一種觸控顯示屏及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種觸控顯示屏及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示【技術領域】，能夠解決由于觸控電極所在區(qū)域與引線所在區(qū)域透過率不同，而引起的顯示畫面不均勻的問題。所述觸控顯示屏的制作方法包括在電極區(qū)域形成觸控電極；在引線區(qū)域形成與觸控電極相連接的引線；分別采集電極區(qū)域的第一透過率以及引線區(qū)域的第二透過率；確定第一透過率和第二透過率分別與預設基準值的差值；根據(jù)差值設置電極區(qū)域和/或引線區(qū)域的遮光面積，以對第一透過率和/或第二透過率進行補償。
【專利說明】一種觸控顯示屏及其制作方法、顯示裝置

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種觸控顯示屏及其制作方法、顯示裝置。

【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的飛速發(fā)展,觸控顯示屏(Touch Screen Panel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。目前，觸控顯示屏按照組成結構可以分為:外掛式觸控顯示屏(Add on ModeTouch Panel)、以及內(nèi)嵌式觸控顯示屏(In Cell Touch Panel)。
[0003]其中，外掛式觸控顯示屏是將觸控組件與液晶顯示屏(Liquid Crystal Display,LCD)分開生產(chǎn)，然后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏。
[0004]內(nèi)嵌(In cell)式觸控顯示屏是利用互電容或自電容的原理實現(xiàn)檢測手指觸摸位置。具體的，互電容式顯示屏中設置有由觸控驅(qū)動電極Tx和觸控感應電極Rx構成的互電容，在觸控的過程中，人體電場作用在互電容上，使互電容的電容值發(fā)生變化，根據(jù)電容值的變化確定觸點位置。自電容式顯示屏中設置多個與人體構成自電容的觸控電極(以下稱為自電容電極)，當人體未觸碰屏幕時，各自電容電極所承受的電容為一固定值，當人體觸碰屏幕時，對應的自電容電極所承受的電容為固定值疊加人體電容，通過檢測各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置。
[0005]此外，觸控顯示屏中的觸控電極均通過引線連接至非顯示區(qū)域的驅(qū)動ICOl (Integrated Circuit,集成電路)上，以使得控制信號能夠傳輸至上述電極上。如圖1所示，以內(nèi)嵌式觸控顯示屏中的互電容式觸控屏為例，作為觸控電極的觸控驅(qū)動電極Tx和觸控感應電極Rx均與引線10相連接。然而，由于觸控驅(qū)動電極Tx和觸控感應電極Rx所在的區(qū)域與引線10所在的區(qū)域的觸摸圖案(Touch Pattern)存在差異，因此兩個區(qū)域的光線透過率不同。這樣在顯示畫面的過程中會顯示出所述觸摸圖案，影響顯示畫面的均勻性，降低顯示效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實施例提供一種觸控顯示屏及其制作方法、顯示裝置，能夠解決由于觸控電極所在區(qū)域與引線所在區(qū)域透過率不同，而引起的顯示畫面不均勻的問題。
[0007]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0008]本發(fā)明實施例的一方面，提供一種觸控顯示屏的制作方法，包括:
[0009]在電極區(qū)域形成觸控電極；
[0010]在引線區(qū)域形成與所述觸控電極相連接的引線；
[0011]分別采集所述電極區(qū)域的第一透過率以及所述引線區(qū)域的第二透過率；
[0012]確定所述第一透過率和所述第二透過率分別與預設基準值的差值；
[0013]根據(jù)所述差值設置所述電極區(qū)域和/或所述引線區(qū)域的遮光面積，以對所述第一透過率和/或所述第二透過率進行補償。
