電子標簽的形成方法
【專利摘要】一種電子標簽的形成方法，包括：提供載板，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第一區(qū)域上形成包括第一端和第二端射頻識別天線，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端，射頻識別天線上具有將每個螺旋環(huán)斷開的開口；形成橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域表面并穿過開口與第一端電連接的第一金屬連接線；形成與第二端電連接的第二金屬連接線；采用引線鍵合工藝形成若干位于開口的第三金屬連接線，將螺旋環(huán)被開口斷開的相對的兩個斷面電連接；提供包括第一接口和第二接口射頻集成芯片；將所述射頻集成芯片倒裝在第二區(qū)域表面，將第一接口與第一金屬連接線電連接，將第二接口與第二金屬連接線電連接。本發(fā)明的電子標簽占據(jù)的面積小。
【專利說明】電子標簽的形成方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及射頻識別技術(shù)，尤其涉及一種電子標簽的形成方法。

【背景技術(shù)】
[0002] RFID(射頻識別：Radio Frequency Identification)是一種非接觸式的自動識別 技術(shù)，它通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識別工作無須人工干預(yù)，作為條 形碼的無線版本，RFID技術(shù)具有條形碼所不具備的防水、耐高溫、使用壽命長、讀取距離大、 標簽上數(shù)據(jù)可以加密、存儲數(shù)據(jù)容量更大、存儲信息更改自如等優(yōu)點，其應(yīng)用將給零售、物 流等產(chǎn)業(yè)帶來革命性變化。
[0003] 基本的RFID系統(tǒng)由閱讀器（Reader)與電子標簽（或應(yīng)答器，Transponder)兩 部份組成，其中電子標簽（Tag):由射頻識別天線及射頻集成芯片組成，每個電子標簽具 有唯一的電子編碼或者保存有約定格式的電子數(shù)據(jù)，附著在物體上標識目標對象；閱讀器 (Reader):讀?。ㄓ袝r還可以寫入）標簽信息的設(shè)備，可設(shè)計為手持式或固定式。
[0004] RFID系統(tǒng)其工作原理為：由閱讀器發(fā)射一特定頻率信號給電子標簽，用以驅(qū)動電 子標簽中的內(nèi)部電路將內(nèi)部的數(shù)據(jù)送出（Passive Tag，無源標簽或被動標簽），或者電子標 簽主動發(fā)送出內(nèi)部的數(shù)據(jù)（Active Tag，有源標簽或主動標簽），此時閱讀器便依序接收電 子標簽發(fā)送的數(shù)據(jù)，從而達到自動識別目標對象的目的。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)中射頻識別天線一般是通過繞線或直接將導(dǎo)線埋入承載片等方式來制 作，然后將制作好的射頻識別天線與射頻集成芯片封裝在一起形成電子標簽。通過繞線的 方式將金屬線或?qū)Ь€繞制若干圈形成射頻識別天線或者將導(dǎo)線埋入承載片形成射頻識別 天線，形成的射頻識別天線會占據(jù)較大的空間，并且射頻識別天線的線圈的重復(fù)性較低，影 響了射頻識別天線的性能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明解決的問題是怎樣減小射頻識別天線占據(jù)的體積。
[0007] 為解決上述問題，本發(fā)明提供一種電子標簽的形成方法，包括：提供載板，所述載 板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在載板的第一區(qū)域上形成射頻識別天線，所述射頻識別天線 包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端，射頻識別天線上具有將 每個螺旋環(huán)斷開的開口；在載板上形成第一金屬連接線，所述第一金屬連接線橫跨第一區(qū) 域和第二區(qū)域表面，并穿過所述開口與射頻識別天線的第一端電連接；在載板上形成第二 金屬連接線，所述第二金屬連接線橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域，第二金屬連接線與射頻識別 天線的第二端電連接；采用引線鍵合工藝形成若干第三金屬連接線，所述第三金屬連接線 位于開口和第一金屬連接線上方，每個第三金屬連接線將螺旋環(huán)被開口斷開的相對的兩個 斷面電連接；提供射頻集成芯片，所述射頻集成芯片包括第一接口和第二接口；將所述射 頻集成芯片倒裝在載板的第二區(qū)域表面，將射頻集成芯片的第一接口與第二區(qū)域上的第一 金屬連接線電連接，將射頻集成芯片的第二接口與第二區(qū)域上的第二金屬連接線電連接。
