一種存儲方法及裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種存儲方法，在第一周期內(nèi)統(tǒng)計數(shù)據(jù)塊的訪問頻率，根據(jù)所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率將所述數(shù)據(jù)塊存儲至對應(yīng)的存儲層中；在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)或深度；若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，或者若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。本發(fā)明實施例還公開一種存儲裝置。采用本發(fā)明，可解決數(shù)據(jù)塊訪問頻率微小變化導(dǎo)致數(shù)據(jù)塊在不同存儲層反復(fù)遷移的問題。
【專利說明】一種存儲方法及裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及計算機(jī)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種存儲方法及裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]動態(tài)存儲分層(Dynamic Storage Tiering,簡稱DST)技術(shù)在存儲數(shù)據(jù)時已被普遍使用。其原理在于:在存儲系統(tǒng)中配置至少兩種不同性能的存儲介質(zhì)。在存儲系統(tǒng)的使用過程中，通過對數(shù)據(jù)塊過去的訪問頻率的統(tǒng)計來預(yù)測數(shù)據(jù)塊未來的訪問頻率，根據(jù)數(shù)據(jù)塊訪問頻率的統(tǒng)計結(jié)果動態(tài)地將數(shù)據(jù)塊遷移到合適的存儲介質(zhì)。具體地，可將訪問頻率高的數(shù)據(jù)塊遷移到高性能的存儲介質(zhì)上，將訪問頻率低的數(shù)據(jù)塊遷移到低性能的存儲介質(zhì)上。通常高性能的存儲介質(zhì)價格較高，低性能的存儲介質(zhì)價格較低。通過這種數(shù)據(jù)存放和遷移方式，可以用更少的成本獲得更好的數(shù)據(jù)平均訪問性能。
[0003]由于數(shù)據(jù)塊的訪問頻率是動態(tài)統(tǒng)計的，某些數(shù)據(jù)塊訪問頻率會落在統(tǒng)計結(jié)果中對應(yīng)存儲層邊界附近的位置。在之后的統(tǒng)計周期中，數(shù)據(jù)塊訪問頻率的微小變化可能會使得其在連續(xù)的周期中反復(fù)地落在不同的存儲層，引發(fā)該數(shù)據(jù)塊的反復(fù)遷移，即同一塊數(shù)據(jù)在鄰近的周期中被反復(fù)地在存儲層之間遷移。這樣將浪費(fèi)大量的IO資源，造成高性能存儲介質(zhì)如固態(tài)硬盤(Solid State Disk，簡稱SSD)的使用壽命縮短。因為SSD的擦寫次數(shù)是有限的，反復(fù)遷移產(chǎn)生大量的擦寫操作，將使得SSD壽命嚴(yán)重縮短。且反復(fù)大量遷移將破壞數(shù)據(jù)存儲的連續(xù)性，生成大量磁盤碎片。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種存儲方法及裝置。以解決數(shù)據(jù)塊訪問頻率微小變化導(dǎo)致數(shù)據(jù)塊在不同存儲層反復(fù)遷移的問題。
[0005]本發(fā)明實施例第一方面提供了一種存儲方法，可包括:
[0006]在第一周期內(nèi)統(tǒng)計數(shù)據(jù)塊的訪問頻率，根據(jù)所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率將所述數(shù)據(jù)塊存儲至對應(yīng)的存儲層中；
[0007]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)或深度，其中，所述阻尼區(qū)為訪問頻率的值的區(qū)間，且所述阻尼區(qū)與存儲層中的存儲區(qū)域存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系，每個存儲層包括至少一個阻尼區(qū)；
[0008]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，或者若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。
[0009]在第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中，所述阻尼區(qū)與存儲層中的邊界區(qū)域存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系。
[0010]結(jié)合第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第二種可能的實現(xiàn)方式中，若所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區(qū)，所述第二存儲層包括第二阻尼區(qū)，所述數(shù)據(jù)塊當(dāng)前存儲在所述第二存儲層中，則所述在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)，包括:
[0011]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)；
[0012]所述若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中，包括:
[0013]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中。
[0014]結(jié)合第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式，在第三種可能的實現(xiàn)方式中，若所述存儲層還包括第三存儲層，且所述第二存儲層位于所述第一存儲層和第三存儲層之間，則所述第二存儲層還包括第三阻尼區(qū)，所述第三存儲層包括第四阻尼區(qū)，所述在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)間的次數(shù)，還包括:
[0015]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的次數(shù)；
[0016]所述若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中，還包括:
[0017]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第四阻尼區(qū)對應(yīng)的第三存儲層中。
[0018]結(jié)合第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第四種可能的實現(xiàn)方式中，若所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區(qū)，所述第二存儲層包括第二阻尼區(qū)，所述數(shù)據(jù)塊當(dāng)前存儲在所述第二存儲層中，則所述在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度，包括:
[0019]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度；
[0020]所述若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中，包括:
[0021]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中。
[0022]結(jié)合第一方面的第四種可能的實現(xiàn)方式，在第五種可能的實現(xiàn)方式中，若所述存儲層還包括第三存儲層，且所述第二存儲層位于所述第一存儲層和第三存儲層之間，則所述第二存儲層還包括第三阻尼區(qū)，所述第三存儲層包括第四阻尼區(qū)，所述在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)間的深度，還包括:
[0023]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的深度；
[0024]所述若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中，還包括:
[0025]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第四阻尼區(qū)對應(yīng)的第三存儲層中。
[0026]在第一方面的第六種可能的實現(xiàn)方式中，在若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，或者若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中之后，還包括:
[0027]將在所述第二周期內(nèi)統(tǒng)計的結(jié)果清零。
[0028]結(jié)合第一方面或結(jié)合第一方面的第一或第二或第三或第四或第五或第六種可能的實現(xiàn)方式，在第七種可能的實現(xiàn)方式中，所述第二周期為所述第一周期的正整數(shù)倍。
[0029]結(jié)合第一方面的第七種可能的實現(xiàn)方式，在第八種可能的實現(xiàn)方式中，若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中與所述阻尼區(qū)不存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系的存儲區(qū)域時，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。
[0030]本發(fā)明第二方面提供一種存儲裝置，包括:
[0031]第一統(tǒng)計單元，用于在第一周期內(nèi)統(tǒng)計數(shù)據(jù)塊的訪問頻率，根據(jù)所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率將所述數(shù)據(jù)塊存儲至對應(yīng)的存儲層中；
[0032]第二統(tǒng)計單元，用于在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)或深度，其中，所述阻尼區(qū)為訪問頻率的值的區(qū)間，且所述阻尼區(qū)與存儲層中的存儲區(qū)域存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系，每個存儲層包括至少一個阻尼區(qū)；
[0033]數(shù)據(jù)遷移單元，用于若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，或者若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。
[0034]在第二方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中，所述阻尼區(qū)與存儲層中的邊界區(qū)域存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系。
[0035]結(jié)合第二方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第二種可能的實現(xiàn)方式中，若所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區(qū)，所述第二存儲層包括第二阻尼區(qū)，所述數(shù)據(jù)塊當(dāng)前存儲在所述第二存儲層中，則所述第二統(tǒng)計單元具體用于:
[0036]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)；
[0037]所述數(shù)據(jù)遷移單元具體用于:
[0038]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中。
