本發(fā)明是有關(guān)于一種觸控技術(shù)，特別是指一種觸控裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的觸控裝置包含一基板、多個(gè)彼此相間隔設(shè)置在基板上的橋接層及一用以產(chǎn)生觸控訊號(hào)的觸控電路層。觸控電路層包括多個(gè)沿一第一軸線方向設(shè)置在基板，且分別位于橋接層之間的第一觸控電極。而每一第一觸控電極的兩端分別延伸至鄰近的橋接層上，并藉由橋接層使得相鄰的第一觸控電極彼此電連接。然而由于橋接層的厚度遠(yuǎn)大于第一觸控電極的厚度，使得第一觸控電極容易在由基板向上延伸至橋接層的區(qū)域斷裂，而導(dǎo)致觸控裝置的功能異常。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述問題，克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于避免第一觸控電極因橋接層與基板之間的高低落差而斷裂，進(jìn)而避免觸控裝置的功能產(chǎn)生異常。

本發(fā)明提供一種觸控裝置。

觸控裝置包含：一基板、多個(gè)橋接單元及一觸控電路層。

該等橋接單元彼此相間隔地設(shè)置在該基板，且各包括一橋接層及至少一緩沖結(jié)構(gòu)，各該緩沖結(jié)構(gòu)分別由該橋接層的側(cè)壁延伸至該基板而形成一斜坡。

該觸控電路層包括多個(gè)沿一第一方向間隔地設(shè)置在該基板的第一觸控電極，該等第一觸控電極分別重疊于至少一橋接層，并且覆蓋設(shè)于該緩沖結(jié)構(gòu)的該斜坡。

在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等斜坡的斜率小于85度。

在一些實(shí)施態(tài)樣中，各該緩沖結(jié)構(gòu)還覆蓋各該橋接層。

在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等橋接層的厚度范圍各介于0.3微米至0.4微米之間，該等緩沖結(jié)構(gòu)的斜坡厚度不小于0.5微米。

在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等橋接層是由導(dǎo)電材料所制成，且相鄰之各該第一觸控電極藉由各該橋接層電連接。

在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等橋接層呈長(zhǎng)條狀，且各該緩沖結(jié)構(gòu)分別位于各該橋接層的至少一末端。

在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等橋接層呈長(zhǎng)條狀，且各該緩沖結(jié)構(gòu)分別位于各該橋接層的兩相反末端之間。

在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等橋接單元各包括多個(gè)緩沖結(jié)構(gòu)，該等橋接層呈長(zhǎng)條狀，且該等緩沖結(jié)構(gòu)分別設(shè)置在各該橋接層的兩相反末端及兩相反末端之間。

在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等橋接單元還各包括一間隔于該緩沖結(jié)構(gòu)的絕緣結(jié)構(gòu)，該絕緣結(jié)構(gòu)橫跨該橋接層且延伸至該基板；該觸控電路層還包括多個(gè)分別沿一第二方向設(shè)置在該基板并跨越該絕緣結(jié)構(gòu)上的第二觸控電極。

在一些實(shí)施態(tài)樣中，各該絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置在各該橋接層與各該第二觸控電極之間，使各該第一觸控電極與各該第二觸控電極彼此電性絕緣。

在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等緩沖結(jié)構(gòu)及該等絕緣結(jié)構(gòu)由絕緣材料所制成。

本發(fā)明另外提供一種觸控裝置的制造方法，用于制作前述觸控裝置，包含以下步驟：

在一基板上形成多個(gè)相互間隔的橋接層。

在各該橋接層上形成至少一緩沖結(jié)構(gòu)及一絕緣結(jié)構(gòu)，各該緩沖結(jié)構(gòu)的其中部分分別由各該橋接層延伸至該基板而形成一斜坡，各該絕緣結(jié)構(gòu)系間隔于各該緩沖結(jié)構(gòu)并橫跨各該橋接層而延伸至該基板。

在該基板上形成多個(gè)沿一第一方向間隔排列的第一觸控電極與多個(gè)沿一第二方向間隔排列的第二觸控電極，該等第一觸控電極分別部分地重疊于至少一橋接層，并覆蓋設(shè)于該緩沖結(jié)構(gòu)的該斜坡；該等第二觸控電極設(shè)置在該基板，且分別延伸迭置于各該絕緣結(jié)構(gòu)上。

