透明導電膜及其制作方法和光學調(diào)整層的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種透明導電膜，其包括依次疊設的基材層、光學調(diào)整層、低折射率層和導電層，所述光學調(diào)整層的400納米波長下的折射率為1.55~1.85之間，厚度為500納米~10000納米之間，鉛筆硬度達1H以上。本發(fā)明還提供一種上述光學調(diào)整層和該透明導電膜的制作方法。本發(fā)明的透明導電膜由于光學調(diào)整層的鉛筆硬度達1H以上，使整個透明導電膜不易被刮傷；另外，光學調(diào)整層的繞曲性達7毫米以下，繞曲性得以提高；光學調(diào)整層的膜厚誤差在100納米時對光學b*值的影響小于0.5。
【專利說明】透明導電膜及其制作方法和光學調(diào)整層
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種觸摸式屏幕領域，尤其涉及一種用于觸摸式屏幕的透明導電膜及其制作方法和其使用的光學調(diào)整層。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，手機和平板電腦等越來越多的電子裝置都采用觸摸式屏幕，觸摸屏作為一種新型的輸出設備已十分流行和普遍，因此作為觸摸屏必不可少的透明導電膜需求量也越來也大。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中透明導電膜有兩種制作方式，干式和濕式。干式制作方法多采用濺鍍、蒸鍍等方式。請參閱圖1，采用干式方法制作的第一透明導電膜10包括依次設置的PET(聚酯對苯二甲酸乙二酯)基材層12、高折射率層14、低折射率層16和ITO (Indium TinOxides、銦錫氧化物)導電層18。請參閱圖2，采用干式方法制作的第二透明導電膜20包括依次設置的PET基材層22、硬涂層24、高折射率層26、低折射率層28和ITO導電層29。濕式制作方法一般采用涂布的方式。請參閱圖3，采用濕式方法制作的第三透明導電膜30包括依次設置的PET基材層32、高折射率層34、低折射率層36和ITO導電層38。請參閱圖4，采用濕式方法制作的第四透明導電膜40包括依次設置的PET基材層42、硬涂層44、高折射率層46、低折射率層48和ITO導電層49。
[0004]然而，通過干式方法制作的第一透明導電膜10或第二透明導電膜20的所有材料均為無機材料，導致其繞曲性較差。通過濕式方法制作的第三透明導電膜30或第四透明導電膜40雖然含有有機樹脂或含有金屬氧化物微粒子的樹脂，其繞曲性有改善，但是涂布的膜厚在制作過程中控制難度較高，而厚度對光學性影響較大，故而導致第三透明導電膜30或第四透明導電膜40的光學性無法得到保證；另外，在沒有硬涂層的第一透明導電膜10和第三透明導電膜30中，其高折射率層14、34和低折射率層16、36的鉛筆硬度無法達到IH以上，導致第一透明導電膜10或第三透明導電膜30容易被刮傷；而第四透明導電膜40雖然由于硬涂層的存在而提高了硬度，但需增加一層硬涂層，增加了成本，且高低折射率層46、48位于硬涂層的外側(cè)，其硬度無法達到IH以上，導致第三透明導電膜40容易被刮傷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于以上所述，有必要提供一種硬度較高且繞曲性較好的透明導電膜及其制作方法和其使用的光學調(diào)整層。
[0006]一種光學調(diào)整層，其400納米波長下的折射率為1.55?1.85之間，厚度為500納米"10000納米之間，鉛筆硬度達IH以上。
[0007]進一步地，所述光學調(diào)整層的材料由金屬氧化物微粒子和紫外線硬化樹脂構(gòu)成。
[0008]進一步地，所述金屬氧化物微粒子為氧化鈦或氧化鋯。
[0009]進一步地，所述硬化樹脂的材料為丙烯酸系樹酯、聚矽氧樹酯、氨基甲酸酯樹酯、醇酸樹酯、密胺樹酯之一。[0010]進一步地，所述硬化樹脂的材料優(yōu)選單官能甲基丙烯酸酯或多官能甲基丙烯酸酯。
[0011]進一步地，所述光學調(diào)整層的折射率優(yōu)選為1.6~1.8之間。
[0012]進一步地，所述光學調(diào)整層的厚度優(yōu)選為700納米~5000納米之間。
[0013]一種透明導電膜，其包括依次疊設的基材層、光學調(diào)整層、低折射率層和導電層，所述光學調(diào)整層為權(quán)利要求1-6中任意一項所述的光學調(diào)整層。
[0014]進一步地，所述基材層52為PET基材層；所述導電層為ITO導電層。
[0015]進一步地，所述低折射率層的400納米波長的折射率為1.4~1.55之間，且厚度為10納米~40納米。
[0016]進一步地，所述低折射率層的材料為二氧化硅。
[0017]進一步地，所述導電層的厚度為15納米~35納米之間。
[0018]進一步地，所述透明導電膜還包括硬涂層，所述硬涂層設置在所述基材層的與所述光學調(diào)整層相對的一側(cè)。
[0019]進一步地，所述透明導電膜還包括設置在所述基材層的與所述光學調(diào)整層相對的一側(cè)依次設置另一光學調(diào)整層、另一低折射率層和另一導電層。
[0020]一種透明導電膜的制作方法，其包括:
提供基材層；
于基材層上以濕式制程涂布一層光學調(diào)整層，所述光學調(diào)整層包括金屬氧化物微粒子和硬化樹脂，其400納米波長的折射率為1.55^1.85之間，厚度為500納米~10000納米之間，鉛筆硬度達IH以上；