[0039]結(jié)合第二方面的第二種可能的實現(xiàn)方式，在第三種可能的實現(xiàn)方式中，若所述存儲層還包括第三存儲層，且所述第二存儲層位于所述第一存儲層和第三存儲層之間，則所述第二存儲層還包括第三阻尼區(qū)，所述第三存儲層包括第四阻尼區(qū)，所述第二統(tǒng)計單元還用于:
[0040]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的次數(shù)；
[0041 ] 所述數(shù)據(jù)遷移單元還用于:
[0042]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第四阻尼區(qū)對應(yīng)的第三存儲層中。
[0043]結(jié)合第二方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第四種可能的實現(xiàn)方式中，若所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區(qū)，所述第二存儲層包括第二阻尼區(qū)，所述數(shù)據(jù)塊當(dāng)前存儲在所述第二存儲層中，則所述第二統(tǒng)計單元具體用于:
[0044]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度；
[0045]所述數(shù)據(jù)遷移單元具體用于:
[0046]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中。
[0047]結(jié)合第二方面的第四種可能的實現(xiàn)方式，在第五種可能的實現(xiàn)方式中，若所述存儲層還包括第三存儲層，且所述第二存儲層位于所述第一存儲層和第三存儲層之間，則所述第二存儲層還包括第三阻尼區(qū)，所述第三存儲層包括第四阻尼區(qū)，所述第二統(tǒng)計單元還用于:
[0048]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的深度；
[0049]所述數(shù)據(jù)遷移單元還用于:
[0050]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第四阻尼區(qū)對應(yīng)的第三存儲層中。
[0051]在第二方面的第六種可能的實現(xiàn)方式中，在所述數(shù)據(jù)遷移單元將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中之后，所述第二統(tǒng)計單元還用于:
[0052]將在所述第二周期內(nèi)統(tǒng)計的結(jié)果清零。
[0053]結(jié)合第二方面或結(jié)合第二方面的第一或第二或第三或第四或第五或第六種可能的實現(xiàn)方式，在第七種可能的實現(xiàn)方式中，所述第二周期為所述第一周期的正整數(shù)倍。
[0054]結(jié)合第二方面的第七種可能的實現(xiàn)方式，在第八種可能的實現(xiàn)方式中，若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中與所述阻尼區(qū)不存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系的存儲區(qū)域時，則所述數(shù)據(jù)遷移單元還用于:
[0055]將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。
[0056]實施本發(fā)明實施例，具有如下有益效果:
[0057]通過在不同的存儲層配置阻尼區(qū)，只有當(dāng)數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值或者落入阻尼區(qū)的深度的累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值時，才會將數(shù)據(jù)遷移至相應(yīng)的存儲層中，從而解決了數(shù)據(jù)塊訪問頻率微小變化導(dǎo)致數(shù)據(jù)塊在不同存儲層反復(fù)遷移的問題，減少了存儲層的擦寫次數(shù)，延長了存儲層的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0058]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0059]圖1是本發(fā)明存儲方法的第一實施例的流程示意圖；
[0060]圖2是本發(fā)明存儲方法的第二實施例的流程示意圖；
[0061]圖3是本發(fā)明存儲方法的第三實施例的流程示意圖；
[0062]圖4是應(yīng)用本發(fā)明實施例所述存儲方法進(jìn)行數(shù)據(jù)遷移的示意圖；
[0063]圖5是本發(fā)明存儲裝置的第一實施例的組成示意圖；
[0064]圖6是本發(fā)明存儲裝置的第二實施例的組成示意圖。

【具體實施方式】
[0065]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0066]請參照圖1，為本發(fā)明存儲方法的第一實施例的流程示意圖，在本實施例中，所述方法包括以下步驟:
[0067]S101，在第一周期內(nèi)統(tǒng)計數(shù)據(jù)塊的訪問頻率，根據(jù)所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率將所述數(shù)據(jù)塊存儲至對應(yīng)的存儲層中。
[0068]此處第一周期即為DST技術(shù)中對數(shù)據(jù)塊的訪問頻率進(jìn)行統(tǒng)計，并根據(jù)統(tǒng)計結(jié)果將不同訪問頻率的數(shù)據(jù)塊分配至對應(yīng)存儲層的統(tǒng)計周期。
[0069]S102，在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)或深度。
[0070]可選地，所述第二周期大于第一周期，所述第二周期可以為所述第一周期的正整數(shù)倍。用于本發(fā)明實施例中統(tǒng)計數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)或深度，可稱之為阻尼周期。通過引入阻尼周期，可在數(shù)據(jù)遷移時引入更長的歷史數(shù)據(jù)，提升數(shù)據(jù)遷移和存儲的穩(wěn)定性。當(dāng)?shù)诙芷诮Y(jié)束后，可以將統(tǒng)計結(jié)果清零，開始新一輪的統(tǒng)計。
