應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置，包括：一個(gè)主設(shè)備、編號(hào)1至M的M個(gè)從設(shè)備和編號(hào)1至2M的2M個(gè)N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET；且針對(duì)第i從設(shè)備，第2i-1個(gè)N溝道MOSFET的第一端分別與主設(shè)備的串行時(shí)鐘線SCL接口和電阻R1的一端相連，第二端與第i從設(shè)備的SCL接口相連，第三端與主設(shè)備的第i使能控制接口相連；第2i個(gè)N溝道MOSFET的第一端分別與主設(shè)備的串行數(shù)據(jù)線SDA接口和電阻R2的一端相連，第二端與第i從設(shè)備的SDA接口相連，第三端與主設(shè)備的第i使能控制接口相連；電阻R1和電阻R2的另一端均與第一直流電源相連。通過本實(shí)用新型中的應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于只具有一個(gè)TWI接口的主設(shè)備與多個(gè)地址相同的從設(shè)備進(jìn)行通信。
【專利說明】應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及利用兩線式串行接口 TWI (Two Wire Serial Interface)總線進(jìn)行通信的【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在利用TWI總線進(jìn)行主從通信的系統(tǒng)中，主設(shè)備的一個(gè)TWI接口通過TWI總線只能接一個(gè)從設(shè)備或多個(gè)不同地址的從設(shè)備，即對(duì)于只具有一個(gè)TWI接口的主設(shè)備只能與一個(gè)從設(shè)備或多個(gè)不同地址的從設(shè)備進(jìn)行通信。
[0003]而當(dāng)主設(shè)備的一個(gè)TWI接口通過TWI總線接多個(gè)相同地址的從設(shè)備時(shí)，會(huì)因從設(shè)備的地址沖突而無法進(jìn)行正常通信。因此，對(duì)于只具有一個(gè)TWI接口的主設(shè)備，是無法與多個(gè)地址相同的從設(shè)備進(jìn)行通信的。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置，以使得對(duì)于只具有一個(gè)TWI接口的主設(shè)備，可以與多個(gè)地址相同的從設(shè)備進(jìn)行通信。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0006]—種應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置,包括:一個(gè)主設(shè)備、編號(hào)I至M的M個(gè)從設(shè)備和編號(hào)I至2M的2M個(gè)N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ；
[0007]針對(duì)第i從設(shè)備，I [0008]第2i_l個(gè)N溝道MOSFET的第一端分別與所述主設(shè)備的串行時(shí)鐘線SCL接口和電阻Rl的一端相連，第二端與所述第i從設(shè)備的SCL接口相連，第三端與所述主設(shè)備的第i使能控制接口相連；
[0009]第2i個(gè)N溝道MOSFET的第一端分別與所述主設(shè)備的串行數(shù)據(jù)線SDA接口和電阻R2的一端相連，第二端與所述第i從設(shè)備的SDA接口相連，第三端與所述主設(shè)備的第i使能控制接口相連；
[0010]所述電阻Rl和電阻R2的另一端均與第一直流電源相連；
[0011]其中，所述M、i均為自然數(shù)，所述SCL接口和SDA接口均屬于兩線式串行接口 TWI，且所述第一直流電源為所述主設(shè)備的工作電源。
[0012]優(yōu)選的，所述裝置還包括編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R3;
[0013]針對(duì)第i個(gè)電阻R3， [0014]所述第i個(gè)電阻R3的一端與所述第i使能控制接口、第2i_l個(gè)N溝道MOSFET的第三端和第2i個(gè)N溝道MOSFET的第三端的公共端相連，另一端接地。