[0014]本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種觸控顯示屏，包括:
[0015]電極區(qū)域和引線區(qū)域；其中，所述電極區(qū)域設置有觸控電極，所述引線區(qū)域內(nèi)設置有與所述觸控電極相連接的引線；
[0016]所述電極區(qū)域的第一透過率與所述引線區(qū)域的第二透過率相等。
[0017]本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種觸控顯示屏。
[0018]本發(fā)明實施例提供一種觸控顯示屏及其制作方法、顯示裝置。其中，制作所述觸控顯示屏的方法包括，在電極區(qū)域內(nèi)設置觸控電極；然后，在引線區(qū)域形成與觸控電極相連接的引線，從而通過引線將驅(qū)動電壓傳輸至所述觸控電極；接下來，分別采集所述觸控電極所在區(qū)域，即電極區(qū)域的第一透過率以及與所述觸控電極相連接的引線的所在區(qū)域，即引線區(qū)域的第二透過率；并將第一透過率和第二透過率分別與預設基準值進行對比，確定出其與預設基準值的差值，最后，根據(jù)得到的差值，對電極區(qū)域和/或引線區(qū)域的遮光面積進行設置，以對第一透過率或第二透過率進行補償，使得第一透過率與第二透過率相同。從而避免了電極區(qū)域與引線區(qū)域之間由于光線的透過率不同而引起的顯示畫面不均勻的現(xiàn)象，提升了顯示效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為現(xiàn)有技術提供的一種觸控顯示屏的結構示意圖；
[0021]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種觸控顯示屏的制作方法流程圖；
[0022]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種觸控顯示屏的區(qū)域劃分示意圖；
[0023]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種黑矩陣大小分布不均的結構示意圖；
[0024]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種TFT所在區(qū)域大小分布不均的結構示意圖；
[0025]圖6a為本發(fā)明實施例提供的一種觸控顯示屏的局部結構示意圖；
[0026]圖6b為本發(fā)明實施例提供的另一種觸控顯示屏的局部結構示意圖。
[0027]【專利附圖】

【附圖說明】:
[0028]01-驅(qū)動IC ; 10-引線；20_觸控電極；100_引線區(qū)域；200_電極區(qū)域；300_電極區(qū)域內(nèi)的黑矩陣；300’_引線區(qū)域內(nèi)的黑矩陣；301_電極區(qū)域內(nèi)的TFT所在區(qū)域；301’_引線區(qū)域內(nèi)的TFT所在區(qū)域；Tx-觸控驅(qū)動電極；Rx_觸控感應電極。

【具體實施方式】
[0029]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0030]本發(fā)明提供一種觸控顯示屏的制作方法，如圖2所示，可以包括:
[0031]S101、如圖3所示，在電極區(qū)域200形成觸控電極20。
[0032]S102、在引線區(qū)域100形成與觸控電極20相連接的引線10。
[0033]S103、分別采集電極區(qū)域200的第一透過率Tl以及引線區(qū)域100的第二透過率T2。
[0034]其中，所述透過率是指光線的透過率。可以通過光敏器件對光線的透過率進行采集。或者對電極區(qū)域200內(nèi)觸控電極20的覆蓋面積，以及引線區(qū)域100內(nèi)引線10的覆蓋面積進行計算，根據(jù)薄膜層的覆蓋面積，以及構成薄膜層的材料等因素得出光線的透過率。
[0035]S104、確定第一透過率Tl和第二透過率T2分別與預設基準值T的差值Λ t。
[0036]S105、根據(jù)差值Λ t設置電極區(qū)域200和/或引線區(qū)域100的遮光面積，以對第一透過率Tl和/或第二透過率T2進行補償。
