例的磁氣回路300B。圖13是示出在根據(jù)本公開第二實(shí)施例的磁氣回路300B的示例中軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖。
[0111]如圖13所不,磁氣回路300B包括第一磁體IlOB和第二磁體120。在根據(jù)本公開第一實(shí)施例的第一磁體IlOA中，軛板IllA具有U狀截面，其所有的拐角為直角。另一方面，在根據(jù)本公開第二實(shí)施例的第一磁體IlOB中，軛板IllB具有U狀截面，具有圓形拐角。換言之，軛板IllB的形狀沒有特別限定。如圖13所示，開口空間160B由軛板IllB形成，并且磁鐵112設(shè)置在開口空間160B中。
[0112]上面已經(jīng)描述了本公開的第二實(shí)施例。
[0113]〈〈4.第三實(shí)施例》
[0114]現(xiàn)在將描述本公開的第三實(shí)施例。根據(jù)本公開第三實(shí)施例的磁氣回路的構(gòu)造與根據(jù)本公開第一實(shí)施例的磁氣回路的構(gòu)造不同。因此，下面的描述集中在根據(jù)本公開第三實(shí)施例的磁氣回路300C上。圖14是示出在根據(jù)本公開第三實(shí)施例的磁氣回路300C的示例中軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖。 [0115]如圖14所不,磁氣回路300C包括第一磁體IIOC和第二磁體120。根據(jù)本公開第一實(shí)施例的磁鐵112設(shè)置在開口空間160A中。另一方面，根據(jù)本公開第三實(shí)施例的磁鐵112設(shè)置在軛板IllC之間夾著的位置。在圖14所示的示例中，軛板IllC形成開口空間160C。
[0116]如示例所示,磁鐵112設(shè)置在軛板IllC之間夾著的位置。如圖14A所示,單一閉磁路可由第一磁體IlOC和第二磁體120形成。換言之，可形成一個或多個閉磁路。
[0117]上面已經(jīng)描述了本公開的第三實(shí)施例。
[0118]〈〈5.第四實(shí)施例》
[0119]現(xiàn)在將描述本公開的第四實(shí)施例。根據(jù)本公開第四實(shí)施例的磁氣回路的構(gòu)造與根據(jù)本公開第一實(shí)施例的磁氣回路的構(gòu)造不同。因此，下面的描述集中在根據(jù)本公開第四實(shí)施例的磁氣回路300D。圖15是示出在根據(jù)本公開第四實(shí)施例的磁氣回路300D的示例中軛和磁體附近磁場(磁力線)分布的示意圖。
[0120]如圖15所不,磁氣回路300D包括第一磁體IlOD和第二磁體120。根據(jù)本公開第一實(shí)施例的軛板IllA形成單一的開口空間160A。另一方面，根據(jù)本公開第四實(shí)施例的軛板IllD形成多個開口空間160D。在圖15所示的示例中，由軛板IllD形成兩個開口空間160D。
[0121]換言之,第一磁體IlOD可包括多個磁鐵112和多個軛板111D。軛板IllD可形成面對第二磁體120且對應(yīng)于多個磁鐵112的每一個的開口空間160D。多個磁鐵112的每一個設(shè)置在對應(yīng)的開口空間160D中，因此多個閉磁路可由第一磁體IlOD和第二磁體120形成。
[0122]上面已經(jīng)描述了本公開的第四實(shí)施例。
[0123]?6.結(jié)論》[0124]如上所述，根據(jù)本公開的實(shí)施例，所提供的磁氣回路包括第一磁體IlOA和第二磁體120。第一磁體IlOA包括磁鐵112和軛板111A。軛板IllA在面對第二磁鐵120的位置形成開口空間160A，并且磁鐵112設(shè)置在開口空間160A中或者在軛板IllA之間夾著的位置。
[0125]對于這樣的構(gòu)造，能夠以非常低的成本制造利用磁鐵112和第二磁體120之間吸引力的磁氣回路300A。
[0126]為了從根據(jù)實(shí)施例的磁氣回路更加清楚地理解所預(yù)期的效果，現(xiàn)在將描述在根據(jù)比較示例的一對磁鐵的示例中磁場(磁力線)的示范性變化。圖16是示出根據(jù)比較示例在開始壓下鍵頂部時磁場(磁力線)分布的示意圖。圖17是示出根據(jù)比較示例在鍵頂部壓下的狀態(tài)下磁場(磁力線)分布的示意圖。圖18是示出根據(jù)比較示例在壓下鍵頂部結(jié)束時磁場(磁力線)分布的示意圖。