[0015]優(yōu)選的，所述N溝道MOSFET的第一端為漏極、第二端為源極、第三端為柵極。
[0016]優(yōu)選的，所述裝置還包括:編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R4和編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R5 ；
[0017]針對(duì)第i個(gè)電阻R4， [0018]所述第i個(gè)電阻R4的一端分別與所述第i從設(shè)備的SCL接口和所述第2i_l個(gè)N溝道MOSFET的源極相連，另一端與第二直流電源相連；
[0019]針對(duì)第i個(gè)電阻R5，l≤i≤M:
[0020]所述第i個(gè)電阻R5的一端分別與所述第i從設(shè)備的SDA接口和所述第2i個(gè)N溝道MOSFET的源極相連，另一端與所述第二直流電源相連；
[0021]其中，所述第二直流電源為第i從設(shè)備的工作電源。
[0022]優(yōu)選的，所述N溝道MOSFET的第一端為源極、第二端為漏極、第三端為柵極。
[0023]優(yōu)選的，所述裝置還包括:編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R4和編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R5 ；
[0024]針對(duì)第i個(gè)電阻R4，l≤i≤M:
[0025]所述第i個(gè)電阻R4的一端分別與所述第i個(gè)從設(shè)備的SCL接口和所述第2i_l個(gè)N溝道MOSFET的漏極相連，另一端與第二直流電源相連；
[0026]針對(duì)第i個(gè)電阻R5，I≤i≤M:
[0027]所述第i個(gè)電阻R5的一端分別與所述第i個(gè)從設(shè)備的SDA接口和所述第2i個(gè)N溝道MOSFET的漏極相連，另一端與所述第二直流電源相連；
[0028]其中，所述第二直流電源為第i從設(shè)備的工作電源。
[0029]優(yōu)選的，所述裝置還包括:編號(hào)I至2M的2M個(gè)二極管；
[0030]針對(duì)第P個(gè)二極管 ，P為自然數(shù)，且I≤P≤2M:
[0031]第P個(gè)二極管的陽(yáng)極與第P個(gè)N溝道MOSFET的源極相連、陰極與所述第P個(gè)N溝道MOSFET的漏極相連。
[0032]由上述的技術(shù)方案可以看出，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，每一個(gè)從設(shè)備均通過2個(gè)N溝道MOSFET與主設(shè)備相連，其中第i從設(shè)備通過第21-l個(gè)N溝道MOSFET和第2i個(gè)N溝道MOSFET與主設(shè)備相連；針對(duì)第i從設(shè)備，默認(rèn)情況下，第21-l個(gè)N溝道MOSFET和第2i個(gè)N溝道MOSFET的第一端與第二端間均不導(dǎo)通，此時(shí)主設(shè)備并不能和第i從設(shè)備進(jìn)行通信；當(dāng)主設(shè)備需和第i從設(shè)備進(jìn)行通信時(shí)，主設(shè)備將從第i使能控制接口輸出高電平，由于第21-l個(gè)N溝道MOSFET和第2i個(gè)N溝道MOSFET的第三端均與第i使能控制接口相連，因此此時(shí)第i使能控制接口所輸出的高電平將使第21-l個(gè)N溝道MOSFET和第2i個(gè)N溝道MOSFET的第一端與第二端均導(dǎo)通，從而使得主設(shè)備可與第i從設(shè)備進(jìn)行通信。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置的電路圖；
[0035]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置的另一電路圖；
[0036]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置的又一電路圖；
[0037]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置的另一電路圖；
[0038]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置的又一電路圖；
[0039]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的TWI時(shí)序圖。【具體實(shí)施方式】