[0037]需要說明的是，第一、所述觸控顯示屏可以是外掛式觸控顯示屏，也可以是內(nèi)嵌式觸控顯示屏。本發(fā)明對此不做限制。但以下實施例均是以內(nèi)嵌式觸控屏為例進行的說明。
[0038]第二、內(nèi)嵌式觸控屏可以包括互電容式觸控屏和自電容式觸控屏。對于互電容式觸控屏而言，上述觸控電極20可以為觸控驅(qū)動電極Tx和觸控感應電極Rx，所述觸控驅(qū)動電極Tx和觸控感應電極Rx構成互電容。
[0039]對于自電容式觸控屏而言，上述觸控電極20可以為與人體或接地端構成自電容的自電容電極。
[0040]本發(fā)明實施例中的觸控電極20均以構成互電容的觸控驅(qū)動電極Tx和觸控感應電極Rx為例進行說明。
[0041]第三、所述電極區(qū)域200是指，觸控顯示屏上的觸控驅(qū)動電極Tx和觸控感應電極Rx所在的區(qū)域；所述引線區(qū)域100是指，觸控顯示屏上與所述觸控驅(qū)動電極Tx或所述觸控感應電極Rx相連接的引線10所在的區(qū)域。
[0042]第四、上述預設基準值T可以是所述第一透過率Tl，通過調(diào)整引線區(qū)域100的遮光面積，使得引線區(qū)域100的第二透過率T2與所述第一透過率Tl相等；或者，上述預設基準值T可以是所述第二透過率T2，通過調(diào)整電極區(qū)域200的遮光面積，使得電極區(qū)域200的第一透過率Tl與所述第二透過率T2相等；又或者，上述預設基準值T還可以是本領域工作人員根據(jù)實際需要設置的一個第三值，通過分別調(diào)整引線區(qū)域100和電極區(qū)域200的遮光面積，使得第一透過率Tl和所述第二透過率T2分別與所述第三值相等。本發(fā)明實施例均是以第一透過率Tl或第二透過率T2為所述預設基準值T為例進行的說明。
[0043]本發(fā)明實施例提供一種觸控顯示屏的制作方法，包括在電極區(qū)域內(nèi)設置觸控電極；然后，在引線區(qū)域形成與觸控電極相連接的引線，從而通過引線將驅(qū)動電壓傳輸至所述觸控電極；接下來，分別采集所述觸控電極所在區(qū)域，即電極區(qū)域的第一透過率以及與所述觸控電極相連接的引線的所在區(qū)域，即引線區(qū)域的第二透過率；并將第一透過率和第二透過率分別與預設基準值進行對比，確定出其與預設基準值的差值，最后，根據(jù)得到的差值，對電極區(qū)域和/或引線區(qū)域的遮光面積進行設置，以對第一透過率或第二透過率進行補償，使得第一透過率與第二透過率相同。從而避免了電極區(qū)域與引線區(qū)域之間由于光線的透過率不同而引起的顯示畫面不均勻的現(xiàn)象，提升了顯示效果。
[0044]由于電極區(qū)域200或引線區(qū)域100的透過率分別與電極區(qū)域200或引線區(qū)域100的遮光面積有關。遮光面積越大，透過率越?。徽诠饷娣e越小，透過率越大。其中，透過率還與構成薄膜層的材料有關。為了簡化制作工序，現(xiàn)有技術中將觸控電極20與引線10同層同材料設置。一般可以采用透明導電材料，例如ITO(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)構成。這樣一來，因為觸控電極20與引線10均由ITO構成，薄膜層的材料對兩個區(qū)域透過率的影響相同。
[0045]然而如圖3所示，電極區(qū)域200中ITO薄膜的覆蓋率要大于引線區(qū)域100中ITO薄膜的覆蓋率。因此，現(xiàn)有技術中電極區(qū)域200的第一透光率Tl 一般小于引線區(qū)域100的第二透光率T2。所以，為了使得第一透光率Tl與第二透光率T2相等，可以減小電極區(qū)域200的遮光面積，或增大引線區(qū)域100的遮光面積。
[0046]以下通過具體的實施例對根據(jù)第一透過率Tl和第二透過率T2分別與預設基準值T的差值Λ t，設置電極區(qū)域200和/或引線區(qū)域100的遮光面積的方法進行詳細的舉例說明。
[0047]實施例一
[0048]顯示屏上的最小顯示單元為像素單元，像素單元可以包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，顯示區(qū)域內(nèi)設置有像素電極，非顯示區(qū)域設置有對像素電極進行充電控制的開關元件，例如TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)。為了使得TFT的電學性能不受到影響，一般會在顯示屏的出光側(cè)，在對應TFT的位置設置黑矩陣。由于黑矩陣具有遮光性能，因此黑矩陣的面積越大，像素單元的遮光面積越大，光線的透過率越小。
