電子標(biāo)簽的形成方法
【專(zhuān)利摘要】一種電子標(biāo)簽的形成方法，包括：提供載板，所述載板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在載板的第一區(qū)域上形成射頻識(shí)別天線，所述射頻識(shí)別天線包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端；提供射頻集成芯片，所述射頻集成芯片包括第一接口和第二接口；將所述射頻集成芯片貼合于載板的第二區(qū)域表面；通過(guò)引線鍵合工藝形成第一金屬連接線和第二金屬連接線，所述第一金屬連接線將射頻識(shí)別天線的第一端與射頻集成芯片的第一接口電連接，第二金屬連接線將射頻識(shí)別天線的第二端與射頻集成芯片的第二接口電連接。本發(fā)明的電子標(biāo)簽占據(jù)的面積小，并且射頻識(shí)別天線的重復(fù)性高，電學(xué)性能提升。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電子標(biāo)簽的形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及射頻識(shí)別技術(shù)，尤其涉及一種電子標(biāo)簽的形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]RFID(射頻識(shí)別:Radio Frequency Identification)是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，它通過(guò)射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識(shí)別工作無(wú)須人工干預(yù)，作為條形碼的無(wú)線版本，RFID技術(shù)具有條形碼所不具備的防水、耐高溫、使用壽命長(zhǎng)、讀取距離大、標(biāo)簽上數(shù)據(jù)可以加密、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)容量更大、存儲(chǔ)信息更改自如等優(yōu)點(diǎn)，其應(yīng)用將給零售、物流等產(chǎn)業(yè)帶來(lái)革命性變化。
[0003]基本的RFID系統(tǒng)由閱讀器(Reader)與電子標(biāo)簽(或應(yīng)答器，Transponder)兩部份組成，其中電子標(biāo)簽(Tag):由射頻識(shí)別天線及射頻集成芯片組成，每個(gè)電子標(biāo)簽具有唯一的電子編碼或者保存有約定格式的電子數(shù)據(jù)，附著在物體上標(biāo)識(shí)目標(biāo)對(duì)象；閱讀器(Reader):讀取(有時(shí)還可以寫(xiě)入)標(biāo)簽信息的設(shè)備，可設(shè)計(jì)為手持式或固定式。
[0004]RFID系統(tǒng)其工作原理為:由閱讀器發(fā)射一特定頻率信號(hào)給電子標(biāo)簽，用以驅(qū)動(dòng)電子標(biāo)簽中的內(nèi)部電路將內(nèi)部的數(shù)據(jù)送出(Passive Tag,無(wú)源標(biāo)簽或被動(dòng)標(biāo)簽)，或者電子標(biāo)簽主動(dòng)發(fā)送出內(nèi)部的數(shù)據(jù)(Active Tag，有源標(biāo)簽或主動(dòng)標(biāo)簽)，此時(shí)閱讀器便依序接收電子標(biāo)簽發(fā)送的數(shù)據(jù)，從而達(dá)到自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象的目的。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中射頻識(shí)別天線一般是通過(guò)繞線或直接將導(dǎo)線埋入承載片等方式來(lái)制作，然后將制作好的射頻識(shí)別天線與射頻集成芯片封裝在一起形成電子標(biāo)簽。通過(guò)繞線的方式將金屬線或?qū)Ь€繞制若干圈形成射頻識(shí)別天線或者將導(dǎo)線埋入承載片形成射頻識(shí)別天線，形成的射頻識(shí)別天線會(huì)占據(jù)較大的空間，并且射頻識(shí)別天線的線圈的重復(fù)性較低，影響了射頻識(shí)別天線的電學(xué)性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明解決的問(wèn)題是怎樣減小射頻識(shí)別天線占據(jù)的體積。
[0007]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種電子標(biāo)簽的形成方法，包括:提供載板，所述載板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在載板的第一區(qū)域上形成射頻識(shí)別天線，所述射頻識(shí)別天線包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端；提供射頻集成芯片，所述射頻集成芯片包括第一接口和第二接口；將所述射頻集成芯片貼合于載板的第二區(qū)域表面；通過(guò)引線鍵合工藝形成第一金屬連接線和第二金屬連接線，所述第一金屬連接線將射頻識(shí)別天線的第一端與射頻集成芯片的第一接口電連接，第二金屬連接線將射頻識(shí)別天線的第二端與射頻集成芯片的第二接口電連接。