在一些實(shí)施態(tài)樣中，該等緩沖結(jié)構(gòu)及該等絕緣結(jié)構(gòu)是藉由同一圖案化成型程序制作。

本發(fā)明透過設(shè)置緩沖結(jié)構(gòu)，用以在橋接層的側(cè)壁與基板之間形成斜坡，可避免第一觸控電極因橋接層與基板之間的高低落差而斷裂，進(jìn)而導(dǎo)致觸控裝置的功能異常的問題。

為讓本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1是一立體圖，說明本發(fā)明觸控裝置的一實(shí)施例；

圖2是關(guān)于圖1中觸控裝置的一局部放大圖；

圖3是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的觸控裝置的一部分剖面示意圖；

圖4是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施態(tài)樣的觸控裝置的一部分剖面示意圖；

圖5是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的觸控裝置的一部分剖面示意圖；及

圖6至圖10是說明本發(fā)明觸控裝置的制造方法的一實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

參閱圖1、2與3，為本發(fā)明觸控裝置的一實(shí)施例，其中，圖1是一立體圖，說明本發(fā)明觸控裝置的一實(shí)施例；圖2是關(guān)于圖1中觸控裝置的一局部放大圖；圖3是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的觸控裝置的一部分剖面示意圖。本發(fā)明觸控裝置包含一基板1、一遮蔽層2、多個(gè)橋接單元3、一觸控電路層4及一訊號(hào)傳送層 5。

基板1的材質(zhì)選自于由玻璃、聚碳酸酯、聚對(duì)苯二酸乙二脂、聚甲基丙烯酸甲脂、聚砜，及其他環(huán)烯共聚物所組成的群體，但不以此為限。此外，為了確保生產(chǎn)過程中基板1的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與耐用性，亦可對(duì)基板1的表面進(jìn)行強(qiáng)化處理，使基板1具有較佳的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度及耐用程度。

遮蔽層2設(shè)置在基板1周圍，且通常是由有色光阻或有色油墨所制成，并用以形成觸控裝置周圍部分的非可視區(qū)。且遮蔽層2上還形成一個(gè)或多個(gè)圖案21，圖案21可依據(jù)需求設(shè)計(jì)成首頁(yè)鍵、返回鍵、窗口切換鍵等功能鍵的圖標(biāo)(Icon)。

橋接單元3彼此相間隔地設(shè)置在基板1，并各包括一橋接層31、一絕緣結(jié)構(gòu)32及多個(gè)緩沖結(jié)構(gòu)33(此處緩沖結(jié)構(gòu)33的數(shù)量是以四個(gè)為例，但不以此為限)。橋接層31主要是由金屬或金屬氧化物(例如氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO))等導(dǎo)電材料所制成，可提供電傳導(dǎo)的路徑。緩沖結(jié)構(gòu)33與絕緣結(jié)構(gòu)32主要是由例如聚亞酰胺(Polyimide)的高分子絕緣材料所制成。每一緩沖結(jié)構(gòu)33覆蓋部分橋接層31，并由橋接層31的側(cè)壁延伸至基板1而形成一斜坡331，該斜坡331具體來說為緩沖結(jié)構(gòu)33由較高的橋接層31的頂面延伸至較低的基板1的頂面而成，因此形成介于橋接層31與基板1之間的高度漸變結(jié)構(gòu)(見圖3)。并且，在一些實(shí)施態(tài)樣中，斜坡331的斜率小于85度。優(yōu)選的，斜坡331的斜率可以是75度、60度、45度、30度、15度或10度。每一絕緣結(jié)構(gòu)32則橫跨橋接層31且延伸至基板1，并相間隔于緩沖結(jié)構(gòu)33。在本實(shí)施例中，橋接層31呈長(zhǎng)條狀，并以數(shù)組方式排列于基板1上；緩沖結(jié)構(gòu)33同樣為長(zhǎng)條狀，并分別位于橋接層31的兩相反末端及兩相反末端之間；絕緣結(jié)構(gòu)32概呈矩形，并覆蓋于橋接層31的中央位置。但在不同的實(shí)施態(tài)樣中，橋接層31、絕緣結(jié)構(gòu)32、 緩沖結(jié)構(gòu)33的形狀、數(shù)量、設(shè)置位置均可視需要而對(duì)應(yīng)調(diào)整，不以此處揭露的內(nèi)容為限。

