本發(fā)明涉及壓力感測技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種壓力輸入裝置。

背景技術(shù)：

透明導(dǎo)電膜現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于平板顯示、光伏元件及觸控面板和電磁屏蔽等領(lǐng)域。其中ITO(Indium Tin Oxide，摻錫氧化銦)薄膜是其中常用的導(dǎo)電膜之一，但是隨著發(fā)展，新的產(chǎn)品對導(dǎo)電膜的觸壓精準(zhǔn)度及靈敏度的提出了更高的要求，在透明導(dǎo)電膜上由ITO形成的電極存在如下的問題：(1)隨著電阻及應(yīng)用尺寸變大，電極間的電流傳輸速度變慢，從而導(dǎo)致相應(yīng)速度(指接觸指尖到檢測出該位置的時間)變慢；(2)由ITO形成的導(dǎo)電膜在被施加壓力時，僅形變量較小，電阻變化不大，壓力感測的精度較差；(3)隨著感測電極的長度不斷增加，而線寬也不斷減小，現(xiàn)有ITO形成的感測電極的電阻變大造成觸壓信號失真；(4)ITO成本高昂，制造程序復(fù)雜。針對ITO存在的問題，尋找具有優(yōu)良性能的ITO替代材料，成為業(yè)界努力的方向。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為克服現(xiàn)有整合式觸控輸入裝置及采用ITO材料作為導(dǎo)電材料存在的問題，本發(fā)明提供了一種具有壓力感應(yīng)檢測功能的壓力感測輸入裝置。

本發(fā)明解決技術(shù)問題的技術(shù)方案是提供一種壓力感測輸入裝置，包括：一第一基板；一第一導(dǎo)電層，包括復(fù)數(shù)條第一壓力感測電極，設(shè)置于該第一基板的表面，用以感測壓力大小，所述第一壓力感測電極由金屬網(wǎng)格形成；壓力感測芯片，與所述第一壓力感測電極電連接，所述壓力感測芯片通過檢測所述第一壓力感測電極在受到壓力后產(chǎn)生的電阻變化量實現(xiàn)對所述壓力大小的檢測。

優(yōu)選地，所述金屬網(wǎng)格由納米級金屬顆粒構(gòu)成，所述納米級金屬顆粒在受到壓力后相互擠壓導(dǎo)致所述金屬網(wǎng)格電阻發(fā)生變化。

優(yōu)選地，所述金屬網(wǎng)格的線寬為1μm-10μm。

優(yōu)選地，所述第一壓力感測電極呈放射狀、曲線彎折狀或螺旋狀。

優(yōu)選地，所述第一壓力感測電極包括靠近所述第一基板下部與遠(yuǎn)離所述第一基板的上部，所述下部的線徑小于所述上部的線徑。

優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電層進(jìn)一步包括一第一壓力感測配置區(qū)和一與第一壓力感測配置區(qū)面積互補(bǔ)的第一觸控感測配置區(qū)，所述復(fù)數(shù)條第一壓力感測電極設(shè)置于所述第一壓力感測配 置區(qū)，所述第一觸控感測配置區(qū)內(nèi)設(shè)有復(fù)數(shù)條第一觸控感測電極，所述第一觸控感測電極用于檢測多點觸控。

優(yōu)選地，所述第一觸控感測電極之間交錯互補(bǔ)并通過連接絕緣塊橋接，所述第一壓力感測電極設(shè)置于所述第一觸控感測電極之間間隔區(qū)域。

優(yōu)選地，所述第一觸控感測電極由金屬網(wǎng)格形成，所述金屬網(wǎng)格的線寬為1μm-10μm；所述金屬網(wǎng)格由納米級金屬顆粒構(gòu)成。

優(yōu)選地，所述第一壓力感測電極的線寬小于第一觸控感測電極的線寬。

優(yōu)選地，所述第一觸控感測電極進(jìn)一步包括間隔設(shè)置的第一方向觸控感測電極及第二方向觸控感測電極，所述第一壓力感測電極設(shè)置于第一方向觸控感測電極及第二方向觸控感測電極之間。

