提高nand閃存的穩(wěn)定性的方法和nand閃存的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法和NAND閃存。本發(fā)明實(shí)施例方法包括：確定對(duì)NAND閃存的訪問(wèn)操作；當(dāng)所述訪問(wèn)操作為讀操作時(shí)，判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特是否可糾正，若否，則記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)；當(dāng)所述訪問(wèn)操作為擦除操作時(shí)，判斷所述擦除操作的對(duì)象塊中是否包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)，若是，則停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。本發(fā)明實(shí)施例能夠解決NAND反復(fù)寫入/擦除導(dǎo)致數(shù)據(jù)存儲(chǔ)不可靠的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法和NAND閃存

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法和NAND閃存。

【背景技術(shù)】
[0002]多層單元閃存(英文:Mult1-Level Cell NAND, MLC NAND)的特點(diǎn)是容量大成本低，存儲(chǔ)不穩(wěn)定，出錯(cuò)的幾率較大，需要進(jìn)行錯(cuò)誤修正才能使用。大容量的MLC NAND 一般采用可以糾錯(cuò)的錯(cuò)誤檢查和糾正(英文:Error Correcting Code,縮寫:ECC)編碼來(lái)保證存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的完整性。
[0003]然而，隨著MLC NAND的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫擦除操作的次數(shù)增多，MLC NAND的壽命會(huì)逐漸降低，導(dǎo)致MLC NAND中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)不可靠。固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備(英文:Solid State Drive,縮寫:SSD)中的NAND常用的一種解決方法如下。假定距離SSD的一些數(shù)據(jù)的上次寫入已有一段時(shí)間，當(dāng)SSD加電時(shí)，在SSD中啟動(dòng)后臺(tái)任務(wù)來(lái)掃描NAND中所有數(shù)據(jù)。在該后臺(tái)任務(wù)中，在驅(qū)動(dòng)器的空閑時(shí)期內(nèi)，驅(qū)動(dòng)器的整個(gè)內(nèi)容都被讀取。當(dāng)某個(gè)位置被讀取時(shí)，如果在施加對(duì)錯(cuò)誤的校正之前該位置的錯(cuò)誤比特超過(guò)“比特錯(cuò)誤閾值”，則可以假定該位置只是勉強(qiáng)地保存著數(shù)據(jù)，因此刷新/重寫NAND位置，也即校正后的數(shù)據(jù)應(yīng)當(dāng)被重寫到新的位置，但也有可能重寫到當(dāng)前位置。
[0004]然而，上述處理過(guò)程比較復(fù)雜，需要搬移數(shù)據(jù)。而且后臺(tái)任務(wù)和正常輸入/輸出(英文dnput/output，縮寫:1/0)命令不能同時(shí)執(zhí)行，因此上述后臺(tái)任務(wù)運(yùn)行時(shí)會(huì)增加正常I/O命令的響應(yīng)時(shí)間。而且，校正后的數(shù)據(jù)有可能被寫到當(dāng)前位置，導(dǎo)致該當(dāng)前位置存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可能不穩(wěn)定。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法和NAND閃存，用于解決NAND反復(fù)寫入/擦除導(dǎo)致數(shù)據(jù)存儲(chǔ)不可靠的問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例第一方面提供一種提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法,包括:
[0007]確定對(duì)NAND閃存的訪問(wèn)操作；
[0008]當(dāng)所述訪問(wèn)操作為讀操作時(shí)，判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特是否可糾正，若否，則記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)；
[0009]當(dāng)所述訪問(wèn)操作為擦除操作時(shí)，判斷所述擦除操作的對(duì)象塊中是否包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)，若是，則停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。
[0010]結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的第一方面，本發(fā)明實(shí)施例的第一方面的第一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述方法還包括:
[0011]若所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特可糾正，則判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特值是否大于等于預(yù)置數(shù)值，若是，則記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)。
