一種閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法及閃存設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法及閃存設(shè)備，包括：預(yù)設(shè)閃存設(shè)備中塊的磨損冗余度的值為N，所述磨損冗余度N為允許閃存設(shè)備中不同塊的擦除次數(shù)相差的最大值；創(chuàng)建包含N+1個(gè)元素的擦除計(jì)數(shù)表EC(X)，將下標(biāo)值X分別設(shè)為0到N，將所述N+1個(gè)元素按照所述下標(biāo)值X從小到大依次排列；根據(jù)擦除計(jì)數(shù)值將所述閃存設(shè)備中所有可用空塊劃分為N+1個(gè)隊(duì)列，將擦除計(jì)數(shù)值為0的塊組成的隊(duì)列加入EC(0)中，元素EC(1)到EC(N)包含的隊(duì)列為空；當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，確定所述擦除計(jì)數(shù)表中擦除計(jì)數(shù)值最小且不為空的隊(duì)列為最小隊(duì)列，將數(shù)據(jù)寫入所述最小隊(duì)列的塊中。本發(fā)明可在寫入和刪除數(shù)據(jù)時(shí)實(shí)現(xiàn)塊的磨損平衡，以達(dá)到提高使用壽命的目的。
【專利說明】一種閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法及閃存設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域中閃存【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地，涉及一種閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方 法及閃存設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002] 閃存設(shè)備是一種可擦除、可重寫的電子非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，它已被廣泛用于數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)系統(tǒng)中。由于閃存設(shè)備斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，其通常用來保存預(yù)設(shè)信息，如電腦的 BIOS (基本程序）、PDA (個(gè)人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等，閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器 更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。
[0003] 閃存設(shè)備以塊（Block)為單位進(jìn)行擦寫操作，閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn) 行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫入，因此擦除操作是閃存設(shè)備的基本操作。 閃存具有編程速度快、擦除時(shí)間短、無噪音、散熱小等優(yōu)點(diǎn)。
[0004] 在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)閃存設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入和擦除時(shí)，存在以下問題：擦除次數(shù)有 限，一個(gè)典型的閃存可以被可靠的擦除最多100000 (SLC，Single Layer Cell,單層單元）和 3000 (MLC，Multi-Level Cell，多層單元）次；現(xiàn)有技術(shù)中不能對(duì)閃存設(shè)備的塊進(jìn)行有效管 理，導(dǎo)致閃存設(shè)備中所有塊的擦寫次數(shù)不均衡，降低了閃存設(shè)備的使用壽命。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的閃存設(shè)備內(nèi)部塊擦除次數(shù)不均衡導(dǎo)致的使用壽命較 低的問題，本發(fā)明提出了一種閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法及閃存設(shè)備。
[0006] 本發(fā)明的閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法，包括：
[0007] 預(yù)設(shè)閃存設(shè)備中塊的磨損冗余度的值為N，所述磨損冗余度N為允許閃存設(shè)備中 不同塊的擦除次數(shù)相差的最大值；
[0008] 創(chuàng)建包含N+1個(gè)元素的擦除計(jì)數(shù)表EC (X)，將下標(biāo)值X分別設(shè)為0到N，將所述N+1 個(gè)元素按照所述下標(biāo)值X從小到大依次排列；
[0009] 根據(jù)擦除計(jì)數(shù)值將所述閃存設(shè)備中所有可用空塊劃分為N+1個(gè)隊(duì)列，將擦除計(jì)數(shù) 值為〇的塊組成的隊(duì)列加入EC(0)中，元素 EC⑴到EC(N)包含的隊(duì)列為空；
