一種提高硬盤(pán)可靠性的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種提高硬盤(pán)可靠性的方法，包括：獲取不同采樣時(shí)刻硬盤(pán)陣列的參數(shù)，計(jì)算不同采樣時(shí)刻硬盤(pán)陣列的參數(shù)所對(duì)應(yīng)的隸屬值，包括溫度、性能、運(yùn)行時(shí)間以及功耗，獲取硬盤(pán)溫度、性能、運(yùn)行時(shí)間對(duì)應(yīng)的隸屬值的平均值A(chǔ)、B、C以及功耗對(duì)應(yīng)隸屬值的最小值D，獲取該硬盤(pán)陣列的聚合值F=aA+bB+cC+dD，其中a=0.1，b=0.2，c=0.3，d=0.4，改變磁盤(pán)陣列的大小，并重復(fù)上述步驟，以獲取不同大小磁盤(pán)陣列對(duì)應(yīng)的聚合值，并找到使聚合值最大對(duì)應(yīng)的磁盤(pán)陣列作為最可靠的磁盤(pán)陣列。與現(xiàn)有的方法相比，本發(fā)明的方法可以降低百分之二十到三十的溫度?？梢杂行У販p少硬盤(pán)錯(cuò)誤率，提高硬盤(pán)的可靠性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種提高硬盤(pán)可靠性的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種提高硬盤(pán)可靠性的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲(chǔ)系統(tǒng)正面臨著巨額電費(fèi)和高錯(cuò)誤率等問(wèn)題，而這些都與存儲(chǔ)系統(tǒng)的過(guò)高溫度有關(guān)，實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn)溫度在很大程度上影響硬盤(pán)的壽命。針對(duì)能耗較大的問(wèn)題，當(dāng)前存儲(chǔ)系統(tǒng)的節(jié)能策略是盡可能將負(fù)載集中到少數(shù)的硬盤(pán)，讓更多的硬盤(pán)處于休眠狀態(tài)，減少高速旋轉(zhuǎn)引起的能耗。即關(guān)注于少量硬盤(pán)上的大量負(fù)載，但這種策略會(huì)導(dǎo)致高負(fù)載硬盤(pán)始終處于高溫工作狀態(tài)，引起硬盤(pán)故障率急劇上升。并且在少量硬盤(pán)上進(jìn)行過(guò)多的IO操作可能會(huì)導(dǎo)致硬盤(pán)間溫度的差異，這樣系統(tǒng)不能有效地制冷。與CPU相比，在現(xiàn)有條件下對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行溫度控制更為困難，首先，存儲(chǔ)系統(tǒng)中的溫度和電量之間的關(guān)系是非線(xiàn)性和離散的，這就給溫度控制帶來(lái)了極大的計(jì)算量；其次，存儲(chǔ)系統(tǒng)反應(yīng)慢的特點(diǎn)決定了在精確控制下，系統(tǒng)很容易進(jìn)入不穩(wěn)定狀態(tài)；最后，對(duì)硬盤(pán)的管理還必須考慮磁盤(pán)的使用次數(shù)有限。另外，溫度的提高會(huì)使存儲(chǔ)系統(tǒng)就面臨性能瓶頸。因此，控制溫度從而提高存儲(chǔ)設(shè)備可靠性具有很重大的意義。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求，本發(fā)明提供了一種提高硬盤(pán)可靠性的方法，其目的在于通過(guò)引入溫度預(yù)測(cè)和反饋機(jī)制，有效提高存儲(chǔ)設(shè)備的可靠性。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種提高硬盤(pán)可靠性的方法，包括以下步驟:
[0005](I)獲取不同采樣時(shí)刻硬盤(pán)陣列的參數(shù)，包括溫度(tO, tl,…，tn)、性能(pO, pl,…，pn)、運(yùn)行時(shí)間(oO, ol,…，on)和功耗(c0, cl,…，cn),其中η表不米樣點(diǎn)的數(shù)量；
[0006](2)計(jì)算不同采樣時(shí)刻硬盤(pán)陣列的參數(shù)所對(duì)應(yīng)的隸屬值，包括溫度(Tttl, Ttl，...，^、性能^抑，。，…，Ρρη)、運(yùn)行時(shí)間(0。。，O01,…，Om)以及功耗(CcQ，Ccl,…，Ccn)；
[0007](3)獲取步驟(2)獲得的硬盤(pán)溫度、性能、運(yùn)行時(shí)間對(duì)應(yīng)的隸屬值的平均值A(chǔ)=(Tt0+Tt+..+Ttn)/n、B= (Pt0+Ptl+~+Ptn)/n、C= (0tQ+0tl+…+0tn)/n 以及功耗對(duì)應(yīng)隸屬值的最小值D ；
[0008](4)獲取該硬盤(pán)陣列的聚合值 F=aA+bB+cC+dD,其中 a=0.1, b=0.2, c=0.3, d=0.4 ；
[0009](5)改變磁盤(pán)陣列的大小,重復(fù)上述步驟(1)至(4)，以獲取不同大小磁盤(pán)陣列對(duì)應(yīng)的聚合值，并找到使聚合值最大對(duì)應(yīng)的磁盤(pán)陣列作為最可靠的磁盤(pán)陣列。
[0010]優(yōu)選地，步驟(2)具體采用以下公式:
【權(quán)利要求】
1.一種提高硬盤(pán)可靠性的方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)獲取不同采樣時(shí)刻硬盤(pán)陣列的參數(shù)，包括溫度(to,tl,…，tn)、性能(pO, pi,…，pn)、運(yùn)行時(shí)間(oO, ol,…，on)和功耗(cO, cl,…，cn),其中η表不米樣點(diǎn)的數(shù)量； (2)計(jì)算不同采樣時(shí)刻硬盤(pán)陣列的參數(shù)所對(duì)應(yīng)的隸屬值，包括溫度(Tttl,Ttl,…，Ttn)、性能(PpQ，Ppl,…，Ppn)、運(yùn)行時(shí)間(0。。，O01,…，Om)以及功耗(CcQ，Ccl,…，Ccn)； (3)獲取步驟(2)獲得的硬盤(pán)溫度、性能、運(yùn)行時(shí)間對(duì)應(yīng)的隸屬值的平均值A(chǔ)=(Tt0+Tt+..+Ttn)/n、B= (Pt0+Ptl+~+Ptn)/n、C= (0tQ+0tl+…+Otn)/n 以及功耗對(duì)應(yīng)隸屬值的最小值D ；
(4)獲取該硬盤(pán)陣列的聚合值F=aA+bB+cC+dD,其中 a=0.1, b=0.2, c=0.3, d=0.4 ； (5)改變磁盤(pán)陣列的大小，重復(fù)上述步驟(1)至(4)，以獲取不同大小磁盤(pán)陣列對(duì)應(yīng)的聚合值，并找到使聚合值最大對(duì)應(yīng)的磁盤(pán)陣列作為最可靠的磁盤(pán)陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的，其特征在于，步驟(2)具體采用以下公式:
【文檔編號(hào)】G06F3/06GK103761057SQ201410024967
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2014年1月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月20日
【發(fā)明者】吳非, 謝長(zhǎng)生, 周建, 李想 申請(qǐng)人:華中科技大學(xué)