[0012]結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的第一方面，本發(fā)明實(shí)施例的第一方面的第二種實(shí)現(xiàn)方式中，所述方法還包括:
[0013]若所述擦除操作的對(duì)象塊不包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)，則執(zhí)行擦除操作；
[0014]若所述擦除操作不成功，則停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。
[0015]結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的第一方面，本發(fā)明實(shí)施例的第一方面的第三種實(shí)現(xiàn)方式中，所述NAND閃存中每個(gè)存儲(chǔ)單元大于或者等于2比特。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例第二方面提供一種NAND閃存，包括:
[0017]確定模塊，用于確定對(duì)NAND閃存的訪問(wèn)操作；
[0018]判斷模塊，用于當(dāng)所述訪問(wèn)操作為讀操作時(shí)，判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特是否可糾正；還用于當(dāng)所述訪問(wèn)操作為擦除操作時(shí)，判斷所述擦除操作的對(duì)象塊中是否包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)；
[0019]執(zhí)行模塊，用于當(dāng)所述判斷模塊確定所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特可糾正時(shí)，記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)；還用于當(dāng)所述判斷模塊確定所述擦除操作的對(duì)象塊中包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)時(shí)，停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。
[0020]結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的第二方面，本發(fā)明實(shí)施例的第二方面的第一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述判斷模塊還用于當(dāng)確定所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特可糾正時(shí)，判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特值是否大于等于預(yù)置數(shù)值；
[0021]所述執(zhí)行模塊還用于當(dāng)所述判斷模塊確定所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特值大于等于預(yù)置數(shù)值時(shí)，記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)。
[0022]結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的第二方面，本發(fā)明實(shí)施例的第二方面的第二種實(shí)現(xiàn)方式中，所述執(zhí)行模塊還用于當(dāng)所述判斷模塊確定所述擦除操作的對(duì)象塊不包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)，執(zhí)行擦除操作；還用于在所述擦除操作不成功時(shí)，停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。
[0023]結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的第二方面，本發(fā)明實(shí)施例的第二方面的第三種實(shí)現(xiàn)方式中，所述NAND閃存中每個(gè)存儲(chǔ)單元大于或者等于2比特。
[0024]從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0025]本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)在讀操作時(shí)把ECC錯(cuò)誤比特不可糾正的頁(yè)記錄為處于老化狀態(tài)，并在擦除操作時(shí)當(dāng)確定所要擦除的塊中包含有處于老化狀態(tài)的塊時(shí)停止對(duì)該塊的后續(xù)使用，這樣，可以提前識(shí)別出可能老化的存儲(chǔ)塊并放棄使用該存儲(chǔ)塊，通過(guò)放棄該部分存儲(chǔ)塊來(lái)?yè)Q取NAND閃存的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性；而且，本實(shí)施例的處理過(guò)程簡(jiǎn)單，無(wú)需執(zhí)行【背景技術(shù)】中的數(shù)據(jù)搬移和后臺(tái)任務(wù)，能夠保證正常訪問(wèn)操作的響應(yīng)時(shí)間。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0026]圖1為本發(fā)明的提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖；
[0027]圖2為本發(fā)明的NAND閃存的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法和NAND閃存，用于解決NAND閃存反復(fù)寫入/擦除導(dǎo)致數(shù)據(jù)存儲(chǔ)不可靠的問(wèn)題。