[0049]所以，在上述觸控顯示屏包括黑矩陣的情況下，步驟S105可以包括:
[0050]根據(jù)第一透過率Tl和第二透過率T2分別與預設基準值T的差值Λ t，設置電極區(qū)域200和/或引線區(qū)域100內(nèi)的黑矩陣的面積。
[0051]具體的，當預設基準值T為第二透過率T2時，由于第一透過率Tl小于第二透過率T2，因此需要增大第一透過率Tl，從而需要減小電極區(qū)域200內(nèi)的黑矩陣300的面積，以對第一透過率Tl進行補償。
[0052]或者，當預設基準值T為第一透過率Tl時，由于第一透過率Tl小于第二透過率T2，因此需要減小第二透過率T2，從而需要增大引線區(qū)域100內(nèi)的黑矩陣300’的面積，以對第二透過率T2進行負向的補償。
[0053]因此，如圖4所示，電極區(qū)域200內(nèi)的黑矩陣300的面積小于引線區(qū)域100內(nèi)的黑矩陣300’的面積。
[0054]實施例二
[0055]由于TFT具有遮光性能，因此TFT區(qū)域所在的面積越大，像素單元的遮光面積越大，光線的透過率越小。
[0056]所以，在上述觸控顯示屏包括TFT的情況下，步驟S105可以包括:
[0057]根據(jù)第一透過率Tl和第二透過率T2分別與預設基準值T的差值Λ t，設置電極區(qū)域200和/或引線區(qū)域100內(nèi)TFT所在區(qū)域的面積。
[0058]具體的，當預設基準值T為第二透過率T2時，由于第一透過率Tl小于第二透過率T2，因此需要增大第一透過率Tl，從而需要減小電極區(qū)域200內(nèi)的TFT所在區(qū)域301的面積，以對第一透過率Tl進行補償。
[0059]或者，當預設基準值T為第一透過率Tl時，由于第一透過率Tl小于第二透過率T2，因此需要減小第二透過率T2，從而需要增大引線區(qū)域100內(nèi)的TFT所在區(qū)域301的面積，以對第二透過率T2進行負向的補償。
[0060]因此，如圖5所示，電極區(qū)域200內(nèi)的TFT所在區(qū)域301的面積小于引線區(qū)域100內(nèi)的TFT所在區(qū)域301’的面積。
[0061]由于TFT由柵極、源極和漏極構成，為了保證TFT具有較高的導通性能，TFT的柵極一般采用柵極金屬構成，而源極和漏極一般采用數(shù)據(jù)金屬構成。上述金屬材料由金屬單質(zhì)或金屬合金構成，均為不透光的材料。因此，優(yōu)選的，對TFT所在區(qū)域的面積進行設置可以是對TFT的柵極的面積、源極的面積或漏極的面積進行設置。
[0062]此外，由于顯示屏上的公共電極線一般可以采用柵極金屬制成，因此其具有遮光性能。當公共電極線的面積越大，像素單元的遮光面積越大，光線的透過率越小。
[0063]所以，在上述觸控顯示屏包括公共電極線的情況下，步驟S105可以包括:
[0064]根據(jù)第一透過率Tl和第二透過率T2分別與預設基準值T的差值Λ t，設置電極區(qū)域200和/或引線區(qū)域100內(nèi)公共電極線的面積。具體的設置方式同上所述，此處不再贅述。
[0065]實施例三
[0066]當預設基準值T為第二透過率T2時，由于第一透過率Tl小于第二透過率T2，因此需要增大第一透過率Tl。
[0067]具體的，可以通過構圖工藝在所述觸控電極20的表面形成鏤空圖案，其中，鏤空圖案對應的位置未被觸控電極20覆蓋。這樣一來，能夠減小觸控電極20的遮光面積，從而提高電極區(qū)域200的第一透過率Tl，通過對第一透過率Tl進行補償，使得第一透過率Tl與引線區(qū)域100的第二透過率T2相等。
[0068]此外，為了制作方便，所述鏤空圖案可以如圖6a所示為圓點狀圖案，或如圖6b所示條紋狀圖案。其中本發(fā)明對條紋狀圖案的紋路方向不做限定，可以是如圖6b所示的縱向條紋圖案，也可以是與圖6b所示的縱向條紋方向垂直的橫向條紋圖案，還可以是與圖6b所示的縱向條紋方向具有一定傾斜角度的傾斜條紋圖案。所述條紋圖案可以是正方形或長方形等。此外，上述鏤空圖案還可以是條紋組合圖案，例如，V字型或T字型等由兩條條紋組合而成的圖案，或者工字型，米字型等由多條條紋組合而成的圖案。