優(yōu)選地，所述壓力感測輸入裝置進(jìn)一步包括第二基板及第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層設(shè)于所述第二基板表面，該第二導(dǎo)電層包括復(fù)數(shù)條第二觸控感測電極和/或第二壓力感測電極；所述第一觸控感測電極與第二觸控感測電極用于檢測多點觸控。

優(yōu)選地，所述壓力感測輸入裝置進(jìn)一步包括一保護(hù)蓋板，所述保護(hù)蓋板具有第一表面即相對設(shè)置的第二表面，所述第一表面供使用者施加以觸壓動作，所述第二表面靠近所述第一基板。

優(yōu)選地，所述第一基板為一保護(hù)蓋板，所述保護(hù)蓋板具有第一表面即相對設(shè)置的第二表面，所述第一表面供使用者施加以觸壓動作。

優(yōu)選地，所述壓力感測電極的應(yīng)變計因子大于0.5。

優(yōu)選地，所述壓力感測電極能實現(xiàn)多點壓力偵測。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，首先，本發(fā)明中提供了一種壓力感測輸入裝置，所述的壓力感測輸入裝置包括由金屬網(wǎng)格形成的復(fù)數(shù)條壓力感測電極，其中，所述金屬網(wǎng)格由納米級金屬顆粒構(gòu)成，其在受到壓力后相互擠壓導(dǎo)致所述金屬網(wǎng)格電阻發(fā)生變化。與現(xiàn)有技術(shù)中采用ITO材料制備感應(yīng)電極相比，本發(fā)明中的金屬網(wǎng)格在受到壓力時能夠產(chǎn)生更大的形變。在本發(fā)明中，當(dāng)使用者施加一觸壓動作，作用力傳遞到第一導(dǎo)電層后，導(dǎo)電層中的各對應(yīng)壓力感測電極產(chǎn)生相應(yīng)動作，金屬網(wǎng)格相應(yīng)發(fā)生物理形變，此外，由于構(gòu)成壓力感測電極的金屬網(wǎng)格由納米級金屬顆粒形成，納米級金屬顆粒在受力過程中，納米級金屬顆粒與顆粒之間也會帶來微觀空間位置的變化，與物理形變共同作用，帶來更為顯著的電阻值變化，由壓力感測輸入裝置中的壓力感測芯片對信號進(jìn)行處理，從而計算獲得觸壓動作的位置及觸壓的力量大小，并進(jìn)一步實現(xiàn)不同的觸壓力量可實現(xiàn)的不同的功能操作。

本發(fā)明創(chuàng)新性地采用金屬網(wǎng)格制備壓力感測電極，有效將金屬網(wǎng)格的電阻特性及納米級金屬顆粒的受壓后微觀空間位置的變化特點相結(jié)合，從而獲得一種具有高靈敏度及精準(zhǔn)度壓力 感測的壓力感測輸入裝置，這樣的設(shè)計可以極大的提高用戶使用產(chǎn)品的體驗度和滿意度。

本發(fā)明中由金屬網(wǎng)格構(gòu)成的壓力感測電極中靠近基板的壓力感測電極下部的線徑小于遠(yuǎn)離基板的壓力感測電極的上部的線徑，且所述壓力感測電極的橫截面的形狀可為半弧形、倒三角形、梯形等，這樣的設(shè)置有利于應(yīng)力集中，以使壓力感測電極在“觸”和“壓”過程中的電阻值的變化更為顯著。

在本發(fā)明所提供的由金屬網(wǎng)格構(gòu)成的壓力感測輸入裝置中，在一個導(dǎo)電層上可同時形成金屬網(wǎng)格圖案化的壓力感測電極及觸控感測電極，從而在一個導(dǎo)電層中實現(xiàn)壓力檢測及觸控位置檢測的功能。其中，壓力感測電極可以根據(jù)手指按壓壓力感測觸控屏，造成壓力感測電極發(fā)生微觀形變而造成阻值的變化，然后與觸控感測電極共同作用，通過壓力感測芯片偵測該阻值變化大小從而可以準(zhǔn)確判定按壓力度的大小，可以兼顧二維坐標(biāo)和三維觸壓力度的精準(zhǔn)檢測。

