NAND Flash頁面自適應(yīng)的方法及裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明適用于存儲(chǔ)【技術(shù)領(lǐng)域】，提供了一種NAND?Flash頁面自適應(yīng)的方法及裝置，所述方法包括如下步驟：當(dāng)進(jìn)行NAND?Flash頁面讀寫操作，且所述NAND?Flash的頁面大小為第一數(shù)值和第二數(shù)值時(shí)，對所述NAND?Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間進(jìn)行讀寫操作；所述第三數(shù)值小于第一數(shù)值和第二數(shù)值；當(dāng)進(jìn)行NAND?Flash頁面讀寫操作，且所述NAND?Flash的頁面大小為第三數(shù)值時(shí)，對所述NAND?Flash的全部空間進(jìn)行讀寫操作。本發(fā)明提出的方法及裝置可適應(yīng)不同頁面大小的NAND?Flash的讀寫操作。
【專利說明】NAND Flash頁面自適應(yīng)的方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于存儲(chǔ)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種NAND Flash頁面自適應(yīng)的方法及裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]隨著嵌入式技術(shù)的飛速發(fā)展，各種應(yīng)用對存儲(chǔ)設(shè)備的要求也隨之提高。嵌入式設(shè)備由于受成本、體積等因素的影響通常需要使用較大容量的非易失性的存儲(chǔ)設(shè)備。NANDFlash存儲(chǔ)器由于其具有存儲(chǔ)容量大、價(jià)格便宜、掉電數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，目前被廣泛用于移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)、電視機(jī)頂盒等電子產(chǎn)品中。
[0003]NAND Flash設(shè)備的結(jié)構(gòu)分為多個(gè)存儲(chǔ)塊(Block)，每個(gè)Block由多個(gè)頁(Page)組成。Block是NAND Flash的最小可擦除的單位，Block的基本組成單位Page是NANDFlash的最小可編程單位。Page進(jìn)一步劃分為主數(shù)據(jù)區(qū)(main data)和剩余數(shù)據(jù)區(qū)(sparedata)ο NAND Flash常見的頁面大小有512B、2KB和4KB這3種類型。512B的頁實(shí)際大小是528字節(jié)，它的主數(shù)據(jù)區(qū)大小是512B，其他數(shù)據(jù)區(qū)占16B (其中Spare User Data_5bytes，ECC-lObytes, Reserved-1byte)0而2KB和4KB頁分別由4個(gè)和8個(gè)528字節(jié)的數(shù)據(jù)區(qū)組成，每個(gè)528字節(jié)的數(shù)據(jù)區(qū)的主數(shù)據(jù)區(qū)大小都是512字節(jié)。512B與2KB頁面結(jié)構(gòu)的對比如圖1、圖2所示。
[0004]EFS是高通設(shè)計(jì)的基于NAND Flash的文件系統(tǒng)，文件系統(tǒng)與Flash頁的結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，EFS文件系統(tǒng)分為5層，最底層是硬件層，NAND Flash硬件處于硬件層；第二層是NAND Controller層，該層的作用的提供訪問NAND Flash設(shè)備的接口給上層；第三層是NAND Flash驅(qū)動(dòng)層，該層的功能是提供基本的Flash讀寫擦出等操作接口給上層；第四層是文件系統(tǒng)層，提供文件操作API給應(yīng)用層；最上層是應(yīng)用層。
[0005]由于不同大小頁面的結(jié)構(gòu)不同，因此NAND Flash的讀寫訪問時(shí)需要針對不同的頁面做不同的處理。傳統(tǒng)的做法是對于不同的頁面編寫不同的驅(qū)動(dòng)代碼，然后生成各自的bin文件燒寫到對應(yīng)的NAND Flash中，這種做法的缺點(diǎn)是會(huì)帶來軟件維護(hù)方面的麻煩。另一種常見的做法是編寫2套不同的文件系統(tǒng)代碼來適應(yīng)小頁面(512B)和大頁面(2KB和4KB)，例如Linux系統(tǒng)下流行的yaffs文件系統(tǒng)用于小頁面，而yaffs2文件系統(tǒng)用于大頁面。這種做法的好處是能夠自適應(yīng)不同的頁面，缺點(diǎn)是需要使用2套不同的文件系統(tǒng)代碼接口，在軟件的設(shè)計(jì)上比較麻煩。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種NAND Flash頁面自適應(yīng)的方法及裝置，旨在解決現(xiàn)有的NAND Flash在訪問時(shí)因不同頁面大小需要不同的代碼造成維護(hù)困難的問題。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種NAND Flash頁面自適應(yīng)的方法，所述方法包括如下步驟:
[0008]當(dāng)進(jìn)行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第一數(shù)值和第二數(shù)值時(shí)，對所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間進(jìn)行讀寫操作；所述第三數(shù)值小于第一數(shù)值和第二數(shù)值；