[0010] 當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，確定所述擦除計(jì)數(shù)表中擦除計(jì)數(shù)值最小且不為空的隊(duì)列為最小隊(duì) 列，將數(shù)據(jù)寫入所述最小隊(duì)列的塊中。
[0011] 本發(fā)明的閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法，利用磨損冗余度，可以控制閃存中塊的擦除 次數(shù)相差的最大值。通過設(shè)定磨損冗余度的值，可在寫入和刪除數(shù)據(jù)時(shí)實(shí)現(xiàn)塊的磨損平衡。 磨損冗余度可以根據(jù)產(chǎn)品不同的用途來設(shè)定，值越小，磨損越均衡，從而使閃存設(shè)備中所有 塊的擦除次數(shù)均衡，以達(dá)到提高使用壽命的目的。
[0012] 本發(fā)明的閃存設(shè)備，包括：
[0013] 冗余度預(yù)設(shè)模塊，用于預(yù)設(shè)閃存設(shè)備中塊的磨損冗余度的值為N，所述磨損冗余度 N為允許閃存設(shè)備中不同塊的擦除次數(shù)相差的最大值；
[0014] 計(jì)數(shù)表創(chuàng)建模塊，用于創(chuàng)建包含N+1個(gè)元素的擦除計(jì)數(shù)表EC(X)，將下標(biāo)值X分別 設(shè)為0到N，將所述N+1個(gè)元素按照所述下標(biāo)值X從小到大依次排列；
[0015] 隊(duì)列劃分模塊，用于根據(jù)擦除計(jì)數(shù)值將所述閃存設(shè)備中所有可用空塊劃分為N+1 個(gè)隊(duì)列，將擦除計(jì)數(shù)值為〇的塊組成的隊(duì)列加入EC(0)中，元素 EC(1)到EC(N)包含的隊(duì)列 為空；
[0016] 數(shù)據(jù)寫入模塊，用于當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，確定所述擦除計(jì)數(shù)表中擦除計(jì)數(shù)值最小且不 為空的隊(duì)列為最小隊(duì)列，將數(shù)據(jù)寫入所述最小隊(duì)列的塊中。
[0017] 本發(fā)明的閃存設(shè)備，利用磨損冗余度，可以控制閃存中塊的擦除次數(shù)相差的最大 值。通過設(shè)定磨損冗余度的值，可在寫入和刪除數(shù)據(jù)時(shí)實(shí)現(xiàn)塊的磨損平衡。磨損冗余度可 以根據(jù)產(chǎn)品不同的用途來設(shè)定，值越小，磨損越均衡，從而使閃存設(shè)備中所有塊的擦除次數(shù) 均衡，以達(dá)到提高使用壽命的目的。
[0018] 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變 得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在所寫的說明 書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
[0019] 下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020] 附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí) 施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：
[0021] 圖1為本發(fā)明的方法流程圖；
[0022] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例的擦除計(jì)數(shù)表的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例的擦除計(jì)數(shù)表中隊(duì)列結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例的塊移動(dòng)的示意圖；
[0025] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例的隊(duì)列移動(dòng)的示意圖；
[0026] 圖6為本發(fā)明的閃存設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖7為本發(fā)明的擦除計(jì)數(shù)表中隊(duì)列結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028] 下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)描述，但應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明的保 護(hù)范圍并不受【具體實(shí)施方式】的限制。
[0029] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的閃存設(shè)備內(nèi)部塊擦除次數(shù)不均衡導(dǎo)致的使用壽命較 低的問題，本發(fā)明提出了一種閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法及閃存設(shè)備。
