一種無需搭橋的投射式電容屏及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種無需搭橋的投射式電容屏及其制作方法。該無需搭橋的投射式電容屏包括玻璃基板、設(shè)置于玻璃基板的第一消影層、設(shè)置于第一消影層的第一ITO層、設(shè)置于第一ITO層上方的第二消影層和設(shè)置于第二消影層上方的第二ITO層；第一ITO層包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，第二ITO層包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；無需搭橋的投射式電容屏還包括設(shè)置于X軸電極層邊緣的X金屬線和設(shè)置于Y軸電極層邊緣的Y金屬線，X金屬線與Y金屬線分別與柔性線路板相連。該無需搭橋的投射式電容屏結(jié)構(gòu)輕薄，消影效果良好，且其制作過程中無需搭橋工藝，有利于節(jié)省制作工藝。
【專利說明】一種無需搭橋的投射式電容屏及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電容屏領(lǐng)域，尤其涉及一種無需搭橋的投射式電容屏及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 投射式電容屏是采用投射電容觸控技術(shù)的屏幕，觸摸屏面板能在手指觸碰到時檢 測到該位置電容的變化從而計算出手指所在，進行多點觸控操作。投射式電容屏廣泛應(yīng)用 于我們?nèi)粘Ｉ罡鱾€領(lǐng)域，如手機、平板電腦、媒體播放器、導(dǎo)航系統(tǒng)、數(shù)碼相機、電器控 制、醫(yī)療設(shè)備等等。
[0003] 投射電容式觸摸屏是在兩層ΙΤ0導(dǎo)電玻璃涂層上蝕刻出不同的ΙΤ0導(dǎo)電線路模 塊。兩個模塊上蝕刻的圖形相互垂直，可以把它們看作是X和Y方向連續(xù)變化的滑條。由 于x、Y架構(gòu)在不同表面，其相交處形成一電容節(jié)點。一個滑條可以當(dāng)成驅(qū)動線，另外一個滑 條當(dāng)成是偵測線。當(dāng)電流經(jīng)過驅(qū)動線中的一條導(dǎo)線時，如果外界有電容變化的信號，那么就 會引起另一層導(dǎo)線上電容節(jié)點的變化。偵測電容值的變化可以通過與之相連的電子回路測 量得到，再經(jīng)由A/D控制器轉(zhuǎn)為數(shù)字訊號讓計算機做運算處理取得（Χ，Υ)軸位置，進而達到 定位的目地。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)中的投射式電容屏主要有以下幾種結(jié)構(gòu)：（1)GG模式；其中第一個G為保 護玻璃，第二個G是SENSOR傳感器，即雙面ΙΤ0玻璃，將X方向電極形成的X軸電極層的圖 案和Y方向電極形成的Y軸電極圖案分別做到雙面ΙΤ0玻璃的兩個面，并使用金屬線將X 方向電極和Y方向電極引出，該GG結(jié)構(gòu)采用雙層玻璃，結(jié)構(gòu)較為厚重。（2)GFF模式；其中G 是保護玻璃，F(xiàn)是ΙΤ0膜，用于分別將X軸電極圖案與Y軸電極圖案分別做到兩個ΙΤ0膜， 再使用0CA貼合；GFF模式制作過程中需使用0CA貼合三次，其透光性不好而且良率難以控 制。（3) GF2模式；其中G是保護玻璃，F(xiàn)是雙面ΙΤ0膜，分別將X軸電極圖案和Y軸電極圖 案做到F的正反兩面，通過0CA貼合，并使用金屬線將X方向電極和Y方向電極引出；其制 作過程中需在ΙΤ0膜的雙面分別制作與X軸電極圖案和Y軸電極圖案相連的金屬線，制作 困難且難以控制良率，而且其消影效果不好。（4)0GS模式，即在一層保護玻璃上直接形成 ΙΤ0導(dǎo)電膜及傳感器的技術(shù)，即將X軸電極圖案和Y軸電極圖案均制作在保護玻璃上，其過 程中需要對X軸電極和Y軸電極進行搭橋，并分別制作與X軸電極圖案和Y軸電極圖案相 連的金屬線路，制作困難且難以控制良率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供結(jié)構(gòu)輕薄、消影效果好 的無需搭橋的投射式電容屏及其制作方法。
[0006] 本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種無需搭橋的投射式電容屏，包 括玻璃基板、設(shè)置于所述玻璃基板的第一消影層、設(shè)置于所述第一消影層的第一 ΙΤ0層、設(shè) 置于所述第一 ΙΤ0層上方的第二消影層和設(shè)置于所述第二消影層上方的第二ΙΤ0層；所述 第一 ΙΤ0層包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，所述第二ΙΤ0層包括由若干Y軸 方向電極形成的Y軸電極層；所述無需搭橋的投射式電容屏還包括設(shè)置于所述X軸電極層 邊緣的X金屬線和設(shè)置于所述Υ軸電極層邊緣的Υ金屬線，所述X金屬線與所述Υ金屬線 分別與柔性線路板相連。
