一種音頻信號接收電路及移動(dòng)終端的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種音頻信號接收電路及移動(dòng)終端。所述音頻信號接收電路包括：音頻接口以及主控芯片，所述音頻接口的一個(gè)管腳通過音頻信號接收模塊與所述主控芯片的一個(gè)IO口連接，所述音頻接口的接地GND管腳與所述主控芯片的接地GND口連接，其中，所述音頻信號接收模塊包括前級信號處理器件以及與所述前級信號處理器件連接的后級信號處理器件。本實(shí)用新型通過在音頻接口和主控芯片之間連接音頻信號接收電路，通過音頻信號接收電路中的前級信號處理器件和后級信號處理器件將模擬信號轉(zhuǎn)化成數(shù)字信號，提高了信號的強(qiáng)度，同時(shí)便于信號被主控芯片識別，提高了解碼率。
【專利說明】一種音頻信號接收電路及移動(dòng)終端
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及于電子領(lǐng)域，尤其涉及到一種音頻信號接收電路及移動(dòng)終端。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的發(fā)展，手機(jī)終端越來越智能化，使得手機(jī)不單單是一個(gè)通信工具，更集成娛樂、網(wǎng)絡(luò)、便民服務(wù)等多功能應(yīng)用于一體，成為日常生活中不可缺少的工具，近來實(shí)現(xiàn)的手機(jī)音頻通信使手機(jī)通信功能再度增加?，F(xiàn)在越來越多的應(yīng)用可以通過手機(jī)音頻口與外接設(shè)備通信。
[0003]現(xiàn)有的技術(shù)中，采用手機(jī)內(nèi)部產(chǎn)生的信號直接傳送給主控芯片，主控芯片根據(jù)收到波形的高低變化判斷出數(shù)據(jù)比特I和數(shù)據(jù)比特O。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)方案中，本 申請人:發(fā)現(xiàn)如下技術(shù)問題:
[0005]現(xiàn)有的技術(shù)方案中如果單純的采用手機(jī)內(nèi)部產(chǎn)生的信號直接傳送給主控芯片，信號的識別度很低，而且信號強(qiáng)度也很低，主控芯片很難識別，解碼率就會(huì)下降。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]針對相關(guān)技術(shù)中的問題，本實(shí)用新型提出一種音頻信號接收電路及移動(dòng)終端，用于解決移動(dòng)終端外接音頻設(shè)備的音頻信號接牧問題。
[0007]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0008]本實(shí)用新型提供了一種音頻信號接收電路，該音頻信號接收電路包括:音頻接口以及主控芯片，所述音頻接口的一個(gè)管腳通過音頻信號接收模塊與所述主控芯片的一個(gè)IO口連接，所述音頻接口的接地GND管腳與所述主控芯片的接地GND 口連接，其中，所述音頻信號接收模塊包括前級信號處理器件以及與所述前級信號處理器件連接的后級信號處理器件。
[0009]可選擇的，所述前級信號處理器件可以為三極管或MOS管，所述后級信號處理器件可以為三極管或MOS管。
[0010]優(yōu)選的，所述前級信號處理器件和后級信號處理器件分別為三極管Ql和三極管Q2，其中，所述三極管Ql的基極串聯(lián)電阻R2、電容Cl后與所述音頻接口的管腳連接；所述三極管Ql的基極串聯(lián)電阻R3后與電源VCC連接，所述三極管Ql的基極與電阻R4串聯(lián)后連接接地GND ;所述三極管Ql的集電極與電阻R5串聯(lián)后與電源VCC連接，所述三極管Ql的發(fā)射極與接地GND連接；所述三極管Q2的基極與所述電阻R5串聯(lián)后與電源VCC連接，所述三極管Q2的集電極與電阻R6串聯(lián)后與所述電源VCC連接，且所述三極管Q2的集電極與所述主控芯片的IO 口連接，所述三極管Q2的發(fā)射極與接地GND連接，所述音頻信號接收模塊還包括:串聯(lián)在音頻接口和接地GND連接線之間的電阻Rl。