[0071]其中，所述阻尼區(qū)為訪問頻率的值的區(qū)間，且所述阻尼區(qū)與存儲層中的存儲區(qū)域存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系，每個存儲層包括至少一個阻尼區(qū)。阻尼區(qū)的大小可以用存儲層的比例來描述，如O %、10 %、30 %或100 %等。這種描述方法適用于用訪問頻率按比例劃分來描述DST策略的場景。
[0072]當(dāng)然，阻尼區(qū)的大小也可以用訪問頻率的區(qū)間來描述。這種描述方法適用于用訪問頻率的區(qū)間來描述DST策略的場景。例如:DST策略是將訪問頻率大于I萬次每天的數(shù)據(jù)塊劃入第一存儲層，則可以設(shè)置第一存儲層的阻尼區(qū)為訪問頻率介于I萬次每天和1.2萬次每天之間。
[0073]可選地，所述阻尼區(qū)與存儲層中的邊界區(qū)域存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系。因此，可以將兩個不同存儲層中相鄰的部位由線展開成一個區(qū)域，從而降低因數(shù)據(jù)塊訪問頻率的微小變化而導(dǎo)致數(shù)據(jù)在鄰近存儲層中的頻繁遷移。
[0074]S103，若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，或者若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。
[0075]此處的預(yù)設(shè)次數(shù)閾值與預(yù)設(shè)累計閾值可統(tǒng)稱為阻尼閾值，當(dāng)采用預(yù)設(shè)次數(shù)閾值來描述阻尼閾值時，可通過與數(shù)據(jù)塊配合的計數(shù)器來統(tǒng)計訪問頻率落入阻尼區(qū)的次數(shù)。若數(shù)據(jù)塊當(dāng)前位置處于中間存儲層，則可以為數(shù)據(jù)塊配置兩個計數(shù)器，當(dāng)然，也可以采用一個可同時進(jìn)行加法和減法運(yùn)算的計數(shù)器完成，可定義落入上層存儲層則加1，落入下層存儲層則減I。當(dāng)采用預(yù)設(shè)累計閾值來描述阻尼閾值時，則可以由訪問頻率落入阻尼區(qū)的深度累計值來描述，其中，深度累計值可以是深度的累加值或深度的累乘值。在統(tǒng)計深度的累加值時，阻尼區(qū)的深度可以用數(shù)據(jù)塊訪問頻率超過存儲層邊界訪問頻率的差值來描述，而統(tǒng)計深度的累乘值時，阻尼區(qū)的深度可以用數(shù)據(jù)塊訪問頻率超過存儲層邊界訪問頻率的比率來描述，這些數(shù)值的累加或累乘可以由與數(shù)據(jù)塊配合的計算器完成，若數(shù)據(jù)塊當(dāng)前位置處于中間存儲層，當(dāng)采用累乘計算時，可配置落入上層存儲器的比例為正向，落入下層存儲器的比例為負(fù)，如向上和向下的深度均為0.1，則向上乘以(1+0.1)即乘以1.1，向下則乘以(1-0.1)即乘以0.9，當(dāng)然，也可以反過來配置，此處不作任何限定。
[0076]通過設(shè)置阻尼區(qū)的參數(shù)，可以對方案的效果進(jìn)行調(diào)優(yōu)，適應(yīng)不同的場景，并產(chǎn)生不同的效果。
[0077]如通過改變阻尼區(qū)大小，可以調(diào)整遷移的效果。
[0078]設(shè)置較小的阻尼區(qū)使得遷移更容易發(fā)生。
[0079]設(shè)置較大的阻尼區(qū)使得遷移更難以發(fā)生。
[0080]當(dāng)設(shè)置了較小的上層阻尼區(qū)時，數(shù)據(jù)塊的訪問頻率更容易越過上層的阻尼區(qū)，使得向上遷移更容易發(fā)生；設(shè)置了較大的下層阻尼區(qū)，數(shù)據(jù)塊的訪問頻率更難以越過下層的阻尼區(qū)，使得向下遷移更難以發(fā)生。
[0081]而為不同的存儲層設(shè)置不同的阻尼區(qū)大小，可以調(diào)整遷移方向的傾向性。
[0082]如，將阻尼區(qū)大小設(shè)置為0%時，本方案退化為現(xiàn)有的無防止抖動的效果。
[0083]將阻尼區(qū)大小設(shè)置為100%時，只要訪問頻率落入相鄰存儲層變開始計數(shù)。
[0084]通過改變阻尼閾值，可以調(diào)整遷移的效果。
[0085]如設(shè)置較小的阻尼閾值使得遷移更容易發(fā)生。
[0086]設(shè)置較大的阻尼閾值使得遷移更難以發(fā)生。
[0087]而若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中與所述阻尼區(qū)不存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系的存儲區(qū)域時，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。
[0088]在本實施例中，通過在不同的存儲層配置阻尼區(qū)，只有當(dāng)數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值或者落入阻尼區(qū)的深度的累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值時，才會將數(shù)據(jù)遷移至相應(yīng)的存儲層中，從而解決了數(shù)據(jù)塊訪問頻率微小變化導(dǎo)致數(shù)據(jù)塊在不同存儲層反復(fù)遷移的問題，減少了存儲層的擦寫次數(shù)，延長了存儲層的使用壽命，提升動態(tài)存儲技術(shù)的整體性能和效率。
[0089]下面結(jié)合圖2和圖3，分別說明兩個存儲層和三個存儲層的詳細(xì)遷移和存儲過程。
[0090]請參照圖2，為本發(fā)明存儲方法的第二實施例的流程示意圖，在本實施例中，所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區(qū)，所述第二存儲層包括第二阻尼區(qū)，所述數(shù)據(jù)塊當(dāng)前存儲在所述第二存儲層中，所述方法包括以下步驟:
[0091]S201，在第一周期內(nèi)統(tǒng)計數(shù)據(jù)塊的訪問頻率，根據(jù)所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率將所述數(shù)據(jù)塊存儲至對應(yīng)的存儲層中。
[0092]S202，在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)。
[0093]S203，若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中。
[0094]當(dāng)采用統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度來決策遷移方向時，其具體過程可以是:
[0095]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度。
[0096]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中。
[0097]若當(dāng)前數(shù)據(jù)存儲在第二存儲層，數(shù)據(jù)塊的遷移與上述描述遷移方式類似，此處不再贅述。
[0098]請參照圖3，為本發(fā)明存儲方法的第三實施例的流程示意圖；在本實施例中，所述存儲層還包括第三存儲層，且所述第二存儲層位于所述第一存儲層和第三存儲層之間，則所述第二存儲層還包括第三阻尼區(qū)，所述第三存儲層包括第四阻尼區(qū)，所述方法包括以下步驟:
[0099]S301，在第一周期內(nèi)統(tǒng)計數(shù)據(jù)塊的訪問頻率，根據(jù)所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率將所述數(shù)據(jù)塊存儲至對應(yīng)的存儲層中。
[0100]S302，在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)，并在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的次數(shù)。
[0101]S303，若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中，若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第四阻尼區(qū)對應(yīng)的第三存儲層中。
[0102]當(dāng)采用統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度來決策遷移方向時，其具體過程可以是:
[0103]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度，并在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的深度。
[0104]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中，若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第四阻尼區(qū)對應(yīng)的第三存儲層中。
[0105]若所述數(shù)據(jù)塊當(dāng)前存儲位置位于第一存儲層或第三存儲層中時，數(shù)據(jù)塊的遷移與本發(fā)明存儲方法的第二實施例描述遷移方式類似，此處不再贅述。
[0106]請參照圖4，為應(yīng)用本發(fā)明實施例所述存儲方法進(jìn)行數(shù)據(jù)遷移的示意圖；如圖所示，在本實施例中，存在第一存儲層、第二存儲層和第三存儲層，第一存儲層包括第一阻尼區(qū)，第二存儲層包括第二阻尼區(qū)和第三阻尼區(qū)，第三存儲層包括第四阻尼區(qū)，在第一周期I內(nèi)，根據(jù)統(tǒng)計結(jié)果將數(shù)據(jù)塊存儲至第二存儲區(qū)內(nèi)，在第二周期I內(nèi)統(tǒng)計該數(shù)據(jù)塊落入第一阻尼區(qū)和第四阻尼區(qū)的次數(shù)，其中第二周期等于η個第一周期，若在第二周期I內(nèi)統(tǒng)計得到該數(shù)據(jù)塊落入第一阻尼區(qū)的次數(shù)為0，落入第四阻尼區(qū)的次數(shù)為m，此處m小于等于η，若m達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將該數(shù)據(jù)塊遷移至第三存儲層中，若未達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則無需遷移，仍然將該數(shù)據(jù)塊保存在第二存儲層中。若數(shù)據(jù)塊的原始位置位于第一存儲層，則只需要統(tǒng)計落入第二阻尼區(qū)的次數(shù)，若數(shù)據(jù)塊的原始位置位于第三存儲層，則只需要統(tǒng)計落入第三阻尼區(qū)的次數(shù)。需要說明的是，數(shù)據(jù)塊的遷移可以在第二周期I內(nèi)的任意時刻進(jìn)行，而無需等待第二周期I結(jié)束，只要數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值則可以立即進(jìn)行數(shù)據(jù)塊的遷移。當(dāng)然，若數(shù)據(jù)塊的訪問頻率發(fā)生短期的極大變化，如第二存儲層的數(shù)據(jù)塊的訪問頻率越過第一阻尼區(qū)，到達(dá)第一存儲層中與第一阻尼區(qū)不存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系的區(qū)域時，則可以直接將該數(shù)據(jù)塊遷移至第一存儲層而無需等待第二周期I統(tǒng)計完成。當(dāng)?shù)诙芷贗結(jié)束后，在第二周期2開始時，將對第二周期I內(nèi)的統(tǒng)計結(jié)果進(jìn)行清零，從而開始新一輪的統(tǒng)計和遷移。
