具有橋接力敏電阻器的觸摸屏的制作方法
【專利摘要】一種觸摸傳感器包含實(shí)質(zhì)上沒(méi)有氣隙的數(shù)字電阻性觸摸DRT傳感器架構(gòu)。所述DRT觸摸傳感器在行及列電極的陣列上包含力敏電阻器FSR材料層。所述電極可形成在實(shí)質(zhì)上透明的襯底上。在每一行及列的相交點(diǎn)附近，一或多個(gè)薄的透明圖案化傳導(dǎo)橋位于所述FSR上方。當(dāng)將力施加于所述觸摸傳感器的所述傳導(dǎo)橋或表面上時(shí)，所述傳導(dǎo)橋經(jīng)配置以用于與行及列電極電連接。一些觸摸傳感器可包含DRT及投射式電容性觸摸PCT功能性兩者。
【專利說(shuō)明】具有橋接力敏電阻器的觸摸屏
[0001] 優(yōu)先權(quán)豐張
[0002] 本申請(qǐng)案主張名為"具有橋接力敏電阻器的觸摸屏（TOUCHSCREEN WITH BRIDGED FORCE-SENSITIVE RESISTORS) "且在2012年4月23日申請(qǐng)的第13/453, 923號(hào)美國(guó)專利申 請(qǐng)案（代理人案號(hào)為QUALP131/120231)的優(yōu)先權(quán)，所述申請(qǐng)案以引用的方式并入本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明涉及顯示裝置，包含（但不限于）并有觸摸屏的顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0004] 機(jī)電系統(tǒng)（EMS)包含具有電氣及機(jī)械元件、致動(dòng)器、換能器、傳感器、光學(xué)組件（例 如，鏡子）及電子器件的裝置。EMS可以多種尺度來(lái)制造，包含（但不限于）微尺度及納米 尺寸。舉例來(lái)說(shuō)，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS)裝置可包含具有范圍自約一微米到幾百微米或更多的 大小的結(jié)構(gòu)。納機(jī)電系統(tǒng)（NEMS)裝置可包含具有小于微米的大小的結(jié)構(gòu)，包含（例如）小 于幾百納米的大小。機(jī)電元件可使用沉積、蝕刻、光刻、及/或蝕刻掉襯底及/或所沉積材 料層的部分、或添加層以形成電氣及機(jī)電裝置的其它微機(jī)械加工工藝來(lái)產(chǎn)生。
[0005] -種類型的EMS裝置稱作干涉調(diào)制器（MOD)。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)MOD或干涉 光調(diào)制器指使用光學(xué)干涉原理的選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在一些實(shí)施方案中， IMOD可包含一對(duì)傳導(dǎo)板，其中一者或兩者可完全或部分為透明及/或反射的，且能夠在施 加適當(dāng)電信號(hào)時(shí)相對(duì)運(yùn)動(dòng)。在一實(shí)施方案中，一個(gè)板可包含沉積在襯底上的固定層，且另一 板可包含與所述固定層分離氣隙的反射薄膜。一個(gè)板相對(duì)于另一板的位置可改變?nèi)肷溆?MOD上的光的光學(xué)干涉。頂OD裝置具有廣泛范圍的應(yīng)用，且預(yù)期用于改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品且產(chǎn)生 新產(chǎn)品，尤其是具有顯示能力的產(chǎn)品。
[0006] 可使用光手指用于觸摸輸入的用于多點(diǎn)觸摸應(yīng)用的成功觸摸屏實(shí)施方案平衡了 包含以下各項(xiàng)的度量：每個(gè)手指的每個(gè)觸摸的檢測(cè)（在一些實(shí)施方案中多達(dá)10個(gè)獨(dú)立觸 摸）、光學(xué)性能（包含在整體發(fā)射以及光學(xué)假影方面的基礎(chǔ)顯示的圖像質(zhì)量的降級(jí)）、功率 消耗、刷新速率、機(jī)械穩(wěn)固性、零觸發(fā)力、手掌誤觸、線性及分辨率。在大多數(shù)情況下，觸摸屏 放置在顯示器與用戶之間，其必須為實(shí)質(zhì)上透明的且光學(xué)無(wú)缺陷的傳感器。廣泛用于多點(diǎn) 觸摸、投射式電容性觸摸（PCT)技術(shù)的觸摸屏的類型大體滿足上述準(zhǔn)則。
[0007] 然而，PCT技術(shù)對(duì)于觸控筆應(yīng)用并非完全令人滿意的，其常常使用小直徑觸控筆尖 端用于輸入。觸控筆尖端可為大約直徑1mm。觸控筆應(yīng)用需要用具有較高空間分辨率（大 約0. 5mm)及非零觸發(fā)力的Imm觸控筆來(lái)檢測(cè)用戶接口上的所有觸控筆觸摸，且可另外需要 與傳導(dǎo)及非傳導(dǎo)尖端的觸控筆的兼容性。值得懷疑的是PCT是否能將其能力擴(kuò)展到顯著較 高的分辨率（例如〇. 〇5mm)，是否需要其用于例如指紋檢測(cè)的未來(lái)應(yīng)用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置各自具有若干創(chuàng)新方面，所述方面中沒(méi)有單個(gè)一者單 獨(dú)地負(fù)責(zé)本文所揭示的所需要的屬性。
[0009] 本發(fā)明中所述的標(biāo)的物的一個(gè)創(chuàng)新方面可實(shí)施于包含觸摸傳感器的設(shè)備中。所述 種觸摸傳感器可包含實(shí)質(zhì)上沒(méi)有氣隙的數(shù)字電阻性觸摸（DRT)傳感器架構(gòu)。所述DRT觸摸 傳感器可在行及列電極的陣列上包含力敏電阻器（FSR)材料層。電極可形成在實(shí)質(zhì)上透 明襯底上。在每一行及列的相交點(diǎn)，薄的透明圖案化傳導(dǎo)橋可位于FSR上方。當(dāng)將力施加 于所述觸摸傳感器的所述傳導(dǎo)橋或表面上時(shí)，所述傳導(dǎo)橋可經(jīng)配置用于與行及列電極電連 接。一些觸摸傳感器可包含DRT及PCT功能性兩者。
[0010] 本發(fā)明中所述的標(biāo)的物的另一創(chuàng)新方面可實(shí)施于觸摸傳感器設(shè)備中，其包含襯 底、安置在所述襯底上的多個(gè)第一電極、安置在多個(gè)第一電極上的介電層、安置在介電層上 的多個(gè)第二電極、安置在介電層上且經(jīng)配置用于經(jīng)由形成在介電層中的通孔而與第一電極 電通信的多個(gè)中間導(dǎo)體、安置在第二電極及中間導(dǎo)體上的FSR材料層、以及安置在FSR材料 上的多個(gè)傳導(dǎo)橋。傳導(dǎo)橋中的每一者可安置在中間導(dǎo)體中的至少一者上方。當(dāng)將力施加到 FSR材料時(shí)，F(xiàn)SR材料可經(jīng)配置以在所述傳導(dǎo)橋中的一者、所述第二電極中的一者及所述中 間導(dǎo)體中的一者之間形成至少一個(gè)實(shí)質(zhì)上垂直的電連接。所述設(shè)備可包含安置在所述中間 導(dǎo)體中的一者與所述第一電極中的一者之間的固定電阻器。
[0011] 在一些實(shí)施方案中，襯底可為實(shí)質(zhì)上透明的。然而，在其它實(shí)施方案中，襯底可為 半透明的或不透明的。
[0012] 所述傳導(dǎo)橋可形成為島狀物、分段條帶、曲線條紋、曲線分段、菱形形狀、中空幾何 形狀或框架幾何形狀中的至少一者。傳導(dǎo)橋中的至少一些可至少部分安置在所述第二電極 中的一者的上方。然而，所述設(shè)備可包含傳導(dǎo)橋之間的至少部分暴露第一電極及第二電極 的PCT區(qū)域的開(kāi)放區(qū)。觸摸傳感器設(shè)備可經(jīng)配置以用于實(shí)現(xiàn)第一電極與第二電極之間的互 電容的改變的測(cè)量。所述第一電極或所述第二電極中的至少一者可在所述暴露PCT區(qū)域中 包含傳導(dǎo)部分。
[0013] 第一電極、第二電極及/或中間導(dǎo)體可包含分支。所述分支可形成為L(zhǎng)形、螺旋形 或叉指型形狀中的至少一者。中間導(dǎo)體分支可與第一電極分支或第二電極分支交錯(cuò)。
[0014] 第一電極、中間導(dǎo)體及/或第二電極可至少部分由實(shí)質(zhì)上透明傳導(dǎo)的材料形成。 然而，在一些實(shí)施方案中，所述第一電極及/或所述第二電極的至少一部分可由金屬形成。 在一些實(shí)施方案中，所述第一電極或所述第二電極可包含實(shí)質(zhì)上透明傳導(dǎo)材料及傳導(dǎo)金 屬。
[0015] 所述設(shè)備可包含安置在所述傳導(dǎo)橋及所述FSR材料上方的力散布層。在一些此類 實(shí)施方案中，所述設(shè)備可包含額外的柔性材料層。
[0016] 所述設(shè)備可包含安置在所述FSR材料與所述傳導(dǎo)橋、所述中間導(dǎo)體、所述第二電 極、柔性層、介電層及/或力散布層中的至少一者之間的傳導(dǎo)粘合材料。傳導(dǎo)粘合材料可為 實(shí)質(zhì)上透明的。
[0017] 第二電極可包含行電極及列電極。第一電極可包含經(jīng)配置以沿著行電極及/或列 電極形成電連接的跳線。
[0018] 所述設(shè)備可包含顯示器及經(jīng)配置以與所述顯示器通信的處理器。處理器可經(jīng)配置 以處理圖像數(shù)據(jù)。所述設(shè)備還可包含經(jīng)配置以與所述處理器通信的存儲(chǔ)器裝置。所述設(shè)備 可包含經(jīng)配置以發(fā)送至少一個(gè)信號(hào)到顯示器的驅(qū)動(dòng)器電路及經(jīng)配置以發(fā)送圖像數(shù)據(jù)的至 少一部分到驅(qū)動(dòng)器電路的控制器。所述設(shè)備還可包含經(jīng)配置以發(fā)送圖像數(shù)據(jù)到處理器的圖 像源模塊。圖像源模塊可包含接收器、收發(fā)器及/或發(fā)射器。
[0019] 所述設(shè)備可包含輸入裝置，其經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)及將所述輸入數(shù)據(jù)傳達(dá)到所 述處理器。所述設(shè)備還可包含經(jīng)配置用于與處理器通信的觸摸控制器以及經(jīng)配置用于將所 述第一電極或所述第二電極中的至少一者連接到所述觸摸控制器的布線。
[0020] 本發(fā)明中所述的標(biāo)的物的另一創(chuàng)新方面可實(shí)施于制造觸摸傳感器設(shè)備的方法中。 所述方法可涉及在襯底上形成多個(gè)第一電極，在多個(gè)第一電極上形成介電層及在介電層中 形成通孔。所述方法還可涉及在介電層上形成多個(gè)第二電極及在介電層上形成多個(gè)中間導(dǎo) 體。中間導(dǎo)體可經(jīng)配置以用于經(jīng)由通孔與第一電極電通信。
[0021] 所述方法可涉及在第二電極及中間導(dǎo)體上安置各向異性FSR材料層，及在FSR材 料上形成多個(gè)傳導(dǎo)橋。傳導(dǎo)橋中的每一者可安置在中間導(dǎo)體中的至少一者上方。當(dāng)將力施 加到FSR材料時(shí)，F(xiàn)SR材料可經(jīng)配置以在所述傳導(dǎo)橋中的一者、所述第二電極中的一者及所 述中間導(dǎo)體中的一者之間形成至少一個(gè)實(shí)質(zhì)上垂直的電連接。所述方法還可涉及在所述中 間導(dǎo)體中的一者與所述第一電極中的一者之間安置固定電阻器。
[0022] 所述方法可涉及形成所述傳導(dǎo)橋中的一些以在所述第二電極中的至少一者上方 延伸。然而，可在傳導(dǎo)橋之間形成至少部分暴露第一電極及第二電極的PCT區(qū)域的開(kāi)放區(qū)。 所述方法還可涉及配置所述觸摸傳感器設(shè)備以用于測(cè)量第一電極與第二電極之間的互電 容的改變。所述第一電極及/或所述第二電極可在所述暴露PCT區(qū)域中包含傳導(dǎo)部分。所 述傳導(dǎo)部分至少部分可由傳導(dǎo)金屬形成。
[0023] 所述設(shè)備還可包含顯示器及經(jīng)配置以與所述顯示器通信的處理器。處理器可經(jīng)配 置以處理圖像數(shù)據(jù)。所述設(shè)備還可包含經(jīng)配置以與所述處理器通信的存儲(chǔ)器裝置。所述設(shè) 備可包含經(jīng)配置以發(fā)送至少一個(gè)信號(hào)到顯示器的驅(qū)動(dòng)器電路及經(jīng)配置以發(fā)送圖像數(shù)據(jù)的 至少一部分到驅(qū)動(dòng)器電路的控制器。所述設(shè)備可包含經(jīng)配置以發(fā)送圖像數(shù)據(jù)到處理器的圖 像源模塊。圖像源模塊可包含接收器、收發(fā)器及發(fā)射器中的至少一者。所述設(shè)備可包含輸 入裝置，其經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)及將所述輸入數(shù)據(jù)傳達(dá)到所述處理器。所述設(shè)備可包含 經(jīng)配置用于與處理器通信的觸摸控制器及經(jīng)配置用于連接觸摸傳感器電極與觸摸控制器 的布線。
[0024] 在附圖及以下描述中陳述本說(shuō)明書(shū)中所述的標(biāo)的物的一或多個(gè)實(shí)施方案的細(xì)節(jié)。 盡管本
【發(fā)明內(nèi)容】
中提供的實(shí)例主要關(guān)于基于MEMS的顯示器來(lái)描述，但本文所提供非概念 可適用于其它類型的顯示器，例如液晶顯示器（LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)顯示器、電泳 顯示器及場(chǎng)發(fā)射顯示器。其它特征、方面及優(yōu)點(diǎn)將從描述、圖式及權(quán)利要求書(shū)變得顯而易 見(jiàn)。請(qǐng)注意以下圖式的相對(duì)尺寸可未按比例繪制。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025] 圖1展示描繪在干涉調(diào)制器（IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個(gè)相鄰像素的 等角視圖的實(shí)例。
[0026] 圖2展示說(shuō)明并入3X3M0D顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。
[0027] 圖3展示說(shuō)明可移動(dòng)反射層位置對(duì)圖1的IMOD的所施加電壓的圖的實(shí)例。
[0028] 圖4展示說(shuō)明當(dāng)施加各種公共及分段電壓時(shí)的IMOD的各種狀態(tài)的表格的實(shí)例。
[0029] 圖5A展示說(shuō)明圖2的3X3M0D顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖的實(shí)例。
[0030] 圖5B展示可用以寫(xiě)入圖5A中所說(shuō)明的顯示數(shù)據(jù)的幀的公共及分段信號(hào)的時(shí)序圖 的實(shí)例。
[0031] 圖6A展示圖1的IMOD顯示器的部分橫截面的實(shí)例。
[0032] 圖6B-6E展示MOD的不同實(shí)施方案的橫截面的實(shí)例。
[0033] 圖7展示說(shuō)明IMOD的制造過(guò)程的流程圖的實(shí)例。
[0034] 圖8A-8E展示制造 MOD的方法中的各階段的橫截面示意說(shuō)明的實(shí)例。
[0035] 圖9展示穿過(guò)觸摸傳感器實(shí)施方案的橫截面的實(shí)例。
[0036] 圖10展示圖9的觸摸傳感器的部分的平面圖的實(shí)例。
[0037] 圖11A-11C展示替代傳導(dǎo)橋配置的實(shí)例。