[0127]如圖16至18所示，在這些比較示例中，成對磁鐵(磁鐵912和912B)之間的吸引力可用作保持鍵頂部130就位的力。參見圖16至18，在這些比較示例中，可發(fā)現(xiàn)磁力線的分布形成在成對磁鐵(磁鐵912和912B)或構(gòu)成成對磁鐵的磁鐵912A (磁鐵912B)周圍的8字狀，并且擴(kuò)展到周圍空間的水平和垂直方向。
[0128]應(yīng)注意，本公開的優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)參考附圖進(jìn)行了詳細(xì)描述。然而，本公開的實(shí)施例不限于上面描述的示例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其它因素可進(jìn)行各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。
[0129]另外，本技術(shù)也可構(gòu)造如下。
[0130](I) 一種磁氣回路,包括:
[0131 ] 第一磁體，構(gòu)造為包括磁鐵和軛板；以及
[0132]第二磁體，
[0133]其中所述軛板在所述第二磁體側(cè)形成開口空間，并且
[0134]其中所述磁鐵設(shè)置在所述開口空間中或者在所述軛板之間夾著的位置。
[0135](2)根據(jù)(I)所述的磁氣回路，
[0136]其中所述第一磁體和所述第二磁體之一設(shè)置在可動體中，
[0137]其中所述第一磁體和所述第二磁體的另一個設(shè)置在支撐構(gòu)件中，并且
[0138]其中所述支撐構(gòu)件通過使所述第一磁體和所述第二磁體彼此磁吸引而支撐所述可動體。
[0139](3)根據(jù)(2)所述的磁氣回路，
[0140]其中所述第一磁體設(shè)置在所述支撐構(gòu)件中，并且
[0141]其中所述第二磁體設(shè)置在所述可動體中。
[0142](4)根據(jù)(2)或(3)所述的磁氣回路，
[0143]其中所述第二磁體形成在所述可動體的邊緣上，并且
[0144]其中所述第一磁體在磁吸引到所述第二磁體的位置形成在所述可動體的上下運(yùn)動范圍的外側(cè)。
[0145](5)根據(jù)(2)至(4)任一項(xiàng)所述的磁氣回路，
[0146]其中所述支撐構(gòu)件具有引導(dǎo)表面，該引導(dǎo)表面相對于垂直于所述可動體的高度方向的水平面傾斜，并且[0147]其中所述可動體包括在所述引導(dǎo)表面上滑動的滑動部分。
[0148](6)根據(jù)(2)至(5)任一項(xiàng)所述的磁氣回路，其中所述支撐構(gòu)件中設(shè)置的所述磁體的厚度大于所述可動體中設(shè)置的所述磁體的厚度。
[0149](7)根據(jù)(I)至(6)任一項(xiàng)所述的磁氣回路，其中所述軛板具有在所述第二磁體側(cè)的端部，所述端部向所述第二磁體突出。
[0150](8)根據(jù)(I)至(7)任一項(xiàng)所述的磁氣回路，其中所述第一磁體和所述第二磁體形成閉磁路。
[0151](9)根據(jù)(8)所述的磁氣回路，其中當(dāng)所述磁鐵設(shè)置在所述開口空間中時，所述第一磁體和所述第二磁體形成兩個閉磁路。
[0152](10)根據(jù)(8)所述的磁氣回路，其中當(dāng)所述磁鐵設(shè)置在所述軛板之間夾著的位置時，所述第一磁體和所述第二磁體形成單一的閉磁路。
[0153](11)根據(jù)(8)所述的磁氣回路，
[0154]其中所述第一磁體包括多個磁鐵和軛板，
[0155]其中所述軛板形成對應(yīng)于所述多個磁鐵的每一個且在所述第二磁體側(cè)的開口空間，并且
[0156]其中當(dāng)所述多個磁鐵的每一個設(shè)置在對應(yīng)的開口空間中時，所述第一磁體和所述第二磁體形成多個閉磁路。
[0157](12) —種鍵輸入裝置，包括:
[0158]根據(jù)(5)所述的磁氣回路，
[0159]其中所述可動體是由使用者按壓的鍵頂部。