[0107]當(dāng)基于深度累計值進(jìn)行統(tǒng)計并依據(jù)統(tǒng)計結(jié)果進(jìn)行數(shù)據(jù)塊遷移時，只要深度累計值如累加值或累乘值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則在第二周期I內(nèi)觸發(fā)數(shù)據(jù)塊的遷移，其原理和基于次數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計并依據(jù)統(tǒng)計結(jié)果進(jìn)行數(shù)據(jù)塊遷移的原理類似，具體可參見本發(fā)明存儲方法第一實施例的相關(guān)描述，此處不再贅述。
[0108]請參照圖5，為本發(fā)明存儲裝置的第一實施例的組成示意圖，在本實施例中，所述裝置包括:
[0109]第一統(tǒng)計單元100，用于在第一周期內(nèi)統(tǒng)計數(shù)據(jù)塊的訪問頻率，根據(jù)所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率將所述數(shù)據(jù)塊存儲至對應(yīng)的存儲層中；
[0110]第二統(tǒng)計單元200，用于在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)或深度，其中，所述阻尼區(qū)為訪問頻率的值的區(qū)間，且所述阻尼區(qū)與存儲層中的存儲區(qū)域存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系，每個存儲層包括至少一個阻尼區(qū)；
[0111]數(shù)據(jù)遷移單元300，用于若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，或者若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。
[0112]可選地，所述阻尼區(qū)與存儲層中的邊界區(qū)域存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系。
[0113]若所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區(qū)，所述第二存儲層包括第二阻尼區(qū)，所述數(shù)據(jù)塊當(dāng)前存儲在所述第二存儲層中，則所述第二統(tǒng)計單元200具體用于:
[0114]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)；
[0115]所述數(shù)據(jù)遷移單元300具體用于:
[0116]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中。
[0117]若所述存儲層還包括第三存儲層，且所述第二存儲層位于所述第一存儲層和第三存儲層之間，則所述第二存儲層還包括第三阻尼區(qū)，所述第三存儲層包括第四阻尼區(qū)，所述第二統(tǒng)計單元200還用于:
[0118]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的次數(shù)；
[0119]所述數(shù)據(jù)遷移單元300還用于:
[0120]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第四阻尼區(qū)對應(yīng)的第三存儲層中。
[0121]可選地，若所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區(qū)，所述第二存儲層包括第二阻尼區(qū)，所述數(shù)據(jù)塊當(dāng)前存儲在所述第二存儲層中，則所述第二統(tǒng)計單元200具體用于:
[0122]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度；
[0123]所述數(shù)據(jù)遷移單元300具體用于:
[0124]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中。
[0125]若所述存儲層還包括第三存儲層，且所述第二存儲層位于所述第一存儲層和第三存儲層之間，則所述第二存儲層還包括第三阻尼區(qū)，所述第三存儲層包括第四阻尼區(qū)，所述第二統(tǒng)計單元200還用于:
[0126]在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的深度；
[0127]所述數(shù)據(jù)遷移單元300還用于:
[0128]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第四阻尼區(qū)對應(yīng)的第三存儲層中。
[0129]在所述數(shù)據(jù)遷移單元將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中之后，所述第二統(tǒng)計單元200還用于:
[0130]將在所述第二周期內(nèi)統(tǒng)計的結(jié)果清零。
[0131]所述第二周期為所述第一周期的正整數(shù)倍。
[0132]若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中與所述阻尼區(qū)不存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系的存儲區(qū)域時，則所述數(shù)據(jù)遷移單元300還用于:
[0133]將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。
[0134]請參見圖6，為本發(fā)明存儲裝置的第二實施例的組成示意圖。在本實施例中，所述裝置包括:
[0135]輸入設(shè)備400、輸出設(shè)備500、存儲器600及處理器700。其中，所述輸入設(shè)備400、
輸出設(shè)備500、存儲器600和處理器700與總線連接，所述存儲器600用于存儲一組程序代碼，所述處理器700用于調(diào)用所述存儲器600中存儲的程序代碼，執(zhí)行以下如本發(fā)明存儲方法的第一至第三實施例任一實施例中所述的操作。
[0136]需要說明的是，本說明書中的各個實施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其它實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于裝置實施例而言，由于其與方法實施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實施例的部分說明即可。
