一種無(wú)需搭橋的投射式電容屏的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種無(wú)需搭橋的投射式電容屏。該無(wú)需搭橋的投射式電容屏包括玻璃基板、設(shè)置于玻璃基板的第一消影層、設(shè)置于第一消影層的第一ITO層、設(shè)置于第一ITO層上方的第二消影層和設(shè)置于第二消影層上方的第二ITO層；第一ITO層包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，第二ITO層包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；無(wú)需搭橋的投射式電容屏還包括設(shè)置于X軸電極層邊緣的X金屬線和設(shè)置于Y軸電極層邊緣的Y金屬線，X金屬線與Y金屬線分別與柔性線路板相連。該無(wú)需搭橋的投射式電容屏結(jié)構(gòu)輕薄，消影效果良好，且其制作過(guò)程中無(wú)需搭橋工藝，有利于節(jié)省制作工藝。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種無(wú)需搭橋的投射式電容屏

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及電容屏領(lǐng)域，尤其涉及一種無(wú)需搭橋的投射式電容屏。

【背景技術(shù)】
[0002]投射式電容屏是采用投射電容觸控技術(shù)的屏幕，觸摸屏面板能在手指觸碰到時(shí)檢測(cè)到該位置電容的變化從而計(jì)算出手指所在，進(jìn)行多點(diǎn)觸控操作。投射式電容屏廣泛應(yīng)用于我們?nèi)粘Ｉ罡鱾€(gè)領(lǐng)域，如手機(jī)、平板電腦、媒體播放器、導(dǎo)航系統(tǒng)、數(shù)碼相機(jī)、電器控制、醫(yī)療設(shè)備等等。
[0003]投射電容式觸摸屏是在兩層ITO導(dǎo)電玻璃涂層上蝕刻出不同的ITO導(dǎo)電線路模塊。兩個(gè)模塊上蝕刻的圖形相互垂直，可以把它們看作是X和Y方向連續(xù)變化的滑條。由于x、Y架構(gòu)在不同表面，其相交處形成一電容節(jié)點(diǎn)。一個(gè)滑條可以當(dāng)成驅(qū)動(dòng)線，另外一個(gè)滑條當(dāng)成是偵測(cè)線。當(dāng)電流經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)線中的一條導(dǎo)線時(shí)，如果外界有電容變化的信號(hào)，那么就會(huì)引起另一層導(dǎo)線上電容節(jié)點(diǎn)的變化。偵測(cè)電容值的變化可以通過(guò)與之相連的電子回路測(cè)量得到，再經(jīng)由A/D控制器轉(zhuǎn)為數(shù)字訊號(hào)讓計(jì)算機(jī)做運(yùn)算處理取得(Χ，Υ)軸位置，進(jìn)而達(dá)到定位的目地。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中的投射式電容屏主要有以下幾種結(jié)構(gòu):(I)GG模式；其中第一個(gè)G為保護(hù)玻璃，第二個(gè)G是SENSOR傳感器，即雙面ITO玻璃，將X方向電極形成的X軸電極層的圖案和Y方向電極形成的Y軸電極圖案分別做到雙面ITO玻璃的兩個(gè)面，并使用金屬線將X方向電極和Y方向電極引出，該GG結(jié)構(gòu)采用雙層玻璃，結(jié)構(gòu)較為厚重。(2)GFF模式；其中G是保護(hù)玻璃，F(xiàn)是ITO膜，用于分別將X軸電極圖案與Y軸電極圖案分別做到兩個(gè)ITO膜，再使用OCA貼合；GFF模式制作過(guò)程中需使用OCA貼合三次，其透光性不好而且良率難以控制。(3)GF2模式；其中G是保護(hù)玻璃，F(xiàn)是雙面ITO膜，分別將X軸電極圖案和Y軸電極圖案做到F的正反兩面，通過(guò)OCA貼合，并使用金屬線將X方向電極和Y方向電極弓I出；其制作過(guò)程中需在ITO膜的雙面分別制作與X軸電極圖案和Y軸電極圖案相連的金屬線，制作困難且難以控制良率，而且其消影效果不好。(4)OGS模式，即在一層保護(hù)玻璃上直接形成ITO導(dǎo)電膜及傳感器的技術(shù)，即將X軸電極圖案和Y軸電極圖案均制作在保護(hù)玻璃上，其過(guò)程中需要對(duì)X軸電極和Y軸電極進(jìn)行搭橋，并分別制作與X軸電極圖案和Y軸電極圖案相連的金屬線路，制作困難且難以控制良率。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供結(jié)構(gòu)輕薄、消影效果好的無(wú)需搭橋的投射式電容屏。