[0009]當(dāng)進(jìn)行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第三數(shù)值時(shí)，對所述NAND Flash的全部空間進(jìn)行讀寫操作。
[0010]進(jìn)一步地，所述對NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間進(jìn)行讀寫操作進(jìn)一步為:
[0011]通過寫頁面函數(shù)寫入所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間；
[0012]通過讀頁面函數(shù)讀取所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間。
[0013]進(jìn)一步地，所述通過寫頁面函數(shù)寫入NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間包括:
[0014]申請一個(gè)大小為第三數(shù)值的第一 Buffer ;
[0015]將待寫入的數(shù)據(jù)拷貝至所述申請的第一 Buffer ；
[0016]調(diào)用write_page函數(shù)將所述第一 Buffer中的數(shù)據(jù)寫入所述NAND Flash的某一頁面起始位置的第三數(shù)值的空間。
[0017]進(jìn)一步地,在執(zhí)行所述調(diào)用write_page函數(shù)將第一 Buffer中的數(shù)據(jù)寫入NANDFlash的某一頁面起始位置的第三數(shù)值的空間之后，還包括:
[0018]調(diào)用read_page函數(shù)讀取所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的數(shù)據(jù)至Verify_buffer ；
[0019]比較所述Verify_buffer前第三數(shù)值的數(shù)據(jù)與第一 Buffer的數(shù)據(jù)，相同則寫成功，否則失敗。
[0020]進(jìn)一步地，所述通過讀頁面函數(shù)讀取NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間包括:
[0021]申請一個(gè)大小為第三數(shù)值的第二 Buffer ;
[0022]通過read_page函數(shù)讀取所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的數(shù)據(jù)至所述第二 Buffer ；
[0023]將所述第二 Buffer的數(shù)據(jù)拷貝至指定的存儲(chǔ)空間。
[0024]本發(fā)明還提出一種NAND Flash頁面自適應(yīng)的裝置，所述裝置包括:
[0025]大頁面讀寫模塊，用于當(dāng)進(jìn)行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第一數(shù)值和第二數(shù)值時(shí)，對所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間進(jìn)行讀寫操作；所述第三數(shù)值小于第一數(shù)值和第二數(shù)值；
[0026]小頁面讀寫模塊，用于當(dāng)進(jìn)行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第三數(shù)值時(shí)，對所述NAND Flash的全部空間進(jìn)行讀寫操作。
[0027]進(jìn)一步地，所述大頁面讀寫模塊包括:
[0028]寫單元，用于通過寫頁面函數(shù)寫入所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間；
[0029]讀單元,用于通過讀頁面函數(shù)讀取所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間。
[0030]進(jìn)一步地，所述寫單元包括:
[0031]申請第一子單元，用于申請一個(gè)大小為第三數(shù)值的第一 Buffer ；
[0032]緩沖子單元，用于將待寫入的數(shù)據(jù)拷貝至所述申請的第一 Buffer ；[0033]調(diào)用子單元，用于調(diào)用Write_page函數(shù)將所述第一 Buffer中的數(shù)據(jù)寫入所述NAND Flash的某一頁面起始位置的第三數(shù)值的空間。
[0034]進(jìn)一步地，所述寫單元還包括:
[0035]檢驗(yàn)子單元,用于調(diào)用通過read_page函數(shù)讀取所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的數(shù)據(jù)至Verify_buffer ；以及比較所述Verify_buffer前第三數(shù)值的數(shù)據(jù)與第-Buffer的數(shù)據(jù)，相同則寫成功，否則失敗。
[0036]進(jìn)一步地,所述讀單元包括:
[0037]申請第二子單元，用于申請一個(gè)大小為第三數(shù)值的第二 Buffer ；
[0038]讀取子單元,用于通過read_page函數(shù)讀取所述NAND Flash頁面的起始位置的第三數(shù)值的數(shù)據(jù)至所述第二 Buffer ；