[0008]可選的，所述射頻識(shí)別天線的形成過(guò)程為:在載板上形成金屬層；在金屬層上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層具有暴露出金屬層表面的開(kāi)口 ；以所述圖形化的光刻膠層位掩膜，刻蝕所述金屬層形成射頻識(shí)別天線。
[0009]可選的，刻蝕所述金屬層采用各向異性的干法刻蝕工藝。[0010]可選的，所述射頻識(shí)別天線的形成過(guò)程為:在第一區(qū)域的載板上形成隔離層，所述隔離層中具有暴露出載板表面的開(kāi)口 ；采用電鍍工藝在開(kāi)口中填充滿金屬，形成射頻識(shí)別天線。
[0011]可選的，所述螺旋環(huán)狀為圓形螺旋或方形螺旋。
[0012]可選的，所述射頻識(shí)別天線的相鄰螺旋環(huán)之間的間距相等、每個(gè)螺旋環(huán)的寬度相
坐寸O
[0013]可選的，所述射頻識(shí)別天線的厚度為100埃?50微米，射頻識(shí)別天線的相鄰螺旋環(huán)之間的間距為I微米?5000微米，射頻識(shí)別天線的螺旋環(huán)的寬度為I微米?500微米。
[0014]可選的，所述金屬層的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt或W。
[0015]可選的，所述第一金屬連接線的未連接射頻識(shí)別天線和射頻集成芯片的部分懸空在射頻識(shí)別天線和射頻集成芯片上方，所述第二金屬連接線的未連接射頻識(shí)別天線和射頻集成芯片的部分懸空在射頻識(shí)別天線和射頻集成芯片上方。
[0016]可選的，還包括，形成覆蓋所述射頻識(shí)別天線，射頻集成芯片、第一金屬連接線、第二金屬連接線、和載板的塑封層。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0018]本發(fā)明的電子標(biāo)簽的形成方法，在載板的第一區(qū)域上形成射頻識(shí)別天線，所述射頻識(shí)別天線包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端，形成的射頻識(shí)別天線為平面結(jié)構(gòu)因而占據(jù)的體積減小，射頻識(shí)別天線從第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端使得天線可以具有較長(zhǎng)的長(zhǎng)度，通過(guò)引線鍵合工藝形成第一金屬連接線和第二金屬連接線，可以很方便的將射頻識(shí)別天線的第一端和第二段引出與射頻集成芯片電連接，工藝簡(jiǎn)單。
[0019]進(jìn)一步，通過(guò)光刻和刻蝕相結(jié)合的集成制作工藝或者電鍍工藝形成平面的射頻識(shí)別天線，射頻識(shí)別天線的厚度可以較薄，射頻識(shí)別天線的螺旋環(huán)的寬度可以較小，相鄰螺旋環(huán)之間的距離可以較小，從而使得射頻識(shí)別天線占據(jù)的面積較小，有利于提高形成的射頻識(shí)別天線的集成度，另外通過(guò)集成工藝制作的射頻識(shí)別天線的相鄰螺旋環(huán)之間的間距可以相等，每個(gè)螺旋環(huán)的寬度相等，從而使得射頻識(shí)別天線具有較高的重復(fù)性及均勻的電性分布，提高了射頻識(shí)別天線工作時(shí)的電學(xué)性能。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1?圖4為本發(fā)明實(shí)施例電子標(biāo)簽形成過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]如【背景技術(shù)】所言，現(xiàn)有技術(shù)的射頻識(shí)別天線直接通過(guò)金屬線和導(dǎo)線形成，金屬線和導(dǎo)線的直徑較大，使得形成的射頻識(shí)別天線的占據(jù)的空間增大，并且繞制形成的射頻識(shí)別天線為立體的結(jié)構(gòu)相應(yīng)的也會(huì)增加射頻識(shí)別天線的占據(jù)的空間，另外通過(guò)繞線的方式和導(dǎo)線埋入的方式形成的射頻識(shí)別天線相鄰線圈之間的距離不易控制，使得線圈的重復(fù)性較低，使得射頻識(shí)別天線的電學(xué)性能降低。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子標(biāo)簽及其形成方法，在載板的第一區(qū)域上形成射頻識(shí)別天線，所述射頻識(shí)別天線包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端，形成的射頻識(shí)別天線為平面結(jié)構(gòu)因而占據(jù)的體積減小，射頻識(shí)別天線從第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端使得天線可以具有較長(zhǎng)的長(zhǎng)度，通過(guò)引線鍵合工藝將射頻識(shí)別天線和射頻集成芯片連接，工藝簡(jiǎn)單。