[0006]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種無(wú)需搭橋的投射式電容屏，包括玻璃基板、設(shè)置于所述玻璃基板的第一消影層、設(shè)置于所述第一消影層的第一 ITO層、設(shè)置于所述第一 ITO層上方的第二消影層和設(shè)置于所述第二消影層上方的第二 ITO層；所述第一 ITO層包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，所述第二 ITO層包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；所述無(wú)需搭橋的投射式電容屏還包括設(shè)置于所述X軸電極層邊緣的X金屬線和設(shè)置于所述Y軸電極層邊緣的Y金屬線，所述X金屬線與所述Y金屬線分別與柔性線路板相連。
[0007]優(yōu)選地，所述玻璃基板的邊緣設(shè)有邊框防護(hù)層。
[0008]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn):實(shí)施本實(shí)用新型，采用第二消影層將第一 ITO層和第二 ITO層隔離，避免第一 ITO層上的X軸電極層和第二 ITO層上的Y軸電極層直接接觸，在節(jié)省搭橋工藝的同時(shí)避免搭橋工藝中出錯(cuò)導(dǎo)致產(chǎn)品不良率提高。該投射式電容屏上設(shè)有第一消影層和第二消影層，使得第一 ITO層上的X軸電極層的X軸方向電極的圖案消影效果更好，保證其光學(xué)透過(guò)性，提高產(chǎn)品生產(chǎn)質(zhì)量。而且該投射式電容屏結(jié)構(gòu)較為輕薄。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，附圖中:
[0010]圖1是本實(shí)用新型一實(shí)施例中無(wú)需搭橋的投射式電容屏的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例1中無(wú)需搭橋的投射式電容屏的制作方法的一流程圖。
[0012]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例1中無(wú)需搭橋的投射式電容屏的制作方法的另一流程圖。
[0013]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例2中無(wú)需搭橋的投射式電容屏的制作方法的一流程圖。
[0014]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例2中無(wú)需搭橋的投射式電容屏的制作方法的另一流程圖。
[0015]圖中:1、玻璃基板；2、第一消影層；3、第一 ITO層；4、第二消影層；5、第二 ITO層；
6、邊框防護(hù)層；7、X金屬線；8、Y金屬線。

【具體實(shí)施方式】
[0016]為了對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對(duì)照附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】。
[0017]圖1示出本實(shí)用新型一實(shí)施例中無(wú)需搭橋的投射式電容屏。該無(wú)需搭橋的投射式電容屏包括玻璃基板1、設(shè)置于玻璃基板I的第一消影層2、設(shè)置于第一消影層2的第一 ITO層3、設(shè)置于第一 ITO層3上方的第二消影層4和設(shè)置于第二消影層4上方的第二 ITO層5。采用第二消影層4將第一 ITO層3和第二 ITO層5隔離，避免第一 ITO層3上的X軸電極層和第二 ITO層5上的Y軸電極層直接接觸，在節(jié)省搭橋工藝的同時(shí)避免搭橋工藝中出錯(cuò)導(dǎo)致產(chǎn)品不良率提高。該投射式電容屏上設(shè)有第一消影層2和第二消影層4，使得第一ITO層3上的X軸電極層的X軸方向電極的圖案消影效果更好，保證其光學(xué)透過(guò)性，提高產(chǎn)品生產(chǎn)質(zhì)量。而且該投射式電容屏結(jié)構(gòu)較為輕薄。