[0038] 圖12A-12C展示替代中間導(dǎo)體配置的實(shí)例。
[0039] 圖13展示穿過(guò)在中間導(dǎo)體與電極之間包含固定電阻器的觸摸傳感器的橫截面的 實(shí)例。
[0040] 圖14展示穿過(guò)具有暴露的投射式電容性觸摸區(qū)域的觸摸傳感器的橫截面的實(shí) 例。
[0041] 圖15展示圖14的觸摸傳感器的部分的平面圖的實(shí)例。
[0042] 圖16展示穿過(guò)具有中間導(dǎo)體分支及電極分支的觸摸傳感器的橫截面的實(shí)例。
[0043] 圖17展示圖16的觸摸傳感器的部分的平面圖的實(shí)例。
[0044] 圖18展示穿過(guò)具有經(jīng)配置以在電極行或列的部分之間形成電連接的跳線的觸摸 傳感器的橫截面的實(shí)例。
[0045] 圖19展示圖18的觸摸傳感器的部分的平面圖的實(shí)例。
[0046] 圖20展示穿過(guò)具有柔性層及力散布層的觸摸傳感器的橫截面的實(shí)例。
[0047] 圖21展示說(shuō)明用于觸摸傳感器裝置的制造過(guò)程的流程圖的實(shí)例。
[0048] 圖22A及22B展示說(shuō)明包含如本文描述的觸摸傳感器的顯示裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí) 例。
[0049] 各圖式中的相同參考標(biāo)號(hào)及名稱指示相同元件。

【具體實(shí)施方式】
[0050] 以下描述是針對(duì)用于描述本發(fā)明的創(chuàng)新方面的目的的某些實(shí)施方案。然而，所屬 領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易認(rèn)識(shí)到可以大量不同方式來(lái)應(yīng)用本文的教示?？蓪⑺枋鰧?shí)施方 案實(shí)施于可經(jīng)配置以顯示圖像的任何裝置或系統(tǒng)中，所述圖像無(wú)論是運(yùn)動(dòng)的（例如，視頻） 還是固定的（例如，靜止圖像）及無(wú)論是文字、圖形還是圖片的。更具體來(lái)說(shuō)，預(yù)期所描述 實(shí)施方案可包含在多種電子裝置中或與其相關(guān)聯(lián)，例如（但不限于）：移動(dòng)電話、啟用多媒 體因特網(wǎng)的蜂窩式電話、移動(dòng)電視接收器、無(wú)線裝置、智能電話、裝置、個(gè)人數(shù)據(jù) 助理（PDA)、無(wú)線電子郵件接收器、手持式或便攜式計(jì)算機(jī)、迷你筆記型計(jì)算機(jī)、筆記型計(jì) 算機(jī)、智能本、平板計(jì)算機(jī)、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、掃描儀、傳真裝置、GPS、接收器/導(dǎo)航器、相機(jī)、 MP3播放器、攝錄像機(jī)、游戲控制臺(tái)、腕表、時(shí)鐘、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀 裝置（即，電子閱讀器）、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器（包含里程表及速度計(jì)顯示器等）、駕 駛艙控制件及/或顯示器、攝像機(jī)視圖顯示器（例如，車輛中的后視攝像機(jī)的顯示器）、電子 照片、電子廣告板或符號(hào)、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波爐、冰箱、立體聲系統(tǒng)、盒式磁帶記錄器或 播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、無(wú)線電、便攜式存儲(chǔ)芯片、洗衣機(jī)、烘干機(jī)、洗衣機(jī)/烘 干機(jī)、停車計(jì)時(shí)器、封裝（例如在機(jī)電系統(tǒng)（EMS)、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS)及非MEMS應(yīng)用中）、 審美結(jié)構(gòu)（例如，一件珠寶的圖像顯示）及多種EMS裝置。本文的教示還可用于非顯示應(yīng) 用中，例如（但不限于）電子開(kāi)關(guān)裝置、射頻濾波器、傳感器、加速度計(jì)、回轉(zhuǎn)儀、運(yùn)動(dòng)感測(cè)裝 置、磁力計(jì)、用于消費(fèi)型電子裝置的慣性組件、消費(fèi)型電子產(chǎn)品的零件、變?nèi)荻O管、液晶裝 置、電泳裝置、傳動(dòng)方案、制造過(guò)程及電子測(cè)試設(shè)備。因此，所述教示并不意圖限于僅在圖式 中描繪的實(shí)施方案，而是替代具有如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易顯而易見(jiàn)的廣泛適用性。
[0051] 根據(jù)本文提供的一些實(shí)施方案，觸摸傳感器可包含實(shí)質(zhì)上沒(méi)有氣隙的的DRT傳感 器架構(gòu)。DRT觸摸傳感器可在行及列電極的陣列上包含一層FSR材料。電極可形成在實(shí)質(zhì) 上透明襯底上。在每一行及列的相交點(diǎn)，薄的透明圖案化傳導(dǎo)橋可位于FSR上方。當(dāng)將力施 加于觸摸傳感器的傳導(dǎo)橋或表面上時(shí)，所述橋可經(jīng)配置用于與行電極及列電極電連接。一 些實(shí)施方案可在中間導(dǎo)體與行電極之間包含固定電阻器。一些觸摸傳感器實(shí)施方案可包含 所述行及列電極的暴露的投射式電容性觸摸區(qū)域。觸摸傳感器可包含安置在傳導(dǎo)橋及FSR 層的部分上的柔性層及/或力散布層。在一些實(shí)施方案中，橋接FSR觸摸傳感器的DRT方 面可允許檢測(cè)觸控筆尖端抵靠按壓傳感器用于手寫(xiě)輸入，而PCT方面可允許從手指的快速 滑移或滑動(dòng)來(lái)檢測(cè)輕觸摸或緊密接近。
[0052] 可實(shí)施本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的特定實(shí)施方案以實(shí)現(xiàn)以下潛在優(yōu)點(diǎn)中的一或 多者。一些觸摸傳感器實(shí)施方案實(shí)現(xiàn)高的空間分辨率及檢測(cè)觸控筆輸入，不管觸控筆在觸 摸傳感器上的位置如何。一些實(shí)施方案減輕了圖像質(zhì)量問(wèn)題，例如透明度及光學(xué)假影。一 些實(shí)施方案可放松圖案化層壓層與圖案化襯底之間的對(duì)準(zhǔn)公差。舉例來(lái)說(shuō)，經(jīng)布置為相對(duì) 于相鄰的行或列之間的距離較小的島狀物的傳導(dǎo)橋允許廣泛范圍的對(duì)準(zhǔn)位置及定向。
[0053] -些實(shí)施方案僅提供DRT感測(cè)，而其它實(shí)施方案可提供投射式電容性觸摸（PCT) 及DRT感測(cè)兩者。用于檢測(cè)輕觸摸的PCT能力可通過(guò)確保所述行及/或列電極的一些部分 延伸超過(guò)傳導(dǎo)橋而實(shí)現(xiàn)。
[0054] 為了最小化相鄰感測(cè)元件之間的串?dāng)_，F(xiàn)SR材料可為電性各向異性的，具有橫向很 低的傳導(dǎo)性（低于實(shí)質(zhì)上所有方向）及垂直方向上高的傳導(dǎo)性（當(dāng)經(jīng)受機(jī)械力時(shí)）。一或 多個(gè)保護(hù)性、實(shí)質(zhì)上柔性及實(shí)質(zhì)上透明層可定位于FSR層上方，不僅用于保護(hù)而且用以在 較大區(qū)域上散布觸摸的力以便增強(qiáng)檢測(cè)。為幫助區(qū)分多個(gè)同時(shí)觸摸或觸控筆接觸，可在每 一感測(cè)元件或"感測(cè)點(diǎn)（sensei)"處形成與FSR材料串聯(lián)的固定電阻器。本文所述的各種 實(shí)施方案可與基本上所有顯示技術(shù)兼容，包含（但不限于）LCD、0LED、陰極射線管（CRT)、電 泳顯示器（EPD)及干涉調(diào)制器（IMOD)及、任選地具有正面照明或后面照明的顯示器。
[0055] 所描述實(shí)施方案可應(yīng)用的合適EMS或MEMS裝置的實(shí)例為反射顯示裝置。反射顯示 裝置可并入MOD以使用光學(xué)干涉的原理來(lái)選擇性吸收及/或反射入射于其上的光。頂OD可 包含吸收體、可相對(duì)于吸收體移動(dòng)的反射體、及界定于吸收體與反射體之間的光學(xué)共振腔。 反射體可移動(dòng)到兩個(gè)或兩個(gè)以上不同位置，其可改變光學(xué)共振腔的大小且因此影響頂OD 的反射率。頂OD的反射光譜可產(chǎn)生相當(dāng)寬廣的頻帶，其可跨越可見(jiàn)波場(chǎng)移位以產(chǎn)生不同的 色彩。頻帶的位置可通過(guò)改變光學(xué)共振腔的厚度，即通過(guò)改變反射體的位置來(lái)調(diào)整。
[0056] 圖1展示描繪在IMOD顯示裝置的一系列像素中的兩個(gè)相鄰像素的等角視圖的實(shí) 例。IMOD顯示裝置包含一或多個(gè)干涉MEMS顯示元件。在這些裝置中，MEMS顯示元件的像 素可處于明亮或黑暗的狀態(tài)中。在明亮（"松弛"、"打開(kāi)"或"接通"）狀態(tài)中，顯示元件將 大部分入射可見(jiàn)光反射到（例如）用戶。相反，在黑暗（"致動(dòng)"、"關(guān)閉"或"斷開(kāi)"）狀態(tài) 中，顯示元件反射較少的入射可見(jiàn)光。在一些實(shí)施方案中，接通及斷開(kāi)狀態(tài)的光反射率性質(zhì) 可顛倒。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在特定波長(zhǎng)下反射，從而允許除了黑色及白色之外的色 彩顯示。
[0057] IMOD顯示裝置可包含IMOD的行/列陣列。每一 IMOD可包含一對(duì)反射層（即，可 移動(dòng)反射層及部分固定反射層），所述反射層定位在彼此可變且可控制距離處以形成氣隙 (還稱作光學(xué)間隙或光學(xué)腔）?？梢苿?dòng)反射層可在至少兩個(gè)位置之間移動(dòng)。在第一位置中， 即松弛位置，可移動(dòng)反射層可定位在距部分固定反射層相對(duì)較大的距離處。在第二位置中， 即致動(dòng)位置，可移動(dòng)反射層可經(jīng)定位較接近所述部分反射層。從所述兩層反射的入射光可 取決于可移動(dòng)反射層的位置而相長(zhǎng)地或相消地干涉，從而產(chǎn)生每一像素的整體反射或非反 射狀態(tài)。在一些實(shí)施方案中，頂OD可在致動(dòng)時(shí)處于反射狀態(tài)，從而反射可見(jiàn)光譜內(nèi)的光，且 可在未致動(dòng)時(shí)處于黑暗狀態(tài)，從而反射可見(jiàn)范圍之外的光（例如，紅外線光）。然而，在一些 其它實(shí)施方案中，頂OD可在未致動(dòng)時(shí)處于黑暗狀態(tài)，及在致動(dòng)時(shí)處于反射狀態(tài)。在一些實(shí) 施方案中，所施加電壓的引入可驅(qū)動(dòng)所述像素改變狀態(tài)。在一些其它實(shí)施方案中，所施加電 荷可驅(qū)動(dòng)像素改變狀態(tài)。
[0058] 圖1中的像素陣列的所描繪部分包含兩相鄰頂OD 12。在左邊的頂OD 12中（如 所說(shuō)明），可移動(dòng)反射層14經(jīng)說(shuō)明處于與包含部分反射層的光學(xué)堆疊16預(yù)定距離的松弛 位置中。施加在左邊的MOD 12上的電壓Vtl不足以引起可移動(dòng)反射層14的致動(dòng)。在右邊 的IMOD 12中，可移動(dòng)反射層14經(jīng)說(shuō)明處于與光學(xué)堆疊16靠近或相鄰的致動(dòng)位置中。施 加在右邊頂OD 12上電壓Vbias足以將可移動(dòng)反射層14維持在致動(dòng)位置。
[0059] 在圖1中，一般用箭頭13來(lái)說(shuō)明像素12的反射性質(zhì)，其指示入射在像素12上的 光及從左邊的MOD 12反射的光15。盡管未詳細(xì)說(shuō)明，但如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解， 入射在像素12上的大部分光13將透射穿過(guò)透明襯底20,朝向光學(xué)堆疊16。入射在光學(xué)堆 疊16上的光的一部分將透射穿過(guò)光學(xué)堆疊16的部分反射層，且一部分將反射回穿過(guò)透明 襯底20。透射穿過(guò)光學(xué)堆疊16的光13的部分將在可移動(dòng)反射層14處反射，向后朝向（且 穿過(guò)）透明襯底20。從光學(xué)堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動(dòng)反射層14反射的光 之間的干涉（相長(zhǎng)或相消）將確定從IMOD 12反射的光15的波長(zhǎng)。
[0060] 光學(xué)堆疊16可包含單個(gè)層或若干層。所述層可包含電極層、部分反射及部分透射 層及透明介電層中的一或多者。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16為導(dǎo)電的、部分透明及部 分反射的，且可（例如）通過(guò)將上述層中的一或多者沉積在透明襯底20上來(lái)制造。電極層 可由多種材料形成，例如各種金屬，例如氧化銦錫（ITO)。部分反射層可由部分反射的多種 材料形成，例如各種金屬，例如，鉻（Cr)、半導(dǎo)體及電介質(zhì)。部分反射層可由一或多個(gè)材料 層形成，且所述層中的每一者可由單個(gè)材料或材料的組合形成。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆 疊16可包含充當(dāng)光學(xué)吸收體及導(dǎo)體兩者的單個(gè)半透明厚度的金屬或半導(dǎo)體，而（例如，光 學(xué)堆疊16的或IMOD的其它結(jié)構(gòu)）不同的較多傳導(dǎo)層或部分可充當(dāng)IMOD像素之間的總線 信號(hào)。光學(xué)堆疊16還可包含覆蓋一或多個(gè)傳導(dǎo)層或傳導(dǎo)/吸收層的一或多個(gè)絕緣或介電 層。
[0061] 在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16的層可經(jīng)圖案化為平行條帶，且可形成如下文進(jìn) 一步描述的顯示裝置中的行電極。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，術(shù)語(yǔ)"圖案化"在本文用 以指遮蔽以及蝕刻制程。在一些實(shí)施方案中，高度傳導(dǎo)及反射材料（例如鋁（Al))可用于 可移動(dòng)反射層14,且這些條帶可形成顯示裝置中的列電極。可移動(dòng)反射層14可形成為沉積 金屬層或多層的一系列平行條帶（正交于光學(xué)堆疊16的行電極），以形成沉積在柱18頂部 上的列及沉積在柱18之間的介入犧牲材料。當(dāng)犧牲材料經(jīng)蝕刻掉時(shí)，界定間隙19或光學(xué) 腔可形成在可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間。在一些實(shí)施方案中，柱18之間的間隔可 為大約Ι-lOOOum，而間隙19可小于10, 000埃(Αμ