[0008] 可選的，所述射頻識別天線、開口、第一金屬連接線和第二金屬連接線同時形成， 形成過程為：在載板上形成金屬層；在金屬層上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光 刻膠層具有暴露出待刻蝕金屬層表面的第一開口；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，沿第 一開口刻蝕所述金屬層，在載板的第一區(qū)域形成射頻識別天線，所述射頻識別天線包括第 一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端，射頻識別天線上具有將每個螺 旋環(huán)斷開的開口，同時形成第一金屬連接線和第二金屬連接線，所述第一金屬連接線橫跨 第一區(qū)域和第二區(qū)域表面，并穿過所述開口與射頻識別天線的第一端電連接，所述第二金 屬連接線橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域，第二金屬連接線與射頻識別天線的第二端電連接。
[0009] 可選的，刻蝕所述金屬層采用各向異性的干法刻蝕工藝。
[0010] 可選的，所述螺旋環(huán)狀為圓形螺旋或方形螺旋。
[0011] 可選的，所述射頻識別天線的相鄰螺旋環(huán)之間的間距相等、每個螺旋環(huán)的寬度相 等。
[0012] 可選的，所述射頻識別天線的厚度為100埃?50微米，射頻識別天線的相鄰螺旋 環(huán)之間的間距為1微米?5000微米，射頻識別天線的螺旋環(huán)的寬度為1微米?500微米。
[0013] 可選的，所述金屬層的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt或W。
[0014] 可選的，所述第一金屬連接線的寬度小于開口的寬度。
[0015] 可選的，所述開口的寬度為20 μ m到5毫米，所述第一金屬連接線的寬度為1 μ m 至lj 500 μ m〇
[0016] 可選的，還包括，形成覆蓋所述射頻識別天線，射頻集成芯片、第一金屬連接線、第 二金屬連接線、和載板的塑封層。
[0017] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：
[0018] 本發(fā)明的電子標簽的形成方法，在載板的第一區(qū)域上形成射頻識別天線，所述射 頻識別天線包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端，射頻識別天 線上具有將每個螺旋環(huán)斷開的開口，形成的射頻識別天線為平面結(jié)構(gòu)因而占據(jù)的體積減 小，射頻識別天線從第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端使得天線可以具有較長的長度， 通過引線鍵合工藝第三金屬連接線將螺旋環(huán)被開口斷開的相對的兩個斷面電連接，工藝簡 單，第一金屬連接線與第二金屬連接線與射頻識別天線位于同一平面，射頻集成芯片倒裝 在載板上時，射頻集成芯片的第一接口和第二接口與第一金屬連接線和第二金屬連接線電 連接，以減小形成的電子標簽的體積。
[0019] 進一步，通過光刻和刻蝕相結(jié)合的集成制作工藝形成平面的射頻識別天線，射頻 識別天線的厚度可以較薄，射頻識別天線的螺旋環(huán)的寬度可以較小，相鄰螺旋環(huán)之間的距 離可以較小，從而使得射頻識別天線占據(jù)的面積較小，有利于提高形成的射頻識別天線的 集成度，另外通過集成工藝制作的射頻識別天線的相鄰螺旋環(huán)之間的間距可以相等，每個 螺旋環(huán)的寬度相等，從而使得射頻識別天線具有較高的重復(fù)性，提高了射頻識別天線工作 時的電學性能。