本發(fā)明所提供由金屬網(wǎng)格構(gòu)成的壓力感測輸入裝置中可包括兩層及以上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層可包括壓力感測電極與觸控感測電極中的至少一種。所述的壓力感測輸入裝置還可進(jìn)一步包括保護(hù)層和/或光學(xué)匹配層和/或保護(hù)蓋板，從而可以根據(jù)需求獲得性能更佳的壓力感測輸入裝置。其中，當(dāng)壓力感測電極與觸控感測電極在同一層壓力感測輸入裝置時，相較于傳統(tǒng)的壓力感測外貼在觸控屏的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明所提供的壓力感測輸入裝置的厚度更小，成本更低。而且在整合的時候，壓力感測電極與觸控感測電極分別位于面積互補(bǔ)的壓力感測配置區(qū)域觸控感測配置區(qū)，從而可實現(xiàn)在降低壓力感測輸入裝置厚度的同時降低其可視性的效果。

本發(fā)明所提供的壓力感測輸入裝置中所述金屬網(wǎng)格壓力感測電極的線寬小于觸控感測電極的線寬，在單位面積內(nèi)，壓力感測電極的線長大于觸控感測電極的線長，可進(jìn)一步使施加的作用力集中，從而使金屬網(wǎng)格壓力感測電極獲得更大的形變，從而提高觸控位置與壓力感測的精準(zhǔn)度和靈敏度。

【附圖說明】

圖1A是本發(fā)明壓力感測輸入裝置第一實施例的立體爆炸結(jié)構(gòu)示意圖。

圖1B是圖1A所示壓力感測輸入裝置的導(dǎo)電層的正視示意圖。

圖1C是圖1A中沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖1D是圖1C的又一變形實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖1E是圖1C的又一變形實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明壓力感測輸入裝置第二實施例導(dǎo)電層的正視示意圖。

圖3A是本發(fā)明壓力感測輸入裝置第三實施例的立體爆炸結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3B是圖3A所示壓力感測輸入裝置的導(dǎo)電層的正視示意 圖。

圖4A是本發(fā)明壓力感測輸入裝置第四實施例的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4B是圖4A的又一變形實施例的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4C是圖4A的又一變形實施例的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明壓力感測輸入裝置第五實施例的立體爆炸結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6A是本發(fā)明壓力感測輸入裝置第六實施例的立體爆炸結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6B是圖6A中導(dǎo)電層局部的平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7A是本發(fā)明壓力感測輸入裝置第七實施例的平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7B是圖7A中Ⅰ處放大示意圖。

圖8A是本發(fā)明壓力感測輸入裝置第八實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8B是圖8A的又一變形實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是本發(fā)明第九實施例壓力感測輸入裝置的制造方法流程圖。

圖10A是圖9所述步驟S2的制造方法流程圖。

圖10B是圖10A步驟S211的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10C是圖10A步驟S212的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10D是圖10A步驟S213的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11A是步驟S211的又一變形實施例的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11B是步驟S212的又一變形實施例的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11C是步驟S213的又一變形實施例的的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖12是本發(fā)明第十實施例壓力感測輸入裝置的制造方法流程圖。

【具體實施方式】

為了使本發(fā)明的目的，技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施實例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

金屬網(wǎng)格(Metal Mesh，簡稱MM)系屬于一種由銀或銅原子，或銀的氧化物，以印刷方式形成網(wǎng)格狀圖案的導(dǎo)電材料。

金屬網(wǎng)格由納米級金屬顆粒構(gòu)成，所述納米級金屬顆粒在受到壓力后相互擠壓，使構(gòu)成金屬網(wǎng)格的納米級金屬顆粒之間微觀空間位置發(fā)生變化，從而導(dǎo)致所述的金屬網(wǎng)格電阻發(fā)生變化。