[0062] 在一些實(shí)施方案中，頂OD的每一像素（無(wú)論處于致動(dòng)還是松弛狀態(tài)）本質(zhì)上為通 過(guò)固定及移動(dòng)反射層形成的電容器。當(dāng)未施加電壓時(shí)，可移動(dòng)反射層14保持在機(jī)械松弛狀 態(tài)，如圖1左邊的MOD 12所說(shuō)明，在可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間具有間隙19。然 而，當(dāng)將電位差（例如，電壓）施加到選定行及列中的至少一者時(shí)，形成在對(duì)應(yīng)像素處的行 與列電極的相交點(diǎn)處的電容器變?yōu)槌潆姡异o電力將所述電極拉到一起。如果所施加電壓 超過(guò)閾值，那么可移動(dòng)反射層14可變形且移動(dòng)靠近或抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的 介電層（未圖示）可防止短路，且控制層14與16之間的分離距離，如圖1右邊的致動(dòng)IMOD 12所說(shuō)明。不管所施加電位差的極性如何，行為都是相同的。盡管在一些情況下可將陣列中 的一系列像素稱作"行"及"列"，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易了解，將一個(gè)方向稱作"行" 及另一方向稱作"例如"是任意的。再次申明，在一些定向中，行可被視為列，且列可被視為 行。此外，顯示元件可均勻布置成正交行及列（"陣列"），或布置成非線性配置，例如，具有 相對(duì)于彼此的特定位置偏移（"馬賽克"）。術(shù)語(yǔ)"陣列"及"馬賽克"可指任一配置。因此， 盡管顯示器被稱為包含"陣列"或"馬賽克"，但元件自身無(wú)需彼此正交布置，或安置成均勻 分布，在任何情況下，均可包含具有不對(duì)稱形狀及不均勻分布元件的布置。
[0063] 圖2展示說(shuō)明并入3X3IM0D顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。電子裝置包 含可經(jīng)配置以執(zhí)行一或多個(gè)軟件模塊的處理器21。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)外，處理器21可經(jīng)配 置以執(zhí)行一或多個(gè)軟件應(yīng)用程序，包含網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或其它軟 件應(yīng)用程序。
[0064] 處理器21可經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動(dòng)器22通信。陣列驅(qū)動(dòng)器22可包含提供信號(hào)給 (例如）顯示器陣列或面板30的行驅(qū)動(dòng)器電路24及列驅(qū)動(dòng)器電路26。圖1中說(shuō)明的MOD 顯示裝置的橫截面由圖2中的線1-1展示。盡管圖2為了清晰性而說(shuō)明IMOD的3X3陣列， 但顯示器陣列30可含有很大數(shù)目的M0D，且可在行中具有與列中不同數(shù)目的M0D，且反之 亦然。
[0065] 圖3展示說(shuō)明可移動(dòng)反射層位置與針對(duì)圖1的IMOD所施加電壓的圖的實(shí)例。對(duì) 于MEMS IM0D，行/列（即，公共/分段）寫(xiě)入程序可利用如圖3中說(shuō)明的這些裝置的滯后 性質(zhì)。舉例來(lái)說(shuō)，IMOD可能需要約10伏特電位差來(lái)致使可移動(dòng)反射層或鏡子從松弛狀態(tài) 改變到致動(dòng)狀態(tài)。當(dāng)電壓從所述值降低時(shí)，可移動(dòng)反射層在所述電壓降回（例如）10伏特 以下時(shí)維持其狀態(tài)。然而，可移動(dòng)反射層直到電壓降到2伏特以下后才完全松弛。因此，存 在一電壓范圍，大約3到7伏特（如圖3中所示），其中存在裝置在其中在松弛或致動(dòng)狀態(tài) 中均穩(wěn)定的所施加電壓的窗。此在本文中稱作"滯后窗"或"穩(wěn)定性窗"。對(duì)于具有圖3的 滯后特性的顯示器陣列30,行/列寫(xiě)入程序可經(jīng)設(shè)計(jì)以同時(shí)尋址一或多個(gè)行，使得在給定 行的尋址期間，經(jīng)尋址行中的待致動(dòng)的像素暴露于約10伏特的電壓差，及待松弛的像素暴 露于接近零伏特的電壓差。在尋址之后，所述像素暴露于穩(wěn)定狀態(tài)或大約5伏特的偏置電 壓差，使得其保持于先前選通狀態(tài)中。在此實(shí)例中，在經(jīng)尋址之后，每一像素在"穩(wěn)定性窗" 內(nèi)經(jīng)歷約3-7伏特的電位差。此滯后性質(zhì)特征使得（例如）圖1中所說(shuō)明的像素設(shè)計(jì)在相 同的所施加電壓條件下保持在致動(dòng)或松弛預(yù)存狀態(tài)中穩(wěn)定。由于每一 IMOD像素（不管處 于致動(dòng)還是松弛狀態(tài)中）基本上為由固定及移動(dòng)反射層形成的電容器，所以此穩(wěn)定狀態(tài)可 在滯后窗內(nèi)被保持在穩(wěn)定電壓而不會(huì)實(shí)質(zhì)上消耗或損失功率。此外，如果所施加電壓電位 保持實(shí)質(zhì)上固定，那么基本上很少或沒(méi)有電流流動(dòng)到頂OD像素中。
[0066] 在一些實(shí)施方案中，根據(jù)給定行中的像素狀態(tài)的所要改變（如果存在），可通過(guò)沿 著列電極集合施加"分段"電壓形式的數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)產(chǎn)生圖像的幀?？梢来螌ぶ逢嚵械拿恳?行，使得可一次一行地寫(xiě)入所述幀。為了將所要數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一行中的像素，可將對(duì)應(yīng)于第 一行中的像素的所要狀態(tài)的分段電壓施加到列電極，及可將特定"公共"電壓或信號(hào)形式的 第一行脈沖施加到第一行電極?？山又淖兎侄坞妷杭弦詫?duì)應(yīng)于第二行中的像素狀態(tài)的 所要改變（如果存在），及可將第二公共電壓施加到第二行電極。在一些實(shí)施方案中，第一 行中的像素不受沿著列電極施加的分段電壓的改變影響，且在第一公共電壓行脈沖期間保 持在其被設(shè)置到的狀態(tài)中。此過(guò)程可按依序方式針對(duì)整個(gè)系列的行或者列進(jìn)行重復(fù)，以產(chǎn) 生圖像幀。所述幀可通過(guò)以每秒某一所要數(shù)目個(gè)幀來(lái)不斷地重復(fù)此過(guò)程來(lái)用新圖像數(shù)據(jù)進(jìn) 行刷新及/或更新。
[0067] 施加到每一像素上的分段及公共信號(hào)的組合（即，每一像素上的電位差）確定每 一像素的所得狀態(tài)。圖4展示說(shuō)明當(dāng)施加各種公共及分段電壓時(shí)的IMOD的各種狀態(tài)的表 格的實(shí)例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解，可將"分段"電壓施加到列電極或行電極， 及可將"公共"電壓施加到列電極或行電極中的另一者。
[0068] 如圖4中說(shuō)明（以及圖5B中所示的時(shí)序圖），當(dāng)沿著公共線施加釋放電壓VC1^時(shí)， 沿著公共線的所有IMOD元件將放置在松弛狀態(tài)中，或者稱作釋放或未致動(dòng)狀態(tài)，不管沿著 分段線所施加的電壓如何（即，高分段電壓VS h及低分段電壓VSJ。明確地說(shuō)，當(dāng)沿著公共 線施加釋放電壓VC1^時(shí)，當(dāng)沿著像素的對(duì)應(yīng)分段線施加高分段電壓VS h及低分段電壓￥&兩 者時(shí)，調(diào)制器上的電位電壓（或者稱作像素電壓）在松弛窗內(nèi)（參見(jiàn)圖3,還稱作釋放窗）。
[0069] 當(dāng)將保持電壓施加到公共線上時(shí)（例如高保持電壓VCmD_H或低保持電壓VC muu), IMOD的狀態(tài)將保持恒定。舉例來(lái)說(shuō)，松弛IMOD將保持在松弛位置，及致動(dòng)IMOD將保持在致 動(dòng)位置。可選擇保持電壓而使得，當(dāng)沿著對(duì)應(yīng)分段線施加高分段電壓VS h及低分段電壓V& 時(shí)，像素電壓將保持在穩(wěn)定性窗內(nèi)。因此，分段電壓擺幅（即，高VSh與低分段電壓V&之間 的差）小于正或負(fù)穩(wěn)定性窗的寬度。
[0070] 當(dāng)將尋址或致動(dòng)電壓施加到公共線上時(shí)（例如高尋址電壓VCadd h或?qū)ぶ冯妷?VCadd J，可通過(guò)沿著相應(yīng)分段線施加分段電壓而將數(shù)據(jù)選擇性寫(xiě)入到沿著所述線的調(diào)制 器?？蛇x擇分段電壓以使得致動(dòng)取決于所施加的分段電壓。當(dāng)沿著公共線施加尋址電壓時(shí)， 一個(gè)分段電壓的施加將產(chǎn)生在穩(wěn)定性窗內(nèi)的像素電壓，從而致使像素保持未致動(dòng)。相比來(lái) 說(shuō)，其它分段電壓的施加將產(chǎn)生超出穩(wěn)定性窗的像素電壓，從而導(dǎo)致像素的致動(dòng)。起致動(dòng)的 特定分段電壓可取決于所使用的尋址電壓而變化。在一些實(shí)施方案中，當(dāng)沿著公共線施加 高尋址電壓VC add H時(shí)，高分段電壓VSh的施加可致使調(diào)制器保持其當(dāng)前位置，而低分段電壓 V&的施加可致使調(diào)制器的致動(dòng)。由此類推，當(dāng)施加低尋址電壓VCadU時(shí)分段電壓的效應(yīng)可 為相反的，其中高分段電壓VSh致使調(diào)制器的致動(dòng)，低分段電壓V&對(duì)調(diào)制器的狀態(tài)沒(méi)有效 應(yīng)（即，保持穩(wěn)定）。
[0071] 在一些實(shí)施方案中，可使用保持電壓、尋址電壓及分段電壓，所述電壓總是在調(diào)制 器上產(chǎn)生相同極性電位差。在一些其它實(shí)施方案中，可使用使調(diào)制器的電位差的極性交替 的信號(hào)。調(diào)制器上的極性的交替（即，寫(xiě)入程序的極性的交替）可減少或抑制可能在單個(gè) 極性的重復(fù)寫(xiě)入操作之后發(fā)生的電荷累積。
[0072] 圖5A展示說(shuō)明圖2的3X3M0D顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖的實(shí)例。圖5B展示 可用以寫(xiě)入圖5A中所說(shuō)明的顯示數(shù)據(jù)的幀的公共及分段信號(hào)的時(shí)序圖的實(shí)例。可將信號(hào) 施加到（例如）圖2的3X3陣列，此將最終產(chǎn)生圖5A中說(shuō)明的線時(shí)間60e顯示布置。圖 5A中的致動(dòng)調(diào)制器處于黑暗狀態(tài)，S卩，其中所反射光的實(shí)質(zhì)部分在可見(jiàn)光譜之外以便相對(duì) (例如）觀察者而產(chǎn)生黑暗外觀。在寫(xiě)入圖5A中所說(shuō)明的幀之前，所述像素可處于任何狀 態(tài)中，但圖5B的時(shí)序圖中所說(shuō)明的寫(xiě)入程序假定每一調(diào)制器在第一線時(shí)間60a之前已釋放 且駐留在未致動(dòng)狀態(tài)中。
[0073] 在第一線時(shí)間60a期間，將釋放電壓70施加到公共線1 ;施加到公共線2的電壓 在高保持電壓72處開(kāi)始且移動(dòng)到釋放電壓70 ;及沿著公共線3施加低保持電壓76。因此， 沿著公共線1的調(diào)制器（公共1，分段1)、（1，2)及（1，3)在第一線時(shí)間60a的持續(xù)時(shí)間中 保持在松弛或未致動(dòng)狀態(tài)，沿著公共線2的調(diào)制器（2,1)、（2, 2)及（2, 3)將移動(dòng)到松弛狀 態(tài)，且沿著公共線3的調(diào)制器（3,1)、（3, 2)及（3, 3)將保持在其先前狀態(tài)。參看圖4,沿著 分段線1、2及3施加的分段電壓將對(duì)IMOD的狀態(tài)沒(méi)有效應(yīng)，這是因?yàn)楣簿€1、2或3中沒(méi) 有一者暴露于電壓電平而在線時(shí)間60a期間致使致動(dòng)（即，VC Ka-松弛及VCmD f穩(wěn)定）。
[0074] 在第二線時(shí)間60b期間，公共線1上的電壓移動(dòng)到高保持電壓72,且沿著公共線1 的所有調(diào)制器保持在松弛狀態(tài)而不管所施加的分段電壓，這是因?yàn)闆](méi)有尋址或致動(dòng)電壓施 加到公共線1。沿著公共線2的調(diào)制器由于釋放電壓70的施加而保持在松弛狀態(tài)，及沿著 公共線3的調(diào)制器（3,1)、（3,2)及（3,3)將在沿著公共線3的電壓移動(dòng)到釋放電壓70時(shí) 松弛。
[0075] 在第三線時(shí)間60c期間，通過(guò)將高尋址電壓74施加到公共線1而尋址公共線1。 因?yàn)樵诖藢ぶ冯妷旱氖┘悠陂g沿著分段線1及2施加低分段電壓64,所以調(diào)制器（1，1)及 (1，2)上的像素電壓大于調(diào)制器的正穩(wěn)定性窗的高端（S卩，超過(guò)預(yù)界定閾值的電壓差分）， 且調(diào)制器（1，1)及（1，2)經(jīng)致動(dòng)。相反，因?yàn)檠刂侄尉€3施加高分段電壓62,所以調(diào)制 器（1，3)上的像素電壓小于調(diào)制器（1，1)及（1，2)的像素電壓，且保持在調(diào)制器的正穩(wěn)定 性窗內(nèi)；調(diào)制器（1，3)因此保持松弛。還在線時(shí)間60c期間，沿著公共線2的電壓降低到低 保持電壓76,及沿著公共線3的電壓保持在釋放電壓70,使沿著公共線2及3的調(diào)制器保 留在松弛位置。
[0076] 在第四線時(shí)間60d期間，公共線1上的電壓返回到高保持電壓72,使沿著公共線1 的調(diào)制器保留在其相應(yīng)的尋址狀態(tài)。公共線2上的電壓降低到低尋址電壓78。因?yàn)檠刂?段線2施加高分段電壓62,所以調(diào)制器（2,2)上的像素電低于調(diào)制器的負(fù)穩(wěn)定性窗的較低 端，從而致使調(diào)制器（2,2)致動(dòng)。相反，因?yàn)檠刂侄尉€1及3施加低分段電壓64,所以調(diào) 制器（2,1)及（2,3)保持在松弛位置。公共線3上的電壓增加到高保持電壓72,使沿著公 共線3的調(diào)制器保留在松弛狀態(tài)。
[0077] 最后，在第五線時(shí)間60e期間，公共線1上的電壓保持在低保持電壓72,及接通公 共線2上的電壓保持在低保持電壓76,使沿著公共線1及2的調(diào)制器處于其相應(yīng)尋址狀態(tài)。 公共線3上的電壓增加到高尋址電壓74以沿著公共線3尋址調(diào)制器。因?yàn)閷⒌头侄坞妷?64施加到分段線2及3,所以調(diào)制器（3,2)及（3, 3)致動(dòng)，而沿著分段線1施加的高分段電 壓62致使調(diào)制器（3,1)保持在松弛位置。因此，在第五線時(shí)間60e的末尾，只要沿著公共 線施加保持電壓，3X3像素陣列處于圖5A中所示的狀態(tài)且將保持處于所述狀態(tài)，不管可在 沿著其它公共線（未圖示）的調(diào)制器被尋址時(shí)發(fā)生的分段電壓的變化。