[0020] 進一步，在形成塑封層時，由于射頻識別天線的第一端通過位于同一平面的第一 金屬連接線引出，然后形成若干長度遠小于第一金屬連接線的第三金屬連接線將射頻識別 天線被開口斷開的兩個對應(yīng)端面電連接，由于開口的寬度可以較小，因而形成的第三金屬 連接線的長度可以較短，第三金屬連接線承壓的能力相對增強，在形成塑封層時，第三金屬 連接線不易向下變形與底部的第一金屬連接線電連接。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021] 圖1?圖5為本發(fā)明實施例電子標簽形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0022] 如【背景技術(shù)】所言，現(xiàn)有技術(shù)的射頻識別天線直接通過金屬線和導(dǎo)線形成，金屬線 和導(dǎo)線的直徑較大，使得形成的射頻識別天線的占據(jù)的空間增大，并且繞制形成的射頻識 別天線為立體的結(jié)構(gòu)相應(yīng)的也會增加射頻識別天線的占據(jù)的空間，另外通過繞線的方式和 導(dǎo)線埋入的方式形成的射頻識別天線相鄰線圈之間的距離不易控制，使得線圈的重復(fù)性較 低，使得電子標簽的電學性能降低。
[0023] 本發(fā)明實施例提供了一種電子標簽及其形成方法，在載板的第一區(qū)域上形成射頻 識別天線，所述射頻識別天線包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第 二端，射頻識別天線上具有將每個螺旋環(huán)斷開的開口，形成的射頻識別天線為平面結(jié)構(gòu)因 而占據(jù)的體積減小，射頻識別天線從第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端使得天線可以具 有較長的長度，通過引線鍵合工藝第三金屬連接線將螺旋環(huán)被開口斷開的相對的兩個斷面 電連接，工藝簡單，第一金屬連接線與第二金屬連接線與射頻識別天線位于同一平面，射頻 集成芯片倒裝在載板上時，射頻集成芯片的第一接口和第二接口與第一金屬連接線和第二 金屬連接線電連接，以減小形成的電子標簽的體積。。
[0024] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的具體實施例做詳細的說明。在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，示意圖會不依一般比例 作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護范圍。此外，在實際 制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0025] 圖1?圖5為本發(fā)明實施例電子標簽形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026] 參考圖1，提供載板200,所述載板200包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述載板200 上形成金屬層201。
[0027] 所述載板200作為后續(xù)工藝的載體，以及作為后續(xù)形成的電子標簽的承載載體。
[0028] 所述載板200包括第一區(qū)域和第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，載板200的第一區(qū)域上 后續(xù)形成射頻識別天線，載板200的第二區(qū)域表面后續(xù)貼合射頻集成芯片。需要說明的是， 本實施例的圖2中僅示出了載板的第一區(qū)域。
[0029] 在本發(fā)明的其他實施例中，所述載板可以包括若干（大于等于2個）器件區(qū)域和 位于器件區(qū)域之間的切割道區(qū)域，所述器件區(qū)域上形成電子標簽，后續(xù)沿切割道區(qū)域?qū)⑤d 板上形成的若干電子標簽分割成獨立的電子標簽，每個器件區(qū)域包括第一區(qū)域和第二區(qū)域 相鄰的第二區(qū)域，第一區(qū)域上形成射頻識別天線，第二區(qū)域表面上后續(xù)貼合射頻集成芯片。
[0030] 所述載板200可以為娃基板、玻璃基板或1?分子樹脂基板等。
[0031] 所述金屬層201覆蓋載板200的第一區(qū)域和第二區(qū)域表面，所述金屬層201后續(xù) 用于形成射頻識別天線以及第一金屬連接線和第二金屬連接線?？梢酝ㄟ^濺射工藝或金屬 膜壓膜工藝在所述載板200上形成金屬層201。
[0032] 所述金屬層201的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt或W等。所述金屬層201的厚度為 100埃?50微米。