[0039]拷貝子單元，用于將所述第二 Buffer的數(shù)據(jù)拷貝至指定的存儲(chǔ)空間。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例考慮到NAND Flash中，2KB頁面、4KB頁面與512B頁面的相似性，通過僅使用2KB和4KB頁面起始位置的512B區(qū)域進(jìn)行NAND Flash頁的讀寫擦除等操作，從而達(dá)到只用一份代碼便可以兼容上述幾種大小頁面的NAND Flash，使系統(tǒng)能正常啟動(dòng)。無需針對不同的NAND Flash頁面編寫不同的文件系統(tǒng)接口，簡化了軟件代碼設(shè)計(jì)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1是NAND Flash頁面大小為512B時(shí)的頁面結(jié)構(gòu)圖；
[0042]圖2是NAND Flash頁面大小為2K時(shí)的頁面結(jié)構(gòu)圖；
[0043]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供的NAND Flash頁面自適應(yīng)的方法的流程圖；
[0044]圖4是本發(fā)明實(shí)施例一提供的NAND Flash頁面自適應(yīng)的方法中寫操作的流程圖；
[0045]圖5是本發(fā)明實(shí)施例二提供的NAND Flash頁面自適應(yīng)的裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0046]圖6是本發(fā)明實(shí)施例二提供的NAND Flash頁面自適應(yīng)的裝置中大頁面讀寫模塊的結(jié)構(gòu)圖；
[0047]圖7是本發(fā)明實(shí)施例二提供的NAND Flash頁面自適應(yīng)的裝置中寫單元的結(jié)構(gòu)圖；
[0048]圖8是本發(fā)明實(shí)施例二提供的NAND Flash頁面自適應(yīng)的裝置中讀單元的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0049]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0050]實(shí)施例一
[0051]本發(fā)明實(shí)施例一提出一種NAND Flash頁面自適應(yīng)的方法。如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例一的方法包括如下步驟:
[0052]S1、當(dāng)進(jìn)行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第一數(shù)值和第二數(shù)值時(shí)，對所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間進(jìn)行讀寫操作；所述第
三數(shù)值小于第一數(shù)值和第二數(shù)值；
[0053]S2、當(dāng)進(jìn)行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第三數(shù)值時(shí)，對所述NAND Flash的全部空間進(jìn)行讀寫操作。[0054]本發(fā)明實(shí)施例一以EFS文件系統(tǒng)、第一數(shù)值為2KB，第二數(shù)值為4KB，第三數(shù)值為512KB為例進(jìn)行說明，實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中，不僅限于EFS文件系統(tǒng)和上述數(shù)值限定。對NANDFlash進(jìn)行讀寫操作前，通常需要先進(jìn)行NAND Flash復(fù)位。在EFS文件系統(tǒng)這一層，需要對NAND Flash進(jìn)行讀寫操作。如果NAND Flash的頁面大小是512B，則使用NAND Flash的全部存儲(chǔ)空間，如果NAND Flash的頁面大小是2KB或者4KB，那么僅僅使用某一頁面起始位置的528字節(jié)(包括512字節(jié)的主數(shù)據(jù)區(qū)加上16字節(jié)的剩余數(shù)據(jù)區(qū))。這樣，以犧牲2KB或者4KB大頁面的部分存儲(chǔ)空間為代價(jià)，換來不同頁面的NAND Flash自適應(yīng)。
[0055]具體地,在EFS2文件系統(tǒng)層，通過調(diào)用寫函數(shù)fs_device_write_page O完成寫NAND Flash頁面的功能，對于NAND Flash頁面大小為2KB或4KB時(shí)，寫入頁面的數(shù)據(jù)的實(shí)際長度為512B，從2KB或4KB頁面的某一頁面的起始位置起算。如圖4所示，步驟SI包括:
[0056]步驟S11、首先需要申請一個(gè)512B大小的第一 Buffer ；
[0057]步驟S12、將待寫入數(shù)據(jù)拷貝到第一 Buffer中；
[0058]步驟S13、通過write_page O回調(diào)函數(shù)將第一 Buffer中的數(shù)據(jù)寫入NAND Flash的某一個(gè)頁面。write_page()回調(diào)函數(shù)實(shí)際是NAND Controller層的函數(shù)flash_nand_ctrl_c_write_page()；
[0059]步驟S14、調(diào)用底層的read_page()函數(shù)讀取該頁面中的數(shù)據(jù)到verify_buffer ；
[0060]步驟S15、比較第一 Buffer與verify_buffer的前512B內(nèi)的數(shù)據(jù)，如果相同表示寫操作0K，否者寫操作錯(cuò)誤，返回失敗。
[0061]類似地，fs_device_read_page()用于完成讀某個(gè)NAND Flash頁面的功能。先申請一個(gè)521B的第二 Buffer,然后通過read_page函數(shù)讀取NAND Flash頁面起始位置的512B至第二 Buffer,通過data指針將第二 Buffer的數(shù)據(jù)拷貝至data指針指定的存儲(chǔ)空間。