觸控電路層4主要是由透明導(dǎo)電材料所制成，較常見的透明導(dǎo)電材料為氧化銦錫、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,IZO)、氧化鋁鋅(Aluminum Zinc Oxide,AZO)、氧化鋅(Zinc Oxide)、氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)、納米碳管(Carbon Nano Tube,CNT)、納米銀、納米銅，或是其他透明導(dǎo)電材質(zhì)與金屬或非金屬的合成物。

觸控電路層4用以產(chǎn)生觸控訊號(hào)，包括多個(gè)第一觸控電極41及多個(gè)第二觸控電極42。第一觸控電極41沿一第一方向A間隔地設(shè)置在基板1，且兩端分別重疊于橋接層31而藉由橋接層31形成電連接，并同時(shí)覆蓋設(shè)于各橋接層31的緩沖結(jié)構(gòu)33。由于第一觸控電極41通常是由ITO等具有透明導(dǎo)電特性的金屬氧化物制作，此種金屬氧化物不像金屬材料具有良好的延展性，因此制作在高低落差較大的表面容易產(chǎn)生斷裂、破裂等問題。但本實(shí)施例在橋接層31與基板1之間鋪設(shè)形成斜坡331的緩沖結(jié)構(gòu)33，使得第一觸控電極41能夠在基板1、緩沖結(jié)構(gòu)33與橋接層31上連續(xù)延伸，而能避免結(jié)構(gòu)斷裂的問題。且在本實(shí)施例中，橋接層31的厚度范圍介于0.3微米至0.4微米之間，而緩沖結(jié)構(gòu)33的厚度不小于0.5微米，也就是說緩沖結(jié)構(gòu)33的厚度大于橋接層31的厚度，如此能確保緩沖結(jié)構(gòu)33完整地覆蓋橋接層31并在橋接層31的側(cè)壁形成斜坡331，進(jìn)而避免第一觸控電極41在由基板1向上延伸至橋接層31的區(qū)域斷裂，而影響觸控裝置的功能。

第二觸控電極42沿一第二方向B設(shè)置在基板1并跨越絕緣結(jié)構(gòu)32，且藉由絕緣結(jié)構(gòu)32避免了第二觸控電極42與橋接層31直接接觸，進(jìn)而使第二觸控電極42與第一觸控電極41彼此電性絕緣。

訊號(hào)傳送層5設(shè)置于遮蔽層2之上，并且，訊號(hào)傳送層5與觸控電路層4電連接以傳送觸控電路層4所產(chǎn)生的觸控訊號(hào)。且訊號(hào)傳送層5通常藉由金屬材質(zhì)制作，并透過遮蔽層2遮蔽以避免被使用者看見。

參閱圖4，為一剖面示意圖，說明本發(fā)明觸控裝置的另一實(shí)施態(tài)樣。本實(shí)施態(tài)樣與上述實(shí)施例的差別在于每一橋接單元3僅包括二緩沖結(jié)構(gòu)33，且緩沖結(jié)構(gòu)33分別位于橋接層31的兩相反末端。由于在橋接層31的兩相反末端分別具有一緩沖結(jié)構(gòu)33，使得鄰近此兩末端的第一觸控電極41能藉由此緩沖結(jié)構(gòu)33延伸至橋接層31上，同樣避免了第一觸控電極41在由基板1向上延伸至橋接層31的區(qū)域斷裂。

參閱圖5，為一剖面示意圖，說明本發(fā)明觸控裝置的另一實(shí)施態(tài)樣。本實(shí)施態(tài)樣與上述實(shí)施例的差別在于每一橋接單元3僅包括一緩沖結(jié)構(gòu)33。此緩沖結(jié)構(gòu)33位于橋接層31的一末端，并僅在橋接層31側(cè)壁與基板1之間形成一個(gè)斜坡331，且并無覆蓋橋接層31，因此緩沖結(jié)構(gòu)33與橋接層31的厚度相近。而由于在橋接層31的一末端具有一緩沖結(jié)構(gòu)33，使得鄰近此末端的第一觸控電極41能藉由此緩沖結(jié)構(gòu)33延伸至橋接層31上。