[0007] 優(yōu)選地，所述玻璃基板的邊緣設(shè)有邊框防護層。
[0008] 本發(fā)明還提供一種無需搭橋的投射式電容屏的制作方法，包括以下步驟：
[0009] S1 :在玻璃基板上制作第一消影層；
[0010] S2 :在第一消影層上制作第一 ΙΤ0層，所述第一 ΙΤ0層包括由若干X軸方向電極形 成的X軸電極層；并在所述X軸電極層邊緣的制作與所述X軸電極層相連的X金屬線；
[0011] S3 :在第一 ΙΤ0層上制作第二消影層；
[0012] S4:在第二消影層上制作第二ΙΤ0層，所述第二ΙΤ0層包括由若干Υ軸方向電極形 成的Υ軸電極層；并在所述Υ軸電極層邊緣的制作與所述Υ軸電極層相連的Υ金屬線；
[0013] S5 :使用蝕刻膏將將X金屬線與柔性線路板綁定的地方蝕刻出來；
[0014] S6 :將X金屬線綁定至柔性線路板上，并將Υ金屬線綁定至柔性線路板上。
[0015] 優(yōu)選地，所述步驟S1之前還包括步驟S0:在玻璃基板的邊緣上采用絲印工藝或黃 光工藝制作邊框防護層。
[0016] 優(yōu)選地，所述步驟S1包括：
[0017] S11 :對所述玻璃基板進行清洗并熱烘干燥；
[0018] S12 :在真空條件，在所述玻璃基板的一面上采用濺射方式鍍五氧化二鈮或者氮氧 化硅；
[0019] S13 :在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二氧 化硅，以完成第一消影層的制作；
[0020] 所述步驟S3包括：
[0021] S31 :對所述第一 ΙΤ0層進行清洗并熱烘干燥；
[0022] S32 :在真空條件，在所述第一 ΙΤ0層的一面上采用濺射方式鍍五氧化二鈮或者氮 氧化硅；
[0023] S3 :在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二氧 化硅，以完成第二消影層的制作。
[0024] 優(yōu)選地，所述步驟S2包括：
[0025] S21 :在真空條件下，采用濺射方式在第一消影層上鍍氧化銦錫層；
[0026] S22:在真空條件下，采用濺射方式在鍍有氧化銦錫層的一面鍍金屬層，所述金屬 層設(shè)置在邊框防護層上；在所述金屬層上采用覆膜方式覆上干膜，使用光罩曝光X金屬線 的圖案；使用顯影劑將曝光的X金屬線顯影，并使用不與干膜反應(yīng)的退鍍液退鍍所述金屬 層，以制得所述X金屬線；
[0027] S23 :在制得X金屬線的玻璃基板上覆上干膜，使用光罩曝光由若干X軸方向電極 形成X軸電極層的圖案；所述X金屬線與所述X軸電極層相連；
[0028] S24 :使用顯影劑將X軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕刻；
[0029] S25 :采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得X軸電極層。
[0030] 優(yōu)選地，所述步驟S4包括：
[0031] S41 :在真空條件下，采用濺射方式在第二消影層上鍍氧化銦錫層；
[0032] S42:在真空條件下，采用濺射方式在鍍有氧化銦錫層的一面鍍金屬層，所述金屬 層設(shè)置在邊框防護層上；在所述金屬層上采用覆膜方式覆上干膜，使用光罩曝光Y金屬線 的圖案；使用顯影劑將曝光的Y金屬線顯影，并使用不與干膜反應(yīng)的退鍍液退鍍所述金屬 層，制得所述Y金屬線；
[0033] S43 :在制得Y金屬線的玻璃基板上覆上干膜，使用光罩曝光由若干Y軸方向電極 形成Y軸電極層的圖案；所述Y金屬線與所述Y軸電極層相連；
[0034] S44 :使用顯影劑將Y軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕刻；
[0035] S45 :采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得Y軸電極層。
[0036] 本發(fā)明還提供一種無需搭橋的投射式電容屏的制作方法，包括以下步驟：
[0037] S0 :在玻璃基板的邊緣上采用絲印工藝或黃光工藝制作邊框防護層；
[0038] S1 :在玻璃基板上制作第一消影層；
[0039] S2 :在所述第一消影層上制作第一 ΙΤ0層，所述第一 ΙΤ0層包括由若干X軸方向電 極形成的X軸電極層；
[0040] S3 :在所述第一 ΙΤ0層上制作第二消影層；
[0041] S4:在所述第二消影層上制作第二ΙΤ0層，所述第二ΙΤ0層包括由若干Y軸方向電 極形成的Y軸電極層；
[0042] S5:采用蝕刻膏蝕刻所述邊框防護層上方的與所述X軸電極層相連位置的第二消 影層，并制作與所述X軸電極層相連的X金屬線和與所述Y軸電極層相連的Y金屬線；將所 述X金屬線和所述Y金屬線綁定至柔性線路板上。
[0043] 優(yōu)選地，所述步驟S1包括：
[0044] S11 :對所述玻璃基板進行清洗并熱烘干燥；
[0045] S12 :在真空條件，在所述玻璃基板的一面上采用濺射方式鍍五氧化二鈮或者氮氧 化硅；
[0046] S13 :在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二氧 化硅，以完成第一消影層的制作；