[0011]優(yōu)選的，所述電阻R1、電阻R4、三極管Ql的發(fā)射極以及三極管Q2的發(fā)射極與所述主控芯片的接地GND 口連接。
[0012]優(yōu)選的，所述首頻接口為首頻插頭或首頻插座。[0013]本實(shí)用新型另一方面提供了 一種移動(dòng)終端，包括上述任一種音頻信號接收電路。
[0014]本實(shí)用新型通過在音頻接口和主控芯片之間連接音頻信號接收電路，通過音頻信號接收電路中的前級信號處理器件和后級信號處理器件將模擬信號轉(zhuǎn)化成數(shù)字信號，提高了信號的強(qiáng)度，同時(shí)便于信號被主控芯片識別，提高了解碼率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的音頻信號接收電路的原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0018]如圖1所示，圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的音頻信號接收電路的原理圖。
[0019]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，提供了一種音頻信號接收電路，該音頻信號接收電路包括:音頻接口以及主控芯片，音頻接口的一個(gè)管腳通過音頻信號接收模塊與主控芯片的一個(gè)IO 口連接，音頻接口的接地GND管腳與主控芯片的接地GND 口連接，其中，音頻信號接收模塊包括前級信號處理器件以及與前級信號處理器件連接的后級信號處理器件。
[0020]在上述實(shí)施中，主控芯片包含有多個(gè)IO 口，音頻接口的管腳I可以與主控芯片的任一個(gè)IO連接，管腳2和主控芯片的接地GND 口連接，并且在連接的電路上設(shè)置有音頻信號接收模塊。在該音頻信號接收模塊中，設(shè)置有一個(gè)前級信號處理器件和一個(gè)與前級信號處理器件連接的后極信號處理器件，通過前級信號處理器件和后極信號處理器件將音頻接口的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，提高了信號的強(qiáng)度，同時(shí)便于信號被主控芯片識別，提高了解碼率。
[0021]在上述實(shí)施例中，前級信號處理器件和后級信號處理器件可以選用不同的電器件，如:前級信號處理器件可以為三極管或MOS管，后級信號處理器件可以為三極管或MOS管，上述選擇包含以下幾種情況:前級信號處理器件為三極管，后級信號處理器件為三極管或MOS管；前級信號處理器件為MOS管,后級信號處理器件為三極管或MOS管。下面以前級信號處理器件和后級信號處理器件同為三極管時(shí)為例對音頻信號接收電路進(jìn)一步進(jìn)行說明。
[0022]繼續(xù)參考圖1，前級信號處理器件和后級信號處理器件分別為三極管Ql和三極管Q2，其中，三極管Ql的基極串聯(lián)電阻R2、電容Cl后與音頻接口的管腳連接；三極管Ql的基極串聯(lián)電阻R3后與電源VCC連接，三極管Ql的基極與電阻R4串聯(lián)后連接接地GND ;三極管Ql的集電極與電阻R5串聯(lián)后與電源VCC連接，三極管Ql的發(fā)射極與接地GND連接；三極管Q2的基極與電阻R5串聯(lián)后與電源VCC連接，三極管Q2的集電極與電阻R6串聯(lián)后與電源VCC連接，且三極管Q2的集電極與主控芯片的IO 口連接，三極管Q2的發(fā)射極與接地GND連接，音頻信號接收模塊還包括:串聯(lián)在音頻接口和接地GND連接線之間的電阻Rl。
[0023]音頻接口提供的模擬的音頻信號為波峰時(shí)電容Cl充電，此時(shí)加在三極管Ql的基極的電壓升高，三極管Ql導(dǎo)通，同時(shí)三極管Ql打開，三極管Ql的集電極電壓下降從而使得三極管Q2截止，此時(shí)，三極管Q2集電極信號輸出為高，在音頻接口提供的模擬信號在下降沿時(shí)電容Cl進(jìn)行放電，此時(shí)加在三極管Ql的基極的電壓降低，使得三極管Ql截止。同時(shí)導(dǎo)致三極管Ql的集電極電壓升高，三極管Q2導(dǎo)通，此時(shí)，三極管Q2的集電極信號輸出為低。三極管Ql通過接收到的模擬信號的高低來打開或關(guān)閉，從而使得三極管Q2的集電極輸出對應(yīng)的信號，將模擬信號轉(zhuǎn)化成數(shù)字信號傳輸?shù)街骺匦酒小?br> [0024]在上述實(shí)施中，電阻R1、電阻R4、三極管Ql的發(fā)射極以及三極管Q2的發(fā)射極均接地，為了進(jìn)一步簡化電路，其中，電阻R1、電阻R4、三極管Ql的發(fā)射極以及三極管Q2的發(fā)射極與主控芯片的接地GND 口連接。