[0040]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0041]本實(shí)用新型公開了一種應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置，該裝置包括:一個(gè)主設(shè)備、編號(hào)I至M的M個(gè)從設(shè)備和編號(hào)I至2M的2M個(gè)N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)；
[0042]其中，編號(hào)I至M的M個(gè)從設(shè)備分別為第一從設(shè)備、第二從設(shè)備直至第M從設(shè)備；
[0043]編號(hào)I至2M的2M個(gè)N溝道MOSFET分別為第一個(gè)N溝道M0SFET、第二個(gè)N溝道MOSFET直至第2M個(gè)N溝道MOSFET ；
[0044]具體的，針對(duì)第i從設(shè)備，i的取值介于I至M之間，且包括I和M:
[0045]第2i_l個(gè)N溝道MOSFET的第一端與主設(shè)備的串行時(shí)鐘線SCL (Serial clockline)接口和電阻Rl的一端相連，第二端與第i從設(shè)備的SCL接口相連，第三端與主設(shè)備的第i使能控制接口相連；
[0046]第2i個(gè)N溝道MOSFET第一端分別與主設(shè)備串行數(shù)據(jù)線SDA(Serial Date Line)接口和電阻R2的一端相連，第二端與第i從設(shè)備的SDA接口相連，第三端與主設(shè)備的第i使能控制接口相連；
[0047]更具體的，當(dāng)i取值為I時(shí)，如圖1所示，第I個(gè)N溝道MOSFET (11)的第一端分別與主設(shè)備12的SCL接口和電阻Rl (13)的一端相連，第二端與第I從設(shè)備14的SCL接口相連，第三端與主設(shè)備12的第I使能控制接口相連；
[0048]第2個(gè)N溝道MOSFET (15)的第一端分別與主設(shè)備12的SDA接口和電阻R2 (16)的一端相連，第二端與第I從設(shè)備14的SDA接口相連，第三端與主設(shè)備12的第I使能控制接口相連；
[0049]i的取值依此類推，當(dāng)i取值為M時(shí)，第2M-1個(gè)N溝道MOSFET (17)的一端分別與主設(shè)備12的SCL接口和電阻Rl (13)的一端相連，第二端與第M從設(shè)備18的SCL接口相連，第三端與主設(shè)備12的第M使能控制接口相連；
[0050]第2M個(gè)N溝道MOSFET (19)的第一端分別與主設(shè)備12的SDA接口和電阻R2 (16)的一端相連，第二端與第M從設(shè)備18的SDA接口相連，第三端與主設(shè)備12的第M使能控制接口相連；
[0051]當(dāng)i取盡I到M時(shí)，即可確認(rèn)一個(gè)主設(shè)備、M個(gè)從設(shè)備和2M個(gè)N溝道MOSFET的連接關(guān)系。
[0052]電阻Rl (13)和電阻R2 (16)的另一端均與第一直流電源110相連；
[0053]其中，第一直流電源110為主設(shè)備的工作電源，M、i均為自然數(shù)，上述SCL接口和SDA 接口均屬于兩線式串行接口 TWI (Two Wire Serial Interface)；
[0054]由上可見，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，每一個(gè)從設(shè)備均通過2個(gè)N溝道MOSFET與主設(shè)備相連，其中第i從設(shè)備通過第21-l個(gè)N溝道MOSFET和第2i個(gè)N溝道MOSFET與主設(shè)備相連；針對(duì)第i從設(shè)備，默認(rèn)情況下，第21-l個(gè)N溝道MOSFET和第2i個(gè)N溝道MOSFET的第一端與第二端間均不導(dǎo)通，此時(shí)主設(shè)備并不能和第i從設(shè)備進(jìn)行通信；當(dāng)主設(shè)備需和第i從設(shè)備進(jìn)行通信時(shí)，主設(shè)備將從第i使能控制接口輸出高電平，由于第21-l個(gè)N溝道MOSFET和第2i個(gè)N溝道MOSFET的第三端均與第i使能控制接口相連，因此此時(shí)第i使能控制接口所輸出的高電平將使第21-l個(gè)N溝道MOSFET和第2i個(gè)N溝道MOSFET的第一端與第二端均導(dǎo)通，從而使得主設(shè)備可與第i從設(shè)備進(jìn)行通信。