[0047] 所述步驟S2包括：
[0048] S21 :在真空條件下，采用濺射方式在玻璃基板上鍍氧化銦錫層；
[0049] S22 :在鍍有氧化銦錫層的一面米用覆膜方式覆上干膜，使用光罩曝光由若干X軸 方向電極形成的X軸電極層的圖案；
[0050] S23 :使用顯影劑將X軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕刻；
[0051] S24:采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得X軸電極層；
[0052] 所述步驟S3包括：
[0053] S31 :對所述第一 ΙΤ0層進行清洗并熱烘干燥；
[0054] S32 :在真空條件下，在所述第一 ΙΤ0層的一面采用濺射方式五氧化二鈮或氮氧化 硅；
[0055] S33 :在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二氧 化硅，以完成第二消影層的制作；
[0056] 所述步驟S4包括：
[0057] S41 :在真空條件下，采用濺射方式在第二ΙΤ0層上鍍氧化銦錫層；
[0058] S42 :在鍍有氧化銦錫層的一面米用覆膜方式覆上干膜，使用光罩曝光由若干Y軸 方向電極形成的Υ軸電極層的圖案；
[0059] S43 :使用顯影劑將Υ軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕刻；
[0060] S44 :采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得Υ軸電極層。
[0061 ] 優(yōu)選地，所述步驟S5包括：
[0062] S51 :采用蝕刻膏蝕刻所述邊框防護層上方的與所述X軸電極層相連位置的第二 消影層，以顯露所述X軸電極層末端；
[0063] S52:采用絲印方式絲印與所述X軸電極層相連的X金屬線和與所述Υ軸電極層相 連的Υ金屬線；
[0064] S53 :在所述X金屬線和所述Υ金屬線上絲印保護油墨，再將所述X金屬線和所述 Υ金屬線綁定至所述柔性線路板上。
[0065] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點：實施本發(fā)明，采用第二消影層將第一 ΙΤ0 層和第二ΙΤ0層隔離，避免第一 ΙΤ0層上的X軸電極層和第二ΙΤ0層上的Υ軸電極層直接接 觸，在節(jié)省搭橋工藝的同時避免搭橋工藝中出錯導(dǎo)致產(chǎn)品不良率提高。該投射式電容屏上 設(shè)有第一消影層和第二消影層，使得第一 ΙΤ0層上的X軸電極層的X軸方向電極的圖案消 影效果更好，保證其光學(xué)透過性，提高產(chǎn)品生產(chǎn)質(zhì)量。而且該投射式電容屏結(jié)構(gòu)較為輕薄。
[0066] 在本發(fā)明的無需搭橋的投射式電容屏的制作方法中，通過在第一 ΙΤ0層與第二 ΙΤ0層之間制作第二消影層，以節(jié)省在第一 ΙΤ0層和第二ΙΤ0層之間的搭橋工藝，提高產(chǎn)品 生產(chǎn)的良率；而且可以使第一 ΙΤ0層上的X軸電極層的圖案的消影效果更好，提高其產(chǎn)品生 產(chǎn)質(zhì)量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0067] 下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明，附圖中：
[0068] 圖1是本發(fā)明一實施例中無需搭橋的投射式電容屏的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0069] 圖2是本發(fā)明實施例1中無需搭橋的投射式電容屏的制作方法的一流程圖。
[0070] 圖3是本發(fā)明實施例1中無需搭橋的投射式電容屏的制作方法的另一流程圖。
[0071] 圖4是本發(fā)明實施例2中無需搭橋的投射式電容屏的制作方法的一流程圖。
[0072] 圖5是本發(fā)明實施例2中無需搭橋的投射式電容屏的制作方法的另一流程圖。
[0073] 圖中：1、玻璃基板；2、第一消影層；3、第一 ΙΤ0層；4、第二消影層；5、第二ΙΤ0層； 6、邊框防護層；7、X金屬線；8、Υ金屬線。

【具體實施方式】
[0074] 為了對本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對照附圖詳細說明 本發(fā)明的【具體實施方式】。
[0075] 圖1示出本發(fā)明一實施例中無需搭橋的投射式電容屏。該無需搭橋的投射式電容 屏包括玻璃基板1、設(shè)置于玻璃基板1的第一消影層2、設(shè)置于第一消影層2的第一 ΙΤ0層 3、設(shè)置于第一 ΙΤ0層3上方的第二消影層4和設(shè)置于第二消影層4上方的第二ΙΤ0層5。 采用第二消影層4將第一 ΙΤ0層3和第二ΙΤ0層5隔離，避免第一 ΙΤ0層3上的X軸電極 層和第二ΙΤ0層5上的Υ軸電極層直接接觸，在節(jié)省搭橋工藝的同時避免搭橋工藝中出錯 導(dǎo)致產(chǎn)品不良率提高。該投射式電容屏上設(shè)有第一消影層2和第二消影層4,使得第一 ITO 層3上的X軸電極層的X軸方向電極的圖案消影效果更好，保證其光學(xué)透過性，提高產(chǎn)品生 產(chǎn)質(zhì)量。而且該投射式電容屏結(jié)構(gòu)較為輕薄。