[0160](13)根據(jù)(12)所述的鍵輸入裝置，其中所述引導(dǎo)表面傾斜為當(dāng)所述鍵頂部由使用者按壓時使所述滑動部分相對于使用者的位置從后向前滑動。
[0161](14) 一種鍵輸入裝置，包括:
[0162]磁氣回路，
[0163]其中所述磁氣回路包括
[0164]第一磁體，構(gòu)造為包括磁鐵和軛板；以及
[0165]第二磁體，
[0166]其中所述軛板在所述第二磁體側(cè)形成開口空間，并且
[0167]其中所述磁鐵設(shè)置在所述開口空間中或在所述軛板之間夾著的位置。
[0168](15)根據(jù)(14)所述的鍵輸入裝置，
[0169]其中所述第一磁體和所述第二磁體之一設(shè)置在可動體中，
[0170]其中所述第一磁體和所述第二磁體的另一個設(shè)置在支撐構(gòu)件中，并且
[0171]其中所述支撐構(gòu)件通過使所述第一磁體和所述第二磁體彼此磁吸引而支撐所述可動體。
[0172]( 16)根據(jù)(15)所述的鍵輸入裝置，
[0173]其中所述第一磁體設(shè)置在所述支撐構(gòu)件中，并且
[0174]其中所述第二磁體設(shè)置在所述可動體中。
[0175](17)根據(jù)(15)所述的鍵輸入裝置，
[0176]其中所述第二磁體形成在所述可動體的邊緣上，[0177]其中所述第一磁體在磁吸引到所述第二磁體的位置形成在所述可動體的上下運(yùn)動范圍的外側(cè)。
[0178]( 18)根據(jù)(15)所述的鍵輸入裝置，
[0179]其中所述支撐構(gòu)件具有引導(dǎo)表面，該引導(dǎo)表面相對于垂直于所述可動體的高度方向的水平面傾斜，
[0180]其中所述可動體包括在所述引導(dǎo)表面上滑動的滑動部分。
[0181](19)根據(jù)(15)所述的鍵輸入裝置，其中所述支撐構(gòu)件中設(shè)置的所述磁體的厚度大于所述可動體中設(shè)置的所述磁體的厚度。
[0182](20)根據(jù)(14)所述的鍵輸入裝置，其中所述軛板具有在所述第二磁體側(cè)的端部，所述端部向所述第二磁體突出。
[0183]本申請要求2012年11月7日提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP2012-245251的權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
【權(quán)利要求】
1.一種磁氣回路，包括: 第一磁體，構(gòu)造為包括磁鐵和軛板；以及 第二磁體， 其中所述軛板在所述第二磁體側(cè)形成開口空間，并且 其中所述磁鐵設(shè)置在所述開口空間中或者在所述軛板之間夾著的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁氣回路， 其中所述第一磁體和所述第二磁體之一設(shè)置在可動體中， 其中所述第一磁體和所述第二磁體的另一個設(shè)置在支撐構(gòu)件中，并且 其中所述支撐構(gòu)件通過使所述第一磁體和所述第二磁體彼此磁吸引而支撐所述可動體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁氣回路， 其中所述第一磁體設(shè)置在所述支撐構(gòu)件中，并且 其中所述第二磁體設(shè)置在所述可動體中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁氣回路， 其中所述第二磁體形成在所述可動體的邊緣上，并且 其中所述第一磁體在磁吸引到所述第二磁體的位置形成在所述可動體的上下運(yùn)動范圍的外側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁氣回路， 其中所述支撐構(gòu)件具有引導(dǎo)表面，該引導(dǎo)表面相對于垂直于所述可動體的高度方向的水平面傾斜，并且 其中所述可動體包括在所述引導(dǎo)表面上滑動的滑動部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁氣回路，其中所述支撐構(gòu)件中設(shè)置的所述磁體的厚度大于所述可動體中設(shè)置的所述磁體的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁氣回路，其中所述軛板具有在所述第二磁體側(cè)的端部，所述端部向所述第二磁體突出。