[0033] 結(jié)合參考圖2和圖3,圖3為圖2的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖3沿切割線AB方面 的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，刻蝕所述金屬層201 (參考圖1)，在載板200的第一區(qū)域11上形成射頻 識別天線203,所述射頻識別天線203包括第一端21和第二端22,所述第一端21呈螺旋環(huán) 狀向外延展到第二端22,射頻識別天線203上具有將每個螺旋環(huán)斷開的開口 204,同時形成 第一金屬連接線205和第二金屬連接線206,所述第一金屬連接線205橫跨第一區(qū)域11和 第二區(qū)域12表面，并穿過所述開口 204與射頻識別天線203的第一端21電連接，所述第二 金屬連接線206橫跨第一區(qū)域11和第二區(qū)域12,第二金屬連接線206與射頻識別天線203 的第二端22電連接。
[0034] 在刻蝕所述金屬層201之前，在所述金屬層201上形成圖形化的掩膜層，所述圖形 化的掩膜層中具有第一開口，所述第一開口暴露出需要刻蝕去除的金屬層201的表面，以 所述圖形化的光刻膠層為掩膜，沿第一開口刻蝕所述金屬層201，形成射頻識別天線203、 第一金屬連接線205和第二金屬連接線206。所述圖形化的掩膜層可以為光刻膠層，通過曝 光和顯影工藝（光刻工藝）在光刻膠層中形成第一開口。本實施例中，對光刻膠層通過曝 光和顯影后，金屬層上的第一開口之間剩余的光刻膠構(gòu)成光刻膠圖形（或者掩膜圖形），光 刻膠圖形包括第一圖形、第二圖形和第三圖形，所述第一圖形包括第一子端和第二子端，所 述第一子端呈螺旋環(huán)狀延伸到第二子端，第一圖形中具有將第一圖形的每個螺旋環(huán)斷開的 第二開口，橫跨第一區(qū)域11和第二區(qū)域12上的金屬層201表面的第二圖形，所述第二圖形 穿過第二開口與第一圖形的第一子端連接，第二圖形的寬度小于第二開口的寬度，橫跨第 一區(qū)域11和第二區(qū)域12上的金屬層201表面的第三圖形，所述第三圖形與第一圖形的第 二子端連接。
[0035] 刻蝕所述金屬層201采用各向異性的干法刻蝕，比如可以采用等離子刻蝕工藝， 等離子刻蝕工藝采用的刻蝕氣體可以為SF 6、NH3、Cl2、HBr中的一種或幾種。
[0036] 在本發(fā)明的其他實施例中，還可以通過濕法刻蝕工藝刻蝕所述金屬層201。
[0037] 刻蝕金屬層201后形成的射頻識別天線203呈螺旋環(huán)狀，第一端21位于中間，第 二端22位于外部，射頻識別天線以中間的第一端21為起點呈螺旋環(huán)狀延伸至外部的第二 端22。本實施例中每個螺旋環(huán)被開口 204斷開，所述開口 204作為第一金屬連接線205的 經(jīng)過通道，當?shù)谝唤饘龠B接線205與射頻識別天線203都位于載板200的表面上時，實現(xiàn)第 一金屬連接線205與射頻識別天線203的第一端21的電連接，將第一端21電連接端口通 過第一金屬連接線205引至載板200的第二區(qū)域12,后續(xù)提供的射頻集成芯片只需與載板 200的第二區(qū)域12上的第一金屬連接線205電連接，即可實現(xiàn)射頻識別天線203的第一端 21與射頻集成芯片的第一接口的電連接。
[0038] 第一金屬連接線205、第二金屬連接線206與射頻識別天線203通過同一層金屬層 201刻蝕形成，工藝步驟簡單，降低了制作成本。
[0039] 所述第一金屬連接線205的寬度小于開口 204的寬度，防止第一金屬連接線 205與開口 204兩側(cè)的射頻識別天線電連接，所述第一金屬連接線205的寬度為Ιμπι到 500 μ m。，所述開口 204的寬度為20 μ m到5毫米。
[0040] 位于載板200的第二區(qū)域12的第一金屬連接線205和第二金屬連接線206之間 的距離等于后續(xù)的射頻識別天線的第一接口和第二接口之間的距離，后續(xù)射頻集成芯片通 過倒裝在載板上時，射頻集成芯片的第一接口和第二接口與第一金屬連接線205和第二金 屬連接線206電連接，以減小形成的電子標簽的體積。
[0041] 本發(fā)明的其他實施例中，通過其它方式實現(xiàn)射頻集成芯片與射頻識別天線的連接 時，第一金屬連接線205和第二金屬連接線206之間的距離根據(jù)實際工藝確定。