[0069]當然，上述僅僅是對鏤空圖案的舉例說明，其它形狀的鏤空圖案在此不再一一贅述，但都應當屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0070]當然上述僅僅是對鏤空圖案的舉例說明，其它類型的鏤空圖案在此不再一一贅述，但都應當屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0071]本發(fā)明實施例提供一種觸控顯示屏，如圖3所示，可以包括:
[0072]電極區(qū)域200和引線區(qū)域100 ;其中，所述電極區(qū)域200設置有觸控電極20 ;引線區(qū)域100內(nèi)設置有與觸控電極20相連接的引線10。
[0073]電極區(qū)域200的第一透過率Tl與引線區(qū)域100的第二透過率T2相等。
[0074]本發(fā)明實施例提供一種觸控顯示屏，包括電極區(qū)域和引線區(qū)域；其中，所述電極區(qū)域設置有觸控電極；引線區(qū)域內(nèi)設置有與觸控電極相連接的引線。電極區(qū)域的第一透過率與引線區(qū)域的第二透過率相等。從而避免了電極區(qū)域與引線區(qū)域之間由于光線的透過率不同而引起的顯示畫面不均勻的現(xiàn)象，提升了顯示效果。
[0075]由于電極區(qū)域200或引線區(qū)域100的透過率分別與電極區(qū)域200或引線區(qū)域100的遮光面積有關。遮光面積越大，透過率越??；遮光面積越小，透過率越大。其中，透過率還與構成薄膜層的材料有關。為了簡化制作工序，現(xiàn)有技術中將觸控電極20與引線10同層同材料設置。一般可以采用透明導電材料，例如ITO(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)構成。這樣一來，因為觸控電極20與引線10均由ITO構成，薄膜層的材料對兩個區(qū)域透過率的影響相同。
[0076]然而如圖3所示，電極區(qū)域200中ITO薄膜的覆蓋率要大于引線區(qū)域100中ITO薄膜的覆蓋率。因此，現(xiàn)有技術中電極區(qū)域200的第一透光率Tl 一般小于引線區(qū)域100的第二透光率T2。所以，為了使得第一透光率Tl與第二透光率T2相等，可以減小電極區(qū)域200的遮光面積，或增大引線區(qū)域100的遮光面積。
[0077]以下，通過具體的實施例，對電極區(qū)域200的第一透過率Tl與引線區(qū)域100的第二透過率T2相等的觸控顯示屏的具體結構進行詳細的描述。
[0078]實施例四
[0079]顯示屏上的最小顯示單元為像素單元，像素單元可以包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，顯示區(qū)域內(nèi)設置有像素電極，非顯示區(qū)域設置有對像素電極進行充電控制的開關元件，例如TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)。為了使得TFT的電學性能不受到影響，一般會顯示屏的出光側(cè)，在對應TFT的位置設置黑矩陣。由于黑矩陣具有遮光性能，因此黑矩陣的面積越大，像素單元的遮光面積越大，光線的透過率越小。
[0080]所以，在上述觸控顯示屏包括黑矩陣的情況下，電極區(qū)域200內(nèi)的黑矩陣的面積可以與引線區(qū)域100內(nèi)的黑矩陣的面積不同。
[0081]具體的，由于第一透過率Tl小于第二透過率T2，因此可以減小電極區(qū)域200內(nèi)的黑矩陣300的面積，以增大第一透過率Tl，使得第一透過率Tl與第二透過率T2相等。
[0082]或者，增大引線區(qū)域100內(nèi)的黑矩陣300’的面積，以減小第二透過率T2，使得第一透過率Tl與第二透過率T2相等。
[0083]因此，如圖4所示，電極區(qū)域200內(nèi)的黑矩陣300的面積小于引線區(qū)域100內(nèi)的黑矩陣300’的面積。
[0084]實施例五
[0085]由于TFT具有遮光性能，因此TFT區(qū)域所在的面積越大，像素單元的遮光面積越大，光線的透過率越小。
[0086]所以，在上述觸控顯示屏包括TFT的情況下，電極區(qū)域200內(nèi)的TFT的面積與引線區(qū)域100內(nèi)的TFT的面積不同。