[0076] 第一 ΙΤ0層3包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，第二ΙΤ0層5包括由 若干Υ軸方向電極形成的Υ軸電極層；無需搭橋的投射式電容屏還包括設(shè)置于X軸電極層 邊緣的X金屬線7和設(shè)置于Υ軸電極層邊緣的Υ金屬線8, X金屬線7與Υ金屬線8分別與 柔性線路板相連。
[0077] 可以理解地，第一消影層2和第二消影層4分別用于減少玻璃基板1與第一 ΙΤ0 層3、第一 ΙΤ0層3與第二ΙΤ0層5之間光折射率，即減少其色差，以提高投射式電容率的透 光率。具體地，第一消影層2包括先后疊加在玻璃基板1上的五氧化二鈮層或者氮氧化硅 和二氧化硅層；第二消影層4可以包括先后疊加在第一 ΙΤ0層3上的五氧化二鈮層或者氮 氧化硅和二氧化硅層，第二消影層4還可以包括設(shè)置在第一 ΙΤ0層3上的二氧化硅層。
[0078] 具體地，第一 ΙΤ0層3包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，第二ΙΤ0層5 包括由若干Υ軸方向電極形成的Υ軸電極層；在X軸電極層邊緣上設(shè)有與X軸電極層相連 的X金屬線7,在Υ軸電極層邊緣上設(shè)有與Υ軸電極層相連的Υ金屬線8 ;Χ金屬線7與Υ金 屬線8分別與柔性線路板相連。
[0079] 玻璃基板1的邊緣上還設(shè)有用于遮擋X金屬線7和Υ金屬線8的邊框防護層6。 可以理解地，邊框防護層6采用絕緣材料制作而成。
[0080] 實施例1
[0081] 如圖2、圖3所示，本實施例中提供一種無需搭橋的投射式電容屏的制作方法，包 括以下步驟：
[0082] S1-0 :在玻璃基板1的邊緣上采用絲印工藝或黃光工藝制作邊框防護層6。具體 地，邊框防護層6的厚度為7u以下，越薄越好。
[0083] 具體地，采用絲印工藝制作邊框防護層6的具體步驟：在玻璃基板1上制作底板、 曬板、顯影、干燥、修版、印刷、干燥、成品；其中曬板包括選網(wǎng)、選框、繃網(wǎng)、干燥、涂布或貼附 感光膠、干燥等步驟。
[0084] 采用黃光工藝制作邊框防護層6的具體步驟：PR前清洗（即采用物理方法的磨刷 噴洗或化學(xué)方法中采用DI水或Κ0Η將玻璃基板1上的污垢去除的過程）、PR涂布或貼附光 刻膠、堅膜（在一定溫度下將涂有光刻膠的玻璃烘烤一段時間、使光刻膠的溶劑揮發(fā)、形成 固體的PR層的過程）、UV曝光（采用紫外線通過預(yù)設(shè)的菲林垂直照射在光刻膠表面，使被 照射部分的光刻膠發(fā)生反應(yīng)的過程）、采用碳酸鈉或碳酸鉀溶液進行顯影（即采用弱Κ0Η溶 液去離玻璃基板1表面將徑光照射部分的光刻膠除去，保留未照射部分的光刻膠）、PR固化 (高溫處理使光刻膠更加堅固）、采用酸蝕刻（采用適當(dāng)?shù)乃崛芤簩o光刻膠覆蓋的ΙΤ0層 去除）、采用堿去墨進行脫膜（采用較強的Κ0Η剝膜液將殘留光刻膠除去）、DI清洗進而制 作成邊框防護層6?？梢岳斫獾?，本實施例中的PR涂布或貼附光刻膠、堅膜兩步驟也可以采 用覆膜機覆上干膜這一操作替代，以簡化生產(chǎn)工藝。
[0085] S1-1 :在琉璃基板上制作用于消除玻璃基板1與第一 ΙΤ0層3之間光折射率的第 一消影層2。
[0086] 具體地，步驟S1-1包括：
[0087] Sl-11 :對玻璃基板1進行清洗并熱烘干燥。
[0088] S1-12 :在真空條件，在玻璃基板1的一面上采用濺射方式鍍五氧化二鈮。
[0089] S1-13 :在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮的一面采用濺射方式鍍二氧化硅，以完 成第一消影層2的制作。
[0090] S1-2 :在第一消影層2上制作第一 ΙΤ0層3,第一 ΙΤ0層3包括由若干X軸方向電 極形成的X軸電極層；并在X軸電極層邊緣的制作與X軸電極層相連的X金屬線7。
[0091] 具體地，步驟S1-2包括：
[0092] S1-21 :在真空條件下，采用濺射方式在第一消影層2上鍍氧化銦錫層。
[0093] S1-22:在真空條件下，采用濺射方式在鍍有氧化銦錫層的一面鍍金屬層，金屬層 設(shè)置在邊框防護層6上?？梢岳斫獾?，金屬層可以是鋁、鑰鋁鑰、銅和銅鎳合金。在金屬層 上采用覆膜機覆上干膜，使用光罩曝光X金屬線7的圖案?？梢岳斫獾兀诮o金屬層上覆上 干膜之前需要對金屬層進行清洗烘干，以避免干膜的覆著力不強，而且清洗后其表面清潔 干凈、外觀較為良好。使用顯影劑將曝光的X金屬線7顯影，并使用不與干膜反應(yīng)的退鍍液 退鍍金屬層，制得X金屬線7。具體地，采用噴淋或浸泡2?4%的碳酸鈉或碳酸鉀（即顯 影劑）進行顯影；而退鍍金屬層是在溫度為40?60°C時，將專用的不與干膜反應(yīng)的金屬退 鍍液噴淋在金屬層上，可以理解地，該金屬退鍍液是與金屬層而不與氧化銦錫層反應(yīng)的酸 性溶液。