于所述光學調(diào)整層設以干式制程或濕式制程設置一層低折射率層；
于所述低折射率層上設置一層導電層。
[0021]進一步地，所述透明導電膜的制作方法還包括在所述基材層的與所述光學調(diào)整層相對的一側(cè)涂布一層硬涂層。
[0022]進一步地，所述透明導電膜的制作方法還包括在所述基材層的與所述光學調(diào)整層相對的一側(cè)依次設置另一光學調(diào)整層、另一低折射率層和另一導電層。
[0023]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的透明導電膜由于光學調(diào)整層為高折射率、且鉛筆硬度達IH以上，使整個透明導電膜不易被刮傷；另外，光學調(diào)整層的繞曲性達7毫米以下，在設置了低折射率層和導電層后，透明導電膜的繞曲性達到8毫米以下不裂化，繞曲性得以提高；光學調(diào)整層的膜厚誤差在100納米時對光學b*值的影響小于0.5。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是現(xiàn)有第一透明導電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是現(xiàn)有第二透明導電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3是現(xiàn)有第三透明導電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4是現(xiàn)有第四透明導電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5是本發(fā)明透明導電膜的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6是本發(fā)明透明導電膜的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖 '及 圖7是本發(fā)明透明導電膜的第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實施方式】
[0025]為詳細說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式并配合附圖詳予說明。
[0026]本發(fā)明的透明導電膜的第一實施例，請參閱圖5，所述透明導電膜50包括依次疊設的基材層52、光學調(diào)整層54、低折射率層56和導電層58。所述光學調(diào)整層54為高折射率硬涂層，其400納米(nm)波長下的折射率為1.55-1.85之間，厚度為500納米(nm)~10000納米(nm)之間，鉛筆硬度達IH以上。
[0027]進一步地，所述基材層52為PET (聚酯對苯二甲酸乙二酯)基材層；所述導電層58為ITO (Indium Tin Oxides、銦錫氧化物)導電層。
[0028]進一步地，所述光學調(diào)整層54的材料由金屬氧化物微粒子和紫外線硬化樹脂構(gòu)成。
[0029]進一步地，所述金屬氧化物微粒子為氧化鈦(Ti02)或氧化鋯(Zr02)。
[0030]進一步地，所述硬化樹脂的材料為丙烯酸系樹酯、聚矽氧樹酯、氨基甲酸酯樹酯、醇酸樹酯、密胺樹酯之一。
[0031]進一步地，所述硬化樹脂的材料優(yōu)選單官能甲基丙烯酸酯或多官能甲基丙烯酸酯。
[0032]進一步地，所述光學調(diào)整層的折射率優(yōu)選為1.6-1.8之間。
[0033]進 一步地，所述光學調(diào)整層的厚度優(yōu)選為700納米~5000納米之間。
[0034]進一步地，所述低折射率層56的400納米波長的折射率為1.4-1.55之間，且厚度為10納米~40納米。
[0035]進一步地，所述低折射率層56的材料為二氧化硅(Si02)。
[0036]進一步地，所述導電層58的厚度為15納米~35納米之間。
[0037]請參閱圖6，為本發(fā)明第二實施例的透明導電膜60，其包括依次疊設的硬涂層64、基材層62、光學調(diào)整層66、低折射率層68和導電層69。所述第二實施例的透明導電膜60與第一實施例的透明導電膜50的區(qū)別僅在于:所述透明導電膜60多設置了一層普通的硬涂層64，所述硬涂層64和所述光學調(diào)整測層66分別設置在所述基材層62的兩個相對的表面。通過設置所述硬涂層64，所述透明導電膜60比所述透明導電膜50具有更高的硬度，因此更耐磨損。
[0038]請參閱圖7，為本發(fā)明第三實施例的透明導電膜70，其包括基材層72、依次疊設的所述基材層72 —側(cè)的第一光學調(diào)整層74a、第一低折射率層76a和第一導電層78a,以及依次疊設在所述基材層72相對的另一側(cè)的第二光學調(diào)整層74b、第二低折射率層76b和第二導電層78b。所述第三實施例的透明導電膜70與第一實施例的透明導電膜50的區(qū)別僅在于:所述透明導電膜70的基材層72的兩面均設置有光學調(diào)整層、低折射率層和導電層。
[0039]本發(fā)明的透明導電膜由于光學調(diào)整層為高折射率、且鉛筆硬度達IH以上，使整個透明導電膜不易被刮傷；另外，光學調(diào)整層的繞曲性達7毫米以下，在設置了低折射率層和導電層后，透明導電 膜的繞曲性達到8毫米以下不裂化，繞曲性得以提高；光學調(diào)整層的膜厚誤差在100納米時光學b*值(色度值)的影響小于0.5。