[0018]第一 ITO層3包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，第二 ITO層5包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；無(wú)需搭橋的投射式電容屏還包括設(shè)置于X軸電極層邊緣的X金屬線7和設(shè)置于Y軸電極層邊緣的Y金屬線8，X金屬線7與Y金屬線8分別與柔性線路板相連。
[0019]可以理解地，第一消影層2和第二消影層4分別用于減少玻璃基板I與第一 ITO層3、第一 ITO層3與第二 ITO層5之間光折射率，即減少其色差，以提高投射式電容率的透光率。具體地，第一消影層2包括先后疊加在玻璃基板I上的五氧化二鈮層或者氮氧化硅和二氧化硅層；第二消影層4可以包括先后疊加在第一 ITO層3上的五氧化二鈮層或者氮氧化硅和二氧化硅層，第二消影層4還可以包括設(shè)置在第一 ITO層3上的二氧化硅層。
[0020]具體地，第一 ITO層3包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，第二 ITO層5包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；在X軸電極層邊緣上設(shè)有與X軸電極層相連的X金屬線7，在Y軸電極層邊緣上設(shè)有與Y軸電極層相連的Y金屬線8 ；X金屬線7與Y金屬線8分別與柔性線路板相連。
[0021]玻璃基板I的邊緣上還設(shè)有用于遮擋X金屬線7和Y金屬線8的邊框防護(hù)層6?？梢岳斫獾?，邊框防護(hù)層6采用絕緣材料制作而成。
[0022]實(shí)施例1
[0023]如圖2、圖3所示，本實(shí)施例中提供一種無(wú)需搭橋的投射式電容屏的制作方法，包括以下步驟:
[0024]Sl-O:在玻璃基板I的邊緣上采用絲印工藝或黃光工藝制作邊框防護(hù)層6。具體地，邊框防護(hù)層6的厚度為7u以下，越薄越好。
[0025]具體地，采用絲印工藝制作邊框防護(hù)層6的具體步驟:在玻璃基板I上制作底板、曬板、顯影、干燥、修版、印刷、干燥、成品；其中曬板包括選網(wǎng)、選框、繃網(wǎng)、干燥、涂布或貼附感光膠、干燥等步驟。
[0026]采用黃光工藝制作邊框防護(hù)層6的具體步驟:PR前清洗(即采用物理方法的磨刷噴洗或化學(xué)方法中采用DI水或KOH將玻璃基板I上的污垢去除的過(guò)程)、PR涂布或貼附光刻膠、堅(jiān)膜(在一定溫度下將涂有光刻膠的玻璃烘烤一段時(shí)間、使光刻膠的溶劑揮發(fā)、形成固體的PR層的過(guò)程)、UV曝光(采用紫外線通過(guò)預(yù)設(shè)的菲林垂直照射在光刻膠表面，使被照射部分的光刻膠發(fā)生反應(yīng)的過(guò)程)、采用碳酸鈉或碳酸鉀溶液進(jìn)行顯影(即采用弱KOH溶液去離玻璃基板I表面將徑光照射部分的光刻膠除去，保留未照射部分的光刻膠)、PR固化(高溫處理使光刻膠更加堅(jiān)固)、采用酸蝕刻(采用適當(dāng)?shù)乃崛芤簩o(wú)光刻膠覆蓋的ITO層去除)、采用堿去墨進(jìn)行脫膜(采用較強(qiáng)的KOH剝膜液將殘留光刻膠除去)、DI清洗進(jìn)而制作成邊框防護(hù)層6?？梢岳斫獾?，本實(shí)施例中的PR涂布或貼附光刻膠、堅(jiān)膜兩步驟也可以采用覆膜機(jī)覆上干膜這一操作替代，以簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝。
[0027]Sl-1:在琉璃基板上制作用于消除玻璃基板I與第一 ITO層3之間光折射率的第一消影層2。
[0028]具體地，步驟Sl-1包括:
[0029]Sl-1l:對(duì)玻璃基板I進(jìn)行清洗并熱烘干燥。
[0030]S1-12:在真空條件，在玻璃基板I的一面上采用濺射方式鍍五氧化二鈮。
[0031]S1-13:在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮的一面采用濺射方式鍍二氧化硅，以完成第一消影層2的制作。
[0032]S1-2:在第一消影層2上制作第一 ITO層3，第一 ITO層3包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層；并在X軸電極層邊緣的制作與X軸電極層相連的X金屬線7。
[0033]具體地，步驟S1-2包括:
[0034]S1-21:在真空條件下，采用濺射方式在第一消影層2上鍍氧化銦錫層。