[0078] 在圖5B的時(shí)序圖中，給定寫(xiě)入程序（S卩，線時(shí)間60a_60e)可包含使用高保持及尋 址電壓或低保持及尋址電壓。一旦寫(xiě)入程序已完成給定公共線（且將公共電壓設(shè)置為具有 與致動(dòng)電壓相同極性的保持電壓），像素電壓即保持在給定穩(wěn)定性窗內(nèi)，且直到將釋放電壓 施加到公共線才通過(guò)松弛窗。此外，由于每一調(diào)制器在尋址調(diào)制器之前被釋放為寫(xiě)入程序 的部分，所以調(diào)制器的致動(dòng)時(shí)間而非釋放時(shí)間可確定必要的線時(shí)間。具體來(lái)說(shuō)，在其中調(diào)制 器的釋放時(shí)間大于致動(dòng)時(shí)間的實(shí)施方案中，可施加釋放電壓持續(xù)比單個(gè)線時(shí)間長(zhǎng)，如圖5B 中描繪。在一些其它實(shí)施方案中，沿著公共線或分段線施加的電壓可變化以顧及例如不同 色彩的調(diào)制器的不同調(diào)制器的致動(dòng)及釋放電壓的變化。
[0079] 根據(jù)上文所陳述原理操作的MOD的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可變化較大。舉例來(lái)說(shuō)，圖6A-6E 展示包含可移動(dòng)反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的IMOD的不同實(shí)施方案的橫截面的實(shí)例。圖6A 展示圖1的IMOD顯示器的部分橫截面的實(shí)例，其中金屬材料條帶，即可移動(dòng)反射層14沉積 在從襯底20正交延伸的支撐件18上。在圖6B中，每一 MOD的可移動(dòng)反射層14形狀一般 為正方形或矩形，且在系鏈32上在拐角處或附近附接到支撐件。在圖6C中，可移動(dòng)反射層 14形狀一般為正方形或矩形且可從可包含柔性金屬的可變形層34懸掛?？勺冃螌?4可直 接地或間接地連接到可移動(dòng)反射層周邊周圍的襯底20。這些連接在本文中被稱作支撐柱。 圖6C中所示的實(shí)施方案具有從可移動(dòng)反射層14的光學(xué)功能與其機(jī)械功能去耦而導(dǎo)出的額 外益處，所述去耦通過(guò)可變形層34來(lái)進(jìn)行。此去耦允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料 及用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料獨(dú)立于彼此而優(yōu)化。
[0080] 圖6D展不IMOD的另一實(shí)例，其中可移動(dòng)反射層14包含反射子層14a?？梢苿?dòng)反 射層14擱置在支撐結(jié)構(gòu)上，例如支撐柱18。支撐柱18提供可移動(dòng)反射層14與下部固定電 極（所說(shuō)明IMOD中的光學(xué)堆疊16的零件）的分離，使得（例如）當(dāng)可移動(dòng)反射層14處于 松弛位置時(shí)，間隙19形成在可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間?？梢苿?dòng)反射層14還可 包含可經(jīng)配置以充當(dāng)電極的傳導(dǎo)層14c以及支撐層14b。在此實(shí)例中，傳導(dǎo)層14c安置于 支撐層14b的在襯底20遠(yuǎn)端的一側(cè)上，且反射子層14a安置于支撐層14b的接近襯底20 的另一側(cè)上。在一些實(shí)施方案中，反射子層14a可為傳導(dǎo)的，且可安置于支撐層14b與光學(xué) 堆疊16之間。支撐層14b可包含一或多個(gè)介電材料層，例如氮氧化硅（SiON)或二氧化硅 (Si0 2)。在一些實(shí)施方案中，支撐層14b可為多層的堆疊，例如Si02/Si0N/Si02三層堆疊。 反射子層14a及傳導(dǎo)層14c中的任一者或兩者可包含（例如）具有約0. 5 %的銅（Cu)或另 一反射金屬材料的鋁（Al)合金。在介電支撐層14b上方及下方使用傳導(dǎo)層14a、14c可平 衡應(yīng)力且提供增強(qiáng)的傳導(dǎo)。在一些實(shí)施方案中，反射子層14a及傳導(dǎo)層14c可由不同材料 形成以用于多種設(shè)計(jì)目的，例如實(shí)現(xiàn)可移動(dòng)反射層14內(nèi)的特定應(yīng)力剖面。
[0081] 如圖6D中所說(shuō)明，一些實(shí)施方案還可包含黑色掩膜結(jié)構(gòu)23。所述黑色掩膜結(jié)構(gòu) 23可形成于光學(xué)非活性區(qū)（例如，在像素之間或柱18下方）中以吸收周圍或雜散光。黑 色掩膜結(jié)構(gòu)23還可通過(guò)抑制從顯示器的非活性部分反射的或透射穿過(guò)所述非活性部分的 光來(lái)改進(jìn)顯示裝置的光學(xué)性質(zhì)，從而增加對(duì)比率。另外，黑色掩膜結(jié)構(gòu)23可為傳導(dǎo)的且經(jīng) 配置以用作電氣總線層。在一些實(shí)施方案中，行電極可連接到黑色掩膜結(jié)構(gòu)23以減少所 連接行電極的阻力。黑色掩膜結(jié)構(gòu)23可使用多種方法形成，包含沉積及圖案化技術(shù)。黑 色掩膜結(jié)構(gòu)23可包含一或多個(gè)層。舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施方案中，黑色掩膜結(jié)構(gòu)23包含 充當(dāng)光學(xué)吸收體的鑰鉻（MoCr)層、SiO 2層、及充當(dāng)反射體及總線層的鋁合金，分別具有約 3(.)-80 A、500-丨()(_)0 A及500-6000 A的厚度范圍。一或多個(gè)層可使用多種技術(shù)來(lái)圖案 化，包含光刻及干式蝕刻，包含（例如）用于MoCr及SiO2層的（CF 4)及/或氧氣（O2)以及 用于鋁合金層的氯氣（Cl2)及/或三氯化硼（BCl 3)。在一些實(shí)施方案中，黑色掩膜23可為 標(biāo)準(zhǔn)具或干涉堆疊結(jié)構(gòu)。在此類干涉堆疊黑色掩膜結(jié)構(gòu)23中，傳導(dǎo)吸收體可用以在每一行 或列的光學(xué)堆疊16中的下部固定電極之間發(fā)射或用總線傳輸信號(hào)。在一些實(shí)施方案中，間 隔層35 -般可用以使吸收層16a與黑色掩膜23中的傳導(dǎo)層電隔離。
[0082] 圖6E展示MOD的另一實(shí)例，其中可移動(dòng)反射層14為自支撐的。與圖6D相比，圖 6E的實(shí)施方案不包含支撐柱18。而是，可移動(dòng)反射層14在多個(gè)位置接觸底層光學(xué)堆疊16， 及可移動(dòng)反射層14的曲率提供充分的支撐，使得當(dāng)IMOD上的電壓不足以致使致動(dòng)時(shí)可移 動(dòng)反射層14返回到圖6E的未致動(dòng)位置?？珊卸鄠€(gè)若干不同層的光學(xué)堆疊16在此處為 了清晰性而展示包含光學(xué)吸收體16a及電介質(zhì)16b。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)吸收體16a可 用作固定電極及部分反射層兩者。
[0083] 在例如圖6A-6E中所示的實(shí)施方案中，MOD用作直觀裝置，其中從透明襯底20的 前側(cè)（即，與其上布置調(diào)制器的側(cè)相對(duì)的側(cè)）查看圖像。在這些實(shí)施方案中，裝置的背后部 分（即，顯示裝置的在可移動(dòng)反射層14后方的任何部分，例如，圖6C中所說(shuō)明的可變形層 34)可經(jīng)配置且在不影響或負(fù)面影響顯示裝置的圖像質(zhì)量的情況下操作，這是因?yàn)榉瓷鋵?14光學(xué)上屏蔽所述裝置的那些部分。舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施方案中，總線結(jié)構(gòu)（未說(shuō)明）可 包含在可移動(dòng)反射層14后方，所述總線結(jié)構(gòu)提供使調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與調(diào)制器的機(jī)電性 質(zhì)分離的能力，例如電壓尋址與此類尋址所產(chǎn)生的移動(dòng)。另外，圖6A-6E的實(shí)施方案可簡(jiǎn)化 處理，例如圖案化。
[0084] 圖7展示說(shuō)明MOD的制造過(guò)程80的流程圖的實(shí)例，及圖8A-8E展示此類制造過(guò) 程80的對(duì)應(yīng)階段的橫截面示意性說(shuō)明的實(shí)例。在一些實(shí)施方案中，除了圖7中未展示的其 它塊之外，制造過(guò)程80可經(jīng)實(shí)施以制造（例如）圖1及6中說(shuō)明的一般類型的MOD。參看 圖1、6及7,過(guò)程80在方框82處以在襯底20上形成光學(xué)堆疊16而開(kāi)始。圖8A說(shuō)明形成 在襯底20上的此類光學(xué)堆疊16。襯底20可為例如玻璃或塑料的透明襯底，其可為柔性或 相對(duì)堅(jiān)硬及不易彎曲的，且可已經(jīng)受先前制備過(guò)程（例如，清洗）以促進(jìn)光學(xué)堆疊16的有 效形成。如上文論述，光學(xué)堆疊16可為導(dǎo)電的、部分透明及部分反射的，且可（例如）通過(guò) 將具有所要性質(zhì)的一或多個(gè)層沉積在透明襯底20上來(lái)制造。在圖8A中，光學(xué)堆疊16包含 具有子層16a及16b的多層結(jié)構(gòu)，但可在一些其它實(shí)施方案中包含更多或更少的子層。在 一些實(shí)施方案中，子層16a、16b中的一者可經(jīng)配置有光學(xué)吸收性及傳導(dǎo)性質(zhì)兩者，例如組 合式導(dǎo)體/吸收體子層16a。另外，子層16a、16b中的一或多者可經(jīng)圖案化為平行條帶，且 可形成顯示裝置中的行電極。此類圖案化可通過(guò)此項(xiàng)技術(shù)中已知的掩蔽及蝕刻工藝或另一 合適的工藝來(lái)執(zhí)行。在一些實(shí)施方案中，子層16a、16b中的一者可為絕緣或介電層，例如沉 積在一或多個(gè)金屬層（例如，一或多個(gè)反射及/或傳導(dǎo)層）上的子層16b。另外，光學(xué)堆疊 16可經(jīng)圖案化為形成顯示器的行的個(gè)別及平行條帶。
[0085] 過(guò)程80在方框84處以在光學(xué)堆疊16上形成犧牲層25而繼續(xù)。稍后移除犧牲層 25(例如，在方框90)以形成腔19,且因此未在圖1中說(shuō)明的所得MOD 12中展示犧牲層 25。圖8B說(shuō)明包含形成于光學(xué)堆疊16上的犧牲層25的部分制造裝置。犧牲層25在光學(xué) 堆疊16上的形成可包含以選定厚度沉積二氟化氙（XeF 2)(可蝕刻材料，例如鑰（Mo)或非 晶硅（Si))，以在后續(xù)移除后提供具有所要設(shè)計(jì)大小的間隙或腔19 (還參見(jiàn)圖1及8E)。可 使用例如物理氣相沉積（PVD，例如濺鍍）、等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積（PECVD)、熱化學(xué)氣 相沉積（熱CVD)或旋涂的沉積技術(shù)來(lái)進(jìn)行犧牲材料的沉積。
[0086] 過(guò)程80在方框86處以形成支撐結(jié)構(gòu)（例如，如圖1、6及8C中所說(shuō)明的柱18) 而繼續(xù)。柱18的形成可包含：圖案化犧牲層25以形成支撐結(jié)構(gòu)孔隙，接著使用例如PVD、 PECVD、熱CVD或旋涂等沉積方法來(lái)將材料（例如，聚合物或無(wú)機(jī)材料，例如二氧化硅）沉積 到所述孔隙中以形成柱18。在一些實(shí)施方案中，形成于犧牲層中的支撐結(jié)構(gòu)孔隙可延伸穿 過(guò)犧牲層25及光學(xué)堆疊16兩者到底層襯底20,使得柱18的下部末端接觸如圖6A中所說(shuō) 明的襯底20。或者，如圖8C中描繪，形成于犧牲層25中的孔隙可延伸穿過(guò)犧牲層25,但不 穿過(guò)光學(xué)堆疊16。舉例來(lái)說(shuō)，圖8E說(shuō)明與光學(xué)堆疊16的上部表面接觸的支撐柱18的下部 末端。柱18或其它支撐結(jié)構(gòu)可通過(guò)將支撐結(jié)構(gòu)材料層沉積在犧牲層25上及圖案化遠(yuǎn)離犧 牲層25中的孔隙定位的支撐結(jié)構(gòu)材料的部分而形成。支撐結(jié)構(gòu)可位于孔隙內(nèi)，如圖8C中 說(shuō)明，而且可至少部分地延伸超過(guò)犧牲層25的部分。如上所述，犧牲層25及/或支撐柱18 的圖案化可通過(guò)圖案化及蝕刻過(guò)程來(lái)執(zhí)行，而且可通過(guò)替代蝕刻方法來(lái)執(zhí)行。
[0087] 過(guò)程80在方框88處以形成可移動(dòng)反射層或薄膜（例如圖1、6及8D中說(shuō)明的可移 動(dòng)反射層14)而繼續(xù)?？梢苿?dòng)反射層14可通過(guò)使用一或多個(gè)沉積制程（例如，反射層（例 如，鋁、鋁合金）沉積）連同一或多個(gè)圖案化、掩蔽及/或蝕刻制程而形成?？梢苿?dòng)反射層 14可是導(dǎo)電的，且被稱作導(dǎo)電層。在一些實(shí)施方案中，可移動(dòng)反射層14可包含如圖8D中展 示的多個(gè)子層14a、14b、14c。在一些實(shí)施方案中，子層中的一或多者（例如子層14a、14c) 可包含經(jīng)選擇用于其光學(xué)性質(zhì)的高度反射子層，及另一子層14b可包含經(jīng)選擇用于其機(jī)械 性質(zhì)的機(jī)械子層。由于犧牲層25仍存在于在方框88處形成的部分制造的MOD中，所以可 移動(dòng)反射層14通常在此階段不可移動(dòng)。含有犧牲層25的部分制造的MOD還可在本文中 被稱作"未釋放"頂0D。如上文結(jié)合圖1所述，可移動(dòng)反射層14可經(jīng)圖案化為形成顯示器 的列的個(gè)別及平行條帶。
[0088] 過(guò)程80在方框90處以形成腔（例如，如圖1、6及8E中所說(shuō)明的腔19)而繼續(xù)。 腔19可通過(guò)將犧牲材料25 (在方框84處沉積）暴露于蝕刻劑而形成。舉例來(lái)說(shuō)，例如Mo 或非晶Si等可蝕刻犧牲材料可通過(guò)干式化學(xué)蝕刻來(lái)移除，例如通過(guò)將犧牲層25暴露于氣 體或蒸汽蝕刻劑（例如從固體XeF2導(dǎo)出的蒸汽）持續(xù)有效移除所要的材料量的時(shí)段，其通 常相對(duì)于腔19周圍的結(jié)構(gòu)而選擇性地移除。還可使用可蝕刻犧牲材料及蝕刻方法的其它 組合，例如濕式蝕刻及/或等離子蝕刻。由于在方框90期間移除犧牲層25,所以可移動(dòng)反射 層14通常在此階段之后可移動(dòng)。在移除犧牲材料25之后，所得的完全或部分制造的IMOD 可在本文中被稱作"釋放" IMOD。
[0089] 圖9展示穿過(guò)觸摸傳感器實(shí)施方案的橫截面的實(shí)例。在此實(shí)例中，觸摸傳感器裝 置900包含形成在襯底905上的電極910。介電層915使電極910與電極920c電絕緣。中 間導(dǎo)體920b經(jīng)配置以用于經(jīng)由通孔925a與電極910電通信。在一些實(shí)施方案中，提供任選 第二中間導(dǎo)體920a，其可為電極920c的延伸部。因此，在一些實(shí)施方案中不存在單獨(dú)的第 二中間導(dǎo)體920a。當(dāng)將充分的力施加到FSR層930 (例如通過(guò)手指940或觸控筆945)時(shí)， 可在傳導(dǎo)橋935、中間導(dǎo)體920b中的一者、及電極920c或第二中間導(dǎo)體920a中的一者中的 任一者之間進(jìn)行電連接。以此方式，觸摸傳感器裝置可提供DRT功能性。
