一種基于esd保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，包括：感應(yīng)單元陣列，所述感應(yīng)單元陣列包括多個(gè)彼此間隔設(shè)置的感應(yīng)單元；第一ESD保護(hù)單元，設(shè)置于所述感應(yīng)單元內(nèi)；第二ESD保護(hù)單元，形成于相鄰所述感應(yīng)單元之間；以及第三ESD保護(hù)單元，設(shè)置于多個(gè)所述感應(yīng)單元陣列外圍；其中，所述第一、第二、第三ESD保護(hù)單元被配合設(shè)置為由所述第一ESD保護(hù)單元將所述感應(yīng)單元內(nèi)的靜電電流流向所述第二ESD保護(hù)單元，所述第二ESD保護(hù)單元的靜電電流流向所述第三ESD保護(hù)單元。本發(fā)明通過(guò)分級(jí)保護(hù)，逐級(jí)來(lái)減弱ESD對(duì)整個(gè)識(shí)別感應(yīng)裝置的影響。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸摸屏【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]ESD保護(hù)向來(lái)是一個(gè)重要的課題，特別是進(jìn)入深亞微米工藝后，隨著相關(guān)尺寸的減小，各種器件和電路的ESD防護(hù)能力快速下降，因此ESD保護(hù)的電路的設(shè)計(jì)就處于更加突出的位置。
[0003]目前對(duì)于一般的IC設(shè)計(jì)，ESD保護(hù)一般在PAD(電路引腳)上進(jìn)行處理。因?yàn)檎麄€(gè)芯片除了 PAD外，其他部分都有塑封體進(jìn)行封裝，這就使IC內(nèi)部的電路與外部的空間進(jìn)行了有效的ESD隔離。但是對(duì)于生物識(shí)別的IC而言，整個(gè)感應(yīng)陣列是直接與外部空間接觸、暴露在外面，也是和待識(shí)別的生物體有直接接觸的(如手，衣服等)，此時(shí)就沒(méi)有封裝的隔離，接觸到的外部靜電電流較多，增加了電路中泄放靜電電流的壓力。另外，感應(yīng)陣列的面積較大，使得感應(yīng)陣列中的靜電電流不能很快地泄放出去，容易造成對(duì)工作電路的破壞、損壞電路中的元器件等。因此，需要制作出電流的泄放路徑，如多層次的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)等，使其在對(duì)器件、電路等帶來(lái)的損壞作用前，將其均勻地通過(guò)各泄放路徑快速地泄放到PAD上。
[0004]有鑒于此，需要對(duì)識(shí)別感應(yīng)裝置進(jìn)行完整的ESD保護(hù)的設(shè)計(jì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，通過(guò)對(duì)整體ESD進(jìn)行分級(jí)保護(hù)，逐級(jí)來(lái)減弱ESD對(duì)整個(gè)生物識(shí)別感應(yīng)識(shí)別裝置的影響。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)效果，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:
[0007]一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，包括:
[0008]感應(yīng)單元陣列，所述感應(yīng)單元陣列包括多個(gè)彼此間隔設(shè)置的感應(yīng)單元；
[0009]第一 ESD保護(hù)單元，設(shè)置于所述感應(yīng)單元內(nèi)；
[0010]第二 ESD保護(hù)單元，形成于相鄰所述感應(yīng)單元之間；以及
[0011]第三ESD保護(hù)單元，設(shè)置于多個(gè)所述感應(yīng)單元陣列外圍；
[0012]其中，所述第一、第二、第三ESD保護(hù)單元被配合設(shè)置為由所述第一 ESD保護(hù)單元將所述感應(yīng)單元內(nèi)的靜電電流流向所述第二 ESD保護(hù)單元，所述第二 ESD保護(hù)單元的靜電電流流向所述第三ESD保護(hù)單元。
[0013]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二ESD保護(hù)單元的抗ESD能力強(qiáng)于所述第一ESD保護(hù)單元，所述第三ESD保護(hù)單元的抗ESD能力強(qiáng)于所述第二 ESD保護(hù)單元。
[0014]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述感應(yīng)單元由多個(gè)感應(yīng)單元塊組成，所述感應(yīng)單元塊包括頂層感應(yīng)區(qū)域、金屬走線(xiàn)層、N型阱區(qū)域、P型阱區(qū)域及深處N型阱區(qū)域，相鄰感應(yīng)單元塊的同一 N型阱區(qū)域和/或同一 P型阱區(qū)域被連通設(shè)置。