[0035]S1-22:在真空條件下，采用濺射方式在鍍有氧化銦錫層的一面鍍金屬層，金屬層設(shè)置在邊框防護(hù)層6上?？梢岳斫獾?，金屬層可以是鋁、鑰鋁鑰、銅和銅鎳合金。在金屬層上采用覆膜機(jī)覆上干膜，使用光罩曝光X金屬線7的圖案?？梢岳斫獾兀诮o金屬層上覆上干膜之前需要對(duì)金屬層進(jìn)行清洗烘干，以避免干膜的覆著力不強(qiáng)，而且清洗后其表面清潔干凈、外觀較為良好。使用顯影劑將曝光的X金屬線7顯影，并使用不與干膜反應(yīng)的退鍍液退鍍金屬層，制得X金屬線7。具體地，采用噴淋或浸泡2?4%的碳酸鈉或碳酸鉀(即顯影劑)進(jìn)行顯影；而退鍍金屬層是在溫度為40?60°C時(shí)，將專(zhuān)用的不與干膜反應(yīng)的金屬退鍍液噴淋在金屬層上，可以理解地，該金屬退鍍液是與金屬層而不與氧化銦錫層反應(yīng)的酸性溶液。
[0036]S1-23:在制得X金屬線7的玻璃基板I上采用覆膜機(jī)覆上干膜，使用光罩曝光由若干X軸方向電極形成X軸電極層的圖案；x金屬線7與X軸電極層相連，以實(shí)現(xiàn)X金屬線7與X軸電極層之間電連接。
[0037]S1-24:使用顯影劑將X軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對(duì)氧化銦錫層進(jìn)行蝕亥IJ。具體地，圖案顯影可以采用紫外線通過(guò)預(yù)設(shè)的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被照射部分的干膜發(fā)生反射的過(guò)程。蝕刻液是濃度為16?21mol/L的配比為HC1:HN03:H20=15?19:15?19:18?22的溶液，優(yōu)選地，HCl: HNO3: H2O的配比為17:17:20?？梢岳斫獾?，蝕刻液的濃度可隨第一 ITO層3的阻值進(jìn)行調(diào)整，第一 ITO層3阻值越高，其濃度越高。具體地，蝕刻液與氧化煙錫層進(jìn)行如下反應(yīng):In203+6HCl = 2InCl3+3H20 ；
[0038]2Sn02+8HCl = 2SnCl4+4H20 ；In203+6HN03 = 2In (NO3) 3+3H20 ；
[0039]2Sn02+8HN03 = 2SN (NO3) 4+4H20。
[0040]Sl-25:采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得X軸電極層。具體地，去墨液可以是濃度I % — 3 %的如KOH，NaOH等溶液，以將殘留的干膜去除。
[0041]S1-3:在第一 ITO層3上制作第二消影層4。本實(shí)施例中，第二消影層4包括先后疊加在第一 ITO層3上的五氧化二鈮層和二氧化硅層。
[0042]具體地，步驟S1-3包括:
[0043]S1-31:對(duì)第一 ITO層3進(jìn)行清洗并熱烘干燥；
[0044]S1-32:在真空條件，在第一 ITO層3的一面上采用濺射方式鍍五氧化二鈮；
[0045]S1-33:在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮的一面采用濺射方式鍍二氧化硅，以完成第二消影層4的制作。
[0046]S1-4:在第二消影層4上制作第二 ITO層5，第二 ITO層5包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；并在Y軸電極層邊緣的制作與Y軸電極層相連的Y金屬線8。
[0047]具體地，步驟S1-4包括:
[0048]S1-41:在真空條件下，采用濺射方式在第二消影層4上鍍氧化銦錫層。
[0049]S1-42:在真空條件下，采用濺射方式在鍍有氧化銦錫層的一面鍍金屬層，金屬層設(shè)置在第二消影層4上?？梢岳斫獾?，金屬層可以是鋁、鑰鋁鑰、銅和銅鎳合金。在金屬層上采用覆膜機(jī)覆上干膜，使用光罩曝光Y金屬線8的圖案?？梢岳斫獾?，在給金屬層上覆上干膜之前需要對(duì)金屬層進(jìn)行清洗烘干，以避免干膜的覆著力不強(qiáng)，而且清洗后其表面清潔干凈、外觀較為良好。使用顯影劑將曝光的Y金屬線8顯影，并使用不與干膜反應(yīng)的退鍍液退鍍金屬層，制得Y金屬線8。具體地，采用噴淋或浸泡2?4%的碳酸鈉或碳酸鉀(即顯影劑)進(jìn)行顯影；而退鍍金屬層是在溫度為40?60°C時(shí)，將專(zhuān)用的不與干膜反應(yīng)的金屬退鍍液噴淋在金屬層上，可以理解地，該金屬退鍍液是與金屬層而不與氧化銦錫層反應(yīng)的酸性溶液。
[0050]S1-43:在制得Y金屬線8的玻璃基板I上覆上干膜，使用光罩曝光由若干Y軸方向電極形成Y軸電極層的圖案；γ金屬線8與Y軸電極層相連，以實(shí)現(xiàn)Y金屬線8與Y軸電極層之間電連接。