[0137]通過上述實施例的描述，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0138]通過在不同的存儲層配置阻尼區(qū)，只有當(dāng)數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值或者落入阻尼區(qū)的深度的累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值時，才會將數(shù)據(jù)遷移至相應(yīng)的存儲層中，從而解決了數(shù)據(jù)塊訪問頻率微小變化導(dǎo)致數(shù)據(jù)塊在不同存儲層反復(fù)遷移的問題，減少了存儲層的擦寫次數(shù)，延長了存儲層的使用壽命，提升動態(tài)存儲技術(shù)的整體性能和效率。
[0139]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例方法中的全部或部分流程，是可以通過計算機(jī)程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可存儲于一計算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，可包括如上述各方法的實施例的流程。其中，所述的存儲介質(zhì)可為磁碟、光盤、只讀存儲記憶體(Read-Only Memory,簡稱ROM)或隨機(jī)存儲記憶體(RandomAccess Memory,簡稱 RAM)等。
[0140]以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲方法，其特征在于，包括: 在第一周期內(nèi)統(tǒng)計數(shù)據(jù)塊的訪問頻率，根據(jù)所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率將所述數(shù)據(jù)塊存儲至對應(yīng)的存儲層中； 在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)或深度，其中，所述阻尼區(qū)為訪問頻率的值的區(qū)間，且所述阻尼區(qū)與存儲層中的存儲區(qū)域存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系，每個存儲層包括至少一個阻尼區(qū)； 若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，或者若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻尼區(qū)與存儲層中的邊界區(qū)域存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，若所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區(qū)，所述第二存儲層包括第二阻尼區(qū)，所述數(shù)據(jù)塊當(dāng)前存儲在所述第二存儲層中，則所述在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)，包括: 在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)； 所述若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中，包括: 若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，若所述存儲層還包括第三存儲層，且所述第二存儲層位于所述第一存儲層和第三存儲層之間，則所述第二存儲層還包括第三阻尼區(qū)，所述第三存儲層包括第四阻尼區(qū)，所述在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)間的次數(shù)，還包括: 在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的次數(shù)； 所述若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中，還包括: 若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第四阻尼區(qū)對應(yīng)的第三存儲層中。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，若所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區(qū)，所述第二存儲層包括第二阻尼區(qū)，所述數(shù)據(jù)塊當(dāng)前存儲在所述第二存儲層中，則所述在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度，包括: 在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度； 所述若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中，包括: 若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，若所述存儲層還包括第三存儲層，且所述第二存儲層位于所述第一存儲層和第三存儲層之間，則所述第二存儲層還包括第三阻尼區(qū)，所述第三存儲層包括第四阻尼區(qū)，所述在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)間的深度，還包括: 在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的深度； 所述若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中，還包括: 若所述數(shù)據(jù)塊的訪問 頻率落入所述第四阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第四阻尼區(qū)對應(yīng)的第三存儲層中。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，或者若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中之后，還包括: 將在所述第二周期內(nèi)統(tǒng)計的結(jié)果清零。