[0015]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二 ESD保護(hù)單元包括NM0Sesd、GGNMOS以及與NMOSesd和GGNMOS關(guān)聯(lián)設(shè)置、供驅(qū)動(dòng)所述NMOSesd和所述GGNMOS的驅(qū)動(dòng)單元。[0016]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二 ESD保護(hù)單元還包括開(kāi)關(guān)單元，所述驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)所述開(kāi)關(guān)單元可選擇地切換控制所述NMOSesd和所述GGNMOS。
[0017]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述感應(yīng)單元以矩陣排列，所述驅(qū)動(dòng)單元位于以矩陣排列的所述感應(yīng)單元的行與列的交匯處，其中，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元對(duì)應(yīng)行或列的任一側(cè)電性連接有相同數(shù)量的所述NMOSesd。
[0018]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元四周鄰設(shè)有與該驅(qū)動(dòng)單元直接相連相同數(shù)量的NMOSesd。
[0019]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，在所述第二 ESD保護(hù)單元中，所述GGNMOS的數(shù)量多于所述NMOSesd的數(shù)量。
[0020]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第三ESD保護(hù)單元包括外圈地線(xiàn)以及位于所述外圈地線(xiàn)外圍的外圈電源線(xiàn)，所述外圈地線(xiàn)與所述外圈電源線(xiàn)之間連接有MOS電容電路。
[0021]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第三ESD保護(hù)單元電性連接于I/O的電路引腳上，且所述第三ESD保護(hù)單元的靜電電流流向所述電路引腳。
[0022]本發(fā)明的有益效果在于，通過(guò)在感應(yīng)單元設(shè)置有第一 ESD保護(hù)單元，避免靜電電流流入工作電路，且將感應(yīng)電流流向位于相鄰感應(yīng)單元行或列之間的第二 ESD保護(hù)單元，第二 ESD保護(hù)單元通過(guò)驅(qū)動(dòng)單元切換驅(qū)動(dòng)NMOSesd和GGNM0S，以使靜電電流流向感應(yīng)單元所形成陣列外圍的第三ESD保護(hù)單元，最終將靜電電流引向電路引腳泄放，從而實(shí)現(xiàn)分級(jí)保護(hù)，逐級(jí)來(lái)減弱ESD對(duì)整個(gè)識(shí)別感應(yīng)裝置的影響。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為本發(fā)明的感應(yīng)單元的一感應(yīng)單元塊電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明的多個(gè)感應(yīng)單元塊的同一性質(zhì)區(qū)域合并后的示意圖；
[0025]圖3為本發(fā)明的感應(yīng)單元塊的金屬層走線(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖4為本發(fā)明的第二 ESD保護(hù)單元的驅(qū)動(dòng)單元與NMOSesd的切換電路圖；
[0027]圖5為本發(fā)明的第二 ESD保護(hù)單元的驅(qū)動(dòng)單元與GGNMOS的切換電路圖；
[0028]圖6為本發(fā)明的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置的感應(yīng)單元、第二及第三ESD保護(hù)單元的整體結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0029]圖7為本發(fā)明的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置的整體結(jié)構(gòu)電路圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0030]以下將結(jié)合附圖所示的【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實(shí)施方式并不限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0031]首先參閱圖1和圖6，其中，圖1為本發(fā)明的感應(yīng)單元塊電路結(jié)構(gòu)示意圖，圖6為本發(fā)明的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置的感應(yīng)單元、第二及第三ESD保護(hù)單元的整體結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置包括感應(yīng)單元10、第二ESD保護(hù)單元20以及第三ESD保護(hù)單元30。在本發(fā)明中，作用于感應(yīng)單元10的靜電電流流向第二 ESD保護(hù)單元20，作用于或者流向第二 ESD保護(hù)單元20的靜電電流經(jīng)ESD保護(hù)器件作用流向第三ESD保護(hù)單元30，作用于或者流向第三ESD保護(hù)單元30的靜電電流最終流向I/O的PAD (電路引腳)上泄放出去。特別地，第一、第二、第三ESD保護(hù)單元(12、20、30)被配合設(shè)置為感應(yīng)單元10的靜電電流流向第二 ESD保護(hù)單元20，第二 ESD保護(hù)單元20的靜電電流流向第三ESD保護(hù)單元30。