所述的納米級金屬顆粒包括但不受限于：如導(dǎo)電銀墨水、納米銀顆粒、銀或銅金屬及其氧化物等材料。其中，以導(dǎo)電銀墨水為例，其粒徑范圍為1-15nm，更優(yōu)為2-10nm。

本發(fā)明構(gòu)成壓力感測電極的金屬網(wǎng)格的作用原理如下，但并不以此為限：當(dāng)使用者用手指觸壓之后，將致使構(gòu)成壓力感測電極的金屬網(wǎng)格中的納米級金屬顆粒之間產(chǎn)生微小形變，相 對應(yīng)的壓力感測配置區(qū)的線長將發(fā)生變化(因被按壓)，進(jìn)而影響壓力感測電極的等效阻值。在按壓時，構(gòu)成壓力感測電極的金屬網(wǎng)格除了有物理形變，在形成金屬網(wǎng)格的納米級金屬顆粒之間還可由于壓力的作用，彼此之間距離靠近，使納米級金屬顆粒之前的空間位置發(fā)生變化，從而導(dǎo)致電阻的變化。因此，當(dāng)觸壓的力道不同時，由納米級金屬顆粒構(gòu)成的金屬網(wǎng)格將產(chǎn)生不同的阻值變化。如果觸壓的力道較大，則由金屬網(wǎng)格形成的壓力感測電極的阻值具有較大的變化量；相反地，如果觸壓的力道較小，則由金屬網(wǎng)格形成的壓力感測電極的阻值具有較小的變化量。因此，藉由測量由金屬網(wǎng)格形成的壓力感測電極的阻值變化量，便可判斷出觸壓的力道。

由于壓力感測電極通常由相同材料制作而成，壓力感測電極的材料選擇應(yīng)考慮的一個重要參數(shù)，即材料的應(yīng)變計因子(Gage Factor；GF)。材料的應(yīng)變計因子(Gage Factor；GF)如下計算方式所示：

GF＝(ΔR/R)/(ΔL/L)；

其中，R為壓力感測電極在未被觸壓時的等效阻值，ΔR為壓力感測電極被觸壓后的阻值變化量，L為壓力感測電極未被觸壓時的線長，ΔL為壓力感測電極被觸壓后的線長變化量。在一實施例中，為了更好的偵測ΔR的大小，壓力感測電極的應(yīng)變計因子GF系大于0.5，用以提供較佳的靈敏度。

請參閱圖1A-1B，本發(fā)明壓力感測輸入裝置第一實施例提供了一種金屬網(wǎng)格壓力感測輸入裝置10，該壓力感測輸入裝置包括一第一基板101，設(shè)置于所述第一基板101表面的一第一導(dǎo)電層103及壓力感測芯片104。其中，該第一導(dǎo)電層103表面包括復(fù)數(shù)條第一壓力感測電極1031，所述第一壓力感測電極1031為M×N等間距矩陣排布。該壓力感測芯片104與所述第一壓力感測電極1031電連接。

所述第一壓力感測電極1031用以感測壓力大小，所述第一壓力感測電極1031由金屬網(wǎng)格形成。所述金屬網(wǎng)格由納米級金屬顆粒構(gòu)成，所述納米級金屬顆粒在受到壓力后相互擠壓導(dǎo)致所述金屬網(wǎng)格電阻發(fā)生變化。所述金屬網(wǎng)格的線寬為1μm-10μm。所述壓力感測芯片104通過檢測所述第一壓力感測電極1031在受到壓力后產(chǎn)生的電阻變化量實現(xiàn)對所述壓力大小的檢測。

所述壓力感測芯片104與所述第一壓力感測電極1031之間通過多條第一電極連接線1032連接，各第一壓力感測電極1031之間通過第一電極連接線1032構(gòu)成回路。