[0042] 本發(fā)明的其他實施例中，刻蝕金屬層201時，還可以形成第一焊盤和第二焊盤，所 述第一焊盤與第一金屬連接線205位于第二區(qū)域12表面上的一端電連接，所述第二焊盤與 第二金屬層206的位于第二區(qū)域12表面上的一端電連接，第一焊盤和第二焊盤的尺寸大于 第一金屬連接線205和第二金屬連接線206的尺寸，通過第一焊盤和第二焊盤，可以較方便 的實現(xiàn)第一金屬連接線205和第二金屬連接線206與后續(xù)的射頻集成芯片的電連接。所述 第一焊盤和第二焊盤可以為規(guī)則的多邊形，比如矩形、正方形等，且第一焊盤和第二焊盤的 形狀和尺寸相同，后續(xù)在將射頻集成芯片倒裝在載板200上時，所述第一焊盤和第二焊盤 可以作為對準圖形，通過光學檢測鎖定第一焊盤和第二焊盤的位置，實現(xiàn)射頻集成芯片和 第一焊盤和第二焊盤的位置對比。
[0043] 相比于現(xiàn)有技術(shù)通過繞制和埋置金屬線形成射頻識別天線，本發(fā)明實施例通過光 刻和刻蝕相結(jié)合的集成制作工藝形成平面的射頻識別天線203,射頻識別天線203的厚度 可以較薄，射頻識別天線203的螺旋環(huán)的寬度可以較小，相鄰螺旋環(huán)之間的距離可以較小， 從而使得射頻識別天線203占據(jù)的面積較小，有利于提高形成的射頻識別天線的集成度， 另外通過集成工藝制作的射頻識別天線203的相鄰螺旋環(huán)之間的間距可以相等，每個螺旋 環(huán)的寬度相等，并且可以很精確的控制相鄰螺旋環(huán)之間的間距以及螺旋環(huán)的寬度，從而使 得射頻識別天線203具有較高的重復(fù)性，提高了射頻識別天線工作時的電學性能。
[0044] 所述射頻識別天線203的螺旋環(huán)的數(shù)量大于2個，所述射頻識別天線203的厚度 T為100埃?50微米，比如可以為500埃?10微米，更好是2500埃?5微米，射頻識別天 線203的相鄰螺旋環(huán)之間的間距S為1微米?5000微米，比如可以為5微米?40微米、更 好是50微米?150微米、或200微米?800微米、或1000微米?4000微米，射頻識別天線 203的螺旋環(huán)的寬度W為1微米?500微米，比如可以為5微米?40微米、或50微米?150 微米、或200微米?450微米。需要說明的是，本發(fā)明實施例中一個螺旋環(huán)的確定方式是： 做一經(jīng)過射頻識別天線203的中心點和第一端21的直線，該直線與射頻識別天線具有若干 相交的交點，選取某一交點為第一交點，從第一交點沿著螺旋環(huán)旋轉(zhuǎn)360°到達下一交點作 為第二交點，第一交點和第二交點之間的螺旋環(huán)為一個螺旋環(huán)。
[0045] 本實施例中，所述射頻識別天線203的螺旋環(huán)狀為圓形螺旋，在本發(fā)明的其他實 施例中，所述射頻識別天線203的螺旋環(huán)狀可以為方形螺旋或其他形狀的螺旋。
[0046] 參考圖4,采用引線鍵合工藝（wire bonding)形成若干第三金屬連接線207,所述 第三金屬連接線207位于開口 204和第一金屬連接線205上方，每個第三金屬連接線207 將螺旋環(huán)被開口 204斷開的相對的兩個斷面電連接。
[0047] 所述引線鍵合工藝可以為熱壓鍵合、超聲波鍵合或熱壓超聲波鍵合。采用引線鍵 合工藝形成將某一個螺旋環(huán)上的兩個斷面電連接的第三金屬連接線207的過程為：首先穿 過鍵合機的劈刀的金屬線與螺旋環(huán)上的開口 204 -側(cè)的一個斷面接觸形成第一焊點；接著 劈刀抬起并向開口 204另一側(cè)的斷面的方向移動，形成金屬弧線；然后劈刀向下，使得金屬 線與開口 204另一側(cè)的斷面接觸形成第二焊點，并同時切斷金屬線，形成將螺旋環(huán)上相對 的兩個斷面電連接的第三金屬連接線207。
[0048] 通過引線鍵合的方式形成第三金屬連接線207,工藝簡單，效率較高，因而減少制 作成本。
[0049] 當螺旋環(huán)數(shù)量為多個時，相應(yīng)的開口數(shù)量也為多個，通過多次引線鍵合形成多個 第三金屬連接線207,將每個螺旋環(huán)上的兩個相對的斷面電連接，使得射頻識別天線203的 第一端21和第二端22形成完整的電學通路。
[0050] 相比于直接在射頻識別天線上方形成懸空的金屬連接線將第一端口 21引至載板 200的第二區(qū)域12的方式，本實施例中，射頻識別天線203的第一端21通過位于同一平面 的第一金屬連接線205引出，然后形成若干長度遠小于第一金屬連接線205的第三金屬連 接線將射頻識別天線203被開口 204斷開的兩個對應(yīng)端面電連接，在后續(xù)形成塑封層將電 子標簽進行塑封時，由于第三金屬連接線207的長度遠小于懸空的金屬連接線長度，第三 金屬連接線207承受推壓的能力相對增強，在形成塑封層時，第三金屬連接線207不易向下 變形與底部的第一金屬連接線205電連接。