[0029]為了使本【技術(shù)領(lǐng)域】的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0030]本發(fā)明的說(shuō)明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語(yǔ)“包含”和“具有”以及它們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過(guò)程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包含沒(méi)有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過(guò)程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0031]當(dāng)NAND閃存的寫擦除次數(shù)增多時(shí)，NAND的壽命會(huì)隨之降低。而隨著NAND的壽命的降低，在讀取NAND的存儲(chǔ)單元時(shí)，ECC糾錯(cuò)比特值會(huì)上升到更加接近比特錯(cuò)誤閾值，當(dāng)超出比特錯(cuò)誤閾值時(shí)，該存儲(chǔ)單元內(nèi)的數(shù)據(jù)便不可恢復(fù)。因此，當(dāng)ECC糾錯(cuò)比特值增大時(shí)，該存儲(chǔ)單元內(nèi)的數(shù)據(jù)可靠性會(huì)降低。本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)ECC糾錯(cuò)比特值來(lái)簡(jiǎn)單預(yù)測(cè)NAND中各存儲(chǔ)單元的壽命和可靠性，當(dāng)NAND中存儲(chǔ)單元的ECC糾錯(cuò)比特不可糾正，便可以判斷該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的可靠性較低。
[0032]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法包含:
[0033]101、確定對(duì)NAND閃存的訪問(wèn)操作；
[0034]本實(shí)施例中的NAND閃存可以是2bit/cell的MLC NAND或3bit/cell的三層單元閃存(英文:Trinary-Level Cell NAND，縮寫:TLC NAND)。實(shí)際運(yùn)用中，NAND閃存也可以是lbit/cell的單層單元閃存(英文:Single_Level Cell NAND,縮寫:SLC NAND),或者還可以是存儲(chǔ)單元為4bit或者更多bit的閃存，在此不作限制。
[0035]NAND閃存接收到訪問(wèn)操作的命令時(shí)，確定該訪問(wèn)操作。對(duì)NAND閃存的訪問(wèn)操作包含至少兩種。本實(shí)施例中，對(duì)NAND閃存的訪問(wèn)操作包含讀操作、擦除操作。當(dāng)然，實(shí)際運(yùn)用中，對(duì)NAND閃存的訪問(wèn)操作還可以包含寫操作或者其他操作，在此不作限制。
[0036]在對(duì)NAND進(jìn)行訪問(wèn)操作時(shí)，不同的訪問(wèn)操作的訪問(wèn)單位不一定一致。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)對(duì)NAND的訪問(wèn)操作為讀操作時(shí)，是以NAND中的頁(yè)(英文:page)為單位進(jìn)行讀取的；當(dāng)對(duì)NAND的訪問(wèn)操作為擦除操作時(shí)，是以NAND中的塊(block)為單位進(jìn)行擦除的，其中塊包含多個(gè)頁(yè)。
[0037]102、當(dāng)所述訪問(wèn)操作為讀操作時(shí)，判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特是否可糾正，若否，則執(zhí)行步驟103。
[0038]當(dāng)確定訪問(wèn)操作為讀操作時(shí)，讀操作的對(duì)象物理單元為頁(yè)。判斷所要讀取的頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特是否可以糾正時(shí)，如果所要讀取的頁(yè)中錯(cuò)誤的比特小于或者等于ECC編碼的糾錯(cuò)比特最大值，則該頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特為可糾正的；如果大于ECC編碼的糾錯(cuò)比特最大值，則該頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特不是可糾正的。
[0039]103、記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)；
[0040]當(dāng)確定讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特不是可糾正的，那么在NAND中記錄該頁(yè)處于老化狀態(tài)。這樣，在NAND中的各頁(yè)經(jīng)多次訪問(wèn)后，會(huì)有部分頁(yè)被記錄處于老化狀態(tài)。
[0041]104、當(dāng)所述訪問(wèn)操作為擦除操作時(shí)，判斷所述擦除操作的對(duì)象塊中是否包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)，若是，則執(zhí)行步驟105。
[0042]105、停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。
[0043]當(dāng)對(duì)NAND的訪問(wèn)操作為擦除操作時(shí)，判斷所要擦除的塊中是否有處于老化狀態(tài)的頁(yè)，若有的話，標(biāo)記該塊為壞塊，并停止對(duì)該塊的后續(xù)使用，其中，停止對(duì)該塊的后續(xù)使用包含了停止對(duì)該塊執(zhí)行擦除操作。