由上述的實(shí)施例與實(shí)施態(tài)樣可得知，緩沖結(jié)構(gòu)33的數(shù)目可為一、二或四，但緩沖結(jié)構(gòu)33的數(shù)目并不以此為限，意即緩沖結(jié)構(gòu)33的數(shù)目亦可為三或五以上，且緩沖結(jié)構(gòu)33設(shè)置的位置亦可依用戶在制程上的需求而位于橋接層31的兩相反末端、兩相反末端之間或是同時(shí)存在于兩相反末端與兩相反末端之間。

以下參閱圖6至圖10，說明本發(fā)明觸控裝置的制造方法，其中，圖6至圖10為本發(fā)明觸控裝置的制造方法的一實(shí)施例的剖面示意圖。

參閱圖1、6，首先，在基板1上形成多個(gè)相互間隔的橋接層31，且橋接層31主要是由例如金屬或氧化銦錫等導(dǎo)電材料所制成。以下為方便說明起見，在 圖6至圖10中皆以單一橋接層31為例進(jìn)行說明，但本實(shí)施例的制造方法實(shí)際上可在基板1同時(shí)進(jìn)行多個(gè)橋接層31的制作，而不以后續(xù)說明內(nèi)容為限。

參閱圖7，接著，在基板1與橋接層31上形成一絕緣層6，該絕緣層6系整面地覆蓋在基板1及各個(gè)橋接層31上。在本實(shí)施例中，此絕緣層6主要是由聚亞酰胺所制成，并利用旋涂的方式形成于基板1表面。但在不同的實(shí)施態(tài)樣中，絕緣層6的材質(zhì)及制作方式都可以視需要而調(diào)整，不以此處揭露的內(nèi)容為限。

參閱圖8，隨后，藉由同一圖案化成型程序在每一橋接層31上形成四個(gè)緩沖結(jié)構(gòu)33及一絕緣結(jié)構(gòu)32。緩沖結(jié)構(gòu)33覆蓋部分橋接層31，并由橋接層31的側(cè)壁延伸至基板1而形成一斜坡331。斜坡331具體來說為緩沖結(jié)構(gòu)33由較高的橋接層31的頂面延伸至較低的基板1的頂面而成，因此形成介于橋接層31與基板1之間的高度漸變結(jié)構(gòu)。而該圖案化成型程序系包含微影、蝕刻等步驟，因此能同時(shí)制作出緩沖結(jié)構(gòu)33及絕緣結(jié)構(gòu)32的結(jié)構(gòu)。然而，在不同的實(shí)施態(tài)樣中，緩沖結(jié)構(gòu)33、絕緣結(jié)構(gòu)32也可以藉由網(wǎng)印技術(shù)制作，而不以圖7、圖8的實(shí)施態(tài)樣為限。

參閱圖9，再來，在基板1、橋接層31、絕緣結(jié)構(gòu)32及緩沖結(jié)構(gòu)33上藉由濺鍍等鍍膜技術(shù)形成一透明導(dǎo)電層7，而此透明導(dǎo)電層7主要是由例如氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料所組成。

參閱圖1與10，最后，利用微影與蝕刻制程對(duì)透明導(dǎo)電層7進(jìn)行圖案化處理，而制得第一觸控電極41及第二觸控電極42。第一觸控電極41分別部分地重疊于橋接層31，并覆蓋緩沖結(jié)構(gòu)33的斜坡331。第二觸控電極42設(shè)置在基板1，且分別延伸迭置于各個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)32上，且藉由絕緣結(jié)構(gòu)32使第二觸控電極42不接觸橋接層31，進(jìn)而使第一觸控電極41與第二觸控電極42彼此電性絕 緣。而在鍍覆透明導(dǎo)電層7(見圖9)的過程中，由于透明導(dǎo)電層7能藉由緩沖結(jié)構(gòu)33的斜坡331由基板1延伸至橋接層31上，因而避免了后續(xù)定義出的第一觸控電極41在由基板1向上延伸至橋接層31的區(qū)域斷裂。

綜上所述，透過緩沖結(jié)構(gòu)33的斜坡331避免了第一觸控電極41在由基板1向上延伸至橋接層31的區(qū)域斷裂，故確實(shí)能達(dá)成本發(fā)明的目的。

惟以上所述者，僅為本發(fā)明的實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，即大凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍及專利說明書內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。