[0023]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，示意圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0024]圖1?圖4為本發(fā)明實(shí)施例電子標(biāo)簽形成過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]參考圖1，提供載板200，所述載板200包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述載板200上形成金屬層201。
[0026]所述載板200作為后續(xù)工藝的載體，以及作為后續(xù)形成的電子標(biāo)簽的承載載體。
[0027]所述載板200包括第一區(qū)域和第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，載板200的第一區(qū)域上后續(xù)形成射頻識(shí)別天線，載板200的第二區(qū)域表面后續(xù)貼合射頻集成芯片。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例的圖2中僅示出了載板的第一區(qū)域。
[0028]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述載板可以包括若干(大于等于2個(gè))器件區(qū)域和位于器件區(qū)域之間的切割道區(qū)域，所述器件區(qū)域上形成電子標(biāo)簽，后續(xù)沿切割道區(qū)域?qū)⑤d板上形成的若干電子標(biāo)簽分割成獨(dú)立的電子標(biāo)簽，每個(gè)器件區(qū)域包括第一區(qū)域和第二區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，第一區(qū)域上形成射頻識(shí)別天線，第二區(qū)域表面上后續(xù)貼合射頻集成芯片。
[0029]所述載板200可以為娃基板、玻璃基板或聞分子樹(shù)脂基板等。
[0030]所述金屬層201后續(xù)用于形成射頻識(shí)別天線?？梢酝ㄟ^(guò)濺射工藝在所述載板200上形成金屬層201。
[0031]所述金屬層201的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt或W。所述金屬層201的厚度為100
埃?50微米。
[0032]結(jié)合參考圖2和圖3，圖3為圖2的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖3沿切割線AB方面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，刻蝕所述金屬層201 (參考圖1)，在載板200的第一區(qū)域上形成射頻識(shí)別天線203，所述射頻識(shí)別天線203包括第一端21和第二端22，所述第一端21呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端22。
[0033]在刻蝕所述金屬層201之前，在所述金屬層201上形成圖形化的掩膜層，所述圖像化的掩膜層中具有開(kāi)口，所述開(kāi)口曝露出需要刻蝕去除的部分金屬層的表面。所述圖形化的掩膜層可以為光刻膠，通過(guò)曝光和顯影工藝(光刻工藝)在光刻膠層中形成開(kāi)口。
[0034]刻蝕所述金屬層201采用各向異性的干法刻蝕，比如可以采用等離子刻蝕工藝，等離子刻蝕工藝采用的刻蝕氣體可以為SF6、NH3、Cl2、HBr中的一種或幾種。
[0035]刻蝕金屬層201后形成的射頻識(shí)別天線203呈螺旋環(huán)狀，第一端21位于中間，第二端22位于外部，射頻識(shí)別天線以中間的第一端21為起點(diǎn)呈螺旋環(huán)狀延伸至外部的第二端22。
[0036]相比于現(xiàn)有技術(shù)通過(guò)繞制和埋置金屬線形成射頻識(shí)別天線，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)光刻和刻蝕相結(jié)合的集成制作工藝形成平面的射頻識(shí)別天線203，射頻識(shí)別天線203的厚度可以較薄，射頻識(shí)別天線203的螺旋環(huán)的寬度可以較小，相鄰螺旋環(huán)之間的距離可以較小，從而使得射頻識(shí)別天線203占據(jù)的面積較小，有利于提高形成的射頻識(shí)別天線的集成度，另外通過(guò)集成工藝制作的射頻識(shí)別天線203的相鄰螺旋環(huán)之間的間距可以相等，每個(gè)螺旋環(huán)的寬度相等，從而使得射頻識(shí)別天線203具有較高的重復(fù)性和均勻的電性分布，提高了射頻識(shí)別天線工作時(shí)的電學(xué)性能。