[0025]在前級信號處理器件和后級信號處理器件選用三極管或MOS管時(shí)，其工作原理與上述實(shí)施例中的工作原理相同，在此不再一一贅述。
[0026]在上述實(shí)施例中的首頻接口為首頻插頭或首頻插座。
[0027]本實(shí)用新型另一方面提供了一種移動(dòng)終端，包括上述任一種音頻信號接收電路。該移動(dòng)終端可以為手機(jī)、平板電腦等常見的移動(dòng)終端，可以將模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，提高了信號的強(qiáng)度，同時(shí)便于信號被主控芯片識別，提高了解碼率。
[0028]綜上所述，借助于本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案，通過采用前級信號處理器件和后級信號處理器件可以實(shí)現(xiàn)將模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，提高了信號的強(qiáng)度，同時(shí)便于信號被主控芯片識別，提高了解碼率。
[0029]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種音頻信號接收電路，其特征在于，包括音頻接口以及主控芯片，所述音頻接口的一個(gè)管腳通過音頻信號接收模塊與所述主控芯片的一個(gè)IO 口連接，所述音頻接口的接地GND管腳與所述主控芯片的接地GND 口連接，其中，所述音頻信號接收模塊包括前級信號處理器件以及與所述前級信號處理器件連接的后級信號處理器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的音頻信號接收電路，其特征在于，所述前級信號處理器件可以為三極管或MOS管，所述后級信號處理器件可以為三極管或MOS管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的音頻信號接收電路，其特征在于，所述前級信號處理器件和后級信號處理器件分別為三極管Ql和三極管Q2，其中，所述三極管Ql的基極串聯(lián)電阻R2、電容Cl后與所述音頻接口的管腳連接；所述三極管Ql的基極串聯(lián)電阻R3后與電源VCC連接，所述三極管Ql的基極與電阻R4串聯(lián)后連接接地GND ;所述三極管Ql的集電極與電阻R5串聯(lián)后與電源VCC連接，所述三極管Ql的發(fā)射極與接地GND連接；所述三極管Q2的基極與所述電阻R5串聯(lián)后與電源VCC連接，所述三極管Q2的集電極與電阻R6串聯(lián)后與所述電源VCC連接，且所述三極管Q2的集電極與所述主控芯片的IO 口連接，所述三極管Q2的發(fā)射極與接地GND連接，所述音頻信號接收模塊還包括:串聯(lián)在音頻接口和接地GND連接線之間的電阻Rl。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的音頻信號接收電路，其特征在于，所述電阻R1、電阻R4、三極管Ql的發(fā)射極以及三極管Q2的發(fā)射極與所述主控芯片的接地GND 口連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的音頻信號接收電路，其特征在于，所述音頻接口為首頻插頭或首頻插座。
6.一種移動(dòng)終端，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的音頻信號接收電路。
【文檔編號】G06F3/16GK203457143SQ201320570754
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月13日
【發(fā)明者】譚云龍, 黃珺 申請人:北京大明五洲科技有限公司