[0094] S1-23 :在制得X金屬線7的玻璃基板1上采用覆膜機覆上干膜，使用光罩曝光由 若干X軸方向電極形成X軸電極層的圖案；X金屬線7與X軸電極層相連，以實現(xiàn)X金屬線 7與X軸電極層之間電連接。
[0095] S1-24:使用顯影劑將X軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕 亥IJ。具體地，圖案顯影可以采用紫外線通過預(yù)設(shè)的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被 照射部分的干膜發(fā)生反射的過程。蝕刻液是濃度為16?21mol/L的配比為HC1:HN03:H20 =15?19:15?19:18?22的溶液，優(yōu)選地，HC1:HN0 3:H20的配比為17:17:20?？梢岳斫?地，蝕刻液的濃度可隨第一 ΙΤ0層3的阻值進行調(diào)整，第一 ΙΤ0層3阻值越高，其濃度越高。 具體地，蝕刻液與氧化煙錫層進行如下反應(yīng)：In203+6HCl = 2InCl3+3H20 ;
[0096] 2Sn02+8HCl = 2SnCl4+4H20 ；In203+6HN03 = 2In (N03) 3+3H20 ；
[0097] 2Sn02+8HN03 = 2SN(N03)4+4H20〇
[0098] Sl-25 :采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得X軸電極層。具體地，去墨液 可以是濃度1 % - 3 %的如KOH，NaOH等溶液，以將殘留的干膜去除。
[0099] S1-3 :在第一 ΙΤ0層3上制作第二消影層4。本實施例中，第二消影層4包括先后 疊加在第一 ΙΤ0層3上的五氧化二鈮層和二氧化硅層。
[0100] 具體地，步驟S1-3包括：
[0101] S1-31 :對第一 ΙΤ0層3進行清洗并熱烘干燥；
[0102] S1-32 :在真空條件，在第一 ΙΤ0層3的一面上采用濺射方式鍍五氧化二鈮；
[0103] S1-33 :在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮的一面采用濺射方式鍍二氧化硅，以完 成第二消影層4的制作。
[0104] S1-4 :在第二消影層4上制作第二ΙΤ0層5,第二ΙΤ0層5包括由若干Y軸方向電 極形成的Y軸電極層；并在Y軸電極層邊緣的制作與Y軸電極層相連的Y金屬線8。
[0105] 具體地，步驟S1-4包括：
[0106] S1-41 :在真空條件下，采用濺射方式在第二消影層4上鍍氧化銦錫層。
[0107] S1-42:在真空條件下，采用濺射方式在鍍有氧化銦錫層的一面鍍金屬層，金屬層 設(shè)置在第二消影層4上?？梢岳斫獾兀饘賹涌梢允卿X、鑰鋁鑰、銅和銅鎳合金。在金屬層 上采用覆膜機覆上干膜，使用光罩曝光Y金屬線8的圖案?？梢岳斫獾兀诮o金屬層上覆上 干膜之前需要對金屬層進行清洗烘干，以避免干膜的覆著力不強，而且清洗后其表面清潔 干凈、外觀較為良好。使用顯影劑將曝光的Y金屬線8顯影，并使用不與干膜反應(yīng)的退鍍液 退鍍金屬層，制得Y金屬線8。具體地，采用噴淋或浸泡2?4%的碳酸鈉或碳酸鉀（即顯 影劑）進行顯影；而退鍍金屬層是在溫度為40?60°C時，將專用的不與干膜反應(yīng)的金屬退 鍍液噴淋在金屬層上，可以理解地，該金屬退鍍液是與金屬層而不與氧化銦錫層反應(yīng)的酸 性溶液。
[0108] S1-43 :在制得Y金屬線8的玻璃基板1上覆上干膜，使用光罩曝光由若干Y軸方 向電極形成Y軸電極層的圖案；Y金屬線8與Y軸電極層相連，以實現(xiàn)Y金屬線8與Y軸電 極層之間電連接。
[0109] S1-44:使用顯影劑將Y軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕 亥IJ。具體地，圖案顯影可以采用紫外線通過預(yù)設(shè)的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被 照射部分的干膜發(fā)生反射的過程。蝕刻液是濃度為16?21mol/L的配比為HC1:HN0 3:H20 =15?19:15?19:18?22的溶液，優(yōu)選地，HC1:HN03:H 20的配比為17:17:20。可以理解 地，蝕刻液的濃度可隨第二ΙΤ0層5的阻值進行調(diào)整，第二ΙΤ0層5阻值越高，其濃度越高。 具體地，蝕刻液與氧化煙錫層進行如下反應(yīng)：In 203+6HCl = 2InCl3+3H20 ;
[0110] 2Sn02+8HCl = 2SnCl4+4H20 ；In203+6HN03 = 2In (N03) 3+3H20 ；
[0111] 2Sn02+8HN03 = 2SN (N03) 4+4H20。
[0112] Sl-45:采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得Y軸電極層。具體地，去墨液 可以是濃度1 % - 3 %的如KOH，NaOH等溶液，以將殘留的干膜去除。
