Tft觸摸屏及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種TFT觸摸屏及其制備方法。該TFT觸摸屏包括TFT基板和層疊于所述TFT基板上的感應(yīng)層。感應(yīng)層直接層疊于TFT基板上得到上述TFT觸摸屏，相比傳統(tǒng)的感應(yīng)層層疊于玻璃面板上再用貼合工藝將TFT基板貼合到玻璃面板上得到的TFT觸摸屏，其厚度較小，有利于使用該TFT觸摸屏的電子產(chǎn)品往輕薄化的方向發(fā)展。
【專利說明】TFT觸摸屏及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸摸屏【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種TFT觸摸屏及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前TFT (Thin-Film Transistor)觸摸屏的結(jié)構(gòu)一般包括玻璃面板、感應(yīng)層和TFT基板。這種TFT觸摸屏的制備一般是在玻璃面板上鍍制感應(yīng)層，然后再將TFT基板與玻璃面板進(jìn)行貼合得到TFT觸摸屏。
[0003]目前，電子產(chǎn)品往輕薄化的趨勢(shì)發(fā)展，對(duì)于觸摸屏輕薄化的要求越來越高?，F(xiàn)有的TFT觸摸屏的厚度仍然難以滿足輕薄化的要求。
[0004]并且，制備上述結(jié)構(gòu)的TFT觸摸屏?xí)r，現(xiàn)有技術(shù)只能在350°C?450°C的高溫下才能在玻璃面板上鍍制感應(yīng)層，而在一般情況下，TFT基板中的液晶分子與邊框只能耐150°C以下的溫度。因此，這種制備TFT觸摸屏的方法會(huì)在一定程度上損傷TFT基板，從而對(duì)TFT觸摸屏的性能產(chǎn)生不良影響。
[0005]雖然科研人員正在改善TFT基板的液晶分子與邊框耐高溫的特性，但目前技術(shù)還不成熟，尚未能夠推廣應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]基于此，有必要提供一種厚度較小的TFT觸摸屏。
[0007]一種TFT觸摸屏，包括TFT基板和層疊于所述TFT基板上的感應(yīng)層。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述感應(yīng)層的材料為銦錫氧化物。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述感應(yīng)層的厚度為90納米?110納米。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述TFT基板的表面電阻小于60歐姆/平方。
[0011]一種TFT觸摸屏的制備方法，包括如下步驟:
[0012]提供TFT基板；及
[0013]采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應(yīng)層，得到所述TFT觸摸屏。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應(yīng)層的步驟之前，還包括對(duì)所述TFT基板進(jìn)行洗滌的步驟，對(duì)所述TFT基板進(jìn)行洗滌的步驟包括依次用純水和堿液進(jìn)行洗滌,然后再依次進(jìn)行二流體噴淋、超純水噴淋和高壓噴淋。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應(yīng)層的步驟中，所述TFT基板的溫度為100°C?120°C。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應(yīng)層的步驟中，所述磁控濺射的真空度為2.5 X KT1Pa?3.50X 10_3Pa。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應(yīng)層的步驟中，所述磁控濺射的電壓為300V?350V，功率7500W?9000W。