[0044]本實(shí)施例中，通過(guò)在讀操作時(shí)把ECC錯(cuò)誤比特不可糾正的頁(yè)記錄為處于老化狀態(tài)，并在擦除操作時(shí)當(dāng)確定所要擦除的塊中包含有處于老化狀態(tài)的塊時(shí)停止對(duì)該塊的后續(xù)使用，這樣，可以提前識(shí)別出可能老化的存儲(chǔ)塊并放棄使用該存儲(chǔ)塊，通過(guò)放棄該部分存儲(chǔ)塊來(lái)?yè)Q取NAND閃存的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性；而且，本實(shí)施例的處理過(guò)程簡(jiǎn)單，無(wú)需執(zhí)行【背景技術(shù)】中的數(shù)據(jù)搬移和后臺(tái)任務(wù)，能夠保證正常訪問(wèn)操作的響應(yīng)時(shí)間。
[0045]優(yōu)選的，本實(shí)施例的提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法中，步驟102之后還包含:
[0046]106、若所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特可糾正，則判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特值是否大于等于預(yù)置數(shù)值，若是，則記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)。
[0047]當(dāng)確定讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特為可糾正的，那么繼續(xù)判斷該頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特的數(shù)量是否大于等于預(yù)置數(shù)值。由于隨著NAND的壽命的降低，頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特的數(shù)量也會(huì)隨之上升。當(dāng)頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特值越接近ECC的糾錯(cuò)比特最大值時(shí)，頁(yè)中的數(shù)據(jù)的可靠性也就越低。本實(shí)施例中，可預(yù)先設(shè)置好預(yù)置數(shù)值，當(dāng)判斷出讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤值大于等于該預(yù)置數(shù)值時(shí)，即可確定該頁(yè)處于老化狀態(tài)。具體的，該預(yù)置數(shù)值小于ECC編碼的糾錯(cuò)比特最大值。
[0048]這樣，通過(guò)提高確定讀操作的對(duì)象頁(yè)為處于老化狀態(tài)的條件，能夠更多地識(shí)別出可能老化的存儲(chǔ)塊，進(jìn)而提高NAND的存儲(chǔ)穩(wěn)定性。
[0049]優(yōu)選的，本實(shí)施例的提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法中，步驟104之后還包含:
[0050]107、若所述擦除操作的對(duì)象塊不包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)，則執(zhí)行擦除操作；若所述擦除操作不成功，則停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。
[0051]若對(duì)塊的擦除操作不成功時(shí)，表明該塊存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性較低，因此停止對(duì)該塊的后續(xù)使用，以換取NAND存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性。
[0052]為便于理解，下面以一個(gè)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法進(jìn)行描述。
[0053]本實(shí)施中，NAND閃存具體為MLC NAND,當(dāng)MLC NAND接收到I/O命令時(shí)，首先判斷該I/O命令是否讀命令。
[0054]若是讀命令，則執(zhí)行讀操作。執(zhí)行完讀操作后，判斷該讀操作所要讀的頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特是否可糾正的。若是可糾正的，繼續(xù)判斷該頁(yè)的ECC糾錯(cuò)比特值是否大于等于預(yù)定數(shù)值。若大于等于預(yù)定數(shù)值，則記錄該頁(yè)處于老化狀態(tài)，I/O命令完成；若小于預(yù)定數(shù)據(jù)值，則I/O命令完成。若不是可糾正的，則直接記錄該頁(yè)處于老化狀態(tài)，I/O命令完成。
[0055]若不是讀命令，則進(jìn)一步判斷該I/O命令是否寫命令。若是寫命令，則執(zhí)行寫操作，I/O命令完成。
[0056]若不是寫命令，則進(jìn)一步判斷該I/O命令是否擦除命令。若是擦除命令，則判斷該擦除命令所要擦除的塊中是否包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)。若包含，則標(biāo)記該塊為壞塊，并停止對(duì)該壞塊的后續(xù)使用，I/o命令完成。若不包含，則執(zhí)行擦除操作。若擦除操作成功，則I/O命令完成。若擦除操作不成功，則標(biāo)記該塊為壞塊，并停止對(duì)該壞塊的后續(xù)使用，I/O命令完成。
[0057]若不是擦除命令，則進(jìn)一步判斷該I/O命令是否其他操作，并執(zhí)行該其他操作。
[0058]上面對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法進(jìn)行了描述，下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的NAND閃存進(jìn)行描述，請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明實(shí)施例中NAND閃存200包含:
[0059]確定模塊201，用于確定對(duì)NAND閃存的訪問(wèn)操作；