所述第一電極連接線1032的材料不局限為ITO，還可以為透明的納米銀線，納米銅線，石墨烯，聚苯胺，PEDOT:PSS透明導(dǎo)電高分子材料，碳納米管，石墨烯等。

在一些實施例中，所述壓力感測芯片104還可包括惠斯通電橋電路1041，所述惠斯通電橋電路1041對第一壓力感測電極1031的電阻值的改變進(jìn)行信號處理，進(jìn)而使得所述壓力感測芯片104可以更加精確的檢測出外接壓力的大小，從而進(jìn)行后續(xù)不同的控制信號輸出。

在一些實施例中，所述第一壓力感測電極1031也可直接設(shè)置于第一基板101的表面。

請參閱圖1C-1E，本發(fā)明壓力感測輸入裝置第一實施例中所述第一壓力感測電極1031包括靠近所述第一基板101的下部1012及遠(yuǎn)離所述第一基板101的上部1011，其中，所述下部1012的線徑小于所述上部1011的線徑。所述第一壓力感測電極1031的橫截面的形狀可具體為梯形、半弧形、倒三角形或不規(guī)則形狀等。

所述第一壓力感測電極1031的高度為1μm-8μm、更優(yōu)為2μm-6μm，其線寬為1μm-7μm、更優(yōu)為1μm-6μm、更進(jìn)一步優(yōu)選為1μm-5μm。

請參閱圖2，本發(fā)明金屬網(wǎng)格壓力感測輸入裝置第二實施例中提供了一種壓力感測輸入裝置20，其包括第一導(dǎo)電層201。該第一導(dǎo)電層201包括以M×N陣列排布的第一壓力感測電極202，此處以示意方式僅列舉少量的第一壓力感測電極202，在實際產(chǎn)品中，第一壓力感測電極202亦可為以半徑為R(R為大于0的正數(shù))的圓周或矩陣陣列排布，也可以為上述兩種方式的結(jié)合或其他不規(guī)則排布方式，所述第一導(dǎo)電層201還包括壓力感測芯片204。

其中，所述第一壓力感測電極202為繞線式放射狀，且具有兩個端口。所述的每一第一壓力感測電極202搭配有第二電極連接線203，第二電極連接線203包括一發(fā)送線2031及一接收線2032，發(fā)送線2031搭接到第一壓力感測電極202的其中一端部，接收線2032搭接到第一壓力感測電極202的另一端部，且發(fā)送線2031和接收線2032同時導(dǎo)通連接至所述壓力感測芯片204。所述壓力感測芯片204內(nèi)設(shè)置有前述的惠斯通電橋電路2041，發(fā)送線2301、第一壓力感測電極202、接收線2302與惠斯通電橋電路2041形成一可以檢測第一壓力感測電極202阻值變化的導(dǎo)電回路。

所述第二電極連接線203的材料可包括但不受限于：ITO、IZO等金屬氧化物類材料，納米銀線，納米銅線，石墨烯，聚苯胺或其他導(dǎo)電高分子材料之任意一種或其組合。

請參閱圖3A-3B，本發(fā)明金屬網(wǎng)格壓力感測輸入裝置第三實施例中提供了一種壓力感測輸入裝置30，該壓力感測輸入裝置30包括一第一基板31，一第一導(dǎo)電層32及壓力觸控感測芯片34。

所述第一導(dǎo)電層32包括一壓力感測配置區(qū)321和一與壓力感測配置區(qū)321面積互補(bǔ)的第一觸控感測配置區(qū)322，所述復(fù)數(shù)條第一壓力感測電極3211設(shè)置于所述壓力感測區(qū)配置區(qū)321，所述第一觸控感測配置區(qū)區(qū)322內(nèi)設(shè)有復(fù)數(shù)條第一觸控感測電極3221。