[0090] 在一些實(shí)施方案中，襯底905可為實(shí)質(zhì)上透明的。舉例來(lái)說(shuō)，襯底905可由一或多 個(gè)合適的實(shí)質(zhì)上透明材料形成，例如玻璃、塑料、聚合物等。在一些實(shí)施方案中，襯底905可 為顯示襯底。舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施方案中，襯底905可為與上述透明襯底20相同的襯底。 在一些實(shí)施方案中，襯底905可為顯示設(shè)備的防護(hù)玻璃。然而，襯底905還可至少部分由實(shí) 質(zhì)上半透明或?qū)嵸|(zhì)上不透明的材料形成。在一些實(shí)施方案中，襯底905可包含兩個(gè)、三個(gè)或 三個(gè)以上的層。
[0091] 介電層915可包含一或多個(gè)介電材料層，例如氮氧化硅（SiON)、二氧化硅（SiO2) 等。介電層915還可由有機(jī)材料（例如彈性體）形成。在一些實(shí)施方案中，介電層915可 為多層的堆疊，例如Si0 2/Si0N/Si02三層堆疊。
[0092] 電極910、電極920c、中間導(dǎo)體920b、第二中間導(dǎo)體920a及傳導(dǎo)橋935 (其可在本 文統(tǒng)稱為"傳導(dǎo)元件"）可由各種合適的傳導(dǎo)材料形成。在一些實(shí)施方案中，傳導(dǎo)元件中的 至少一些可至少部分由例如氧化銦錫（ITO)或透明傳導(dǎo)膜等實(shí)質(zhì)上透明的傳導(dǎo)材料形成。 一些此類透明傳導(dǎo)膜可含有傳導(dǎo)奈米粒子，例如銀奈米粒子。盡管透明度為一些實(shí)施方案 的非常需要的屬性，但I(xiàn)TO及其它實(shí)質(zhì)上透明的傳導(dǎo)材料具有比一些傳導(dǎo)金屬相對(duì)較高的 電阻。ITO電極的較高電阻可致使比金屬電極相對(duì)較慢的響應(yīng)時(shí)間，且因此可致使尤其針 對(duì)大的觸摸面板的較慢幀速率。ITO的較高電阻還可需要用于觸摸傳感器裝置900及較寬 電極的相對(duì)較多的功率。當(dāng)使用ITO時(shí)，傳導(dǎo)元件910、920a、920b及920c可為大約50到 200微米寬。
[0093] 本文所述的一些觸摸傳感器900可包含至少部分由傳導(dǎo)金屬形成的傳導(dǎo)元件。在 一些此類實(shí)施方案中，電極910、電極920c及/或中間導(dǎo)體920b及第二中間導(dǎo)體920a可 至少部分由薄的（例如約〇. 1-5. 0微米厚）傳導(dǎo)金屬線形成。傳導(dǎo)元件910、920a、920b及 920c可為大約1-5微米寬。下文論述一些此類實(shí)施方案。
[0094] 然而，不管是由ΙΤ0、金屬線還是另一材料制成，電極910、電極920c及/或中間導(dǎo) 體920b及第二中間導(dǎo)體920a可不為人類觀察者顯而易見(jiàn)的。在一些實(shí)施方案中，這些傳 導(dǎo)元件可由太薄而不能被容易觀察到的金屬線或跡線形成。在一些實(shí)施方案中，電極910、 電極920c及/或中間導(dǎo)體920b及第二中間導(dǎo)體920a可（至少部分）由經(jīng)配置以減少及 /或最小化入射光的反射的光學(xué)堆疊形成。在一些此類實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊可類似于上 述黑色掩膜結(jié)構(gòu)23的光學(xué)堆疊。因而，光學(xué)堆疊可包含充當(dāng)光學(xué)吸收體的鑰鉻（MoCr)層、 SiO2層及例如鋁合金層的傳導(dǎo)金屬層。
[0095] 圖10展示圖9的觸摸傳感器的部分的平面圖的實(shí)例?，F(xiàn)參看圖10,在此實(shí)施方案 中可見(jiàn)電極910用作行電極，及第二中間導(dǎo)體920a用作列電極。然而，在替代實(shí)施方案中， 電極910可用作列電極及電極920c可用作行電極。在此實(shí)例中，中間導(dǎo)體920b經(jīng)配置為 上覆于電極910的部分的不連續(xù)矩形。下文描述中間導(dǎo)體920b及第二中間導(dǎo)體920a的替 代配置。
[0096] FSR層930可包含F(xiàn)SR材料的圖案化或未圖案化層。FSR材料可包含傳導(dǎo)聚合物， 其具有在施加力到其表面時(shí)以可預(yù)測(cè)方式改變的電阻?？蓪SR材料供應(yīng)為聚合物片或可 通過(guò)網(wǎng)版印刷、旋涂或其它制程涂覆的油墨。FSR材料可包含具有懸浮于絕緣基質(zhì)中的導(dǎo)電 粒子的感測(cè)膜。所述粒子大小可小于微米。
[0097] 在一些實(shí)施方案中，F(xiàn)SR層930可具有大約幾微米的厚度，例如1-5微米的范圍。 在一些實(shí)施方案中，F(xiàn)SR層930可具有大約2微米的厚度。在一些實(shí)施方案中，F(xiàn)SR層930 可在施加力時(shí)暫時(shí)增加垂直方向的傳導(dǎo)性，在此情況下，可在本文將FSR層930的材料稱作 "各向異性FSR"、"各向異性垂直FSR"或"垂直FSR"材料。在一些其它實(shí)施方案中，F(xiàn)SR層 930可在施加力時(shí)各向同性地增加的傳導(dǎo)性，在此情況下可在本文將FSR層930的材料稱作 "各向同性FSR"材料。在圖9中所示的實(shí)例中，F(xiàn)SR層930由各向異性垂直FSR材料形成。
[0098] 在其中安置FSR層930的區(qū)域內(nèi)，中間導(dǎo)體920b經(jīng)由通孔925a電連接到電極910。 在其中安置FSR層930的區(qū)域外部，可經(jīng)由通孔925b進(jìn)行到電極910的電連接。舉例來(lái) 說(shuō)，觸摸傳感器裝置外圍的布線（未圖示）可經(jīng)由通孔925b連接到電極910。此類布線可 容易連接到其中安置FSR層930的區(qū)域外部的電極920c，這是因?yàn)镕SR層930不覆蓋這些 區(qū)域中的電極920c (還參見(jiàn)圖9)。
[0099] 第二中間導(dǎo)體920a及中間導(dǎo)體920b可經(jīng)配置以檢測(cè)經(jīng)由觸摸傳感器裝置900來(lái) 看對(duì)顯示器的光學(xué)圖像質(zhì)量具有最小沖擊的觸控筆或手指觸摸。在一些實(shí)施方案中，此類 檢測(cè)能力可通過(guò)將第二中間導(dǎo)體920a及中間導(dǎo)體920b以精細(xì)間距（例如參見(jiàn)圖Ilb及 11C)形成為相鄰及/或叉指型導(dǎo)電透明接觸表面來(lái)提供。在一些此類實(shí)施方案中，第二中 間導(dǎo)體920a及中間導(dǎo)體920b可由薄的或局部薄的（例如約25-500 A )實(shí)質(zhì)上透明傳導(dǎo) 氧化物材料（例如ΙΤ0)形成。在一些實(shí)施方案中，電極910及/或傳導(dǎo)橋935還可由實(shí)質(zhì) 上透明傳導(dǎo)材料形成。
[0100] 在圖9中所示的實(shí)例中，傳導(dǎo)橋935形成上覆中間導(dǎo)體920b及電極910的部分及 第二中間導(dǎo)體920a的不連續(xù)矩形。下文描述傳導(dǎo)橋935的替代配置。在本文描述的各種 實(shí)施方案中，每一傳導(dǎo)橋935用作感測(cè)點(diǎn)的FSR開(kāi)關(guān)中的電橋。
[0101] 舉例來(lái)說(shuō)，參看圖9,當(dāng)將充分的力施加到FSR層930 (例如通過(guò)手指940或觸控筆 945)時(shí)，可經(jīng)由FSR層930而與感測(cè)點(diǎn)950a的底層第二中間導(dǎo)體920a進(jìn)行實(shí)質(zhì)上垂直電 連接?？山?jīng)由FSR層930與底層中間導(dǎo)體920b之間進(jìn)行另一實(shí)質(zhì)上垂直的電連接，底層中 間導(dǎo)體920b可經(jīng)配置用于與電極910中的一者電連接。在此實(shí)施方案中，當(dāng)施加力時(shí)，F(xiàn)SR 層930無(wú)需變得在FSR層930的平面中顯著更傳導(dǎo)。因此，傳導(dǎo)橋935提供水平電連接且 完成感測(cè)點(diǎn)950a的電路955。
[0102] 根據(jù)所要實(shí)施方案，傳導(dǎo)橋935可具有相對(duì)較高的電阻（例如約0. 1-1莫姆 (Mohm))或相對(duì)較低的電阻（例如，< 0. 1莫姆）。傳導(dǎo)橋935可經(jīng)圖案化或未圖案化。如 果傳導(dǎo)橋935具有相對(duì)較高電阻，那么其可提供固定電阻器的功能性。在一些實(shí)施方案中， 低傳導(dǎo)橋935的傳導(dǎo)材料可用作觸摸傳感器裝置900的行或列電極。
[0103] 圖11A-11C展示替代傳導(dǎo)橋配置的實(shí)例。在圖IlA中，傳導(dǎo)橋935經(jīng)圖案化而使 得其占據(jù)感測(cè)點(diǎn)950b的大部分區(qū)域。如果傳導(dǎo)橋935具有低電阻且未圖案化，那么相鄰及 非相鄰感測(cè)點(diǎn)之間的不合要求電流路徑可降低系統(tǒng)性能（例如確定所有開(kāi)關(guān)的狀態(tài)的能 力）。此外，圖案化至少暴露電極910及/或電極920c的一部分，其形成投射式電容性觸摸 區(qū)域1110。
[0104] 圖案化傳導(dǎo)橋935可降低感測(cè)點(diǎn)之間的串?dāng)_的可能性，且允許外部電場(chǎng)在最小降 低感測(cè)點(diǎn)檢測(cè)DRT輸入的能力的情況下到達(dá)連接到電極910及920c的PCT電極。因此，在 觸摸傳感器裝置900的一些實(shí)施方案中，感測(cè)點(diǎn)內(nèi)的傳導(dǎo)橋935可被圖案化為各種形狀。在 圖Ilb中所示的實(shí)例中，感測(cè)點(diǎn)950c的傳導(dǎo)橋935已形成為隔離的矩形形狀，所述形狀可 傾斜以重疊第二中間導(dǎo)體920a及中間導(dǎo)體920b的部分。在此實(shí)例中，可在傳導(dǎo)橋935的 隔離的矩形形狀之間看見(jiàn)中間導(dǎo)體920b及第二中間導(dǎo)體920a的實(shí)質(zhì)部分。與圖IlA的感 測(cè)點(diǎn)950b相比，其中暴露電極910及/或電極920c的至少一部分的投射式電容性觸摸區(qū) 域1110占據(jù)感測(cè)點(diǎn)950c的區(qū)域的實(shí)質(zhì)上較大百分比。投射式電容性觸摸區(qū)域1110可包 含中間導(dǎo)體920a及920b之間的相鄰區(qū)。
[0105] 在圖IlC中所示的實(shí)例中，感測(cè)點(diǎn)950d的傳導(dǎo)橋935已形成為隔離的菱形形狀。 與圖IlA的感測(cè)點(diǎn)950b相比，投射式電容性觸摸區(qū)域1110占據(jù)感測(cè)點(diǎn)950d的區(qū)域的實(shí)質(zhì) 上較大百分比。在一些替代實(shí)施方案中，傳導(dǎo)橋935可被配置為分段條帶、曲線條紋、曲線 分段或中空或框架幾何形狀。在一些替代實(shí)施方案中，傳導(dǎo)橋935可提供行或列電極的功 能性且因此可被圖案化。
[0106] 圖12A-12C展示替代中間導(dǎo)體配置的實(shí)例。首先參看圖12A，感測(cè)點(diǎn)950e包含具 有一或多個(gè)L形分支1205a的電極920c。電極910具有一或多個(gè)L形分支1205c。中間導(dǎo) 體920b包含安置在L形分支1205a與L形分支1205c之間的分支1205b。中間導(dǎo)體920b 可經(jīng)由固定電阻器1305電連接到電極910,固定電阻器1305部分形成于穿過(guò)介電層915的 通路孔中（參見(jiàn)圖13)。在一些實(shí)施方案中，不存在固定電阻器1305,且中間導(dǎo)體920b經(jīng) 由通孔925a電連接到電極910。
[0107] 在圖12B中，感測(cè)點(diǎn)950f包含具有螺旋形分支1205a的電極920c。電極910可具 有實(shí)質(zhì)上平行于電極920c安置的分支1205c。中間導(dǎo)體920b具有相鄰螺旋形分支1205a 安置的螺旋形分支1205b。中間導(dǎo)體920b經(jīng)由固定電阻器1305電連接到電極910。在一些 實(shí)施方案中，不存在固定電阻器1305,且中間導(dǎo)體920b經(jīng)由通孔925a電連接到電極910。 電極920c還可具有實(shí)質(zhì)上平行于電極910安置的分支1205d。
[0108] 在圖12C中，感測(cè)點(diǎn)950g包含具有梳形分支1205a的電極920c。中間導(dǎo)體920b 具有與梳形分支1205a交錯(cuò)的梳形分支1205b。類似于感測(cè)點(diǎn)950f，感測(cè)點(diǎn)950g可包含具 有實(shí)質(zhì)上平行于電極910安置的分支1205d的電極920c，且還可包含具有實(shí)質(zhì)上平行于電 極920c安置的分支1205c的電極910。分支1205c與1205d及類似特征（未圖示）可增加 對(duì)手指的觸摸或接近的PCT敏感性。
[0109] 圖13展示穿過(guò)在中間導(dǎo)體與電極之間包含固定電阻器的觸摸傳感器的橫截面的 實(shí)例。觸摸傳感器裝置900的此實(shí)施方案實(shí)質(zhì)上類似于圖9中所描繪及上文描述的實(shí)施方 案。然而，此實(shí)施方案包含安置在中間導(dǎo)體920b與電極910之間的通孔925a中的固定電 阻器1305。
[0110] 在此實(shí)例中，與中間導(dǎo)體920b的電阻相比，固定電阻器1305具有相對(duì)較大電阻 (例如在約0. Ol到10莫姆的范圍中）。用以形成固定電阻器1305的材料可具有高的薄片 電阻率，（例如在約le3到le7莫姆-cm的范圍中），且可為實(shí)質(zhì)上透明的。如果材料并非 光學(xué)透明的，那么固定電阻器1305可被制成足夠小而使得其不能容易被感知為光學(xué)假影。 在一些實(shí)施方案中，固定電阻器1305可由二氧化硅、由摻有一或多種金屬的二氧化硅或由 氧化鋅形成。固定電阻器可形成在所展示的通孔開(kāi)口內(nèi)。在一些配置中，固定電阻器可從 通孔開(kāi)口內(nèi)部延伸到通孔開(kāi)口周圍的區(qū)（未圖示），或以其它方式定位在中間導(dǎo)體與每一 感測(cè)點(diǎn)處的下部電極之間。
[0111] 因?yàn)橹虚g導(dǎo)體920b與固定電阻器1305串聯(lián)，所以電極920a及/或中間導(dǎo)體920b 可由例如ITO等材料形成，所述材料與傳導(dǎo)金屬的電阻相比具有相對(duì)較高的薄片電阻（例 如，0. 05-2千歐/平方）。由于固定電阻器1305的存在，每一感測(cè)點(diǎn)950h的開(kāi)關(guān)電阻仍可 制成顯著大于所述行或列電極的電阻（例如，大10-100倍）。中間導(dǎo)體920b中的每一者因 此可具有相對(duì)較高的電阻（例如，< 10千歐）。因此，很?。ɡ缂s25-500 A )的透明傳 導(dǎo)氧化物材料（例如ΙΤ0)可用以形成中間導(dǎo)體920b，此歸因于低光學(xué)吸收而可為光學(xué)上有 利的。
[0112] 圖14展示穿過(guò)具有暴露的投射式電容性觸摸區(qū)域的觸摸傳感器的橫截面的實(shí) 例。在此類實(shí)施方案中，觸摸傳感器裝置900可包含PCT及DRT功能性兩者。觸摸傳感器 裝置900的此實(shí)施方案包含投射式電容性觸摸區(qū)域1110,其中傳導(dǎo)橋935之間的空間至少 部分暴露電極910及電極920c。
