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一種雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽的制作方法

文檔序號(hào):6642248閱讀:163來(lái)源:國(guó)知局
一種雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽,包括由絕緣材料制成的輻射基體和頻率調(diào)節(jié)墊片,所述輻射基體上下兩側(cè)均設(shè)置有標(biāo)簽天線,所述上下兩側(cè)的標(biāo)簽天線通過(guò)輻射基體電氣連接,任意一側(cè)的所述標(biāo)簽天線上安裝標(biāo)簽芯片,所述頻率調(diào)節(jié)墊片設(shè)置在安裝有所述標(biāo)簽芯片的一側(cè)。實(shí)施本實(shí)用新型具有以下有益效果:將所述雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽上有頻率調(diào)節(jié)墊片一面貼于金屬表面時(shí),由于所述頻率調(diào)節(jié)墊片作用,所述標(biāo)簽天線等效為一個(gè)電長(zhǎng)度較大的垂直于金屬表面的電小環(huán)天線,此時(shí)電子標(biāo)簽呈現(xiàn)出較低諧振頻率;將所述雙頻段電子標(biāo)簽無(wú)頻率調(diào)節(jié)墊片的一面貼于金屬表面,所述標(biāo)簽天線等效為一個(gè)垂直于金屬表面的電長(zhǎng)度較小的電小環(huán)天線,此時(shí)電子標(biāo)簽呈現(xiàn)出較高諧振頻率。即一個(gè)抗金屬電子標(biāo)簽?zāi)軡M足兩種不同標(biāo)準(zhǔn)的頻率需求。
【專利說(shuō)明】一種雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于射頻識(shí)別領(lǐng)域,更具體地說(shuō),涉及一種抗金屬電子標(biāo)簽。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著物聯(lián)網(wǎng)概念的發(fā)酵,射頻識(shí)別技術(shù)得到越來(lái)越多的重視。世界各國(guó)及各大組織皆根據(jù)自身情況制定了相應(yīng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),不同的標(biāo)準(zhǔn)涉及到的頻段范圍也不盡相同。僅中國(guó)就有840MHz-845MHz和920MHz_925MHz兩個(gè)頻段。而作為射頻識(shí)別技術(shù)重要組成部分的抗金屬電子標(biāo)簽,其用于表面是金屬的物體的身份識(shí)別,例如,集裝箱、滅火器。目前抗金屬電子標(biāo)簽已得到廣泛應(yīng)用且還有較大的應(yīng)用前景。但通常情況下抗金屬標(biāo)簽帶寬較窄,只能用于單個(gè)頻段,具有較大的應(yīng)用局限性。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)抗金屬電子標(biāo)簽使用頻帶單一的缺點(diǎn),提供一種可以在兩種不同頻帶下使用的雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:構(gòu)造一種雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽,由輻射基體I和頻率調(diào)節(jié)墊片2組成,其中所述輻射基體I上下兩側(cè)為標(biāo)簽天線4,所述標(biāo)簽天線4上安裝標(biāo)簽芯片3,所述頻率調(diào)節(jié)墊片2設(shè)置在所述輻射基體I上安裝有所述標(biāo)簽芯片3的一側(cè)。
[0005]更進(jìn)一步地,所述福射基體I由絕緣材料構(gòu)成。
[0006]更進(jìn)一步地所述標(biāo)簽天線4包括設(shè)置在所述輻射基體I上下兩個(gè)面上的銅箔和連接所述輻射基體I上下兩側(cè)的短路孔5。
[0007]更進(jìn)一步地,所述頻率調(diào)節(jié)墊片2由絕緣材料構(gòu)成,其兩面均不設(shè)置銅箔。
[0008]更進(jìn)一步地,所述輻射基體I兩面作為標(biāo)簽天線4的銅箔兩端通過(guò)短路孔5電氣相連。
[0009]更進(jìn)一步地,所述標(biāo)簽芯片3安裝位置距離短路孔5的距離可依據(jù)標(biāo)簽諧振點(diǎn)的不同進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0010]更進(jìn)一步地,所述輻射基片I和所述頻率調(diào)節(jié)墊片2通過(guò)壓合或粘接的方式結(jié)合在一起。
[0011]實(shí)施本實(shí)用新型的一種抗金屬電子標(biāo)簽,具有以下有益效果:將所述雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽上有頻率調(diào)節(jié)墊片的一面貼于金屬表面時(shí),由于所述頻率調(diào)節(jié)墊片作用,所述標(biāo)簽天線等效為一個(gè)電長(zhǎng)度較大的垂直于金屬表面的電小環(huán)天線,此時(shí)電子標(biāo)簽呈現(xiàn)出較低諧振頻率;將所述雙頻段電子標(biāo)簽無(wú)頻率調(diào)節(jié)墊片的一面貼于金屬表面,所述標(biāo)簽天線等效為一個(gè)垂直于金屬表面的電長(zhǎng)度較小的電小環(huán)天線,此時(shí)電子標(biāo)簽呈現(xiàn)出較高諧振頻率。這樣一來(lái),一個(gè)抗金屬電子標(biāo)簽便能滿足兩種不同標(biāo)準(zhǔn)的頻率需求。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是本實(shí)用新型的一種雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0013]圖2是本實(shí)用新型的一種雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014]下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0015]如圖1、圖2所示,在本實(shí)用新型一種雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽實(shí)施例中,該電子標(biāo)簽包括輻射基體I以及頻率調(diào)節(jié)墊片2,其中輻射基體I上下兩側(cè)為標(biāo)簽天線4,標(biāo)簽天線4包括覆蓋在輻射基體I上下兩面的輻射貼片和安裝在其中任一輻射貼片上的標(biāo)簽芯片3,頻率調(diào)節(jié)墊片2位于輻射基體I上安裝有標(biāo)簽芯片3的一側(cè)。在輻射基體I的兩端、輻射貼片上,開(kāi)設(shè)有透過(guò)輻射基體I使得位于輻射基體I上下兩面上的輻射貼片電氣連接的短路孔5。短路孔5為覆銅通孔。