[0051] 參考圖5,提供射頻集成芯片300,所述射頻集成芯片300包括第一接口 301和第 二接口 302 ;將所述射頻集成芯片300倒裝在載板200的第二區(qū)域12表面，將射頻集成芯片 300的第一接口 301與第二區(qū)域12上的第一金屬連接線205電連接，將射頻集成芯片300 的第二接口 302與第二區(qū)域12上的第二金屬連接線206電連接。
[0052] 所述第一接口 301包括第三焊盤和位于第三焊盤上的第一焊料凸點，所述第二接 口 302包括第四焊盤和位于第四焊盤上的第二焊料凸點，將射頻集成芯片300倒裝在載板 200的第二區(qū)域12上時，第一焊料凸點與載板200的第二區(qū)域12上第一金屬連接線205 (或 者與第一金屬連接線205電連接的第一焊盤）焊接在一起，所述第二焊料凸點與載板200 的第二區(qū)域12上第二金屬連接線206焊接在一起。所述第一焊料凸點和第二焊料凸點的 材料為錫或錫合金或其它低溫焊錫金屬或合金。所述第三焊盤和第四焊盤與與射頻集成芯 片300的內(nèi)部電路電連接。
[0053] 在本發(fā)明的另一實施例中，所述第一接口 301包括第三焊盤、位于第三焊盤上的 第一金屬柱、以為位于第一金屬柱頂部表面的第一焊料凸點；所述第二接口 302包括第四 焊盤、位于第四焊盤上的第二金屬柱、以及位于第二金屬柱頂部表面的第二焊料凸點。
[0054] 在本發(fā)明的另一實施例中，所述第一接口 301包括：第三焊盤、位于射頻集成芯片 表面將第三焊盤引出的第一再布線層、位于第一再布線層上的第一焊料凸點；所述第二接 口 302包括第四焊盤、位于射頻集成芯片表面將第四焊盤引出的第二再布線層、位于第二 再布線層上的第二焊料凸點。通過形成第一再布線層和第二再布線層，以匹配射頻集成芯 片的第一接口和第二接口的間距與射頻識別天線的第一端和第二端之間間距的差異（通 過第一金屬連接線和第二金屬連接線引出后的間距）。
[0055] 在本發(fā)明的又一實施例中，所述第一接口 301包括：第三焊盤、位于射頻集成芯片 表面將第三焊盤引出的第一再布線層、位于第一再布線層上的第一金屬柱、以為位于第一 金屬柱頂部表面的第一焊料凸點；所述第二接口 302包括第四焊盤、位于射頻集成芯片表 面將第四焊盤引出的第二再布線層、位于第二再布線層上的第二金屬柱、以及位于第二金 屬柱頂部表面的第二焊料凸點。
[0056] 所述射頻集成芯片300和射頻識別天線203構(gòu)成射頻識別系統(tǒng)的應(yīng)答器（或電子 標簽），所述射頻集成芯片300用于存儲與目標對象相關(guān)的信息，對射頻識別天線203接收 的信號進行處理，并可以將存儲的相關(guān)信息通過射頻識別天線203發(fā)送。所述射頻識別天 線203用于接收外部（閱讀器）的射頻信號，以及用于向外發(fā)送射頻信號。
[0057] 所述射頻集成芯片300還具有身份驗證功能，當閱讀器的讀取信號時，所述射頻 集成芯片300可以發(fā)送驗證信息對閱讀器的身份進行驗證。
[0058] 本實施例的應(yīng)答器（或電子標簽）可以為無源、有源或半有源形式的應(yīng)答器（或 電子標簽），所述射頻識別天線203還可以作為耦合器件產(chǎn)生感應(yīng)電流，向射頻集成芯片 300和射頻識別天線203提供驅(qū)動能量。
[0059] 還包括，形成覆蓋所述射頻識別天線203,射頻集成芯片300、第一金屬連接線 205、第二金屬連接線206、和載板的塑封層。
[0060] 所述塑封層用于密封和保護形成的電子標簽，所述塑封層的材料可以為高分子的 樹脂，比如可以為聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、苯并環(huán)丁烯或聚苯并惡唑等，所述塑封層的材料也 可以為其他合適的材料，比如氮化硅、氧化硅等。
[0061] 形成所述塑封層的工藝可以為點膠工藝、旋涂工藝或簾式涂布（curtain coating)工藝。
[0062] 形成所述塑封層的工藝也可以采用無壓力（或壓力很小的）網(wǎng)板印刷或轉(zhuǎn)塑或注 塑工藝。
[0063] 在本發(fā)明的其他實施例中，當所述載板上形成有若干電子標簽時，還包括：沿載板 的切割道區(qū)域切割所述塑封層和載板，形成若干分立的電子標簽。實現(xiàn)電子標簽的批量制 作。