[0113] 在此實(shí)例中，電極910形成行電極，及電極920c形成觸摸傳感器裝置900的列電 極。在此實(shí)例中，電極920c至少部分由例如Al、Mo或Ni等傳導(dǎo)金屬形成。列電極920c可 為大約1-5微米寬或更多，具有大約5-50微米或更多的空間。中間導(dǎo)體920b及第二中間 導(dǎo)體920a可經(jīng)配置以檢測(cè)經(jīng)由觸摸傳感器裝置900來(lái)看對(duì)顯示器的光學(xué)圖像質(zhì)量具有最 小沖擊的觸控筆或手指觸摸。在一些實(shí)施方案中，此類檢測(cè)能力可通過(guò)將中間導(dǎo)體920b及 第二中間導(dǎo)體920a以精細(xì)間距（例如參見(jiàn)圖IlB及11C)形成為相鄰及/或叉指型導(dǎo)電透 明接觸表面來(lái)提供。在一些實(shí)施方案中，將第二中間導(dǎo)體920a附加到電極920c。手指940 的接近性可歸因于手指940在電場(chǎng)1405上的效應(yīng)而通過(guò)投射式電容性觸摸區(qū)域中的觸摸 傳感器裝置900檢測(cè)：手指940 (或觸控筆）可引起觸摸傳感器裝置900的行電極與列電極 之間的互電容的改變。在一些實(shí)施方案中，列電極920c可（至少部分）由經(jīng)配置以減少及 /或最小化入射光的反射的光學(xué)堆疊形成。在一些此類實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊可類似于上述 黑色掩膜結(jié)構(gòu)23的光學(xué)堆疊。
[0114] 圖15展示圖14的觸摸傳感器的部分的平面圖的實(shí)例。如上所述，電極910形成 行電極，及電極920c形成觸摸傳感器裝置900的列電極。代替與列電極整體地形成（如圖 10中所示），第二中間導(dǎo)體920a形成附加到連續(xù)列電極920c的不連續(xù)矩形。通過(guò)用由相 對(duì)較低傳導(dǎo)材料（例如透明傳導(dǎo)氧化物（TCO))制成的列電極來(lái)取代高度傳導(dǎo)金屬制成的 列電極，與圖10中所示的實(shí)施方案相比，所述列的寄生線電阻可減小。此寄生線電阻的減 小可導(dǎo)致觸摸傳感器裝置900中的感測(cè)點(diǎn)狀態(tài)的改進(jìn)檢測(cè)。由于列電極920c在由金屬形 成時(shí)為實(shí)質(zhì)上不透明的且第二中間導(dǎo)體920a必須覆蓋感測(cè)點(diǎn)區(qū)域的大部分以確?？煽康?觸摸注冊(cè)，所以可需要第二中間導(dǎo)體920a由實(shí)質(zhì)上透明材料（例如ΙΤ0)制成。在一些實(shí) 施方案中，觸摸傳感器裝置900的行電極還可至少部分由傳導(dǎo)金屬形成。
[0115] 圖16展示穿過(guò)具有中間導(dǎo)體分支及電極分支的觸摸傳感器的橫截面的實(shí)例。圖 17展示圖16的觸摸傳感器的部分的平面圖的實(shí)例。此實(shí)施方案類似于圖14及15中所展 示的實(shí)施方案。然而，在圖16中所示的觸摸傳感器裝置900中，第二中間導(dǎo)體920a及中間 導(dǎo)體920b由傳導(dǎo)金屬形成。在一些實(shí)施方案中，第二中間導(dǎo)體920a可由與列電極920c相 同的金屬層形成。
[0116] 在此實(shí)例中，第二中間導(dǎo)體920a的分支1205a及中間導(dǎo)體920b的分支1205b為 具有指叉狀尖齒的梳形（參見(jiàn)圖17)。分支1205a與分支1205b之間的間隔可為大約幾微 米，且在一些實(shí)施方案中為約3-5微米。在替代實(shí)施方案中，分支1205a及/或分支1205b 可為L(zhǎng)形、螺旋形等。在一些實(shí)施方案中，形成傳導(dǎo)金屬線框架的第二中間導(dǎo)體920a及中 間導(dǎo)體920b代替TCO可增加這些元件的傳導(dǎo)性及觸摸傳感器裝置900的整體透明度兩者。
[0117] 圖18展示穿過(guò)具有經(jīng)配置以在電極行或列的部分之間形成電連接的跳線的觸摸 傳感器的橫截面的實(shí)例。在此實(shí)施方案中，觸摸傳感器裝置900的行電極920d及列電極 920c主要形成在與第二中間導(dǎo)體920a及中間導(dǎo)體920b不同的層中。在此實(shí)例中，行及列 電極形成在與薄的傳導(dǎo)金屬相同的層中（參見(jiàn)圖19)。第二中間導(dǎo)體920a及中間導(dǎo)體920b 由例如TCO等實(shí)質(zhì)上透明傳導(dǎo)材料形成。
[0118] 第二中間導(dǎo)體920a附加到列電極920c且覆蓋感測(cè)點(diǎn)區(qū)域的實(shí)質(zhì)部分以確保DRT 敏感性。中間導(dǎo)體920b形成經(jīng)由通孔925a的電連接且還可覆蓋感測(cè)點(diǎn)區(qū)域的實(shí)質(zhì)部分。 間隙1810防止列電極920c與行電極920d之間的短路。
[0119] 與上述實(shí)施方案的電極910不同，跳線910a不形成跨越襯底905的連續(xù)行。而 是，跳線910a經(jīng)定位且經(jīng)配置為一或多個(gè)"L"形狀以通過(guò)通孔925來(lái)形成行電極920d的 不連續(xù)部分之間的以及行電極920d與中間導(dǎo)體920b之間的電連接。在一些實(shí)施方案中， 薄金屬層的用以形成電極920a及920d的一部分可在通孔925a上方的區(qū)中的第二中間導(dǎo) 體920b上經(jīng)圖案化，以確保中間導(dǎo)體920b與跳線910a之間的電連續(xù)性。在一些實(shí)施方案 中，固定電阻器1305形成在跳線910a與通孔925a之間。跳線910a由例如Al、Mo或Ni等 傳導(dǎo)金屬形成，且通過(guò)絕緣層915與列電極910c隔離。連接部分1805與列電極920c的任 一側(cè)上的跳線910a電連接。在一些實(shí)施方案中，連接部分1805可形成為形成行電極920d 的層的部分。
[0120] 圖19展示圖18的觸摸傳感器的部分的平面圖的實(shí)例。參看圖19,將觀察到在此 實(shí)例中中間導(dǎo)體920b實(shí)質(zhì)上與行電極920d電隔離。此處，連接部分1805經(jīng)由絕緣層915 而形成以實(shí)現(xiàn)行電極920d與跳線910a之間的電連接，且通孔925a經(jīng)形成以實(shí)現(xiàn)中間電極 920b與跳線910a之間的連接。在一些實(shí)施方案中，固定電阻器1305形成在跳線910a與 通孔925a (未圖示）之間。類似于上述結(jié)構(gòu)23的黑色掩膜層可定位于固定電阻器1305上 方以減少光學(xué)假影的出現(xiàn)。在一些實(shí)施方案中，黑色掩碼結(jié)構(gòu)可由與行電極920d及列電極 920c相同的層形成。在此實(shí)施方案中，行電極920d包含實(shí)質(zhì)上平行于列電極920c的分支 1205d。
[0121] 圖20展示穿過(guò)具有柔性層及力散布層的觸摸傳感器的橫截面的實(shí)例。在沒(méi)有頂 部表面上的保護(hù)薄膜的情況下，觸摸傳感器裝置900可易受環(huán)境損害，例如磨損、暴露于紫 外光等。另外，一些所要的層堆疊僅可以與柔性襯底組合的方式為市售的（例如，包含以下 的產(chǎn)品（a)柔性薄膜及圖案化ΙΤ0,或（b)柔性薄膜、圖案化ITO及名義上未圖案化的FSR)。 為了減輕環(huán)境損害的易感性且實(shí)現(xiàn)一些市售產(chǎn)品的用途，觸摸傳感器裝置900的一些實(shí)施 方案可包含柔性層2010。
[0122] 在一些此類實(shí)例中，柔性層2010可為由聚對(duì)苯二甲酸乙二酯（PET)、聚萘二甲酸 乙二酯（PEN)、聚酰亞胺或類似材料制成的透明塑料膜。在一些實(shí)施方案中，柔性層2010可 具有約5-100微米的厚度、約l-20000MPa的彈性模數(shù)、及約0. 5-10%的可見(jiàn)光光譜中的光 學(xué)吸收。在一些實(shí)例中，柔性層2010可具有在0. 5-5GPa的范圍中的彈性模數(shù)。
[0123] 關(guān)于一些感測(cè)點(diǎn)陣列的問(wèn)題在于其感測(cè)點(diǎn)間距可大于感測(cè)點(diǎn)的敏感性的面積。換 句話說(shuō)，感測(cè)點(diǎn)可能間隔地太遠(yuǎn)而不能檢測(cè)在陣列上的任意位置處的手指觸摸或觸控筆輸 入。在一些實(shí)施方案中，力散布層2015在傳感器頂部上的添加可散布所述力，使得感測(cè)點(diǎn) 的敏感性的面積增加到大于感測(cè)點(diǎn)間距，從而增加檢測(cè)到觸摸或觸控筆輸入的可能性。
[0124] 在一些實(shí)施方案中，力散布層2015可包含一個(gè)以上層。舉例來(lái)說(shuō)，力散布層2015 可包含至少兩個(gè)層，散布力的底部層以及類似于柔性層2010、抗反射涂層或保護(hù)力散布層 的硬涂層的頂部層。在一些實(shí)施方案中，力散布層2015可具有約I-IOOOMPa的彈性模數(shù)，及 約0. 1-5%的可見(jiàn)光光譜中的光學(xué)吸收。在一些實(shí)施方案中，柔性層2010與力散布層2015 組合厚度可為大約與感測(cè)點(diǎn)950i的寬度相同。在一些實(shí)施方案中，力散布層的總厚度可為 大約中間導(dǎo)體920b與電極910或第二中間導(dǎo)體920a之間的間隔。
[0125] 在層堆疊中存在需要具有良好機(jī)械（良好粘合力）及良好電（低接觸電阻）接口 的多個(gè)位置。在一些情況下，此類良好接口可通過(guò)使用適當(dāng)?shù)某练e/涂覆、蝕刻及清洗制程 而形成。然而，觸摸傳感器裝置900的一些實(shí)施方案在一些元件之間包含傳導(dǎo)粘合劑2005。 傳導(dǎo)粘合劑2005可為實(shí)質(zhì)上透明的。傳導(dǎo)粘合劑2005可局部安置在一些元件周圍，例如 電極920c及中間導(dǎo)體920b。
[0126] 在一些實(shí)施方案中，傳導(dǎo)粘合劑2005可全局地涂覆：在圖20中，例如，已將傳導(dǎo) 粘合劑2005涂覆到FSR層930的整個(gè)上部表面?？蓺w因于傳導(dǎo)粘合劑2005的相對(duì)較低傳 導(dǎo)性而避免傳導(dǎo)橋935之間的短路：在一些此類實(shí)施方案中，傳導(dǎo)粘合劑2005可具有在約 Ie4-le7歐姆-厘米的范圍中體積電阻率。傳導(dǎo)粘合劑2005可具有在約4 A到4微米的范 圍中的厚度。在傳導(dǎo)粘合劑2005的一些實(shí)施方案中，指數(shù)η在1.3-1. 6的范圍中，且k小 于約0. 005。
[0127] 一些實(shí)施方案可在僅需要機(jī)械接合而非電接合的多層之間包含實(shí)質(zhì)上透明但實(shí) 質(zhì)上非傳導(dǎo)粘合劑。在一些此類實(shí)施方案中，粘合劑可類似于市售的的粘合劑，且被稱為光 學(xué)耦合粘合劑（OCA)或光學(xué)傳導(dǎo)樹(shù)脂（OCR)。
[0128] 圖21展示說(shuō)明用于觸摸傳感器裝置的制造過(guò)程的流程圖的實(shí)例。過(guò)程2100的方 框可或可不按圖21中所指示的序列執(zhí)行。此外，過(guò)程2100的一些實(shí)施方案可包含較多或較 少的方框。因此，過(guò)程2100可經(jīng)調(diào)適以制造本文所展示及/或描述的觸摸傳感器裝置900 中的任一者以及其變體。除非另有說(shuō)明，過(guò)程2100的方框可涉及半導(dǎo)體制造制程，例如沉 積、蝕刻等。
[0129] 在此實(shí)例中，過(guò)程2100以方框2105開(kāi)始，其涉及在襯底上形成多個(gè)第一電極。在 一些此類實(shí)施方案中，方框2105可涉及在襯底905上將電極910形成為行或列電極（例 如，參見(jiàn)圖20)。在替代實(shí)施方案中，方框2105可涉及在襯底905上形成跳線910a (參見(jiàn)圖 18)。方框2105還可涉及在襯底905上形成布線。
[0130] 在此實(shí)例中，電阻器材料沉積在第一電極上且經(jīng)圖案化以形成固定電阻器，例如 上文描述的固定電阻器1305 (方框2110)。然而，過(guò)程2100的一些實(shí)施方案可不包含方框 2110。而是，一或多個(gè)其它元件的電阻可經(jīng)配置以補(bǔ)償固定電阻器1305的缺乏。舉例來(lái)說(shuō)， 如上所述，如果傳導(dǎo)橋935具有充分高的電阻，那么所述傳導(dǎo)橋935可提供固定電阻器1305 的功能性?；蛘?，F(xiàn)SR層甚至在極度按壓時(shí)可提供固定電阻器1305的功能性。
[0131] 過(guò)程2100以方框2115繼續(xù)，其涉及在襯底上的多個(gè)第一電極上形成介電層。在 一些此類實(shí)施方案中，方框2115可涉及在電極910上或在跳線910a上以及在襯底905的 暴露部分上形成類似于介電層915的層。在方框2120中，通孔（例如通孔925a及925b) 可經(jīng)由介電層而形成。
[0132] 在此實(shí)施方案中，方框2125涉及在介電層上形成多個(gè)第二電極及中間導(dǎo)體。在 一些實(shí)施方案中，第二電極可包含行或列電極。取決于所制造的觸摸傳感器裝置900的特 定實(shí)施方案，方框2125可涉及形成如上所述的第二中間導(dǎo)體920a、中間導(dǎo)體920b、列電極 920c及/或行電極920d。在一些實(shí)施方案中，第二電極及/或中間導(dǎo)體可至少部分由ITO 或另一 TCO形成。然而，第二電極及/或中間導(dǎo)體還可至少部分由例如Al、Mo或Ni等傳導(dǎo) 金屬形成。
[0133] 在一些實(shí)施方案中，第二中間導(dǎo)體920a、中間導(dǎo)體920b、列電極920c及/或行 電極920d可包含分支。所述分支可為L(zhǎng)形、螺旋形，經(jīng)定形為叉指型梳齒等。（參見(jiàn)圖 12A-12C)。
[0134] 方框2130涉及將FSR材料層安置在第二電極及中間導(dǎo)體上。FSR材料可實(shí)質(zhì)上 如上文參考FSR層930所描述。在一些實(shí)施方案中，F(xiàn)SR材料并非在過(guò)程2100期間制造， 而是可將先前獲得的FSR材料層涂覆到第二電極、到中間導(dǎo)體及到介電層的暴露部分。FSR 材料可在被涂覆之前經(jīng)定形、圖案化或以其它方式制備。在一些實(shí)施方案中，可在涂覆FSR 材料之前將傳導(dǎo)粘合劑材料涂覆到第二電極及/或到中間導(dǎo)體（例如，參見(jiàn)圖20)。在一些 實(shí)施方案中，可將另一傳導(dǎo)粘合劑材料層涂覆到FSR材料。
[0135] 接著可將多個(gè)傳導(dǎo)橋涂覆到FSR材料（方框2135)。傳導(dǎo)橋可經(jīng)配置以形成開(kāi)放 區(qū)（在本文還稱作投射式電容性觸摸區(qū)域1110)，其中至少部分暴露第一電極及/或第二電 極。傳導(dǎo)橋可經(jīng)配置為正方形、矩形、菱形、分段條帶、曲線條紋、曲線分段、中空幾何形狀、 框架幾何形狀或其它形狀（參見(jiàn)圖11A-11C)。
[0136] 在一些實(shí)施方案中，可將傳導(dǎo)橋涂覆到上覆FSR材料的傳導(dǎo)粘合劑材料。此外，在 一些實(shí)施方案中，在將FSR材料涂覆到第二電極及中間導(dǎo)體之前，可將傳導(dǎo)橋涂覆到傳導(dǎo) 粘合劑材料及/或FSR材料。換句話說(shuō)，在一些實(shí)施方案中，方框2135可在方框2130之前。