[0030] 對(duì)于閃存設(shè)備寫操作比較多的應(yīng)用，可以對(duì)每個(gè)塊（block)進(jìn)行監(jiān)測(cè)，從而使每 個(gè)block的擦寫次數(shù)比較平均，避免出現(xiàn)有的block擦寫次數(shù)過多，而有的block擦寫次數(shù) 過少，進(jìn)而提高閃存設(shè)備的壽命。本發(fā)明主要是針對(duì)閃存設(shè)備中的空block，動(dòng)態(tài)調(diào)整閃存 設(shè)備中不同塊的擦除磨損。下面的例子可以說明寫平衡是如何提高閃存設(shè)備的壽命的：
[0031] 假設(shè)一個(gè)MLC閃存中有4096個(gè)block，要寫一個(gè)占用100個(gè)block大小的文件，每 10分鐘更新一次，寫在同一個(gè)位置。
[0032] 沒有寫平衡方法時(shí)，閃存的生命周期是：
[0033] 生命周期（天）=(NAND閃存尺寸*擦除次數(shù)八每天寫入block數(shù)量）
[0034] 那么生命周期是：（100個(gè)block*3, 000次擦除）八100個(gè)block*6次/小時(shí)*24小 時(shí)/天）=20. 83天
[0035] 有寫平衡方法時(shí)，擦除的次數(shù)可以平均的分配到每一個(gè)block上，假設(shè)有1000個(gè) 塊可以參與寫平衡，那么新的生命周期是：
[0036] (1000個(gè)block*3, 000次擦除 V(100個(gè)block*6次/小時(shí)*24小時(shí)/天）=200. 83 天。
[0037] 如圖1所示，本發(fā)明的閃存設(shè)備數(shù)據(jù)處理方法包括：
[0038] 步驟S101 :初始化所述閃存設(shè)備，將所述閃存設(shè)備中所有空塊的擦除計(jì)數(shù)值清 零。
[0039] 閃存設(shè)備初始化之后，所有可用空塊的擦除計(jì)數(shù)值均為0,擦除計(jì)數(shù)值為對(duì)塊進(jìn)行 擦除操作的次數(shù)。
[0040] 步驟S102 :預(yù)設(shè)閃存設(shè)備中塊的磨損冗余度的值為N ;
[0041] 磨損冗余度是指允許閃存設(shè)備中不同塊的擦除次數(shù)值相差的最大值，具體的，N的 值由閃存設(shè)備的用途以及主控、使用環(huán)境決定。
[0042] 步驟S103 :創(chuàng)建包含N+1個(gè)元素的擦除計(jì)數(shù)表EC(X)，將下標(biāo)值X分別設(shè)為0到N， 將所述N+1個(gè)元素按照所述下標(biāo)值X從小到大依次排列；
[0043] 具體的，如圖2所示，該擦除計(jì)數(shù)表包含EC(0)、EC(1)……EC (N)等N+1個(gè)元素，將 該表中各元素按照上述順序依次從小到大排列。
[0044] 步驟S104 :根據(jù)擦除計(jì)數(shù)值將所述閃存設(shè)備中所有可用空塊劃分為N+1個(gè)隊(duì)列， 將擦除計(jì)數(shù)值為〇的塊組成的隊(duì)列加入EC(0)中，元素 EC(1)到EC(N)包含的隊(duì)列為空；
[0045] 具體的，如圖7所示，為擦除計(jì)數(shù)表中每個(gè)隊(duì)列的結(jié)構(gòu)示意圖。每個(gè)隊(duì)列包含閃存 中的若干物理塊，每一個(gè)塊都有寄存器來記錄塊的擦除次數(shù)，在同一隊(duì)列中，所有塊的擦除 計(jì)數(shù)值是相同的。如圖3所示，在本實(shí)施例中，閃存設(shè)備初始化后，所有空塊的擦除計(jì)數(shù)值 均清零，因此，將所有空塊組成一個(gè)隊(duì)列加入元素 EC(0)中，其余元素 EC(1)到EC(N)的隊(duì) 列為空。
[0046] 步驟S105 :當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，確定所述擦除計(jì)數(shù)表中擦除計(jì)數(shù)值最小且不為空的隊(duì) 列為最小隊(duì)列，將數(shù)據(jù)寫入所述最小隊(duì)列的塊中；
[0047] 具體的，將數(shù)據(jù)寫入閃存設(shè)備時(shí)，可以設(shè)置一個(gè)取塊指針，用于指向擦除計(jì)數(shù)值最 小且不為空的隊(duì)列；采用先進(jìn)先出的原則，從擦除計(jì)數(shù)表中選擇擦除計(jì)數(shù)值最小且不為空 的隊(duì)列，將數(shù)據(jù)寫入該隊(duì)列的塊中。在本實(shí)施例中，閃存設(shè)備初始化之后，EC(0)中隊(duì)列的 塊的擦除計(jì)數(shù)值最小，且EC(0)包含的隊(duì)列不為空，取塊指針指向的隊(duì)列即為EC(0)中的隊(duì) 列，即將數(shù)據(jù)寫入EC(0)中隊(duì)列的塊。
[0048] 步驟S106 :當(dāng)刪除數(shù)據(jù)時(shí)，將被刪除數(shù)據(jù)所在塊的擦除計(jì)數(shù)值加1，并將所述被刪 除數(shù)據(jù)所在塊移到下一隊(duì)列中；
[0049] 具體的，塊中的數(shù)據(jù)被刪除時(shí)，塊會(huì)重新釋放出來，塊的擦除計(jì)數(shù)值加1，將該塊的 新的擦除計(jì)數(shù)值與擦除計(jì)數(shù)表中的各元素的下標(biāo)值進(jìn)行比較，將該塊加入到下一隊(duì)列，即 與新的擦除計(jì)數(shù)值相應(yīng)的隊(duì)列中。如圖4所示，當(dāng)元素 EC(0)中的塊block-OXz的數(shù)據(jù)被 刪除后，將該塊的擦除計(jì)數(shù)值加1，并將該塊移到EC(1)的隊(duì)列中。