[0062]本發(fā)明實(shí)施例一考慮到NAND Flash中，2KB頁面、4KB頁面與512B頁面的相似性，通過僅使用2KB和4KB頁面起始位置的512B區(qū)域進(jìn)行NAND Flash頁的讀寫擦除等操作，從而達(dá)到只用一份代碼便可以兼容上述幾種大小頁面的NAND Flash,無需針對不同的NANDFlash頁面編寫不同的文件系統(tǒng)接口，簡化了軟件代碼設(shè)計(jì)。
[0063]實(shí)施例二
[0064]本發(fā)明實(shí)施例二提供了一種NAND Flash頁面自適應(yīng)的裝置。如圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例二的裝置包括大頁面讀寫模塊10和小頁面讀寫模塊20，其中，大頁面讀寫模塊10當(dāng)進(jìn)行NAND Flash頁面讀寫操作，且NAND Flash的頁面大小為第一數(shù)值和第二數(shù)值時(shí)，對NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間進(jìn)行讀寫操作，第三數(shù)值小于第一數(shù)值和第二數(shù)值；小頁面讀寫模塊20當(dāng)進(jìn)行NAND Flash頁面讀寫操作，且NAND Flash的頁面大小為第三數(shù)值時(shí)，對NAND Flash的全部空間進(jìn)行讀寫操作。
[0065]本發(fā)明實(shí)施例二的裝置以應(yīng)用于EFS文件系統(tǒng)、第一數(shù)值為2KB，第二數(shù)值為4KB，第三數(shù)值為512KB為例進(jìn)行說明，實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中，不僅限于EFS文件系統(tǒng)。對NAND Flash進(jìn)行讀寫操作前，通常需要先進(jìn)行NAND Flash復(fù)位。在EFS文件系統(tǒng)這一層，需要對NANDFlash進(jìn)行讀寫操作。如果NAND Flash的頁面大小是512B，則小頁面讀寫模塊20使用NANDFlash的全部存儲(chǔ)空間，如果NAND Flash的頁面大小是2KB或者4KB，那么大頁面讀寫模塊10僅僅使用某一頁面起始位置的528字節(jié)(包括512字節(jié)的主數(shù)據(jù)區(qū)加上16字節(jié)的剩余數(shù)據(jù)區(qū))。這樣，以犧牲2KB或者4KB大頁面的部分存儲(chǔ)空間為代價(jià)，換來不同頁面的NANDFlash自適應(yīng)。
[0066]參照圖6，大頁面讀寫模塊10包括寫單元11和讀單元12。其中，寫單元11用于通過寫頁面函數(shù)寫入NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間；讀單元12用于通過讀頁面函數(shù)讀取NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間。
[0067]參照圖7，寫單元11包括申請第一子單元111、緩沖子單元112、調(diào)用子單元113和檢驗(yàn)子單元114。其中，申請第一子單元111用于申請一個(gè)大小為第三數(shù)值的第一 Buffer ；緩沖子單元112用于將待寫入的數(shù)據(jù)拷貝至申請的第一 Buffer ;調(diào)用子單元113用于調(diào)用write_page函數(shù)將第一 Buffer中的數(shù)據(jù)寫入NAND Flash的某一頁面起始位置的第三數(shù)值的空間；檢驗(yàn)子單元114用于調(diào)用通過read_page函數(shù)讀取NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的數(shù)據(jù)至Verify_buffer ;以及比較Verify_buffer前512B的數(shù)據(jù)與第一 Buffer的數(shù)據(jù)，相同則寫成功，否則失敗。
[0068]參照圖8，讀單元12包括申請第二子單元121、讀取子單元122和拷貝子單元123。其中，申請第二子單元121用于申請一個(gè)大小為第三數(shù)值的第二 Buffer ;讀取子單元122用于通過read_page函數(shù)讀取NAND Flash頁面的起始位置的第三數(shù)值的數(shù)據(jù)至第二Buffer ;拷貝子單元123用于將第二 Buffer的數(shù)據(jù)拷貝至指定的存儲(chǔ)空間。
[0069]本發(fā)明實(shí)施例二考慮到NAND Flash中，2KB頁面、4KB頁面與512B頁面的相似性，通過僅使用2KB和4KB頁面起始位置的512B區(qū)域進(jìn)行NAND Flash頁的讀寫擦除等操作，從而達(dá)到只用一份代碼便可以兼容上述幾種大小頁面的NAND Flash，無需針對不同的NANDFlash頁面編寫不同的文件系統(tǒng)接口，簡化了軟件代碼設(shè)計(jì)。
[0070]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種NAND Flash頁面自適應(yīng)的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟: 當(dāng)進(jìn)行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第一數(shù)值和第二數(shù)值時(shí)，對所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間進(jìn)行讀寫操作；所述第三數(shù)值小于第一數(shù)值和第二數(shù)值； 當(dāng)進(jìn)行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第三數(shù)值時(shí)，對所述NAND Flash的全部空間進(jìn)行讀寫操作。