[0032]具體地，該識(shí)別感應(yīng)裝置包括感應(yīng)單元陣列，該感應(yīng)單元陣列包括多個(gè)彼此間隔設(shè)置的感應(yīng)單元10，感應(yīng)單元10內(nèi)設(shè)置有第一 ESD保護(hù)單元12，第二 ESD保護(hù)單元20形成于相鄰感應(yīng)單元10之間；第三ESD保護(hù)單元30則設(shè)置于感應(yīng)陣列的外圍，其中，感應(yīng)單元10電性連接于第二 ESD保護(hù)單元20，第二 ESD保護(hù)單元20電性連接于第三ESD保護(hù)單元30。通過(guò)第一、第二及第三ESD保護(hù)單元(12、20、30)的作用，感應(yīng)單元10的靜電電流流向第二 ESD保護(hù)單元20，第二 ESD保護(hù)單元20的感應(yīng)電流流向第三ESD保護(hù)單元30。感應(yīng)單元10內(nèi)設(shè)置的第一 ESD保護(hù)單元12為二極管與電阻配合組成或其他ESD保護(hù)器件，詳細(xì)地，PAD上的靜電釋放正向電壓通過(guò)向上的二極管正向?qū)?，使靜電釋放電流流到電源線(xiàn)上；當(dāng)出現(xiàn)靜電釋放負(fù)向電壓，使對(duì)地線(xiàn)的二極管導(dǎo)通，從而使靜電釋放電流流向地線(xiàn)上。在本實(shí)施方式中，感應(yīng)單元10為設(shè)有ESD保護(hù)器件的觸摸屏感應(yīng)單元。特別地，在本發(fā)明中，第二 ESD保護(hù)單元20的抗ESD能力強(qiáng)于第一 ESD保護(hù)單元10，第三ESD保護(hù)單元30的抗ESD能力強(qiáng)于第二 ESD保護(hù)單元20。
[0033]如圖1至圖3所示,在本發(fā)明中，感應(yīng)單元10由多個(gè)感應(yīng)單元塊組成,感應(yīng)單元塊11包括頂層感應(yīng)區(qū)域111、金屬走線(xiàn)層112，N型阱區(qū)域113、P型阱區(qū)域114及深處N型阱區(qū)域115。其中，至少各個(gè)區(qū)域的外圍設(shè)置有電源線(xiàn)和地線(xiàn)，相鄰區(qū)域之間以特定間隙分隔開(kāi)。優(yōu)選地，相鄰感應(yīng)單元塊11的同一 N型阱區(qū)域113和/或同一 P型阱區(qū)域114被連通設(shè)置，如此設(shè)置，可以將小區(qū)域的N型阱113或P型阱114合并成較大的N型阱113或P型阱114，從而使其可以裝配更多的ESD保護(hù)器件，需要說(shuō)明的是，在感應(yīng)單元中，可選擇性地在感應(yīng)單元塊內(nèi)設(shè)置有第一 ESD保護(hù)單元，并非每個(gè)感應(yīng)單元塊均需設(shè)置第一 ESD保護(hù)單元，具體地根據(jù)版圖設(shè)計(jì)而定，在此不再詳細(xì)闡述。本實(shí)施方式中，將同一性質(zhì)的N型阱113或P型阱114拼接合并后，可以將同一區(qū)域的電源線(xiàn)和地線(xiàn)共用，省去了一些不必要的設(shè)計(jì)的間隙，從而減小線(xiàn)阻，增大靜電電流的就近流出感應(yīng)單元10的通透性，使感應(yīng)電流加快流出，從而增強(qiáng)了抗ESD的能力，并且使本發(fā)明的整體布線(xiàn)更加簡(jiǎn)潔，其節(jié)省出的空間增加了其他信號(hào)線(xiàn)的走線(xiàn)靈活性。另外，將同一性質(zhì)的N型阱113或P型114阱合并，可減少感應(yīng)單元10內(nèi)的閂鎖效應(yīng)。再次參照?qǐng)D3，金屬走線(xiàn)層112包括多個(gè)層金屬走線(xiàn)，使流靜電電流的電源和地線(xiàn)在各個(gè)層上都連續(xù)，形成一個(gè)流出靜電電流的網(wǎng)絡(luò)，此為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此就不再詳細(xì)說(shuō)明。