[0113] S1-5 :使用蝕刻膏將將X金屬線與柔性線路板綁定的地方蝕刻出來。
[0114] S1-6 :將X金屬線7綁定至柔性線路板上，并將Y金屬線8綁定至柔性線路板上， 以完成無需搭橋的投射式電容屏的制作。
[0115] 實施例2
[0116] 如圖4、圖5所示，本實施例提供一種無需搭橋的投射式電容屏的制作方法，包括 以下步驟：
[0117] S2-0 :在玻璃基板1的邊緣上采用絲印工藝或黃光工藝制作邊框防護層6。具體 地，其具體步驟與實施例1中步驟Sl-ο-致。可以理解地，邊框防護層6的厚度為7u以下， 越薄越好。
[0118] S2-1 :在玻璃基板1上制作第一消影層2。
[0119] 具體地，步驟S2-1包括：
[0120] S2-11 :對玻璃基板1進行清洗并熱烘干燥。
[0121] S2-12 :在真空條件，在玻璃基板1的一面上采用濺射方式鍍五氧化二鈮或者氮氧 化硅。
[0122] S2-13 :在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二 氧化硅，以完成第一消影層2的制作。
[0123] S2-2 :在第一消影層2上制作第一 ΙΤ0層3,第一 ΙΤ0層3包括由若干X軸方向電 極形成的X軸電極層。
[0124] 具體地，步驟S2-2包括：
[0125] S2-21 :在真空條件下，采用濺射方式在第一消影層2上鍍氧化銦錫層。
[0126] S2-22:在鍍有氧化銦錫層的一面采用覆膜方式覆上干膜，使用光罩曝光由若干X 軸方向電極形成的X軸電極層的圖案。
[0127] S2-23:使用顯影劑將X軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕 亥IJ。具體地，圖案顯影可以采用紫外線通過預(yù)設(shè)的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被 照射部分的干膜發(fā)生反射的過程。蝕刻液是濃度為16?21mol/L的配比為HC1:HN0 3:H20 =15?19:15?19:18?22的溶液，優(yōu)選地，HC1:HN03:H 20的配比為17:17:20。可以理解 地，蝕刻液的濃度可隨第一 ΙΤ0層3的阻值進行調(diào)整，第一 ΙΤ0層3阻值越高，其濃度越高。
[0128] S2-24 :采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得X軸電極層。具體地，去墨液 可以是濃度1 % - 3 %的如KOH，NaOH等溶液，以將殘留的干膜去除。
[0129] S2-3 :在第一 ΙΤ0層3上制作第二消影層4。
[0130] 具體地，步驟S2-3包括：
[0131] S2-31 :對第一 ΙΤ0層3進行清洗并熱烘干燥。
[0132] S2-32 :在真空條件下，在第一 ΙΤ0層3的一面采用濺射方式五氧化二鈮或氮氧化 硅。
[0133] S2-33 :在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二 氧化硅，以完成第二消影層4的制作。
[0134] S2-4 :在第二消影層4上制作第二ΙΤ0層5,第二ΙΤ0層5包括由若干Y軸方向電 極形成的Y軸電極層。
[0135] 具體地，步驟S2-4包括：
[0136] S2-41 :在真空條件下，采用濺射方式在第二ΙΤ0層5上鍍氧化銦錫層。
[0137] S2-42:在鍍有氧化銦錫層的一面采用覆膜方式覆上干膜，使用光罩曝光由若干Y 軸方向電極形成的Y軸電極層的圖案。
[0138] S2-43:使用顯影劑將Y軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕 刻。
[0139] S2-44 :采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得Y軸電極層。具體地，去墨液 可以是濃度1 % - 3 %的如KOH，NaOH等溶液，以將殘留的干膜去除。
[0140] S2-5 :采用蝕刻膏蝕刻邊框防護層6上方的與X軸電極層相連位置的第二消影層 4,并制作與X軸電極層相連的X金屬線7和與Y軸電極層相連的Y金屬線8 ;將X金屬線7 和Y金屬線8綁定至柔性線路板上。
[0141] 具體地，步驟S2-5包括：
[0142] S2-51 :采用蝕刻膏蝕刻邊框防護層6上方的與X軸電極層相連位置的第二消影層 4,以顯露X軸電極層末端。具體地，蝕刻膏可以采用德國默克蝕刻膏，用于蝕刻由二氧化硅 濺射而成的第二消影層4,以顯露X軸電極層末端。
[0143] S2-52 :采用絲印機絲印與X軸電極層相連的X金屬線7和與Y軸電極層相連的Y 金屬線8。具體地，采用絲印機絲印X金屬線7和Y金屬線8,并在140?160°C溫度下烘烤 50?70min，以完成X金屬線7和Y金屬線8的制作?？梢岳斫獾兀琗金屬線7和Y金屬線 8可以采用銀膠線。
[0144] S2-53 :將X金屬線7和Y金屬線8綁定至柔性線路板上，并在X金屬線7和Y金 屬線8上絲印保護油墨，以完成投射式電容屏的制作。