[0037]所述射頻識(shí)別天線203的螺旋環(huán)的數(shù)量大于2個(gè)，所述射頻識(shí)別天線203的厚度T為100埃?50微米，比如可以為500埃?10微米，1500埃?5微米，射頻識(shí)別天線203的相鄰螺旋環(huán)之間的間距S為I微米?5000微米，比如可以為5微米?40微米、50微米?150微米、200微米?800微米、1000微米?4000微米，射頻識(shí)別天線203的螺旋環(huán)的寬度W為I微米?500微米，比如可以為5微米?40微米、50微米?150微米、200微米?450微米。需要說(shuō)明的時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例中一個(gè)螺旋環(huán)的確定方式是:做一經(jīng)過(guò)射頻識(shí)別天線203的中心點(diǎn)和第一端21的直線，該直線與射頻識(shí)別天線具有若干相交的交點(diǎn)，選取某一交點(diǎn)為第一交點(diǎn)，從第一交點(diǎn)沿著螺旋環(huán)旋轉(zhuǎn)360°到達(dá)下一交點(diǎn)作為第二交點(diǎn)，第一交點(diǎn)和第二交點(diǎn)之間的螺旋環(huán)為一個(gè)螺旋環(huán)。
[0038]本實(shí)施例中，所述射頻識(shí)別天線203的螺旋環(huán)狀為圓形螺旋，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述射頻識(shí)別天線203的螺旋環(huán)狀可以為方形螺旋或其他形狀的螺旋。
[0039]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述射頻識(shí)別天線還可以通過(guò)電鍍工藝形成，具體的所述射頻識(shí)別天線的形成過(guò)程為:在第一區(qū)域的載板上形成隔離層，所述隔離層中具有暴露出載板表面的開(kāi)口，所述開(kāi)口的形狀與待形成的射頻識(shí)別天線的形狀對(duì)應(yīng)；采用電鍍工藝在開(kāi)口中填充滿金屬，形成射頻識(shí)別天線。
[0040]參考圖4，提供射頻集成芯片300，所述射頻集成芯片300包括第一接口 301和第二接口 302 ;將所述射頻集成芯片300貼合于載板的第二區(qū)域表面；通過(guò)引線鍵合工藝形成第一金屬連接線304和第二金屬連接線303，所述第一金屬連接線304將射頻識(shí)別天線203的第一端21與射頻集成芯片300的第一接口 301電連接，第二金屬連接線303將射頻識(shí)別天線203的第二端22與射頻集成芯片300的第二接口 302電連接。
[0041]所述射頻集成芯片300和射頻識(shí)別天線203構(gòu)成射頻識(shí)別系統(tǒng)的應(yīng)答器(或電子標(biāo)簽)，所述射頻集成芯片300用于存儲(chǔ)與目標(biāo)對(duì)象相關(guān)的信息，對(duì)射頻識(shí)別天線203接收的信號(hào)進(jìn)行處理，并可以將存儲(chǔ)的相關(guān)信息通過(guò)射頻識(shí)別天線203發(fā)送。所述射頻識(shí)別天線203用于接收外部(閱讀器)的射頻信號(hào)，以及用于向外發(fā)送射頻信號(hào)。
[0042]所述射頻集成芯片300還具有身份驗(yàn)證功能，當(dāng)閱讀器的讀取信號(hào)時(shí)，所述射頻集成芯片300可以發(fā)送驗(yàn)證信息對(duì)閱讀器的身份進(jìn)行驗(yàn)證。
[0043]本實(shí)施例的應(yīng)答器(或電子標(biāo)簽)可以為無(wú)源、有源或半有源形式的應(yīng)答器(或電子標(biāo)簽)，所述射頻識(shí)別天線203還可以作為耦合器件產(chǎn)生感應(yīng)電流，向射頻集成芯片300和射頻識(shí)別天線203提供驅(qū)動(dòng)能量。
[0044]所述射頻集成芯片300的第一接口 301和第二接口 302可以為金屬焊盤(pán)，第一接口 301和第二接口 302與射頻集成芯片300的內(nèi)部電路電連接。在進(jìn)行貼合時(shí)，所述射頻集成芯片300的背面(與形成第一接口和第二接口相對(duì)的表面)上可以形成膠合層，通過(guò)膠合層實(shí)現(xiàn)射頻集成芯片300與載板第二區(qū)域表面的貼合。
[0045]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以將射頻集成芯片300的背面與載板的第二區(qū)域表面通過(guò)鍵合工藝(比如直接鍵合、陽(yáng)極鍵合工藝等)貼合。