[0040]下面表1-表5為以第一實施例的透明導電膜50為例做實驗獲得的透明導電膜的各項參數(shù)。在實驗中，耐繞曲性的測試是:將材料卷繞于圓柱型棒子上，測試卷繞后其硬涂層或派鍍層是否裂化，卷徑〈6mm由〇表示,卷徑為6-8mm由Λ表示,卷徑為>8mm由X表示。蝕刻痕效果測試是:于導電層上印刷條狀之線路圖案，并以酸度為6N之類王水蝕刻掉沒油墨保護的導電層，將有無導電層的圖案置于黑底上以肉眼觀視，圖案不明顯〇表示，圖案稍明顯但可接受Λ表示，圖案明顯不可接受X表示。
[0041]表1不同光學調(diào)整層的組成成分
【權(quán)利要求】
1.一種光學調(diào)整層，其特征在于:所述光學調(diào)整層的400納米波長下的折射率為1.55~1.85之間，厚度為500納米~10000納米之間，鉛筆硬度達IH以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學調(diào)整層，其特征在于:所述光學調(diào)整層的材料由金屬氧化物微粒子和紫外線硬化樹脂構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學調(diào)整層，其特征在于:所述金屬氧化物微粒子為氧化鈦或氧化鋯。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學調(diào)整層，其特征在于:所述硬化樹脂的材料為丙烯酸系樹酯、聚矽氧樹酯、氨基甲酸酯樹酯、醇酸樹酯、密胺樹酯之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學調(diào)整層，其特征在于:所述硬化樹脂的材料優(yōu)選單官能甲基丙烯酸酯或多官能甲基丙烯酸酯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學調(diào)整層，其特征在于:所述光學調(diào)整層的折射率優(yōu)選為1.6~1.8之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學調(diào)整層，其特征在于:所述光學調(diào)整層的厚度優(yōu)選為700納米~5000納米之間。
8.—種透明導電膜，其特征在于:其包括依次疊設的基材層、光學調(diào)整層、低折射率層和導電層，所述光學調(diào)整層為權(quán)利要求1-7中任意一項所述的光學調(diào)整層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的透明導電膜，其特征在于:所述基材層為PET基材層；所述導電層為ITO導電層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的透`明導電膜，其特征在于:所述低折射率層的400納米波長的折射率為1.4~1.55之間，且厚度為10納米~40納米。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的透明導電膜，其特征在于:所述低折射率層的材料為二氧化硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的透明導電膜，其特征在于:所述導電層的厚度為15納米~35納米之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的透明導電膜，其特征在于:所述透明導電膜還包括硬涂層，所述硬涂層設置在所述基材層的與所述光學調(diào)整層相對的一側(cè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的透明導電膜，其特征在于:所述透明導電膜還包括設置在所述基材層的與所述光學調(diào)整層相對的一側(cè)依次設置另一光學調(diào)整層、另一低折射率層和另一導電層。
15.一種透明導電膜的制作方法，其包括: 提供基材層； 于基材層上以濕式制程涂布一層光學調(diào)整層，所述光學調(diào)整層包括金屬氧化物微粒子和硬化樹脂，其400納米波長的折射率為1.55^1.85之間，厚度為500納米~10000納米之間，鉛筆硬度達IH以上； 于所述光學調(diào)整層設以干式制程或濕式制程設置一層低折射率層； 于所述低折射率層上設置一層導電層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制作方法，其特征在于:所述透明導電膜的制作方法還包括在所述基材層的與所述光學調(diào)整層相對的一側(cè)涂布一層硬涂層。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制作方法，其特征在于:所述透明導電膜的制作方法還包括在所述基材層的與所述光學調(diào)整層相對的一側(cè)依次設置另一光學調(diào)整層、 另一低折射率層和另一導電層。
【文檔編號】G06F3/041GK103632755SQ201310638973
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年12月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月4日
【發(fā)明者】杜成城, 劉比爾 申請人:汕頭萬順包裝材料股份有限公司光電薄膜分公司