[0055]在本實(shí)用新型其它實(shí)施例中，如圖2所示，上述所有實(shí)施例中的裝置，還包括編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R3 ；
[0056]針對(duì)第i個(gè)電阻，i的取值介于I到M之間，且包括I和M:
[0057]第i個(gè)電阻R3的一端與第i使能控制接口、第2i_l個(gè)N溝道MOSFET的第三端和第2i個(gè)N溝道MOSFET的第三端所構(gòu)成的公共端相連，第i個(gè)電阻R3的另一端接地。
[0058]具體的，當(dāng)i取值為I時(shí)，第I個(gè)電阻R3 (21)的一端與第一使能控制接口、第I個(gè)N溝道MOSFET (11)的第三端和第2個(gè)N溝道MOSFET (15)的第三端所構(gòu)成的公共端相連，第I個(gè)電阻R3 (21)的另一端接地；
[0059]依次類推，當(dāng)i取值為M時(shí)，第M個(gè)電阻R3 (22)的一端與第M使能控制接口，第2M-1個(gè)N溝道MOSFET (17)的第三端和第2M個(gè)N溝道MOSFET (19)的第三端所構(gòu)成的公共端相連,第M個(gè)電阻R3 (22)的另一端接地。
[0060]當(dāng)i的取盡I至M時(shí)，即可確定M個(gè)R3與M個(gè)使能控制接口和2M個(gè)N溝道MOSFET的連接關(guān)系。
[0061]由上可見，2M個(gè)N溝道MOSFET均通過電阻R3接地。針對(duì)第i個(gè)從設(shè)備，當(dāng)主設(shè)備無需與第i個(gè)從設(shè)備進(jìn)行通信時(shí)，第21-l個(gè)N溝道MOSFET和第2i個(gè)N溝道MOSFET的第三端均被第i個(gè)電阻R3下拉到地，為低電平。因此，進(jìn)一步保證了當(dāng)主設(shè)備無需與第i個(gè)從設(shè)備進(jìn)行通信時(shí)，第21-l個(gè)N溝道MOSFET與第2i個(gè)N溝道MOSFET均不導(dǎo)通，進(jìn)而使得第i從設(shè)備不能與主設(shè)備進(jìn)行通信。
[0062]在本實(shí)用新型其它實(shí)施例中，上述所有實(shí)施例中的2M個(gè)N溝道MOSFET的第一端均為漏極、第二端均為源極、第三端均為柵極；
[0063]且上述裝置，還包括:編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R4和編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R5 ；
[0064]其中，針對(duì)第i個(gè)電阻R4，i的取值介于I至M之間，且包括I和M:
[0065]第i個(gè)電阻R4的一端分別與第i從設(shè)備的SCL接口和第2i_l個(gè)N溝道MOSFET的源極相連，第i個(gè)電阻R4的另一端與第二直流電源相連；
[0066]第i個(gè)電阻R5的一端分別與第i從設(shè)備的SDA接口和第2i個(gè)N溝道MOSFET的源極相連，第i個(gè)電阻R5的另一端與第二直流電源相連；
[0067]其中，第二直流電源為第i從設(shè)備的工作電源。
[0068]具體的，如圖3所示，第I個(gè)電阻R4 (31)的一端分別與第一從設(shè)備14的SCL接口和第I個(gè)N溝道MOSFET (11)的源極相連，第I個(gè)電阻R4 (31)的另一端與第二直流電源32相連；
[0069]第I個(gè)電阻R5 (33)的一端分別與第一從設(shè)備14的SDA接口和第2個(gè)N溝道MOSFET (15)的源極相連，第I個(gè)電阻R5 (33)的另一端與第二直流電源32相連；
[0070]依次類推，第M個(gè)電阻R4的(34)—端分別與第M從設(shè)備18的SCL接口和第2M-1個(gè)N溝道MOSFET (17)的源極相連，第M個(gè)電阻R4 (34)的另一端與第二直流電源32相連；[0071]第M個(gè)電阻R5 (35)的一端分別與第M從設(shè)備18的SDA接口和第2M個(gè)N溝道MOSFET (19)的源極相連，第M個(gè)電阻R5 (35)的另一端與第二直流電源32相連。