[0034]如圖4和圖5所示，在本發(fā)明中，該第二 ESD保護(hù)單元20包括NM0Sesd22(版圖設(shè)計(jì)ESD規(guī)則的NMOS晶體管)、GGNM0S23以及與NM0Sesd22和GGNM0S23關(guān)聯(lián)設(shè)置、供驅(qū)動(dòng)NM0Sesd22和GGNM0S22的驅(qū)動(dòng)單元21。該第二 ESD保護(hù)單元還包括開(kāi)關(guān)單元24，驅(qū)動(dòng)單元21通過(guò)開(kāi)關(guān)單元24可選擇地控制NM0Sesd22和GGN0MS23，其中，驅(qū)動(dòng)單元21可驅(qū)動(dòng)NM0Sesd22以使靜電電流流向第三ESD保護(hù)單元30。詳細(xì)地，在IC上電時(shí)，減少驅(qū)動(dòng)單元21驅(qū)動(dòng)的NM0Sesd22數(shù)，以減少上電時(shí)的漏電，同時(shí)搭配一定數(shù)量的GGN0MS23，由于GGN0MS23在該階段不會(huì)漏電，因此上電速度受ESD電路的影響大大減弱。在ESD發(fā)生時(shí)，同時(shí)使用GGN0MS23和NM0Sesd22，該第二 ESD保護(hù)單元20的NM0Sesd22在驅(qū)動(dòng)單元21的驅(qū)動(dòng)下皆啟動(dòng)，讓靜電電流流到地線(xiàn)或者電源線(xiàn)上。具體地，該驅(qū)動(dòng)單元21通過(guò)開(kāi)關(guān)單元24可選擇地控制NM0Sesd22或GGN0MS23。具體地，該裝置包括兩種工作形式:IC上電時(shí)，驅(qū)動(dòng)單元21驅(qū)動(dòng)部分NM0Sesd22工作的一工作形式以及ESD發(fā)生時(shí)，驅(qū)動(dòng)單元21接受到感應(yīng)信號(hào)后驅(qū)動(dòng)全部NM0Sesd22工作的另一工作形式。驅(qū)動(dòng)單元21包括驅(qū)動(dòng)部分NM0Sesd22的RC觸發(fā)電路和反向器鏈A，該驅(qū)動(dòng)單元21還包括上電觸發(fā)電路、上電判斷延遲電路、反相器鏈B、下拉電路，其信號(hào)傳播方向依次為芯片上電觸發(fā)信號(hào)、上電判斷延遲電路、反相器鏈B、下拉電路。其中，下拉電路的輸出與反相器鏈A的輸出存在競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，通過(guò)本發(fā)明的合理設(shè)計(jì)，可使各自在不同使用條件下發(fā)揮主要作用。根據(jù)電路設(shè)計(jì)規(guī)則，在第二 ESD保護(hù)單元20中，GGNOMS23的數(shù)量多于NMOSesd22的數(shù)量。
[0035]特別地，請(qǐng)參照?qǐng)D6，在本實(shí)施方式中，感應(yīng)單元10以矩陣排列，驅(qū)動(dòng)單元21位于以矩陣排列的感應(yīng)單元10的行與列的交匯處，將驅(qū)動(dòng)單元21放置在以矩陣排列的感應(yīng)單元10的行與列的交匯處，這樣可以讓感應(yīng)單元10流出的靜電電流或生物體產(chǎn)生的電流以最短的距離來(lái)引起驅(qū)動(dòng)單元21的響應(yīng)。其中，每個(gè)驅(qū)動(dòng)單元21對(duì)應(yīng)行或列的任一側(cè)具有相同數(shù)量的NM0Sesd22,優(yōu)選地,每個(gè)驅(qū)動(dòng)單元21的四周鄰設(shè)有與該驅(qū)動(dòng)單元21直接相連相同數(shù)量的NM0Sesd22，具體地根據(jù)需要而定，同時(shí)驅(qū)動(dòng)單元21的上下左右數(shù)量要相等，以使靜電電流均衡地流出第二 ESD保護(hù)單元20。
[0036]在本發(fā)明中，第三ESD保護(hù)單元30包括外圈地線(xiàn)31以及位于外圈地線(xiàn)31外圍的外圈電源線(xiàn)32，外圈地線(xiàn)31與外圈電源線(xiàn)32之間連接有MOS電容電路，從而使外圍電源線(xiàn)32和外圍地線(xiàn)31耦合，得到更純潔的電源。另外，該第三ESD保護(hù)單元30電性連接于I/O的PAD上，并且形成或者作用于第三ESD保護(hù)單元30的靜電電流流向PAD泄放出去。
[0037]具體地，如圖7所示，圖7為本發(fā)明的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置的整體結(jié)構(gòu)電路圖。位于感應(yīng)單元10的靜電電流經(jīng)第一 ESD保護(hù)單元12的作用，使得靜電電流通過(guò)VDDl和GNDl流向第二 ESD保護(hù)單元20，第二 EDS保護(hù)單元20中的靜電電流在NM0Sesd22和GGN0MS23配合作用下，驅(qū)動(dòng)靜電電流通過(guò)VDD2和GND2匯流流向VDD3和GND3，經(jīng)VDD3和GND3流向第三ESD保護(hù)單元30，最終流向I/O的PAD上泄放出去。
[0038]本發(fā)明通過(guò)將鄰近感應(yīng)單元塊11同一性質(zhì)區(qū)域合并，減小了感應(yīng)單元10之間的閂鎖效應(yīng)，避免靜電電流流入工作電路，且在感應(yīng)單元10添加ESD保護(hù)器件，將感應(yīng)電流流向位于相鄰感應(yīng)單元10行或列的第二 ESD保護(hù)單元20，第二 ESD保護(hù)單元20的驅(qū)動(dòng)單元21通過(guò)開(kāi)關(guān)單元24切換驅(qū)動(dòng)NM0Sesd22和GGN0MS23，以使靜電電流流向感應(yīng)單元陣列外圍的第三ESD保護(hù)單元30，最終將靜電電流引向PAD泄放，從而實(shí)現(xiàn)分級(jí)保護(hù)，逐級(jí)來(lái)減弱ESD對(duì)整個(gè)識(shí)別感應(yīng)裝置的影響。