[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應(yīng)層的步驟中，通入氧氣和氬氣，所述氧氣的流量為12SCCm，氬氣的流量為900SCCm。[0019]感應(yīng)層直接層疊于TFT基板上得到上述TFT觸摸屏，相比傳統(tǒng)的感應(yīng)層層疊于玻璃面板上再用貼合工藝將TFT基板貼合到玻璃面板上得到的TFT觸摸屏，其厚度較小，有利于使用該TFT觸摸屏的電子產(chǎn)品往輕薄化的方向發(fā)展。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為一實(shí)施方式的TFT觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為一實(shí)施方式的TFT觸摸屏的制備方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0023]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的TFT觸摸屏100，包括TFT基板20和層疊于TFT基板20上的感應(yīng)層40。
[0024]TFT基板20包括液晶顯示屏(圖未示)和圍繞液晶顯示屏的邊框(圖未示)。
[0025]優(yōu)選地，TFT基板20的表面電阻小于60歐姆/平方。
[0026]感應(yīng)層40的材料為導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料可以為金屬、銦錫氧化物(ΙΤ0)、摻鋁的氧化鋅(AZO)和摻銦的氧化鋅(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。
[0027]感應(yīng)層40層置于TFT基板20的液晶顯不屏上。
[0028]優(yōu)選地，感應(yīng)層40的厚度為90納米?110納米，以使感應(yīng)層40的透光率較高，保證TFT基板20具有較好的透光性能。
[0029]感應(yīng)層40直接層疊于TFT基板20上得到上述TFT觸摸屏100，相比傳統(tǒng)的感應(yīng)層層疊于玻璃面板上再用貼合工藝將TFT基板貼合到玻璃面板上得到的TFT觸摸屏，其厚度較小，有利于使用該TFT觸摸屏100的電子產(chǎn)品往輕薄化的方向發(fā)展。
[0030]請(qǐng)參閱圖2，一實(shí)施方式的TFT觸摸屏的制備方法，用于制備上述TFT觸摸屏100，包括如下步驟。
[0031]步驟SllO:提供TFT基板。
[0032]為了保證TFT基板清潔，還包括對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗的步驟。
[0033]優(yōu)選地，對(duì)TFT基板進(jìn)行洗滌的步驟包括依次用純水和堿液進(jìn)行洗滌，然后再依次進(jìn)行二流體噴淋、超純水噴淋和高壓噴淋，以保證TFT基板清潔。
[0034]堿液為堿性洗滌劑，如洗衣粉溶液、洗潔精溶液等。
[0035]高壓噴淋是指高壓噴淋超純水，壓力優(yōu)選為1.5kg/cm2,以充分除去TFT基板上的灰塵、油污等污染物，但又不損傷TFT基板。
[0036]將TFT基板清洗干凈后，依次經(jīng)過冷風(fēng)和熱風(fēng)干燥，然后檢查TFT基板表面清潔質(zhì)量，合格，備用。依次用冷風(fēng)和熱風(fēng)干燥，有利于減少TFT基板破裂風(fēng)險(xiǎn)，保護(hù)TFT基板。
[0037]步驟S120:采用磁控濺射在TFT基板上制備感應(yīng)層。
[0038]將潔凈、干燥的TFT基板放入磁控濺射腔室的樣品架上，將磁控濺射腔室抽真空至以一定真空度，并將TFT基板加熱至一定溫度，通入氧氣和氬氣，開始磁控濺射鍍膜，在TFT基板上制備感應(yīng)層。
[0039]感應(yīng)層的材料為導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料可以為金屬、銦錫氧化物(ΙΤ0)、摻鋁的氧化鋅(AZO)和摻銦的氧化鋅(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。
[0040]優(yōu)選采用直流磁控濺射在TFT基板上制備感應(yīng)層。
[0041]優(yōu)選地，磁控濺射腔室的真空度為2.5 X KT1Pa~3.50X 10_3Pa。在該真空度下在TFT基板上鍍膜，形成層疊于TFT基板上感應(yīng)層，有利于保護(hù)TFT基板，減少TFT基板破裂風(fēng)險(xiǎn)。
[0042]優(yōu)選地，將TFT基板加熱至100°C~120°C后開始鍍膜，鍍膜過程中維持TFT基板恒溫。由于TFT基板能耐150°C以下的高溫，在100°C~120°C下進(jìn)行鍍膜，不會(huì)對(duì)TFT基板造成損傷。