[0137] 在一些實(shí)施方案中，可將柔性層及/或力散布層涂覆到傳導(dǎo)橋及FSR材料。取決 于實(shí)施方案，可在方框2130之前或之后涂覆這些層。
[0138] 在方框2140中，設(shè)備至少部分經(jīng)配置以用作觸摸傳感器。舉例來(lái)說(shuō)，可將個(gè)別顯 示器大小的部分單一化。觸摸控制器或其它此類裝置可經(jīng)配置用于（例如）通過(guò)連接觸摸 控制器與布線而與觸摸傳感器裝置900的行電極及列電極通信。觸摸控制器可經(jīng)配置以確 定與觸摸傳感器裝置900接觸（或位于附近）的手指、傳導(dǎo)觸控筆等的觸摸位置。觸摸控 制器可經(jīng)配置以至少部分基于觸摸位置附近的電容及/或電阻的所檢測(cè)改變來(lái)進(jìn)行此類 確定。
[0139] 方框2145可涉及進(jìn)一步封裝及/或處理。舉例來(lái)說(shuō)，觸摸傳感器裝置900可經(jīng)封 裝以用于存儲(chǔ)及/或裝運(yùn)。在一些實(shí)施方案中，觸摸傳感器裝置900可與顯示裝置合并。
[0140] 圖22A及22B展示說(shuō)明包含如本文描述的觸摸傳感器的顯示裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí) 例。顯示裝置40可為（例如）蜂窩式或移動(dòng)電話。然而，顯示裝置40或其輕微變體的相 同組件還說(shuō)明多個(gè)類型的顯示裝置，例如電視、電子閱讀器及便攜式媒體播放器。
[0141] 顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、觸摸傳感器裝置900、天線43、揚(yáng)聲器45、輸 入裝置48及麥克風(fēng)46。外殼41可由多種制造工藝中的任一者形成，包含射出模制及真空 成型。另外，外殼41可由多種材料中的任一者制成，包含（但不限于）：塑料、金屬、玻璃、 橡膠及陶瓷、或其組合。外殼41可包含可與不同色彩或含有不同標(biāo)識(shí)、圖片或符號(hào)的其它 可移動(dòng)部分互換的可移動(dòng)部分（未圖示）。
[0142] 顯示器30可為多種顯示器中的任一者，包含雙穩(wěn)態(tài)或模擬顯示器，如本文所描 述。顯示器30還可經(jīng)配置以包含平板顯示器，例如等離子、EL、OLED、STN IXD或TFT IXD 或非平板顯示器，例如CRT或其它管裝置。另外，顯示器30可包含MOD顯示器，如本文所 描述。觸摸傳感器裝置900可為實(shí)質(zhì)上如本文所描述的裝置。
[0143] 在圖22B中示意性說(shuō)明顯示裝置40的組件。顯示裝置40包含外殼41，且可包含 至少部分封閉在其中的額外組件。舉例來(lái)說(shuō)，顯示裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口 27,網(wǎng)絡(luò)接口 27包 含耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。 調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(hào)（例如，對(duì)信號(hào)進(jìn)行濾波）。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚(yáng)聲器 45及麥克風(fēng)46。處理器21也連接到輸入裝置48及驅(qū)動(dòng)器控制器29。驅(qū)動(dòng)器控制器29耦 合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動(dòng)器22,所述陣列驅(qū)動(dòng)器22繼而耦合到顯示器陣列30。 電源50可根據(jù)特定顯示裝置40設(shè)計(jì)所需要而提供電力到所有組件。
[0144] 在此實(shí)例中，顯示裝置40還包含觸摸控制器77。觸摸控制器77可經(jīng)配置用于（例 如）經(jīng)由布線與觸摸傳感器裝置900通信，且可經(jīng)配置用于控制觸摸傳感器裝置900。觸摸 控制器77可經(jīng)配置以確定接近觸摸傳感器裝置900的手指、傳導(dǎo)觸控筆等的觸摸位置。觸 摸控制器77可經(jīng)配置以至少部分基于觸摸位置附近的電容及/或電阻的所檢測(cè)改變來(lái)進(jìn) 行此類確定。然而，在替代實(shí)施方案中，處理器21(或另一此類裝置）可經(jīng)配置以提供一些 或所有此功能性。
[0145] 網(wǎng)絡(luò)接口 27包含天線43及收發(fā)器47,使得顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一或多個(gè) 裝置通信。網(wǎng)絡(luò)接口 27還可具有一些處理能力以減輕（例如）處理器21的數(shù)據(jù)處理需 求。天線43可發(fā)射及接收信號(hào)。在一些實(shí)施方案中，天線43根據(jù)IEEE 16. 11標(biāo)準(zhǔn)來(lái)發(fā) 射及接收RF信號(hào)，所述標(biāo)準(zhǔn)包含IEEE 16. 11 (a)、（b)或（g)、或IEEE 802. 11標(biāo)準(zhǔn)（包含 IEEE 802. 11a、b、g或η)。在一些其它實(shí)施方案中，天線43根據(jù)BLUETOOTH標(biāo)準(zhǔn)來(lái)發(fā)射 及接收RF信號(hào)。在蜂窩式電話的情況下，天線43經(jīng)設(shè)計(jì)以接收碼分多址（CDMA)、頻分多 址（FDM)、時(shí)分多址（TDM)、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)（GSM)、GSM/通用分組無(wú)線電服務(wù)（GPRS)、 增強(qiáng)型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境（EDGE)、陸地集群無(wú)線電（TETRA)、寬帶CDM(W-CDM)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu) 化（EV-DO)、lxEV-D0、EV-DO Rev A、EV-DO Rev B、高速分組接入（HSPA)、高速下行鏈路分 組接入（HSDPA)、高速上行鏈路分組接入（HSUPA)、演進(jìn)型高速分組接入（HSPA+)、長(zhǎng)期演進(jìn) (LTE)、AMPS、或用以在無(wú)線網(wǎng)絡(luò)內(nèi)通信的其它已知信號(hào)，例如利用3G或4G技術(shù)的系統(tǒng)。收 發(fā)器47可預(yù)處理從天線43接收的信號(hào)，使得所述信號(hào)可被接收且由處理器21進(jìn)一步操 縱。收發(fā)器47還可處理從處理器21接收的信號(hào)，使得所述信號(hào)可從顯示裝置40經(jīng)由天線 43而發(fā)射。處理器21可經(jīng)配置以（例如）經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)接口 27從時(shí)間服務(wù)器接收時(shí)間數(shù)據(jù)。
[0146] 在一些實(shí)施方案中，收發(fā)器47可由接收器替代。另外，網(wǎng)絡(luò)接口 27可由圖像源替 代，其可存儲(chǔ)或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)。處理器21可控制顯示裝置40的整體 操作。處理器21接收例如來(lái)自網(wǎng)絡(luò)接口 27或圖像源的壓縮圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù) 據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可將經(jīng)處理 數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動(dòng)器控制器29或到幀緩沖器28用于存儲(chǔ)。原始數(shù)據(jù)通常指識(shí)別圖像內(nèi)每一 位置處的圖像特性的信息。舉例來(lái)說(shuō)，這些圖像特性可包含色彩、飽和度及灰度級(jí)。
[0147] 處理器21可包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬 件52可包含用于發(fā)射信號(hào)到揚(yáng)聲器45以及用于從麥克風(fēng)46接收信號(hào)的放大器及濾波器。 調(diào)節(jié)硬件52可為顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入于處理器21或其它組件內(nèi)。
[0148] 驅(qū)動(dòng)器控制器29可直接從處理器21或從幀緩沖器28獲取處理器21所產(chǎn)生的原 始圖像數(shù)據(jù)，且可適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交紙D像數(shù)據(jù)用于高速發(fā)射到陣列驅(qū)動(dòng)器22。在一些 實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有類似光柵格式的數(shù)據(jù) 流，使得其具有適于掃描顯示器陣列30的時(shí)間次序。接著驅(qū)動(dòng)器控制器29將格式化信息 發(fā)送到陣列驅(qū)動(dòng)器22。盡管驅(qū)動(dòng)器控制器29 (例如LCD控制器）常常與作為獨(dú)立集成電路 (IC)的系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，但此類控制器可以許多方式來(lái)實(shí)施。舉例來(lái)說(shuō)，控制器可作 為硬件嵌入于處理器21中，作為軟件嵌入于處理器21中，或完全以硬件方式與陣列驅(qū)動(dòng)器 22集成。
[0149] 陣列驅(qū)動(dòng)器22可接收來(lái)自驅(qū)動(dòng)器控制器29的格式化信息，且可將視頻數(shù)據(jù)重新 格式化為平行波形集合，所述平行波形集合可每秒許多次到幾百次且有時(shí)幾千次（或更 多）的被應(yīng)用到來(lái)自顯示器的像素的x-y矩陣的引線。
[0150] 在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29、陣列驅(qū)動(dòng)器22及顯示器陣列30適合用于 本文所述的顯示器類型中的任一者。舉例來(lái)說(shuō)，驅(qū)動(dòng)器控制器29可為常規(guī)顯示器控制器或 雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器（例如，IMOD控制器）。另外，陣列驅(qū)動(dòng)器22可為常規(guī)驅(qū)動(dòng)器或雙穩(wěn) 態(tài)顯不器驅(qū)動(dòng)器（例如，IMOD顯不器驅(qū)動(dòng)器）。此外，顯不器陣列30可為常規(guī)顯不器陣列 或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列（例如，包含IMOD陣列的顯示器）。在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制 器29可與陣列驅(qū)動(dòng)器22集成。此類實(shí)施方案在例如蜂窩式電話、手表及其它小面積顯示 器等高度集成系統(tǒng)中為通用的。
[0151] 在一些實(shí)施方案中，輸入裝置48可經(jīng)配置以允許（例如）用戶控制顯示裝置40 的操作。輸入裝置48可包含小鍵盤（例如QWERTY鍵盤或電話小鍵盤）、按鈕、開(kāi)關(guān)、搖桿、 觸敏屏幕、或壓敏或熱敏薄膜。麥克風(fēng)46可經(jīng)配置為顯示裝置40的輸入裝置。在一些實(shí) 施方案中，經(jīng)由麥克風(fēng)46的語(yǔ)音命令可用于控制顯示裝置40的操作。
[0152] 電源50可包含此項(xiàng)技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲(chǔ)裝置。舉例來(lái)說(shuō)，電源50可 為可再充電蓄電池，例如鎳鎘蓄電池或鋰離子蓄電池。電源50還可為可再生能源、電容器 或太陽(yáng)能電池塑料太陽(yáng)能電池或太陽(yáng)能電池漆。電源50還可經(jīng)配置以接收來(lái)自墻壁插座 的電力。
[0153] 在一些實(shí)施方案中，控制可編程性駐留在可定位于電子顯示系統(tǒng)中若干位置處的 驅(qū)動(dòng)器控制器29中。在一些其它實(shí)施方案中，控制可編程性駐留在陣列驅(qū)動(dòng)器22中。上 述優(yōu)化可以任何數(shù)目個(gè)硬件及/或軟件組件及以多個(gè)配置來(lái)實(shí)施。
[0154] 結(jié)合本文所揭示的實(shí)施方案而描述的各種說(shuō)明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路及算法 過(guò)程可實(shí)施為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或兩者的組合。硬件與軟件的可互換性已大體在功能 性方面進(jìn)行描述且在上文描述的各種說(shuō)明性組件、方框、模塊、電路及過(guò)程中說(shuō)明。此類功 能性是實(shí)施于硬件還是軟件中取決于特定應(yīng)用及施加于整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)約束。
[0155] 可使用經(jīng)設(shè)計(jì)以執(zhí)行本文所描述的功能的通用單或多芯片處理器、數(shù)字信號(hào)處理 器（DSP)、專用集成電路（ASIC)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門 或晶體管邏輯、離散硬件組件或其任何組合來(lái)實(shí)施或執(zhí)行結(jié)合本文中所揭示的方面而描述 的各種說(shuō)明性邏輯、邏輯塊、模塊及電路。通用處理器可為微處理器，或任何常規(guī)處理器、控 制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器還可實(shí)施為計(jì)算裝置的組合，例如，DSP與微處理器的組 合、多個(gè)微處理器、一或多個(gè)微處理器與DSP核心的組合，或任何其它此類配置。在一些實(shí) 施方案中，特定過(guò)程及方法可通過(guò)給定功能特定的電路來(lái)執(zhí)行。
[0156] 在一或多個(gè)方面中，所描述功能可以硬件、數(shù)字電子電路、計(jì)算機(jī)軟件、固件來(lái)實(shí) 施，包含本說(shuō)明書(shū)及其結(jié)構(gòu)等效物中所揭示的結(jié)構(gòu)或其任何組合。本說(shuō)明書(shū)中描述的標(biāo)的 物的實(shí)施方案還可實(shí)施為一或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序（即，計(jì)算機(jī)程序指令的一或多個(gè)模塊），其 編碼于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體上用于由數(shù)據(jù)處理設(shè)備執(zhí)行或控制數(shù)據(jù)處理設(shè)備的操作。