[0145] 在本發(fā)明所提供的無需搭橋的投射式電容屏的制作方法中，通過在第一 ΙΤ0層3 與第二ΙΤ0層5之間制作第二消影層4,以節(jié)省在第一 ΙΤ0層3和第二ΙΤ0層5之間的搭橋 工藝，提高產(chǎn)品生產(chǎn)的良率；而且可以使第一 ΙΤ0層3上的X軸電極層的圖案的消影效果更 好，提商其廣品生廣質(zhì)量。
[0146] 本發(fā)明是通過幾個具體實施例進行說明的，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離 本發(fā)明范圍的情況下，還可以對本發(fā)明進行各種變換和等同替代。另外，針對特定情形或具 體情況，可以對本發(fā)明做各種修改，而不脫離本發(fā)明的范圍。因此，本發(fā)明不局限于所公開 的具體實施例，而應(yīng)當(dāng)包括落入本發(fā)明權(quán)利要求范圍內(nèi)的全部實施方式。
【權(quán)利要求】
1. 一種無需搭橋的投射式電容屏，其特征在于：包括玻璃基板（1)、設(shè)置于所述玻璃基 板（1)的第一消影層（2)、設(shè)置于所述第一消影層（2)的第一 ITO層（3)、設(shè)置于所述第一 ITO層（3)上方的第二消影層（4)和設(shè)置于所述第二消影層（4)上方的第二ITO層（5);所 述第一 ITO層（3)包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，所述第二ITO層（5)包括 由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；所述無需搭橋的投射式電容屏還包括設(shè)置于所述 X軸電極層邊緣的X金屬線（7)和設(shè)置于所述Y軸電極層邊緣的Y金屬線（8)，所述X金屬 線（7)與所述Y金屬線（8)分別與柔性線路板相連。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無需搭橋的投射式電容屏，其特征在于：所述玻璃基板（1)的 邊緣設(shè)有邊框防護層（6)。
3. -種權(quán)利要求1或2所述無需搭橋的投射式電容屏的制作方法，其特征在于：包括 以下步驟： 51 :在玻璃基板上制作第一消影層（2); 52 :在第一消影層（2)上制作第一 ITO層（3)，所述第一 ITO層（3)包括由若干X軸方 向電極形成的X軸電極層；并在所述X軸電極層邊緣的制作與所述X軸電極層相連的X金 屬線（7); 53 :在第一 ITO層（3)上制作第二消影層（4); 54 :在第二消影層（4)上制作第二ITO層（5)，所述第二ITO層（5)包括由若干Y軸方 向電極形成的Y軸電極層；并在所述Y軸電極層邊緣的制作與所述Y軸電極層相連的Y金 屬線（8); 55 :使用蝕刻膏將將X金屬線與柔性線路板綁定的地方蝕刻出來； 56 :將X金屬線（7)綁定至柔性線路板上，并將Y金屬線（8)綁定至柔性線路板上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的無需搭橋的投射式電容屏的制作方法，其特征在于：所述步 驟S1之前還包括步驟SO :在玻璃基板（1)的邊緣上采用絲印工藝或黃光工藝制作邊框防護 層（6)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的無需搭橋的投射式電容屏的制作方法，其特征在于：所述步 驟S1包括： 511 :對所述玻璃基板（1)進行清洗并熱烘干燥； 512 :在真空條件，在所述玻璃基板（1)的一面上采用濺射方式鍍五氧化二鈮或者氮氧 化硅； 513 :在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二氧化 硅，以完成第一消影層（2)的制作； 所述步驟S3包括： 531 :對所述第一 IT0層（3)進行清洗并熱烘干燥； 532 :在真空條件，在所述第一 IT0層（3)的一面上采用濺射方式鍍五氧化二鈮或者氮 氧化硅； S3 :在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二氧化硅， 以完成第二消影層（4)的制作。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的無需搭橋的投射式電容屏的制作方法，其特征在于：所述步 驟S2包括： 521 :在真空條件下，采用濺射方式在第一消影層（2)上鍍氧化銦錫層； 522 :在真空條件下，采用濺射方式在鍍有氧化銦錫層的一面鍍金屬層，所述金屬層設(shè) 置在邊框防護層（6)上；在所述金屬層上采用覆膜方式覆上干膜，使用光罩曝光X金屬線 (7) 的圖案；使用顯影劑將曝光的X金屬線（7)顯影，并使用不與干膜反應(yīng)的退鍍液退鍍所 述金屬層，以制得所述X金屬線（7); 523 :在制得X金屬線（7)的玻璃基板（1)上覆上干膜，使用光罩曝光由若干X軸方向 電極形成X軸電極層的圖案；所述X金屬線（7)與所述X軸電極層相連； 524 :使用顯影劑將X軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕刻； 