[0072]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，由于第一直流電源101為主設(shè)備12的工作電源，第二直流電源32為從設(shè)備的工作電源，且主設(shè)備通過上拉電阻Rl (13)和R2 (16)與第一直流電源110相連，從設(shè)備通過電阻R4和R5與第二直流電源32相連。這樣可以實(shí)現(xiàn)主設(shè)備和從設(shè)備之間不同供電電壓的TWI總線信號(hào)通信。
[0073]在本實(shí)用新型其它實(shí)施例中，上述所有實(shí)施例中的2M個(gè)N溝道MOSFET的第一端均為源極、第二端均為漏極、第三端均為柵極。
[0074]且上述裝置，還包括編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R4和編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R5 ;
[0075]其中，編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R4分別為第I電阻R4、第2電阻R4直至第M電阻R4;
[0076]具體的，針對(duì)第i個(gè)電阻R4，i取值介于I到M之間，且包括I和M:
[0077]第i個(gè)電阻R4的一端分別與第i個(gè)從設(shè)備的SCL接口和第2i_l個(gè)N溝道MOSFET的漏極相連，另一端與第二直流電源相連；
[0078]更具體的，如圖4所示，當(dāng)i取I時(shí)，第I個(gè)電阻R4 (31)的一端分別與第I從設(shè)備14的SCL接口和第I個(gè)N溝道MOSFET (11)的漏極相連，另一端與第二直流電源32相連；
[0079]依次類推，當(dāng)取M時(shí)，第M個(gè)電阻R4 (34)的一端分別與第M從設(shè)備18的SCL接口和第2M-1個(gè)N溝道MOSFET (17)的漏極相連，另一端與第二直流電源32相連。
[0080]當(dāng)i取盡I至M時(shí)，即可確認(rèn)M個(gè)電阻R4與主設(shè)備和M個(gè)N溝道MOSFET的連接關(guān)系。
[0081]具體的，編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R5分別為第I電阻R5、第2電阻R5直至第M電阻R5 ；
[0082]針對(duì)第i電阻R5，i的取值介于I至M之間，且包括I和M:
[0083]第i電阻R5的一端分別與第i從設(shè)備的SDA接口和第2i個(gè)N溝道MOSFET的漏極相連，另一端與第二直流電源相連；
[0084]更具體的，當(dāng)i取I時(shí)，第I電阻R5 (33)的一端分別與第I從設(shè)備14的SDA接口和第2個(gè)N溝道MOSFET (15)的漏極相連，另一端與第二直流電源32相連；
[0085]依次類推，當(dāng)i取M時(shí)，第M電阻R5 (35)的一端分別與第M從設(shè)備18的SDA接口和第2M個(gè)N溝道MOSFET (19)的漏極相連，另一端與第二直流電源32相連。
[0086]同樣，當(dāng)i取盡I至M時(shí)，即可確定M個(gè)R5與從設(shè)備和N溝道MOSFET的連接關(guān)系。
[0087]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，由于第一直流電源110為主設(shè)備的工作電源，第二直流電源32為從設(shè)備的工作電源，且主設(shè)備通過上拉電阻Rl (13)和R2 (16)與第一直流電源110相連，從設(shè)備通過電阻R4和R5與第二直流電源32相連。這樣，可以實(shí)現(xiàn)主設(shè)備和從設(shè)備之間不同供電電壓的TWI總線信號(hào)通信。
[0088]在本實(shí)用新型其它實(shí)施例中，上述所有實(shí)施例中的裝置，如圖3或圖4所示，還包括，編號(hào)I至2M的2M個(gè)二極管；
[0089]具體的，編號(hào)I至2M的二極管分別為第I 二極管、第2 二極管直至第2M 二極管；
[0090]針對(duì)第P個(gè)二極管，P的取值介于I至2M之間，且包括I和2M ;[0091]第P個(gè)二極管的陽(yáng)極與第P個(gè)N溝道MOSFET的源極相連，陰極與第P個(gè)N溝道MOSFET的漏極相連；
[0092]更具體的，當(dāng)i取I時(shí)，第I個(gè)二極管41的陽(yáng)極與第I個(gè)N溝道MOSFET (11)的源極相連，陰極與第I個(gè)N溝道MOSFET (11)的漏極相連；