[0060]判斷模塊202，用于當(dāng)所述訪問(wèn)操作為讀操作時(shí)，判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特是否可糾正；還用于當(dāng)所述訪問(wèn)操作為擦除操作時(shí)，判斷所述擦除操作的對(duì)象塊中是否包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)；
[0061]執(zhí)行模塊203，用于當(dāng)所述判斷模塊確定所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特可糾正時(shí)，記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)；還用于當(dāng)所述判斷模塊確定所述擦除操作的對(duì)象塊中包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)時(shí)，停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。
[0062]本實(shí)施例中，通過(guò)在讀操作時(shí)把ECC錯(cuò)誤比特不可糾正的頁(yè)記錄為處于老化狀態(tài)，并在擦除操作時(shí)當(dāng)確定所要擦除的塊中包含有處于老化狀態(tài)的塊時(shí)停止對(duì)該塊的后續(xù)使用，這樣，可以提前識(shí)別出可能老化的存儲(chǔ)塊并放棄使用該存儲(chǔ)塊，通過(guò)放棄該部分存儲(chǔ)塊來(lái)?yè)Q取NAND閃存的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性；而且，本實(shí)施例的NAND閃存的處理過(guò)程簡(jiǎn)單，無(wú)需執(zhí)行【背景技術(shù)】中的數(shù)據(jù)搬移和后臺(tái)任務(wù)，能夠保證正常訪問(wèn)操作的響應(yīng)時(shí)間。
[0063]優(yōu)選的，本實(shí)施例中，
[0064]所述判斷模塊202還用于當(dāng)確定所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特可糾正時(shí)，判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特值是否大于等于預(yù)置數(shù)值；
[0065]所述執(zhí)行模塊203還用于當(dāng)所述判斷模塊確定所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特值大于等于預(yù)置數(shù)值時(shí)，記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)。
[0066]這樣，通過(guò)提高確定讀操作的對(duì)象頁(yè)為處于老化狀態(tài)的條件，能夠更多地識(shí)別出可能老化的存儲(chǔ)塊，進(jìn)而提高NAND的存儲(chǔ)穩(wěn)定性。
[0067]優(yōu)選的，本實(shí)施例中，所述執(zhí)行模塊203還用于當(dāng)所述判斷模塊202確定所述擦除操作的對(duì)象塊不包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)，執(zhí)行擦除操作；還用于在所述擦除操作不成功時(shí)，停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。
[0068]優(yōu)選的，本實(shí)施例中，所述NAND閃存中每個(gè)存儲(chǔ)單元大于或者等于2比特。
[0069]為便于理解，下面以一個(gè)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的NAND閃存進(jìn)行描述。
[0070]本實(shí)施中，NAND閃存具體為MLC NAND,當(dāng)MLC NAND接收到I/O命令時(shí)，首先判斷模塊判斷該I/O命令是否讀命令。
[0071 ]若是讀命令，則執(zhí)行模塊執(zhí)行讀操作。執(zhí)行模塊執(zhí)行完讀操作后，判斷模塊判斷該讀操作所要讀的頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特是否可糾正的。若是可糾正的，繼續(xù)判斷該頁(yè)的ECC糾錯(cuò)比特值是否大于等于預(yù)定數(shù)值。若大于等于預(yù)定數(shù)值，則執(zhí)行模塊記錄該頁(yè)處于老化狀態(tài)，I/O命令完成；若小于預(yù)定數(shù)據(jù)值，則I/O命令完成。若不是可糾正的，則執(zhí)行模塊直接記錄該頁(yè)處于老化狀態(tài)，I/o命令完成。
[0072]若不是讀命令，則判斷模塊進(jìn)一步判斷該I/O命令是否寫命令。若是寫命令，則執(zhí)行模塊執(zhí)行寫操作，I/O命令完成。
[0073]若不是寫命令，則判斷模塊進(jìn)一步判斷該I/O命令是否擦除命令。若是擦除命令，則判斷模塊判斷該擦除命令所要擦除的塊中是否包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)。若包含，則執(zhí)行模塊標(biāo)記該塊為壞塊，并停止對(duì)該壞塊的后續(xù)使用，I/o命令完成。若不包含，則執(zhí)行模塊執(zhí)行擦除操作。若擦除操作成功，則I/o命令完成。若擦除操作不成功，則執(zhí)行模塊標(biāo)記該塊為壞塊，并停止對(duì)該壞塊的后續(xù)使用，I/o命令完成。
[0074]若不是擦除命令，則判斷模塊進(jìn)一步判斷該I/O命令是否其他操作，且執(zhí)行模塊執(zhí)行該其他操作。
[0075]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡(jiǎn)潔，上述描述的系統(tǒng)，裝置和單元的具體工作過(guò)程，可以參考前述方法實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過(guò)程，在此不再贅述。