[0064] 本發(fā)明實施例還提供了一種電子標簽，請參考圖5,包括：
[0065] 載板200,所述載板包括第一區(qū)域11和第二區(qū)域12 ;
[0066] 位于載板200的第一區(qū)域11上的射頻識別天線203,所述射頻識別天線203包括 第一端21和第二端22,所述第一端21呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端22,射頻識別天線203 上具有將每個螺旋環(huán)斷開的開口 204 ;
[0067] 位于載板200上的第一金屬連接線205,所述第一金屬連接線205橫跨第一區(qū)域 11和第二區(qū)域12表面，并穿過所述開口 204與射頻識別天線203的第一端21電連接；
[0068] 位于載板200上的第二金屬連接線206,所述第二金屬連接線206橫跨第一區(qū)域 11和第二區(qū)域12,第二金屬連接線206與射頻識別天線203的第二端22電連接；
[0069] 位于開口 204和第一金屬連接線205上方的第三金屬連接線207,每個第三金屬連 接線207將螺旋環(huán)被開口斷開的相對的兩個斷面電連接；
[0070] 射頻集成芯片300,所述射頻集成芯片300包括第一接口 301和第二接口 302,所 述射頻集成芯片300倒裝在載板200的第二區(qū)域12表面，射頻集成芯片300的第一接口 301與第二區(qū)域12上的第一金屬連接線205電連接，射頻集成芯片300的第二接口 302與 第二區(qū)域12上的第二金屬連接線206電連接。
[0071] 具體的，所述第一接口 301包括第三焊盤和位于第三焊盤上的第一焊料凸點，所 述第二接口 302包括第四焊盤和位于第四焊盤上的第二焊料凸點，將射頻集成芯片300倒 裝在載板200的第二區(qū)域12上時，第一焊料凸點與載板200的第二區(qū)域12上第一金屬連 接線205 (或者與第一金屬連接線205電連接的第一焊盤）焊接在一起，所述第二焊料凸點 與載板200的第二區(qū)域12上第二金屬連接線206焊接在一起。所述第一焊料凸點和第二 焊料凸點的材料為錫或錫合金或其它低熔點焊錫金屬或合金。所述第三焊盤和第四焊盤與 射頻集成芯片300的內(nèi)部電路電連接。
[0072] 在本發(fā)明的另一實施例中，所述第一接口 301包括第三焊盤、位于第三焊盤上的 第一金屬柱、以為位于第一金屬柱頂部表面的第一焊料凸點；所述第二接口 302包括第四 焊盤、位于第四焊盤上的第二金屬柱、以及位于第二金屬柱頂部表面的第二焊料凸點。
[0073] 在本發(fā)明的另一實施例中，所述第一接口 301包括：第三焊盤、位于射頻集成芯片 表面將第三焊盤引出的第一再布線層、位于第一再布線層上的第一焊料凸點；所述第二接 口 302包括第四焊盤、位于射頻集成芯片表面將第四焊盤引出的第二再布線層、位于第二 再布線層上的第二焊料凸點。
[0074] 在本發(fā)明的又一實施例中，所述第一接口 301包括：第三焊盤、位于射頻集成芯片 表面將第三焊盤引出的第一再布線層、位于第一再布線層上的第一金屬柱、以為位于第一 金屬柱頂部表面的第一焊料凸點；所述第二接口 302包括第四焊盤、位于射頻集成芯片表 面將第四焊盤引出的第二再布線層、位于第二再布線層上的第二金屬柱、以及位于第二金 屬柱頂部表面的第二焊料凸點。
[0075] 所述螺旋環(huán)狀為圓形螺旋或方形螺旋。
[0076] 所述射頻識別天線203的相鄰螺旋環(huán)之間的間距相等、每個螺旋環(huán)的寬度相等。
[0077] 所述射頻識別天線203的厚度為100埃?50微米，射頻識別天線203的相鄰螺旋 環(huán)之間的間距為1微米?5000微米，射頻識別天線203的螺旋環(huán)的寬度為1微米?500微 米。
[0078] 所述射頻識別天線203的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt或W。
[0079] 所述第一金屬連接線205的寬度小于開口 204的寬度。
[0080] 所述開口 204的寬度為20 μ m到5毫米。所述第一金屬連接線205的寬度為1 μ m 至lj 500 μ m〇
[0081] 還包括，覆蓋所述射頻識別天線203,射頻集成芯片300、第一金屬連接線205、第 二金屬連接線206、和載板200的塑封層。
[0082] 需要說明的是，本實施例中關(guān)于電子標簽的其他限定或描述請參考前述實施例 (電子標簽形成過程）中相關(guān)部分的限定或描述。