8.如權(quán)利要求1-7任一項所述的方法，其特征在于，所述第二周期為所述第一周期的正整數(shù)倍。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中與所述阻尼區(qū)不存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系的存儲區(qū)域時，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。
10.一種存儲裝置，其特征在于，包括: 第一統(tǒng)計單元，用于在第一周期內(nèi)統(tǒng)計數(shù)據(jù)塊的訪問頻率，根據(jù)所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率將所述數(shù)據(jù)塊存儲至對應(yīng)的存儲層中； 第二統(tǒng)計單元，用于在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)或深度，其中，所述阻尼區(qū)為訪問頻率的值的區(qū)間，且所述阻尼區(qū)與存儲層中的存儲區(qū)域存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系，每個存儲層包括至少一個阻尼區(qū)； 數(shù)據(jù)遷移單元，用于若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，或者若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述阻尼區(qū)與存儲層中的邊界區(qū)域存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，若所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區(qū)，所述第二存儲層包括第二阻尼區(qū)，所述數(shù)據(jù)塊當(dāng)前存儲在所述第二存儲層中，則所述第二統(tǒng)計單元具體用于: 在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)； 所述數(shù)據(jù)遷移單元具體用于: 若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，若所述存儲層還包括第三存儲層，且所述第二存儲層位于所述第一存儲層和第三存儲層之間，則所述第二存儲層還包括第三阻尼區(qū)，所述第三存儲層包括第四阻尼區(qū)，所述第二統(tǒng)計單元還用于:在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的次數(shù)； 所述數(shù)據(jù)遷移單元還用于: 若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第四阻尼區(qū)對應(yīng)的第三存儲層中。
14.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，若所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區(qū)，所述第二存儲層包括第二阻尼區(qū)，所述數(shù)據(jù)塊當(dāng)前存儲在所述第二存儲層中，則所述第二統(tǒng)計單元具體用于: 在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度； 所述數(shù)據(jù)遷移單元具體用于: 若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第一阻尼區(qū)對應(yīng)的第一存儲層中。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，若所述存儲層還包括第三存儲層，且所述第二存儲層位于所述第一存儲層和第三存儲層之間，則所述第二存儲層還包括第三阻尼區(qū)，所述第三存儲層包括第四阻尼區(qū)，所述第二統(tǒng)計單元還用于: 在第二周期內(nèi)統(tǒng)計所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的深度； 所述數(shù)據(jù)遷移單元還用 于: 若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區(qū)的深度累計值達(dá)到預(yù)設(shè)累計閾值，則將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述第四阻尼區(qū)對應(yīng)的第三存儲層中。
16.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)遷移單元將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中之后，所述第二統(tǒng)計單元還用于: 將在所述第二周期內(nèi)統(tǒng)計的結(jié)果清零。
17.如權(quán)利要求10-16任一項所述的裝置，其特征在于，所述第二周期為所述第一周期的正整數(shù)倍。
18.如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，若所述數(shù)據(jù)塊的訪問頻率落入所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中與所述阻尼區(qū)不存在預(yù)設(shè)映射關(guān)系的存儲區(qū)域時，則所述數(shù)據(jù)遷移單元還用于: 將所述數(shù)據(jù)塊遷移至所述阻尼區(qū)對應(yīng)的存儲層中。
【文檔編號】G06F3/06GK104077081SQ201410305562
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月28日
【發(fā)明者】王啟科 申請人:華為技術(shù)有限公司