[0093]依次類推，當(dāng)i取2M時(shí)，第2M個(gè)二極管42的陽(yáng)極與第2M個(gè)N溝道MOSFET (19)的源極相連，陰極與第2M個(gè)N溝道MOSFET (19)的漏極相連。
[0094]當(dāng)i取盡I至2M時(shí)，即可確認(rèn)2M個(gè)二極管與2M個(gè)N溝道MOSFET的連接關(guān)系。
[0095]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，在每個(gè)N溝道MOSFET的源極與漏極之間均加一個(gè)二極管，可以防止由于電流太大擊穿N溝道MOSFET，從而保護(hù)N溝道MOSFET。
[0096]本實(shí)用新型的裝置，可以應(yīng)用于具有主從設(shè)備通信的【技術(shù)領(lǐng)域】，例如在光纖通信中，如圖5所示，主設(shè)備Ul為TM4C1236H6PM芯片，從設(shè)備U2和U3為ATR-SlOD芯片，且Ul可以控制U2和U3進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換；
[0097]具體的，第I個(gè)N溝道MOSFET (Ql)的源極分別與電阻Rl的一端和Ul的SCL接口相連，漏極分別與U2的SCL接口和第I個(gè)電阻R4的一端相連，柵極分別與Ul的第I個(gè)使能控制接口和第I個(gè)電阻R3的一端相連，且其漏極與源極還通過二極管相連，其二極管的陽(yáng)極與源極相連，陰極與漏極相連；
[0098]第2個(gè)N溝道MOSFET (Q2)的源極分別與電阻R2的一端和Ul的SDA接口相連，漏極分別與U2的SDA接口和第I個(gè)電阻R5的一端相連，柵極分別與Ul的第I個(gè)使能控制接口和第I個(gè)電阻R3的一端相連，且其漏極與源極還通過二極管相連，其二極管的陽(yáng)極與源極相連，陰極與漏極相連；
[0099]第3個(gè)N溝道MOSFET (Q3)的源極分別與電阻Rl的一端和Ul的SCL接口相連，漏極分別與U3的SCL接口和第2個(gè)電阻R4的一端相連，柵極分別與Ul的第2個(gè)使能控制接口和第2個(gè)電阻R3的一端相連，且其漏極與源極還通過二極管相連，其二極管的陽(yáng)極與源極相連，陰極與漏極相連；
[0100]第4個(gè)N溝道MOSFET (Q4)的源極分別與電阻R2的一端和Ul的SDA接口相連，漏極分別與U3的SDA接口和第2個(gè)電阻R5的一端相連，柵極分別與Ul的第2個(gè)使能控制接口和第2個(gè)電阻R3的一端相連，且其漏極與源極還通過二極管相連，其二極管的陽(yáng)極與源極相連，陰極與漏極相連。
[0101]電阻R1、R2的另一端接3.3V的直流電壓，電阻R3另一端均接地，電阻R4、R5的另一端均接5V的直流電壓。
[0102]更具體的，電阻Rl、R2、R3、R4和R5的阻值可均為4.7ΚΩ，3.3V的直流電壓為Ul的工作電壓，5V的直流電壓為U2和U3的直流電壓；
[0103]在實(shí)際工作中，當(dāng)Ul與U2進(jìn)行TWI通信時(shí)，會(huì)通過第I使能控制接口輸出高電平，此時(shí)Ql和Q2的柵極為高電平，Ql和Q2導(dǎo)通，因此Ul和U2可以進(jìn)行通信，而此時(shí)Q3和Q4并未導(dǎo)通，Ul和U3并不可進(jìn)行通信。同理當(dāng)Ul與U3進(jìn)行TWI通信時(shí)，會(huì)通過第2使能控制接口輸出高電平，此時(shí)Q3和Q4的柵極為高電平，Q3和Q4導(dǎo)通，因此Ul和U3可以進(jìn)行通信，而此時(shí)Ql和Q2并未導(dǎo)通,Ul和U2并不可進(jìn)行通信。同時(shí)，由于Ul通過上拉電阻Rl和R2與3.3V的直流電壓相連，U2和U3通過上拉電阻R4和R5與5V的直流電壓相連，因此可以實(shí)現(xiàn)Ul與U2或U3之間不同供電電壓的TWI總線信號(hào)通信。[0104]同時(shí)，如圖6所示，當(dāng)Ul的第一使能控制接口(EnableO)為高電平時(shí)，Ul的TWI總線時(shí)序圖，可見Ul按照TWI總線協(xié)議(包括起始條件、命令及結(jié)束條件)正常輸出SCL和SDA串行信號(hào)，Ul和U2可進(jìn)行正常通信。