[0087]具體的，由于第一透過率Tl小于第二透過率T2，因此可以減小電極區(qū)域200內(nèi)的TFT所在區(qū)域301的面積，以增大第一透過率Tl，使得第一透過率Tl與第二透過率T2相等。
[0088]或者，增大引線區(qū)域100內(nèi)的TFT所在區(qū)域301的面積，以減小第二透過率T2，使得第一透過率Tl與第二透過率T2相等。
[0089]因此，如圖5所示，電極區(qū)域200內(nèi)的TFT所在區(qū)域301的面積小于引線區(qū)域100內(nèi)的TFT所在區(qū)域301’的面積。
[0090]由于TFT由柵極、源極和漏極構成，為了保證TFT具有較高的導通性能，TFT的柵極一般采用柵極金屬構成，而源極和漏極一般采用數(shù)據(jù)金屬構成。上述金屬材料由金屬單質(zhì)或金屬合金構成，均為不透光的材料。因此，優(yōu)選的，對TFT所在區(qū)域的面積進行設置可以是對TFT的柵極的面積、源極的面積或漏極的面積進行設置。從而使得電極區(qū)域200內(nèi)的TFT的面積與引線區(qū)域100內(nèi)的TFT的面積不同。
[0091]此外，由于顯示屏上的公共電極線一般可以采用柵極金屬制成，因此其具有遮光性能。當公共電極線的面積越大，像素單元的遮光面積越大，光線的透過率越小。
[0092]所以，在上述觸控顯示屏包括公共電極線的情況下，電極區(qū)域200內(nèi)的公共電極線的面積與引線區(qū)域100內(nèi)的公共電極線的面積不同。具體的結構同上所述，這里不再贅述。
[0093]實施例六
[0094]由于第一透過率Tl小于第二透過率T2，因此為了增大第一透過率Tl?？梢栽谟|控電極20的表面形成有鏤空圖案，其中，鏤空圖案對應的位置未被所述觸控電極20覆蓋。這樣一來，能夠減小觸控電極20的遮光面積，從而提高電極區(qū)域200的第一透過率Tl，使得第一透過率Tl與引線區(qū)域100的第二透過率T2相等。
[0095]此外,所述鏤空圖案可以如圖6a所示為圓點狀圖案,或如圖6b所示條紋狀圖案。其中本發(fā)明對條紋狀圖案的紋路方向不做限定，可以是如圖6b所示的縱向條紋圖案，也可以是與圖6b所示的縱向條紋方向垂直的橫向條紋圖案，還可以是與圖6b所示的縱向條紋方向具有一定傾斜角度的傾斜條紋圖案。
[0096]當然上述僅僅是對鏤空圖案的舉例說明，其它類型的鏤空圖案在此不再一一贅述，但都應當屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0097]本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種觸控顯示屏。具有與前述實施例提供的觸控顯示屏相同的結構和有益效果。由于前述實施例中已經(jīng)對觸控顯示屏的有益效果進行了說明，此處不再贅述。
[0098]需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，顯示裝置具體可以包括液晶顯示裝置，例如該顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機或平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0099]本領域普通技術人員可以理解:實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。
[0100]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種觸控顯示屏的制作方法，其特征在于，包括: 在電極區(qū)域形成觸控電極； 在引線區(qū)域形成與所述觸控電極相連接的引線； 分別采集所述電極區(qū)域的第一透過率以及所述引線區(qū)域的第二透過率； 確定所述第一透過率和所述第二透過率分別與預設基準值的差值； 根據(jù)所述差值設置所述電極區(qū)域和/或所述引線區(qū)域的遮光面積，以對所述第一透過率和/或所述第二透過率進行補償。
2.根據(jù)權利要求1所述的觸控顯示屏的制作方法，其特征在于，在所述觸控顯示屏包括黑矩陣的情況下，所述根據(jù)所述差值設置所述電極區(qū)域和/或所述引線區(qū)域的遮光面積包括: 根據(jù)所述差值，設置所述電極區(qū)域和/或所述引線區(qū)域內(nèi)的所述黑矩陣的面積。