[0043]優(yōu)選地，在1400秒內(nèi)將TFT基板從室溫加熱至100°C~120°C。
[0044]優(yōu)選地，磁控濺射過程中，磁控濺射的電壓為300V~350V，功率7500W~9000W。在上述電壓和功率下進(jìn)行鍍膜，有利于制備致密性好、缺陷小的薄膜。
[0045]氧氣的流量?jī)?yōu)選為12ccm2，氬氣的流量?jī)?yōu)選為900ccm2，以提高制備效率。氬氣使用高純氬氣，即使用純度在99.999%以上的氬氣。
[0046]優(yōu)選地，TFT基板的運(yùn)行速度為0.5m/min。
[0047]鍍膜的時(shí)間根據(jù)所需的感應(yīng)層的厚度控制。鍍膜過程用膜厚儀實(shí)時(shí)監(jiān)控膜層厚
度。`
[0048]上述TFT觸摸屏的制備方法直接在TFT基板上鍍膜形成層疊于TFT基板上的感應(yīng)層得到TFT基板，這種結(jié)構(gòu)的TFT基板的厚度較小，并且省去了玻璃面板，有利于減輕產(chǎn)品的重量，有利于使用該TFT觸摸屏的電子產(chǎn)品朝著輕薄化的方向發(fā)展。
[0049]并且，上述TFT觸摸屏的制備方法工藝簡(jiǎn)單，減少了貼合的步驟，有利于保護(hù)TFT基板，減少貼合步驟所帶來的低良率，提高了制備良率。而且，由于省略了一個(gè)玻璃面板和一個(gè)步驟，有利于降低制備成本，且低碳環(huán)保。
[0050]在現(xiàn)有的TFT觸摸屏的制備方法中，由于TFT基板較為脆弱，一般不會(huì)直接在TFT基板上鍍膜，而是在玻璃面板上鍍膜，再通過貼合的步驟將TFT基板與鍍好膜的玻璃面板進(jìn)行貼合。上述TFT觸摸屏的制備方法通過采用合適的濺射工藝，在真空度為
2.SXlO-1Pa~3.50X 10?, TFT基板溫度為100°C~120°C、磁控濺射的電壓為300V~350V及功率7500W~9000W下進(jìn)行鍍膜，形成感應(yīng)層，有利于保護(hù)TFT基板，防止TFT基板破裂和防止高溫將TFT基板的液晶燒壞。
[0051]以下通過具體實(shí)施例進(jìn)一步闡述。
[0052]實(shí)施例1
[0053]制備TFT觸摸屏
[0054]1、提供表面電阻為55歐姆/平方的TFT基板，依次用純水和堿液對(duì)TFT進(jìn)行洗滌，然后再依次進(jìn)行二流體噴淋、超純水噴淋和高壓噴淋，最后依次經(jīng)過冷風(fēng)和熱風(fēng)干燥，檢查TFT基板表面清潔，備用；
[0055]2、將潔凈、干燥的TFT基板放入磁控濺射腔室的樣品架上，將磁控濺射腔室抽真空至2.5 X KT1Pa,并在1400秒內(nèi)將TFT基板加熱至120°C，并保持TFT基板恒溫，通入氧氣和氬氣，氧氣的流量為12ccm2，氬氣的流量為900ccm2，TFT基板的運(yùn)行速度為0.5m/min，在電壓為300V，功率為7500W下開始磁控濺射鍍膜，鍍膜120秒，在TFT基板上制備感應(yīng)層。感應(yīng)層的材料為銦錫氧化物。
[0056]經(jīng)測(cè)試，感應(yīng)層的表面電阻為50~58歐姆/平方，厚度為95納米，透光率為93%，L=39.3，a=-1.7，b=_5.0, Δ E ^ 0.5 合格。
[0057]實(shí)施例2
[0058]制備TFT觸摸屏
[0059]1、提供表面電阻為50歐姆/平方的TFT基板，依次用純水和堿液對(duì)TFT進(jìn)行洗滌，然后再依次進(jìn)行二流體噴淋、超純水噴淋和高壓噴淋，最后依次經(jīng)過冷風(fēng)和熱風(fēng)干燥，檢查TFT基板表面清潔，備用；
[0060]2、將潔凈、干燥的TFT基板放入磁控濺射腔室的樣品架上，將磁控濺射腔室抽真空至3.50Χ 10_3，并在1400秒內(nèi)將TFT基板加熱至100°C，并保持TFT基板恒溫，通入氧氣和氬氣，氧氣的流量為12ccm2，氬氣的流量為900ccm2，TFT基板的運(yùn)行速度為0.5m/min，在電壓為350V，功率為9000W下開始磁控濺射鍍膜，鍍膜150秒，在TFT基板上制備感應(yīng)層。感應(yīng)層的材料為銦錫氧化物。
[0061]經(jīng)測(cè)試，感應(yīng)層的表面電阻為45-53歐姆/平方，厚度為110納米，透光率為92%，L=39.1，a=-1.6，b=_4.8, Δ E ^ 0.5 合格。
[0062]實(shí)施例3 [0063]制備TFT觸摸屏