[0105]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于主從設(shè)備的通信裝置，其特征在于，包括:一個(gè)主設(shè)備、編號(hào)I至M的M個(gè)從設(shè)備和編號(hào)I至2M的2M個(gè)N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET ； 針對(duì)第i從設(shè)備，I ^ i = 第21-l個(gè)N溝道MOSFET的第一端分別與所述主設(shè)備的串行時(shí)鐘線SCL接口和電阻Rl的一端相連，第二端與所述第i從設(shè)備的SCL接口相連，第三端與所述主設(shè)備的第i使能控制接口相連； 第2i個(gè)N溝道MOSFET的第一端分別與所述主設(shè)備的串行數(shù)據(jù)線SDA接口和電阻R2的一端相連，第二端與所述第i從設(shè)備的SDA接口相連，第三端與所述主設(shè)備的第i使能控制接口相連； 所述電阻Rl和電阻R2的另一端均與第一直流電源相連； 其中，所述M、i均為自然數(shù)，所述SCL接口和SDA接口均屬于兩線式串行接口 TWI，且所述第一直流電源為所述主設(shè)備的工作電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R3; 針對(duì)第i個(gè)電阻R3，I大于i大于M: 所述第i個(gè)電阻R3的一端與所述第i使能控制接口、第2?-1個(gè)N溝道MOSFET的第三端和第2i個(gè)N溝道MOSFET的第三端的公共端相連，另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述N溝道MOSFET的第一端為漏極、第二端為源極、第三端為柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述 的裝置，其特征在于，還包括:編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R4和編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R5 ； 針對(duì)第i個(gè)電阻R4，I大于i大于M: 所述第i個(gè)電阻R4的一端分別與所述第i從設(shè)備的SCL接口和所述第21-l個(gè)N溝道MOSFET的源極相連，另一端與第二直流電源相連； 針對(duì)第i個(gè)電阻R5，I大于i大于M: 所述第i個(gè)電阻R5的一端分別與所述第i從設(shè)備的SDA接口和所述第2i個(gè)N溝道MOSFET的源極相連，另一端與所述第二直流電源相連； 其中，所述第二直流電源為第i從設(shè)備的工作電源。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述N溝道MOSFET的第一端為源極、第二端為漏極、第三端為柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，還包括:編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R4和編號(hào)I至M的M個(gè)電阻R5 ； 針對(duì)第i個(gè)電阻R4，I大于i大于M: 所述第i個(gè)電阻R4的一端分別與所述第i個(gè)從設(shè)備的SCL接口和所述第21-l個(gè)N溝道MOSFET的漏極相連，另一端與第二直流電源相連； 針對(duì)第i個(gè)電阻R5，I大于i大于M: 所述第i個(gè)電阻R5的一端分別與所述第i個(gè)從設(shè)備的SDA接口和所述第2i個(gè)N溝道MOSFET的漏極相連，另一端與所述第二直流電源相連； 其中，所述第二直流電源為第i從設(shè)備的工作電源。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的裝置，其特征在于，還包括:編號(hào)I至2M的2M個(gè)二極管；針對(duì)第P個(gè)二極管，P為自然數(shù)，且1≤P≤2M: 第P個(gè) 二極管的陽(yáng)極與第P個(gè)N溝道MOSFET的源極相連、陰極與所述第P個(gè)N溝道MOSFET的漏極相連。
【文檔編號(hào)】G06F13/40GK203376749SQ201320492553
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年8月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月13日
【發(fā)明者】羅衛(wèi)平 申請(qǐng)人:杭州威力克通信系統(tǒng)有限公司