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對NANDFlash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間進(jìn)行讀寫操作進(jìn)一步為: 通過寫頁面函數(shù)寫入所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間； 通過讀頁面函數(shù)讀取所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述通過寫頁面函數(shù)寫入NANDFlash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間包括: 申請一個(gè)大小為第三數(shù)值的第一 Buffer ； 將待寫入的數(shù)據(jù)拷貝至所述申請的第一 Buffer ； 調(diào)用write_page函數(shù)將所述第一 Buffer中的數(shù)據(jù)寫入所述NAND Flash的某一頁面起始位置的第三數(shù)值的空間。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在執(zhí)行所述調(diào)用Write_page函數(shù)將第一Buffer中的數(shù)據(jù)寫入NAND Flash的某一頁面起始位置的第三數(shù)值的空間之后，還包括: 調(diào)用read_page函數(shù)讀取所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的數(shù)據(jù)至Verify_buffer ； 比較所述Verify_buffer前第三數(shù)值的數(shù)據(jù)與第一 Buffer的數(shù)據(jù),相同則寫成功，否則失敗。
5.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述通過讀頁面函數(shù)讀取NANDFlash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間包括: 申請一個(gè)大小為第三數(shù)值的第二 Buffer ； 通過read_page函數(shù)讀取所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的數(shù)據(jù)至所述第二 Buffer ； 將所述第二 Buffer的數(shù)據(jù)拷貝至指定的存儲(chǔ)空間。
6.一種NAND Flash頁面自適應(yīng)的裝置，其特征在于，所述裝置包括: 大頁面讀寫模塊，用于當(dāng)進(jìn)行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第一數(shù)值和第二數(shù)值時(shí)，對所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間進(jìn)行讀寫操作；所述第三數(shù)值小于第一數(shù)值和第二數(shù)值； 小頁面讀寫模塊，用于當(dāng)進(jìn)行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第三數(shù)值時(shí)，對所述NAND Flash的全部空間進(jìn)行讀寫操作。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述大頁面讀寫模塊包括: 寫單元，用于通過寫頁面函數(shù)寫入所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間； 讀單元，用于通過讀頁面函數(shù)讀取所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的空間。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述寫單元包括: 申請第一子單元，用于申請一個(gè)大小為第三數(shù)值的第一 Buffer ；緩沖子單元，用于將待寫入的數(shù)據(jù)拷貝至所述申請的第一 Buffer ； 調(diào)用子單元，用于調(diào)用write_page函數(shù)將所述第一 Buffer中的數(shù)據(jù)寫入所述NANDFlash的某一頁面起始位置的第三數(shù)值的空間。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述寫單元還包括: 檢驗(yàn)子單元，用于調(diào)用通過read_page函數(shù)讀取所述NAND Flash頁面起始位置的第三數(shù)值的數(shù)據(jù)至Verify_buffer ；以及比較所述Verify_buffer前第三數(shù)值的數(shù)據(jù)與第一Buffer的數(shù)據(jù)，相同則寫成功，否則失敗。
10.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述讀單元包括: 申請第二子單元，用于申請一個(gè)大小為第三數(shù)值的第二 Buffer ； 讀取子單元，用于通過read_page函數(shù)讀取所述NAND Flash頁面的起始位置的第三數(shù)值的數(shù)據(jù)至所述第二 Buffer ； 拷貝子單元，用于將所述第二 Buffer的數(shù)據(jù)拷貝至指定的存儲(chǔ)空間。
【文檔編號(hào)】G06F9/445GK103838608SQ201410078999
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2014年3月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月5日
【發(fā)明者】徐凱 申請人:深圳市中興物聯(lián)科技有限公司