[0064]1、提供表面電阻為50歐姆/平方的TFT基板，依次用純水和堿液對(duì)TFT進(jìn)行洗滌，然后再依次進(jìn)行二流體噴淋、超純水噴淋和高壓噴淋，最后依次經(jīng)過冷風(fēng)和熱風(fēng)干燥，檢查TFT基板表面清潔，備用；
[0065]2、將潔凈、干燥的TFT基板放入磁控濺射腔室的樣品架上，將磁控濺射腔室抽真空至3.0X 10_2，并在1400秒內(nèi)將TFT基板加熱至110°C，并保持TFT基板恒溫，通入氧氣和氬氣，氧氣的流量為12ccm2，氬氣的流量為900ccm2，TFT基板的運(yùn)行速度為0.5m/min，在電壓為320V，功率為8000W下開始磁控濺射鍍膜，鍍膜100秒，在TFT基板上制備感應(yīng)層。感應(yīng)層的材料為銦錫氧化物。
[0066]經(jīng)測(cè)試，感應(yīng)層的表面電阻為48-55歐姆/平方，厚度為90納米，透光率為95%，L=38.9，a=-1.8，b=_5.1, Δ E ^ 0.5 合格。
[0067]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT觸摸屏，其特征在于，包括TFT基板和層疊于所述TFT基板上的感應(yīng)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT觸摸屏，其特征在于，所述感應(yīng)層的材料為銦錫氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT觸摸屏，其特征在于，所述感應(yīng)層的厚度為90納米~110納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT觸摸屏，其特征在于，所述TFT基板的表面電阻小于60歐姆/平方。
5.—種TFT觸摸屏的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供TFT基板；及 采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應(yīng)層，得到所述TFT觸摸屏。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT觸摸屏的制備方法，其特征在于，在所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應(yīng)層的步驟之前，還包括對(duì)所述TFT基板進(jìn)行洗滌的步驟，對(duì)所述TFT基板進(jìn)行洗滌的步驟包括依次用純 水和堿液進(jìn)行洗滌，然后再依次進(jìn)行二流體噴淋、超純水噴淋和高壓噴淋。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT觸摸屏的制備方法，其特征在于，所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應(yīng)層的步驟中，所述TFT基板的溫度為100°C~120°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT觸摸屏的制備方法，其特征在于，所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應(yīng)層的步驟中，所述磁控濺射的真空度為2.5X 10?~3.50X10_3Pa。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT觸摸屏的制備方法，其特征在于，所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應(yīng)層的步驟中，所述磁控濺射的電壓為300V~350V，功率7500W~9000W。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT觸摸屏的制備方法，其特征在于，所述采用磁控濺射在所述TFT基板上制備感應(yīng)層的步驟中，通入氧氣和氬氣，所述氧氣的流量為12sCCm，氬氣的流量為900sccm。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK103777813SQ201310746532
【公開日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】張迅, 張伯倫 申請(qǐng)人:江西沃格光電股份有限公司