[0157] 如果以軟件實(shí)施，那么可將所述功能作為一或多個(gè)指令或代碼存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀 媒體上或經(jīng)由計(jì)算機(jī)可讀媒體傳輸。本文揭示的方法或算法的過(guò)程可實(shí)施于可駐留在計(jì)算 機(jī)可讀媒體上的處理器可執(zhí)行軟件模塊中。計(jì)算機(jī)可讀媒體包含計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體及通信媒 體兩者，包含實(shí)現(xiàn)將計(jì)算機(jī)程序從一處傳送到另一處的任何媒體。存儲(chǔ)媒體可為可由計(jì)算 機(jī)存取的任何可用媒體。通過(guò)實(shí)例的方式（且非限制），此類計(jì)算機(jī)可讀媒體可包含RAM、 R0M、EEPR0M、⑶-ROM或其它光盤存儲(chǔ)裝置、磁盤存儲(chǔ)裝置或其它磁性存儲(chǔ)裝置、或可用以存 儲(chǔ)呈指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)形式的所要程序代碼且可由計(jì)算機(jī)存取的任何其它媒體。而且，可恰 當(dāng)?shù)貙⑷魏芜B接稱作計(jì)算機(jī)可讀媒體。如本文所使用，磁盤及光盤包含緊密光盤（CD)、激光 光盤、光學(xué)光盤、數(shù)字多功能光盤（DVD)、軟盤及藍(lán)光光盤，其中磁盤通常磁性地復(fù)制數(shù)據(jù)， 而光盤使用激光光學(xué)地復(fù)制數(shù)據(jù)。上文的組合也應(yīng)包含在計(jì)算機(jī)可讀媒體的范圍內(nèi)。另 夕卜，方法或算法的操作可駐留作為機(jī)器可讀媒體及計(jì)算機(jī)可讀媒體上的代碼及指令中的一 者或任何組合或集合，其可并入到計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品中。
[0158] 所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可顯而易見(jiàn)本發(fā)明中所描述的實(shí)施方案的各種修改，且本文 中所定義的一般原理可在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的情況下適用于其它實(shí)施方案。因 此，權(quán)利要求書(shū)并不意圖限于本文所展示的實(shí)施方案，而應(yīng)符合與本文中所揭示的揭示內(nèi) 容、原理及新穎特征一致的最寬范圍。
[0159] 另外，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易了解，術(shù)語(yǔ)"上部"及"下部"有時(shí)為了便于描述 圖式而使用，且指示對(duì)應(yīng)于適當(dāng)定向頁(yè)面上的圖式的定向的相對(duì)位置，且可不反映所實(shí)施 IMOD (或任何其它裝置）的正確定向。
[0160] 在單獨(dú)實(shí)施方案的上下文中的在本說(shuō)明書(shū)中描述的某些特征也可組合單個(gè)實(shí)施 方案來(lái)實(shí)施。相反，在單個(gè)實(shí)施方案的上下文中描述的各種特征還分別可實(shí)施于多個(gè)實(shí)施 方案中或任何合適的子組合中。此外，盡管上文可將特征描述為在某些組合中起作用及甚 至最初如此主張，但在一些情況下，來(lái)自所主張組合的一或多個(gè)特征可從所述組合刪除，且 所主張組合可針對(duì)子組合或子組合的變體。
[0161] 類似地，雖然在圖中按特定次序來(lái)描繪操作，但此不應(yīng)理解為要求按所展示的特 定次序或按順序次序來(lái)執(zhí)行此類操作，或執(zhí)行所有所說(shuō)明操作，從而實(shí)現(xiàn)所需要的結(jié)果。此 夕卜，所述圖可按流程圖形式來(lái)示意性地描繪一或多個(gè)實(shí)例過(guò)程。然而，可將未描繪的其它操 作并入于示意性說(shuō)明的實(shí)例過(guò)程中。舉例來(lái)說(shuō)，可在所說(shuō)明操作中的任一者之前、之后、同 時(shí)或之間執(zhí)行一或多個(gè)額外操作。在某些情況下，多任務(wù)處理及平行處理可為有利的。此 夕卜，上述實(shí)施方案中各種系統(tǒng)組件的分離不應(yīng)理解為要求所有實(shí)施方案中的此類分離，且 應(yīng)理解，一般可將所描述程序組件及系統(tǒng)一起集成在單個(gè)軟件產(chǎn)品中或封裝在多個(gè)軟件產(chǎn) 品中。另外，其它實(shí)施方案是在隨附權(quán)利要求書(shū)的范圍之內(nèi)。在一些情況下，權(quán)利要求書(shū)中 所敘述的動(dòng)作可按不同次序執(zhí)行且仍實(shí)現(xiàn)所需要的結(jié)果。
【權(quán)利要求】
1. 一種觸摸傳感器設(shè)備，其包括： 襯底（905); 多個(gè)第一電極（910)，其安置在所述襯底（905)上； 介電層（915)，其安置在所述多個(gè)第一電極（910)上； 多個(gè)第二電極（920c)，其安置在所述介電層（915)上； 多個(gè)中間導(dǎo)體（920b)，其安置在所述介電層（915)上且經(jīng)配置以用于經(jīng)由形成在所述 介電層（915)中的通孔（925)而與所述第一電極（910)電通信； 力敏電阻器FSR材料（930)層，其安置在所述第二電極（920c)及所述中間導(dǎo)體（920b) 上；及 多個(gè)傳導(dǎo)橋（935)，其安置在所述FSR材料（930)上，所述傳導(dǎo)橋（935)中的每一者被 安置在所述中間導(dǎo)體（920b)中的至少一者上方，其中當(dāng)施加力到所述FSR材料（930)時(shí)， 經(jīng)由所述第二電極（920c)之一與所述傳導(dǎo)橋（935)之一之間的所述FSR材料（930)形成 第一電連接，及經(jīng)由所述傳導(dǎo)橋（935)的所述一者與所述中間導(dǎo)體（920b)之一之間的所述 FSR材料（930)形成第二電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述襯底（905)為實(shí)質(zhì)上透明的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含安置在所述中間導(dǎo)體（920b)之一與 所述第一電極（910)之一之間的固定電阻器（1305)。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中在所述傳導(dǎo)橋（935)之間的開(kāi) 放區(qū)至少部分暴露所述第一電極（910)及所述第二電極（920c)的投射式電容性觸摸PCT 區(qū)域（1110)，且其中所述觸摸傳感器設(shè)備經(jīng)配置以用于實(shí)現(xiàn)對(duì)所述第一電極（910)與所述 第二電極（920c)之間的互電容改變的測(cè)量。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述第一電極（910)或所述第二電極（920c)中的 至少一者在所述暴露PCT區(qū)域（1110)中包含傳導(dǎo)部分。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述傳導(dǎo)橋（935)中的一些至 少部分安置在所述第二電極（920c)之一的上方。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述傳導(dǎo)橋（935)形成為島 狀物、分段條帶、曲線條紋、曲線分段、菱形形狀、中空幾何形狀或框架幾何形狀中的至少一 者。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述第一電極（910)、所述第 二電極（920c)或所述中間導(dǎo)體（935)中的至少一者包含分支。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述分支形成為L(zhǎng)形、螺旋形或叉指型形狀中的至 少一者。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述中間導(dǎo)體分支（1205b)與第一電極分支 (1205a)或第二電極分支交錯(cuò)。
11. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述第一電極（910)、所述中 間導(dǎo)體（920b)或所述第二電極（920c)中的至少一者由實(shí)質(zhì)上透明的傳導(dǎo)材料形成。
12. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述第一電極（910)或所述 第二電極（920c)中的至少一者包含實(shí)質(zhì)上透明的傳導(dǎo)材料及傳導(dǎo)金屬。
13. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述第一電極（910)或所述 第二電極（920c)之一的至少一部分由金屬形成。
14. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含安置在所述傳導(dǎo)橋 (935)及所述FSR材料（930)上方的力散布層（2015)。
15. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含安置在所述FSR 材料（930)與所述傳導(dǎo)橋（935)、所述中間導(dǎo)體（920b)、所述第二電極（920c)、柔性層 (2010)、介電層（915)或力散布層（2015)中的至少一者之間的傳導(dǎo)粘合材料（2005)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述傳導(dǎo)粘合材料（2005)為實(shí)質(zhì)上透明的。
17. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述第二電極（920c)包含行 電極及列電極，及其中所述第一電極包含經(jīng)配置以沿著所述行電極或所述列電極中的至少 一者形成電連接的跳線。
18. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括： 顯示器（30); 處理器（21)，其經(jīng)配置以與所述顯示器（30)通信，所述處理器（21)經(jīng)配置以處理圖像 數(shù)據(jù)；及 存儲(chǔ)器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器（21)通信。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括： 驅(qū)動(dòng)器電路（22)，其經(jīng)配置以發(fā)送至少一個(gè)信號(hào)到所述顯示器（30);及 控制器（29)，其經(jīng)配置以發(fā)送所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分到所述驅(qū)動(dòng)器電路（22)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括： 圖像源模塊（27)，其經(jīng)配置以發(fā)送所述圖像數(shù)據(jù)到所述處理器，其中所述圖像源模塊 包含接收器、收發(fā)器（47)或發(fā)射器中的至少一者。
21. 根據(jù)權(quán)利要求18至20中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括： 輸入裝置（48)，其經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)及將所述輸入數(shù)據(jù)傳達(dá)到所述處理器（21)。
22. 根據(jù)權(quán)利要求18至21中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括： 觸摸控制器（77)，其經(jīng)配置以用于與所述處理器（21)通信；及 布線，其經(jīng)配置以用于將所述第一電極或所述第二電極中的至少一者連接到所述觸摸 控制器（77)。
23. -種制造觸摸傳感器設(shè)備的方法，所述方法包括： 在襯底（905)上形成多個(gè)第一電極（910); 在所述多個(gè)第一電極（910)上形成介電層（915); 在所述介電層（915)中形成通孔（925); 在所述介電層（915)上形成多個(gè)第二電極（920c); 在所述介電層（915)上形成多個(gè)中間導(dǎo)體（920b)，所述中間導(dǎo)體（915)經(jīng)配置以用于 經(jīng)由所述通孔（925)而與所述第一電極（910)電通信； 將各向異性的力敏電阻器FSR材料（930)層安置在所述第二電極（920c)及所述中間 導(dǎo)體（920a)上；及 在所述FSR材料（930)上形成多個(gè)傳導(dǎo)橋（935)，所述傳導(dǎo)橋（935)中的每一者安置 在所述中間導(dǎo)體（920b)中至少一者上方，其中當(dāng)將力施加到所述FSR材料時(shí)，所述FSR材 料（930)經(jīng)配置以在所述傳導(dǎo)橋（935)之一、所述第二電極（920c)之一及所述中間導(dǎo)體 (920b)之一之間形成至少一個(gè)實(shí)質(zhì)上垂直的電連接。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其進(jìn)一步包含在所述中間導(dǎo)體（920b)之一與所述第 一電極（910)之一之間安置固定電阻器（1305)。
25. 根據(jù)權(quán)利要求23或24所述的方法，其中在所述傳導(dǎo)橋（935)之間的開(kāi)放區(qū)至少部 分暴露所述第一電極（910)及所述第二電極（920c)的投射式電容性觸摸PCT區(qū)域（1110)， 所述方法進(jìn)一步包含配置所述觸摸傳感器設(shè)備以用于測(cè)量所述第一電極（910)與所述第 二電極（920c)之間的互電容的改變。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述第一電極（910)或所述第二電極（920c)中 的至少一者在所述暴露PCT區(qū)域（1110)中包含傳導(dǎo)部分。
27. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述傳導(dǎo)部分至少部分由傳導(dǎo)金屬形成。
28. 根據(jù)權(quán)利要求23至27中任一權(quán)利要求所述的方法，其中形成所述多個(gè)傳導(dǎo)橋 (935)涉及形成所述傳導(dǎo)橋（935)中的一些以在所述第二電極（920c)中的至少一者上方延 伸。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK104364742SQ201380031490
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2013年4月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月23日
【發(fā)明者】菲利普·賈森·斯蒂法諾, 尼古拉·伊恩·巴肯, 戴維·威廉·伯恩斯, 克里斯托弗·安德魯·萊佛里, 斯里尼瓦?！た七_(dá)加納盧爾·加納帕蒂 申請(qǐng)人:高通Mems科技公司