[0016]在本實(shí)施例中,輻射基體I和頻率調(diào)節(jié)墊片2通過(guò)壓合或粘接的方式形成一體。
[0017]在本實(shí)施例中,上述輻射基體I和頻率調(diào)節(jié)墊片2皆由絕緣材料構(gòu)成,例如FR4,其中輻射基體I的上下兩面為標(biāo)簽天線4。
[0018]當(dāng)電子標(biāo)簽有頻率調(diào)節(jié)墊片2 —面貼于金屬物體表面時(shí)電子標(biāo)簽呈現(xiàn)相對(duì)較低頻率,當(dāng)電子標(biāo)簽無(wú)頻率調(diào)節(jié)墊片2 —面貼于金屬物體表面時(shí),則呈現(xiàn)相對(duì)較高頻率特性??赏ㄟ^(guò)調(diào)節(jié)標(biāo)簽芯片3在標(biāo)簽天線上距離短路孔的位置來(lái)調(diào)節(jié)諧振點(diǎn)。
[0019]本實(shí)用新型的外尺寸為50mmX5mmX3mm。該電子標(biāo)簽主要由兩部分組成:尺寸為50mmX 5mmX 1.5mm的福射基體與尺寸為50mmX 5mmX 1.5mm的頻率調(diào)節(jié)墊片。標(biāo)簽天線遠(yuǎn)離頻率調(diào)節(jié)墊片一側(cè)的福射面覆蓋有49mmX4mmX0.035mm的福射貼片。福射貼片采用銅箔制成。標(biāo)簽天線靠近頻率調(diào)節(jié)墊片一側(cè)的福射面為49mmX4mmX0.035mm的福射貼片中預(yù)留芯片安裝縫隙的銅箔,標(biāo)簽芯片邦定或焊接于該預(yù)留縫隙處。該縫隙距離輻射貼片其中一邊的距離為25mm。距離輻射貼片兩端邊緣處2mm處分別開(kāi)有一個(gè)直徑為2mm的短路孔,標(biāo)簽天線的上下兩個(gè)輻射貼片通過(guò)這兩個(gè)短路孔電氣相連。使用時(shí)將有頻率調(diào)節(jié)墊片的一側(cè)貼于金屬物體表面時(shí)電子標(biāo)簽中心諧振頻率為840MHz,將設(shè)有頻率調(diào)節(jié)墊片的一側(cè)貼于金屬物體表面時(shí)電子標(biāo)簽中心諧振頻率為922MHz。這兩個(gè)頻段剛好是中國(guó)國(guó)標(biāo)所要求的兩個(gè)頻率范圍。
[0020]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此,本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽,其特征在于,包括由絕緣材料制成的輻射基體(I)和頻率調(diào)節(jié)墊片(2),所述輻射基體(I)上下兩側(cè)均設(shè)置有標(biāo)簽天線(4),所述上下兩側(cè)的標(biāo)簽天線(4)通過(guò)輻射基體(I)電氣連接,任意一側(cè)的所述標(biāo)簽天線(4)上安裝標(biāo)簽芯片(3),所述頻率調(diào)節(jié)墊片(2)設(shè)置在安裝有所述標(biāo)簽芯片(3)的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽,其特征在于,所述標(biāo)簽天線(4)包括覆蓋在所述輻射基體(I)上下兩面上的輻射貼片和穿透所述輻射基體(I)并電連接上下兩面上的輻射貼片的短路孔(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽,其特征在于,所述標(biāo)簽芯片(3)安裝在所述輻射貼片上預(yù)留的縫隙兩端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽,其特征在于,所述短路孔(5)位于輻射貼片的兩端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽,其特征在于,所述標(biāo)簽芯片(3)與短路孔(5)之間的距離可依據(jù)標(biāo)簽諧振點(diǎn)的不同進(jìn)行調(diào)節(jié)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙頻段抗金屬電子標(biāo)簽,其特征在于,所述短路孔(5)為覆銅通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的抗金屬電子標(biāo)簽,其特征在于,所述輻射基體(I)和頻率調(diào)節(jié)墊片(2)通過(guò)壓合或粘接的方式結(jié)合在一起。
8.根據(jù)權(quán)利要求2-4任意一項(xiàng)所述的抗金屬電子標(biāo)簽,其特征在于,所述輻射貼片為涂布在所述輻射基體上的銅箔,所述銅箔的厚度為0.035mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的抗金屬電子標(biāo)簽,其特征在于,所述輻射貼片上預(yù)留的縫隙距離輻射貼片一端的距離為25mm。
【文檔編號(hào)】G06K19/077GK203858652SQ201420096032
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2014年3月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月4日
【發(fā)明者】畢凌云, 汪勇 申請(qǐng)人:深圳市遠(yuǎn)望谷信息技術(shù)股份有限公司
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