[0039]以上結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員可根據(jù)上述說(shuō)明對(duì)本發(fā)明做出種種變化例。因而，實(shí)施例中的某些細(xì)節(jié)不應(yīng)構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限定，本發(fā)明將以所附權(quán)利要求書(shū)界定的范圍作為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，包括: 感應(yīng)單元陣列，所述感應(yīng)單元陣列包括多個(gè)彼此間隔設(shè)置的感應(yīng)單元； 第一 ESD保護(hù)單元，設(shè)置于所述感應(yīng)單元內(nèi)； 第二 ESD保護(hù)單元，形成于相鄰所述感應(yīng)單元之間；以及 第三ESD保護(hù)單元，設(shè)置于多個(gè)所述感應(yīng)單元陣列外圍； 其中，所述第一、第二、第三ESD保護(hù)單元被配合設(shè)置為由所述第一 ESD保護(hù)單元將所述感應(yīng)單元內(nèi)的靜電電流流向所述第二 ESD保護(hù)單元，所述第二 ESD保護(hù)單元的靜電電流流向所述第三ESD保護(hù)單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，所述第二 ESD保護(hù)單元的抗ESD能力強(qiáng)于所述第一 ESD保護(hù)單元，所述第三ESD保護(hù)單元的抗ESD能力強(qiáng)于所述第二 ESD保護(hù)單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，所述感應(yīng)單元由多個(gè)感應(yīng)單元塊組成，所述感應(yīng)單元塊包括頂層感應(yīng)區(qū)域、金屬走線(xiàn)層、N型阱區(qū)域、P型阱區(qū)域及深處N型阱區(qū)域，相鄰所述感應(yīng)單元塊的同一 N型阱區(qū)域和/或同一P型阱區(qū)域被連通設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，所述第二ESD保護(hù)單元包括NMOSesd、GGNMOS以及與NMOSesd和GGNMOS關(guān)聯(lián)設(shè)置、供驅(qū)動(dòng)所述NMOSesd和所述GGNMOS的驅(qū)動(dòng)單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，所述第二ESD保護(hù)單元還包括開(kāi)關(guān)單元，所述驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)所述開(kāi)關(guān)單元可選擇地切換控制所述NMOSesd 和所述 GGNMOS。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，所述感應(yīng)單元以矩陣排列，所述驅(qū)動(dòng)單元位于以矩陣排列的所述感應(yīng)單元的行與列的交匯處，其中，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元對(duì)應(yīng)行或列的任一側(cè)電性連接有相同數(shù)量的所述NM0Sesd。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元四周鄰設(shè)有與該驅(qū)動(dòng)單元直接相連相同數(shù)量的NMOSesd。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，在所述第二 ESD保護(hù)單元中，所述GGNMOS的數(shù)量多于所述NMOSesd的數(shù)量。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，所述第三ESD保護(hù)單元包括外圈地線(xiàn)以及位于所述外圈地線(xiàn)外圍的外圈電源線(xiàn)，所述外圈地線(xiàn)與所述外圈電源線(xiàn)之間連接有MOS電容電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種基于ESD保護(hù)的生物識(shí)別感應(yīng)裝置，其特征在于，所述第三ESD保護(hù)單元電性連接于I/O的電路引腳上，且所述第三ESD保護(hù)單元的靜電電流流向所述電路引腳。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK104035618SQ201410263925
【公開(kāi)日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2014年6月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月13日
【發(fā)明者】程泰毅, 趙祥桂 申請(qǐng)人:上海思立微電子科技有限公司