[〇〇83] 雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所 限定的范圍為準。
【權(quán)利要求】
1. 一種電子標簽的形成方法，其特征在于，包括： 提供載板，所述載板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域； 在載板的第一區(qū)域上形成射頻識別天線，所述射頻識別天線包括第一端和第二端，所 述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端，射頻識別天線上具有將每個螺旋環(huán)斷開的開口； 在載板上形成第一金屬連接線，所述第一金屬連接線橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域表面， 并穿過所述開口與射頻識別天線的第一端電連接； 在載板上形成第二金屬連接線，所述第二金屬連接線橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域，第二 金屬連接線與射頻識別天線的第二端電連接； 采用引線鍵合工藝形成若干第三金屬連接線，所述第三金屬連接線位于開口和第一金 屬連接線上方，每個第三金屬連接線將螺旋環(huán)被開口斷開的相對的兩個斷面電連接； 提供射頻集成芯片，所述射頻集成芯片包括第一接口和第二接口； 將所述射頻集成芯片倒裝在載板的第二區(qū)域表面，將射頻集成芯片的第一接口與第二 區(qū)域上的第一金屬連接線電連接，將射頻集成芯片的第二接口與第二區(qū)域上的第二金屬連 接線電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的電子標簽的形成方法，其特征在于，所述射頻識別天線、開口、 第一金屬連接線和第二金屬連接線同時形成，形成過程為：在載板上形成金屬層；在金屬 層上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層具有暴露出待刻蝕金屬層表面的第一 開口；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，沿第一開口刻蝕所述金屬層，在載板的第一區(qū)域形 成射頻識別天線，所述射頻識別天線包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延 展到第二端，射頻識別天線上具有將每個螺旋環(huán)斷開的開口，同時形成第一金屬連接線和 第二金屬連接線，所述第一金屬連接線橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域表面，并穿過所述開口與 射頻識別天線的第一端電連接，所述第二金屬連接線橫跨第一區(qū)域和第二區(qū)域，第二金屬 連接線與射頻識別天線的第二端電連接。
3. 如權(quán)利要求2所述的電子標簽的形成方法，其特征在于，刻蝕所述金屬層采用各向 異性的干法刻蝕工藝。
4. 如權(quán)利要求1所述的電子標簽的形成方法，其特征在于，所述螺旋環(huán)狀為圓形螺旋 或方形螺旋。
5. 如權(quán)利要求1所述的電子標簽的形成方法，其特征在于，所述射頻識別天線的相鄰 螺旋環(huán)之間的間距相等、每個螺旋環(huán)的寬度相等。
6. 如權(quán)利要求1所述的電子標簽的形成方法，其特征在于，所述射頻識別天線的厚度 為100埃?50微米，射頻識別天線的相鄰螺旋環(huán)之間的間距為1微米?5000微米，射頻識 別天線的螺旋環(huán)的寬度為1微米?500微米。
7. 如權(quán)利要求1所述的電子標簽的形成方法，其特征在于，所述金屬層的材料為A1、 Cu、Ag、Au、Pt 或 W。
8. 如權(quán)利要求1所述的電子標簽的形成方法，其特征在于，所述第一金屬連接線的寬 度小于開口的寬度。
9. 如權(quán)利要求8所述的電子標簽的形成方法，其特征在于，所述開口的寬度為20 μ m到 5毫米，所述第一金屬連接線的寬度為1 μ m到500 μ m。
10. 如權(quán)利要求9所述的電子標簽的形成方法，其特征在于，還包括，形成覆蓋所述射
【文檔編號】G06K19/077GK104050500SQ201410303183
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月27日
【發(fā)明者】林仲珉 申請人:南通富士通微電子股份有限公司