[0046]所述引線鍵合工藝可以為熱壓鍵合、超聲波鍵合或熱壓超聲波鍵合。以形成第一金屬連接線304作為示例，具體的鍵合過(guò)程為:首先穿過(guò)鍵合機(jī)的劈刀的金屬線與射頻集成芯片300的第一接口 301接觸形成第一焊點(diǎn)；接著劈刀抬起并向射頻識(shí)別天線203的第一端21的方向移動(dòng)，形成金屬弧線；然后劈刀向下，使得金屬線與射頻識(shí)別天線203的第一端21接觸形成第二焊點(diǎn)，并同時(shí)切斷金屬線，形成第一金屬連接線304。
[0047]本發(fā)明的實(shí)施例中，形成的射頻識(shí)別天線203為螺旋環(huán)狀，射頻識(shí)別天線203的第一端21位于中間，射頻識(shí)別天線的第二端22位于外圍，射頻識(shí)別天線203通過(guò)集成工藝制作，射頻識(shí)別天線203的第一端很難通過(guò)同一層金屬層或金屬線引出與射頻集成芯片300電連接，本發(fā)明實(shí)施例中通過(guò)引線鍵合工藝形成第一金屬連接線304和第二金屬連接線303實(shí)現(xiàn)射頻識(shí)別天線203與射頻集成芯片的連接，工藝簡(jiǎn)單，并且易于布線。
[0048]通過(guò)引線鍵合工藝形成所述第一金屬連接線304的未連接射頻識(shí)別天線203和射頻集成芯片300的部分懸空在射頻識(shí)別天線203和射頻集成芯片300上方，所述第二金屬連接線303的未連接射頻識(shí)別天線203和射頻集成芯片300的部分懸空在射頻識(shí)別天線203和射頻集成芯片300上方。
[0049]并且，第一金屬連接線304和第二金屬連接線303在空間上是分隔開(kāi)的，第一金屬連接線304和第二金屬連接線303在載板的投影線不存在交叉點(diǎn)，防止在形成塑封層時(shí)，防止第一金屬連接線304和第二金屬連接線303在空間位置上移動(dòng)相交而電連接。
[0050]還包括，形成覆蓋所述射頻識(shí)別天線203，射頻集成芯片300、第一金屬連接線304、第二金屬連接線303、和載板的塑封層。
[0051]所述塑封層用于密封和保護(hù)形成的電子標(biāo)簽，所述塑封層的材料可以為高分子的樹(shù)脂，比如可以為聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、苯并環(huán)丁烯或聚苯并惡唑等，所述塑封層的材料也可以為其他合適的材料，比如氮化硅、氧化硅等。
[0052]由于第一金屬連接線304是懸空橫跨在射頻集成芯片300和射頻識(shí)別天線203上方，如果形成塑封層的過(guò)程中有較大的壓力的話，第一金屬連接線304會(huì)被下壓而與射頻識(shí)別天線203接觸而引起短路。
[0053]形成所述塑封層的工藝可以為點(diǎn)膠工藝、旋涂工藝或簾式涂布(curtaincoating)工藝，形成塑封層的過(guò)程中壓力較小，并且能形成厚度較厚(覆蓋第一金屬連接線和第二金屬連接線的懸空部分)的塑封層。
[0054]形成所述塑封層的工藝也可以采用無(wú)壓力(或壓力很小的)網(wǎng)板印刷、轉(zhuǎn)塑或注
塑工藝。
[0055]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，當(dāng)所述載板上形成有若干電子標(biāo)簽時(shí)，還包括:沿載板的切割道區(qū)域切割所述塑封層和載板，形成若干分立的電子標(biāo)簽。實(shí)現(xiàn)電子標(biāo)簽的批量制作。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電子標(biāo)簽，請(qǐng)參考圖4，包括:
[0057]載板(圖中未示出)，所述載板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；
[0058]位于載板的第一區(qū)域上形成的射頻識(shí)別天線203，所述射頻識(shí)別天線203包括第一端21和第二端22，所述第一端21呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端22 ；
[0059]貼合于載板的第二區(qū)域上的射頻集成芯片300，所述射頻集成芯片300包括第一接口 301和第二接口 302 ；
[0060]位于射頻集成芯片300和射頻識(shí)別天線203上方的第一金屬連接線304和第二金屬連接線303，所述第一金屬連接線304將射頻識(shí)別天線203的第一端21與射頻集成芯片300的第一接口 301電連接，第二金屬連接線303將射頻識(shí)別天線203的第二端22與射頻集成芯片300的第二接口 302電連接。
[0061 ] 具體的，所述螺旋環(huán)狀為圓形螺旋或方形螺旋。
[0062]所述射頻識(shí)別天線203的相鄰螺旋環(huán)之間的間距相等、每個(gè)螺旋環(huán)的寬度相等。
[0063]所述射頻識(shí)別天線203的厚度為100埃?50微米，射頻識(shí)別天線203的相鄰螺旋環(huán)之間的間距為I微米?5000微米，射頻識(shí)別天線203的螺旋環(huán)的寬度為I微米?500微米。
[0064]所述射頻識(shí)別天線203的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt或W。