[0051]S1-44:使用顯影劑將Y軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對(duì)氧化銦錫層進(jìn)行蝕亥IJ。具體地，圖案顯影可以采用紫外線通過(guò)預(yù)設(shè)的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被照射部分的干膜發(fā)生反射的過(guò)程。蝕刻液是濃度為16?21mol/L的配比為HC1:HN03:H20=15?19:15?19:18?22的溶液，優(yōu)選地，HCl: HNO3: H2O的配比為17:17:20。可以理解地，蝕刻液的濃度可隨第二 ITO層5的阻值進(jìn)行調(diào)整，第二 ITO層5阻值越高，其濃度越高。具體地，蝕刻液與氧化煙錫層進(jìn)行如下反應(yīng):In203+6HCl = 2InCl3+3H20 ；
[0052]2Sn02+8HCl = 2SnCl4+4H20 ；In203+6HN03 = 2In (NO3) 3+3H20 ；
[0053]2Sn02+8HN03 = 2SN (NO3) 4+4H20。
[0054]Sl-45:采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得Y軸電極層。具體地，去墨液可以是濃度I % — 3 %的如KOH，NaOH等溶液，以將殘留的干膜去除。
[0055]S1-5:使用蝕刻膏將將X金屬線與柔性線路板綁定的地方蝕刻出來(lái)。
[0056]S1-6:將X金屬線7綁定至柔性線路板上，并將Y金屬線8綁定至柔性線路板上，以完成無(wú)需搭橋的投射式電容屏的制作。
[0057]實(shí)施例2
[0058]如圖4、圖5所示，本實(shí)施例提供一種無(wú)需搭橋的投射式電容屏的制作方法，包括以下步驟:
[0059]S2-0:在玻璃基板I的邊緣上采用絲印工藝或黃光工藝制作邊框防護(hù)層6。具體地，其具體步驟與實(shí)施例1中步驟Sl-O —致。可以理解地，邊框防護(hù)層6的厚度為7u以下，越薄越好。
[0060]S2-1:在玻璃基板I上制作第一消影層2。
[0061]具體地，步驟S2-1包括:
[0062]S2-11:對(duì)玻璃基板I進(jìn)行清洗并熱烘干燥。
[0063]S2-12:在真空條件，在玻璃基板I的一面上采用濺射方式鍍五氧化二鈮或者氮氧化硅。
[0064]S2-13:在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二氧化硅，以完成第一消影層2的制作。
[0065]S2-2:在第一消影層2上制作第一 ITO層3,第一 ITO層3包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層。
[0066]具體地，步驟S2-2包括:
[0067]S2-21:在真空條件下，采用濺射方式在第一消影層2上鍍氧化銦錫層。
[0068]S2-22:在鍍有氧化銦錫層的一面米用覆膜方式覆上干膜,使用光罩曝光由若干X軸方向電極形成的X軸電極層的圖案。
[0069]S2-23:使用顯影劑將X軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對(duì)氧化銦錫層進(jìn)行蝕亥IJ。具體地，圖案顯影可以采用紫外線通過(guò)預(yù)設(shè)的菲林或光罩垂直照射在干膜表面，使得被照射部分的干膜發(fā)生反射的過(guò)程。蝕刻液是濃度為16?21mol/L的配比為HC1:HN03:H20=15?19:15?19:18?22的溶液，優(yōu)選地，HCl: HNO3: H2O的配比為17:17:20?？梢岳斫獾兀g刻液的濃度可隨第一 ITO層3的阻值進(jìn)行調(diào)整，第一 ITO層3阻值越高，其濃度越高。
[0070]S2-24:采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得X軸電極層。具體地，去墨液可以是濃度I % — 3 %的如KOH，NaOH等溶液，以將殘留的干膜去除。
[0071]S2-3:在第一 ITO層3上制作第二消影層4。
[0072]具體地，步驟S2-3包括:
[0073]S2-31:對(duì)第一 ITO層3進(jìn)行清洗并熱烘干燥。
[0074]S2-32:在真空條件下，在第一 ITO層3的一面采用濺射方式五氧化二鈮或氮氧化硅。
[0075]S2-33:在真空條件下，在鍍有五氧化二鈮或者氮氧化硅的一面采用濺射方式鍍二氧化硅，以完成第二消影層4的制作。
[0076]S2-4:在第二消影層4上制作第二 ITO層5，第二 ITO層5包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層。