[0050] 步驟S107 :當(dāng)所述最小隊(duì)列中的塊全部移出時(shí)，將所述最小隊(duì)列所在的元素移到 所述擦除計(jì)數(shù)表的末端，重新確定最小隊(duì)列；
[0051] 具體的，當(dāng)最小隊(duì)列中的最后一個(gè)塊被移出時(shí)，將該隊(duì)列所在的元素的下標(biāo)值修 改為N+1，并將該元素移到擦除計(jì)數(shù)表的末端，如圖5所示，在本實(shí)施例中，當(dāng)初始化之后， 最小隊(duì)列為元素 EC(0)的隊(duì)列，當(dāng)EC(0)的最后一個(gè)塊被移出時(shí)，將EC(0)修改為EC(N+1)， 并移到擦除計(jì)數(shù)表的末端，此時(shí)擦除計(jì)數(shù)表中的元素變?yōu)镋C (1)、EC (2)……EC (N+1)等N+1 個(gè)元素，取塊指針指向EC(1)中的隊(duì)列，如果EC(1)為空，將EC(1)移到擦除計(jì)數(shù)表的末端， 依次類推。
[0052] 再次進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入時(shí)，重新選擇擦除計(jì)數(shù)值最小且不為空的隊(duì)列，循環(huán)執(zhí)行上述 步驟S101-S106,即可實(shí)現(xiàn)閃存設(shè)備的擦除磨損均衡。
[0053] 本發(fā)明的閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法，利用磨損冗余度，可以控制閃存中塊的擦除 次數(shù)相差的最大值。通過設(shè)定磨損冗余度的值，可在寫入和刪除數(shù)據(jù)時(shí)實(shí)現(xiàn)塊的磨損平衡。 磨損冗余度可以根據(jù)產(chǎn)品不同的用途來設(shè)定，值越小，磨損越均衡，從而使閃存設(shè)備中所有 塊的擦除次數(shù)均衡，以達(dá)到提高使用壽命的目的。
[0054] 如圖6所示，本發(fā)明的閃存設(shè)備包括：
[0055] 初始化模塊，用于初始化所述閃存設(shè)備，將所述閃存設(shè)備中所有空塊的擦除計(jì)數(shù) 值清零。
[0056] 冗余度預(yù)設(shè)模塊10,用于預(yù)設(shè)閃存設(shè)備中塊的磨損冗余度的值為N，所述磨損冗 余度N為允許閃存設(shè)備中不同塊的擦除次數(shù)相差的最大值；
[0057] 計(jì)數(shù)表創(chuàng)建模塊20,用于創(chuàng)建包含N+1個(gè)元素的擦除計(jì)數(shù)表EC (X)，將下標(biāo)值X分 別設(shè)為〇到N，將所述N+1個(gè)元素按照所述下標(biāo)值X從小到大依次排列；
[0058] 隊(duì)列劃分模塊30,用于根據(jù)擦除計(jì)數(shù)值將所述閃存設(shè)備中所有可用空塊劃分為 N+1個(gè)隊(duì)列，將擦除計(jì)數(shù)值為0的塊組成的隊(duì)列加入EC(0)中，元素 EC(1)到EC(N)包含的 隊(duì)列為空；
[0059] 數(shù)據(jù)寫入模塊40,用于當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，確定所述擦除計(jì)數(shù)表中擦除計(jì)數(shù)值最小且 不為空的隊(duì)列為最小隊(duì)列，將數(shù)據(jù)寫入所述最小隊(duì)列的塊中。
[0060] 數(shù)據(jù)刪除模塊50,用于當(dāng)刪除數(shù)據(jù)時(shí)，將被刪除數(shù)據(jù)所在塊的擦除計(jì)數(shù)值加1，并 將所述被刪除數(shù)據(jù)所在塊移到下一隊(duì)列中。
[0061] 隊(duì)列下沉模塊60,用于當(dāng)所述最小隊(duì)列中的塊全部移出時(shí)，將所述最小隊(duì)列所在 的元素移到所述擦除計(jì)數(shù)表的末端，重新確定最小隊(duì)列。
[0062] 本發(fā)明的閃存設(shè)備，利用磨損冗余度，可以控制閃存中塊的擦除次數(shù)相差的最大 值。通過設(shè)定磨損冗余度的值，可在寫入和刪除數(shù)據(jù)時(shí)實(shí)現(xiàn)塊的磨損平衡。磨損冗余度可 以根據(jù)產(chǎn)品不同的用途來設(shè)定，值越小，磨損越均衡，從而使閃存設(shè)備中所有塊的擦除次數(shù) 均衡，以達(dá)到提高使用壽命的目的。
[0063] 本發(fā)明能有多種不同形式的【具體實(shí)施方式】，上面以圖1-圖6為例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā) 明的技術(shù)方案作舉例說明，這并不意味著本發(fā)明所應(yīng)用的具體實(shí)例只能局限在特定的流程 或?qū)嵤├Y(jié)構(gòu)中，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，上文所提供的具體實(shí)施方案只是多種 優(yōu)選用法中的一些示例，任何體現(xiàn)本發(fā)明權(quán)利要求的實(shí)施方式均應(yīng)在本發(fā)明技術(shù)方案所要 求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