[0065]所述第一金屬連接線304的未連接射頻識(shí)別天線203和射頻集成芯片300的部分懸空在射頻識(shí)別天線203和射頻集成芯片300上方，所述第二金屬連接線303的未連接射頻識(shí)別天線203和射頻集成芯片300的部分懸空在射頻識(shí)別天線203和射頻集成芯片300上方。
[0066]還包括，覆蓋所述射頻識(shí)別天線203，射頻集成芯片300、第一金屬連接線304、第二金屬連接線303、和載板的塑封層。
[0067]需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中關(guān)于電子標(biāo)簽的其他限定或描述請(qǐng)參考前述實(shí)施例(電子標(biāo)簽形成過(guò)程)中相關(guān)部分的限定或描述。
[0068]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種電子標(biāo)簽的形成方法，其特征在于，包括: 提供載板，所述載板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域； 在載板的第一區(qū)域上形成射頻識(shí)別天線，所述射頻識(shí)別天線包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋環(huán)狀向外延展到第二端； 提供射頻集成芯片，所述射頻集成芯片包括第一接口和第二接口 ； 將所述射頻集成芯片貼合于載板的第二區(qū)域表面； 通過(guò)引線鍵合工藝形成第一金屬連接線和第二金屬連接線，所述第一金屬連接線將射頻識(shí)別天線的第一端與射頻集成芯片的第一接口電連接，第二金屬連接線將射頻識(shí)別天線的第二端與射頻集成芯片的第二接口電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽的形成方法，其特征在于，所述射頻識(shí)別天線的形成過(guò)程為:在載板上形成金屬層；在金屬層上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層具有暴露出金屬層表面的開(kāi)口 ；以所述圖形化的光刻膠層位掩膜，刻蝕所述金屬層形成射頻識(shí)別天線。
3.如權(quán)利要求2所述的電子標(biāo)簽的形成方法，其特征在于，刻蝕所述金屬層采用各向異性的干法刻蝕工藝。
4.如權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽的形成方法，其特征在于，所述射頻識(shí)別天線的形成過(guò)程為:在第一區(qū)域的載板上形成隔離層，所述隔離層中具有暴露出載板表面的開(kāi)口 ；采用電鍍工藝在開(kāi)口中填充滿金屬，形成射頻識(shí)別天線。
5.如權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽的形成方法，其特征在于，所述螺旋環(huán)狀為圓形螺旋或方形螺旋。
6.如權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽的形成方法，其特征在于，所述射頻識(shí)別天線的相鄰螺旋環(huán)之間的間距相等、每個(gè)螺旋環(huán)的寬度相等。
7.如權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽的形成方法，其特征在于，所述射頻識(shí)別天線的厚度為100埃?50微米，射頻識(shí)別天線的相鄰螺旋環(huán)之間的間距為I微米?5000微米，射頻識(shí)別天線的螺旋環(huán)的寬度為I微米?500微米。
8.如權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽的形成方法，其特征在于，所述金屬層的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt 或 W0
9.如權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽的形成方法，其特征在于，所述第一金屬連接線的未連接射頻識(shí)別天線和射頻集成芯片的部分懸空在射頻識(shí)別天線和射頻集成芯片上方，所述第二金屬連接線的未連接射頻識(shí)別天線和射頻集成芯片的部分懸空在射頻識(shí)別天線和射頻集成芯片上方。
10.如權(quán)利要求9所述的電子標(biāo)簽的形成方法，其特征在于，還包括，形成覆蓋所述射頻識(shí)別天線，射頻集成芯片、第一金屬連接線、第二金屬連接線、和載板的塑封層。
【文檔編號(hào)】G06K19/077GK104036317SQ201410305567
【公開(kāi)日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2014年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月27日
【發(fā)明者】林仲珉 申請(qǐng)人:南通富士通微電子股份有限公司