525 :采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得X軸電極層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的無需搭橋的投射式電容屏的制作方法，其特征在于：所述步 驟S4包括： 541 :在真空條件下，采用濺射方式在第二消影層（4)上鍍氧化銦錫層； 542 :在真空條件下，采用濺射方式在鍍有氧化銦錫層的一面鍍金屬層，所述金屬層設(shè) 置在邊框防護層（6)上；在所述金屬層上采用覆膜方式覆上干膜，使用光罩曝光Y金屬線 (8) 的圖案；使用顯影劑將曝光的Y金屬線（8)顯影，并使用不與干膜反應(yīng)的退鍍液退鍍所 述金屬層，制得所述Y金屬線（8); 543 :在制得Y金屬線（8)的玻璃基板（1)上覆上干膜，使用光罩曝光由若干Y軸方向 電極形成Y軸電極層的圖案；所述Y金屬線（8)與所述Y軸電極層相連； 544 :使用顯影劑將Y軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕刻； 545 :采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得Y軸電極層。
8. -種權(quán)利要求1或2所述的無需搭橋的投射式電容屏的制作方法，其特征在于：包 括以下步驟： 50 :在玻璃基板（1)的邊緣上采用絲印工藝或黃光工藝制作邊框防護層（6); 51 :在玻璃基板（1)上制作第一消影層（2); 52 :在所述第一消影層（2)上制作第一 IT0層（3)，所述第一 IT0層（3)包括由若干X 軸方向電極形成的X軸電極層； 53 :在所述第一 IT0層（3)上制作第二消影層（4); 54 :在所述第二消影層（4)上制作第二IT0層（5)，所述第二IT0層（5)包括由若干Y 軸方向電極形成的Y軸電極層； 55 :采用蝕刻膏蝕刻所述邊框防護層（6)上方的與所述X軸電極層相連位置的第二消 影層（4)，并制作與所述X軸電極層相連的X金屬線（7)和與所述Y軸電極層相連的Y金屬 線（8);將所述X金屬線（7)和所述Y金屬線（8)綁定至柔性線路板上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的無需搭橋的投射式電容屏的制作方法，其特征在于：所述步 驟S1包括： 511 :對所述玻璃基板（1)進行清洗并熱烘干燥； 512 :在真空條件，在所述玻璃基板（1)的一面上采用濺射方式鍍五氧化二鈮或者氮氧 化硅； 513 :在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二氧化 硅，以完成第一消影層（2)的制作； 所述步驟S2包括： 521 :在真空條件下，采用濺射方式在玻璃基板（1)上鍍氧化銦錫層； 522 :在鍍有氧化銦錫層的一面采用覆膜方式覆上干膜，使用光罩曝光由若干X軸方向 電極形成的X軸電極層的圖案； 523 :使用顯影劑將X軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕刻； 524 :采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得X軸電極層； 所述步驟S3包括： 531 :對所述第一 ITO層（3)進行清洗并熱烘干燥； 532 :在真空條件下，在所述第一 ITO層（3)的一面采用濺射方式五氧化二鈮或氮氧化 硅； 533 :在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二氧化 硅，以完成第二消影層（4)的制作； 所述步驟S4包括： 541 :在真空條件下，采用濺射方式在第二ITO層（5)上鍍氧化銦錫層； 542 :在鍍有氧化銦錫層的一面采用覆膜方式覆上干膜，使用光罩曝光由若干Y軸方向 電極形成的Y軸電極層的圖案； 543 :使用顯影劑將Y軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對氧化銦錫層進行蝕刻； 544 :采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得Y軸電極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的無需搭橋的投射式電容屏的制作方法，其特征在于：所述步 驟S5包括： 551 :采用蝕刻膏蝕刻所述邊框防護層（6)上方的與所述X軸電極層相連位置的第二消 影層（4)，以顯露所述X軸電極層末端； 552 :采用絲印方式絲印與所述X軸電極層相連的X金屬線（7)和與所述Y軸電極層相 連的Y金屬線（8); 553 :在所述X金屬線（7)和所述Y金屬線（8)上絲印保護油墨，再將所述X金屬線（7) 和所述Y金屬線（8)綁定至所述柔性線路板上。
【文檔編號】G06F3/044GK104049825SQ201410293012
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月25日
【發(fā)明者】向火平 申請人:向火平