[0064] 最后應(yīng)說明的是：以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明， 盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可 以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。 凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的 保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，包括： 預(yù)設(shè)閃存設(shè)備中塊的磨損冗余度的值為N，所述磨損冗余度N為允許閃存設(shè)備中不同 塊的擦除次數(shù)相差的最大值； 創(chuàng)建包含N+1個(gè)元素的擦除計(jì)數(shù)表EC (X)，將下標(biāo)值X分別設(shè)為0到N，將所述N+1個(gè) 元素按照所述下標(biāo)值X從小到大依次排列； 根據(jù)擦除計(jì)數(shù)值將所述閃存設(shè)備中所有可用空塊劃分為N+1個(gè)隊(duì)列，將擦除計(jì)數(shù)值為 〇的塊組成的隊(duì)列加入EC(O)中，元素 EC(1)到EC(N)包含的隊(duì)列為空； 當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，確定所述擦除計(jì)數(shù)表中擦除計(jì)數(shù)值最小且不為空的隊(duì)列為最小隊(duì)列， 將數(shù)據(jù)寫入所述最小隊(duì)列的塊中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，在所述預(yù)設(shè)閃存設(shè) 備中塊的磨損冗余度的值為N之前還包括： 初始化所述閃存設(shè)備，將所述閃存設(shè)備中所有空塊的擦除計(jì)數(shù)值清零。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，還包括： 當(dāng)刪除數(shù)據(jù)時(shí)，將被刪除數(shù)據(jù)所在塊的擦除計(jì)數(shù)值加1，并將所述被刪除數(shù)據(jù)所在塊移 到下一隊(duì)列中。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，還包括： 當(dāng)所述最小隊(duì)列中的塊全部移出時(shí)，將所述最小隊(duì)列所在的元素移到所述擦除計(jì)數(shù)表 的末端，重新確定最小隊(duì)列。
5. -種閃存設(shè)備，其特征在于，包括： 冗余度預(yù)設(shè)模塊，用于預(yù)設(shè)閃存設(shè)備中塊的磨損冗余度的值為N，所述磨損冗余度N為 允許閃存設(shè)備中不同塊的擦除次數(shù)相差的最大值； 計(jì)數(shù)表創(chuàng)建模塊，用于創(chuàng)建包含N+1個(gè)元素的擦除計(jì)數(shù)表EC (X)，將下標(biāo)值X分別設(shè)為 〇到N，將所述N+1個(gè)元素按照所述下標(biāo)值X從小到大依次排列； 隊(duì)列劃分模塊，用于根據(jù)擦除計(jì)數(shù)值將所述閃存設(shè)備中所有可用空塊劃分為N+1個(gè)隊(duì) 列，將擦除計(jì)數(shù)值為0的塊組成的隊(duì)列加入EC(O)中，元素 EC(1)到EC(N)包含的隊(duì)列為 空； 數(shù)據(jù)寫入模塊，用于當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，確定所述擦除計(jì)數(shù)表中擦除計(jì)數(shù)值最小且不為空 的隊(duì)列為最小隊(duì)列，將數(shù)據(jù)寫入所述最小隊(duì)列的塊中。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的閃存設(shè)備，其特征在于，還包括： 初始化模塊，用于初始化所述閃存設(shè)備，將所述閃存設(shè)備中所有空塊的擦除計(jì)數(shù)值清 零。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的閃存設(shè)備，其特征在于，還包括： 數(shù)據(jù)刪除模塊，用于當(dāng)刪除數(shù)據(jù)時(shí)，將被刪除數(shù)據(jù)所在塊的擦除計(jì)數(shù)值加1，并將所述 被刪除數(shù)據(jù)所在塊移到下一隊(duì)列中。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的閃存設(shè)備，其特征在于，還包括： 隊(duì)列下沉模塊，用于當(dāng)所述最小隊(duì)列中的塊全部移出時(shí)，將所述最小隊(duì)列所在的元素 移到所述擦除計(jì)數(shù)表的末端，重新確定最小隊(duì)列。
【文檔編號(hào)】G06F3/06GK104102459SQ201410315842
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2014年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月3日
【發(fā)明者】羅理堅(jiān), 盧明 申請(qǐng)人:優(yōu)佰特電子科技（無錫）有限公司