[0076]在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)，裝置和方法，可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過(guò)一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。
[0077]所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。
[0078]另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。
[0079]所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于這樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包含若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包含:U盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-OnlyMemory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM, Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0080]以上所述，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法，其特征在于，包括: 確定對(duì)NAND閃存的訪問(wèn)操作； 當(dāng)所述訪問(wèn)操作為讀操作時(shí)，判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的錯(cuò)誤檢查和糾正編碼(ECC)錯(cuò)誤比特是否可糾正，若否，則記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)； 當(dāng)所述訪問(wèn)操作為擦除操作時(shí)，判斷所述擦除操作的對(duì)象塊中是否包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)，若是，則停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述方法還包括: 若所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特可糾正，則判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特值是否大于等于預(yù)置數(shù)值，若是，則記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述方法還包括: 若所述擦除操作的對(duì)象塊不包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)，則執(zhí)行擦除操作； 若所述擦除操作不成功，則停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高NAND閃存的穩(wěn)定性的方法，其特征在于， 所述NAND閃存中每個(gè)存儲(chǔ)單元大于或者等于2比特。
5.一種NAND閃存，其特征在于，包括: 確定模塊，用于確定對(duì)NAND閃存的訪問(wèn)操作； 判斷模塊，用于當(dāng)所述訪問(wèn)操作為讀操作時(shí)，判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特是否可糾正；還用于當(dāng)所述訪問(wèn)操作為擦除操作時(shí)，判斷所述擦除操作的對(duì)象塊中是否包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)； 執(zhí)行模塊，用于當(dāng)所述判斷模塊確定所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特可糾正時(shí)，記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)；還用于當(dāng)所述判斷模塊確定所述擦除操作的對(duì)象塊中包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)時(shí)，停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的NAND閃存，其特征在于， 所述判斷模塊還用于當(dāng)確定所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特可糾正時(shí)，判斷所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特值是否大于等于預(yù)置數(shù)值； 所述執(zhí)行模塊還用于當(dāng)所述判斷模塊確定所述讀操作的對(duì)象頁(yè)的ECC錯(cuò)誤比特值大于等于預(yù)置數(shù)值時(shí)，記錄所述讀操作的對(duì)象頁(yè)處于老化狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的NAND閃存，其特征在于， 所述執(zhí)行模塊還用于當(dāng)所述判斷模塊確定所述擦除操作的對(duì)象塊不包含處于老化狀態(tài)的頁(yè)，執(zhí)行擦除操作；還用于在所述擦除操作不成功時(shí)，停止對(duì)所述擦除操作的對(duì)象塊的后續(xù)使用。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的NAND閃存，其特征在于， 所述NAND閃存中每個(gè)存儲(chǔ)單元大于或者等于2比特。
【文檔編號(hào)】G06F3/06GK104461379SQ201410608566
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】楊艷偉, 羅新法 申請(qǐng)人:上海華為技術(shù)有限公司