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁氣回路，其中所述第一磁體和所述第二磁體形成閉磁路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁氣回路，其中當(dāng)所述磁鐵設(shè)置在所述開口空間中時，所述第一磁體和所述第二磁體形成兩個閉磁路。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁氣回路，其中當(dāng)所述磁鐵設(shè)置在所述軛板之間夾著的位置時，所述第一磁體和所述第二磁體形成單一的閉磁路。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁氣回路， 其中所述第一磁體包括多個磁鐵和軛板， 其中所述軛板形成對應(yīng)于所述多個磁鐵的每一個且在所述第二磁體側(cè)的開口空間，并且 其中當(dāng)所述多個磁鐵的每一個設(shè)置在對應(yīng)的開口空間中時，所述第一磁體和所述第二磁體形成多個閉磁路。
12.—種鍵輸入裝置，包括: 根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁氣回路， 其中所述可動體是由使用者按壓的鍵頂部。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的鍵輸入裝置，其中所述引導(dǎo)表面傾斜為當(dāng)所述鍵頂部由使用者按壓時使所述滑動部分相對于使用者的位置從后向前滑動。
14.一種鍵輸入裝置，包括: 磁氣回路， 其中所述磁氣回路包括 第一磁體，構(gòu)造為包括磁鐵和軛板；以及 第二磁體， 其中所述軛板在所述第二磁體側(cè)形成開口空間，并且 其中所述磁鐵設(shè)置在所述開口空間中或在所述軛板之間夾著的位置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的鍵輸入裝置， 其中所述第一磁體和所述第二磁體之一設(shè)置在可動體中， 其中所述第一磁體和所述第二磁體的另一個設(shè)置在支撐構(gòu)件中，并且 其中所述支撐構(gòu)件通過使所述第一磁體和所述第二磁體彼此磁吸引而支撐所述可動體。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的鍵輸入裝置， 其中所述第一磁體設(shè)置在所述支撐構(gòu)件中，并且 其中所述第二磁體設(shè)置在所述 可動體中。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的鍵輸入裝置， 其中所述第二磁體形成在所述可動體的邊緣上， 其中所述第一磁體在磁吸引到所述第二磁體的位置形成在所述可動體的上下運(yùn)動范圍的外側(cè)。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的鍵輸入裝置， 其中所述支撐構(gòu)件具有引導(dǎo)表面，該引導(dǎo)表面相對于垂直于所述可動體的高度方向的水平面傾斜， 其中所述可動體包括在所述引導(dǎo)表面上滑動的滑動部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的鍵輸入裝置，其中所述支撐構(gòu)件中設(shè)置的所述磁體的厚度大于所述可動體中設(shè)置的所述磁體的厚度。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的鍵輸入裝置，其中所述軛板具有在所述第二磁體側(cè)的端部，所述端部向所述第二磁體突出。
【文檔編號】G06F3/02GK103809764SQ201310532638
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月7日
【發(fā)明者】木下昭仁, 久保田仁, 辻泰志, 千原秀一, 小堀雅宏, 三澤淳一郎 申請人:索尼公司