3.根據(jù)權利要求1所述的觸控顯示屏的制作方法，其特征在于，在所述觸控顯示屏包括薄膜晶體管的情況下，所述根據(jù)所述差值設置所述電極區(qū)域和/或所述引線區(qū)域的遮光面積包括: 根據(jù)所述差值，設置所述電極區(qū)域和/或所述引線區(qū)域內(nèi)所述薄膜晶體管所在區(qū)域的面積。
4.根據(jù)權利要求3所述的觸控顯示屏的制作方法，其特征在于，所述根據(jù)所述差值，設置所述電極區(qū)域和/或所述引線區(qū)域內(nèi)所述薄膜晶體管所在區(qū)域的面積包括: 所述根據(jù)所述差值，設置所述電極區(qū)域和/或所述引線區(qū)域內(nèi)所述薄膜晶體管的柵極的面積。
5.根據(jù)權利要求3所述的觸控顯示屏的制作方法，其特征在于，所述根據(jù)所述差值，設置所述電極區(qū)域和/或所述引線區(qū)域內(nèi)所述薄膜晶體管所在區(qū)域的面積包括: 所述根據(jù)所述差值，設置所述電極區(qū)域和/或所述引線區(qū)域內(nèi)所述薄膜晶體管的源極或漏極的面積。
6.根據(jù)權利要求1所述的觸控顯示屏的制作方法，其特征在于，在所述觸控顯示屏包括公共電極線的情況下，所述根據(jù)所述差值設置所述電極區(qū)域和/或所述引線區(qū)域的遮光面積包括: 根據(jù)所述差值，設置所述電極區(qū)域和/或所述引線區(qū)域內(nèi)所述公共電極線的面積。
7.根據(jù)權利要求1所述的觸控顯示屏的制作方法，其特征在于，所述根據(jù)所述差值設置所述電極區(qū)域的遮光面積包括: 通過構圖工藝在所述觸控電極的表面形成鏤空圖案，其中，所述鏤空圖案對應的位置未被所述觸控電極覆蓋。
8.根據(jù)權利要求7所述的觸控顯示屏的制作方法，其特征在于，所述鏤空圖案為圓點狀圖案、條紋狀圖案或條紋組合圖案。
9.根據(jù)權利要求1-8任一項所述的觸控顯示屏的制作方法，其特征在于，所述預設基準值包括所述第一透過率或所述第二透過率。
10.根據(jù)權利要求1-8任一項所述的觸控顯示屏的制作方法，其特征在于，所述觸控電極包括觸控驅(qū)動電極和觸控感應電極；或者與人體或接地端構成自電容的自電容電極。
11.一種觸控顯示屏，其特征在于，包括: 電極區(qū)域和引線區(qū)域；其中，所述電極區(qū)域設置有觸控電極，所述引線區(qū)域內(nèi)設置有與所述觸控電極相連接的引線； 所述電極區(qū)域的第一透過率與所述引線區(qū)域的第二透過率相等。
12.根據(jù)權利要求11所述的觸控顯示屏，其特征在于，在所述觸控顯示屏包括黑矩陣的情況下，所述電極區(qū)域內(nèi)的所述黑矩陣的面積與所述引線區(qū)域內(nèi)的所述黑矩陣的面積不同。
13.根據(jù)權利要求11所述的觸控顯示屏，其特征在于，在所述觸控顯示屏包括薄膜晶體管的情況下，所述電極區(qū)域內(nèi)的所述薄膜晶體管的面積與所述引線區(qū)域內(nèi)的所述薄膜晶體管的面積不同。
14.根據(jù)權利要求11所述的觸控顯示屏，其特征在于，在所述觸控顯示屏包括公共電極線的情況下，所述電極區(qū)域內(nèi)的所述公共電極線的面積與所述引線區(qū)域內(nèi)的所述公共電極線的面積不同。
15.根據(jù)權利要求11所述的觸控顯示屏，其特征在于， 在所述觸控電極的表面形成有鏤空圖案，其中，所述鏤空圖案對應的位置未被所述觸控電極覆蓋。
16.根據(jù)權利要求15所述的觸控顯示屏，其特征在于，所述鏤空圖案為圓點或條紋狀圖案。
17.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求11-16任一項所述的觸控顯示屏。
【文檔編號】G06F3/041GK104461146SQ201410765460
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月11日 優(yōu)先權日:2014年12月11日
【發(fā)明者】周剛, 郭明周, 楊小飛, 劉旭 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司