[0077]具體地，步驟S2-4包括:
[0078]S2-41:在真空條件下，采用濺射方式在第二 ITO層5上鍍氧化銦錫層。
[0079]S2-42:在鍍有氧化銦錫層的一面采用覆膜方式覆上干膜，使用光罩曝光由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層的圖案。
[0080]S2-43:使用顯影劑將Y軸電極層的圖案顯影，采用蝕刻液對(duì)氧化銦錫層進(jìn)行蝕刻。
[0081]S2-44:采用去墨液將干膜去除，清洗并干燥，以制得Y軸電極層。具體地，去墨液可以是濃度I % — 3 %的如KOH，NaOH等溶液，以將殘留的干膜去除。
[0082]S2-5:采用蝕刻膏蝕刻邊框防護(hù)層6上方的與X軸電極層相連位置的第二消影層4，并制作與X軸電極層相連的X金屬線7和與Y軸電極層相連的Y金屬線8 ;將X金屬線7和Y金屬線8綁定至柔性線路板上。
[0083]具體地,步驟S2-5包括:
[0084]S2-51:采用蝕刻膏蝕刻邊框防護(hù)層6上方的與X軸電極層相連位置的第二消影層4，以顯露X軸電極層末端。具體地，蝕刻膏可以采用德國(guó)默克蝕刻膏，用于蝕刻由二氧化硅濺射而成的第二消影層4，以顯露X軸電極層末端。
[0085]S2-52:采用絲印機(jī)絲印與X軸電極層相連的X金屬線7和與Y軸電極層相連的Y金屬線8。具體地，采用絲印機(jī)絲印X金屬線7和Y金屬線8，并在140?160°C溫度下烘烤50?70min，以完成X金屬線7和Y金屬線8的制作?？梢岳斫獾?，X金屬線7和Y金屬線8可以采用銀膠線。
[0086]S2-53:將X金屬線7和Y金屬線8綁定至柔性線路板上，并在X金屬線7和Y金屬線8上絲印保護(hù)油墨，以完成投射式電容屏的制作。
[0087]在本實(shí)用新型所提供的無(wú)需搭橋的投射式電容屏的制作方法中，通過(guò)在第一 ITO層3與第二 ITO層5之間制作第二消影層4，以節(jié)省在第一 ITO層3和第二 ITO層5之間的搭橋工藝，提高產(chǎn)品生產(chǎn)的良率；而且可以使第一 ITO層3上的X軸電極層的圖案的消影效果更好，提高其產(chǎn)品生產(chǎn)質(zhì)量。
[0088]本實(shí)用新型是通過(guò)幾個(gè)具體實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明的，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離本實(shí)用新型范圍的情況下，還可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種變換和等同替代。另外，針對(duì)特定情形或具體情況，可以對(duì)本實(shí)用新型做各種修改，而不脫離本實(shí)用新型的范圍。因此，本實(shí)用新型不局限于所公開(kāi)的具體實(shí)施例，而應(yīng)當(dāng)包括落入本實(shí)用新型權(quán)利要求范圍內(nèi)的全部實(shí)施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種無(wú)需搭橋的投射式電容屏，其特征在于:包括玻璃基板(I)、設(shè)置于所述玻璃基板(I)的第一消影層(2)、設(shè)置于所述第一消影層(2)的第一 ITO層(3)、設(shè)置于所述第一ITO層(3)上方的第二消影層(4)和設(shè)置于所述第二消影層(4)上方的第二 ITO層(5);所述第一 ITO層(3)包括由若干X軸方向電極形成的X軸電極層，所述第二 ITO層(5)包括由若干Y軸方向電極形成的Y軸電極層；所述無(wú)需搭橋的投射式電容屏還包括設(shè)置于所述X軸電極層邊緣的X金屬線(7)和設(shè)置于所述Y軸電極層邊緣的Y金屬線(8)，所述X金屬線(7)與所述Y金屬線(8)分別與柔性線路板相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)需搭橋的投射式電容屏，其特征在于:所述玻璃基板(I)的邊緣設(shè)有邊框防護(hù)層(6)。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK203930777SQ201420346038
【公開(kāi)日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月25日
【發(fā)明者】向火平 申請(qǐng)人:向火平