具體地，所述第一導(dǎo)電層32的第一壓力感測電極3211為彈簧狀曲線造型，第一壓力感測電極3211與第一觸控感測電極3221不接觸，避免電信號的干擾，彈簧狀曲線造型的第一壓力感測電極3211分布可以大大提高其感應(yīng)外界壓力及形變能力，進(jìn)而提高精確度，為了取得足夠的空間布設(shè)第一壓力感測電極 3211，生產(chǎn)過程中可以將第一觸控感測電極3221的線寬適度縮小，進(jìn)而為第一壓力感測電極3211的布設(shè)提供空間，并且控制第一壓力感測電極3211的線寬小于第一觸控感測電極3221，從而能夠取得較大的形變，產(chǎn)生較大的電阻變化，使得第一壓力感測電極3211達(dá)到較好的感應(yīng)壓力的效果。

所述第一觸控感測電極3221可用于檢測多點觸控。

所述第一觸控感測電極3221由金屬網(wǎng)格形成，所述金屬網(wǎng)格的線寬為1μm-10μm。其中，所述金屬網(wǎng)格也是由納米級金屬顆粒構(gòu)成。

所述壓力觸控感測芯片34還可進(jìn)一步包括惠斯通電橋電路341。

請參閱圖4A，本發(fā)明金屬網(wǎng)格壓力感測輸入裝置第四實施例中提供了一種壓力感測輸入裝置40，該壓力感測輸入裝置40包括一第一導(dǎo)電層41、一支撐該第一導(dǎo)電層41的第一基板42及至少一保護(hù)層43，該第一導(dǎo)電層41上設(shè)有第一壓力感測電極411及第一觸控感測電極412。該保護(hù)層43設(shè)置在第一導(dǎo)電層41上。該保護(hù)層43用于保護(hù)第一導(dǎo)電層41，防止第一導(dǎo)電層41表面氧化、腐蝕等直接暴露在外所產(chǎn)生的一系列損壞而導(dǎo)致導(dǎo)電性降低的問題，有利于保持第一導(dǎo)電層41的平整性，提高其使用壽命。

所述保護(hù)層43的材料可采用高分子材料及氧化物，其具體包括但不限于：聚乙炔、聚苯胺、聚芳撐、聚噻吩、石墨烯、并五苯、聚苯撐乙炔(PPE)、聚對苯撐乙烯(PPV)、聚(3,4-亞乙基二氧吩)(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸(PSS)、聚(3-己基噻吩)(P3HT)、聚(3-辛基噻吩)(P3OT)、聚(芳醚砜)、聚(C-61-丁酸-甲酯)(PCBM)、聚[2-甲氧基-5-(2’-乙基-己氧基)-1,4-苯撐乙烯撐](MEH-PPV)、氮化硅、二氧化硅、類光阻劑等物質(zhì)或它們的任意組合。

請參閱圖4B，本發(fā)明金屬網(wǎng)格壓力感測輸入裝置第四實施例提供的又一種壓力感測輸入裝置40’,該壓力感測輸入裝置40’包括一第一導(dǎo)電層41、一支撐第一導(dǎo)電層41的第一基板42及至少一光學(xué)匹配層44。該第一導(dǎo)電層41上設(shè)有第一壓力感測電極411及第一觸控感測電極412。該光學(xué)匹配層44設(shè)置在第一基板42下表面，與設(shè)置在第一基板42上表面的第一導(dǎo)電層41相對應(yīng)設(shè)置(此處及后述的“上”或“下”為相對位置，并非絕對定義，同時可以理解為上表面顛倒時也即成為下表面)。

該光學(xué)匹配層44為一層低折射率的光學(xué)膜，其可以降低納米級金屬顆粒的反射。所述低折射率為折射率小于1.6，優(yōu)選為1.1-1.6，如1.1，1.25，1.32，1.38，1.46，1.50，1.52。

在另外的變形實施例中，所述光學(xué)匹配層44的位置不受限制，可以放置在壓力感測輸入裝置40’中的任意位置。

請參閱圖4C，本發(fā)明金屬網(wǎng)格壓力感測輸入裝置第四實施例提供的又一種壓力感測輸入裝置40”,該壓力感測輸入裝置40”包括一第一導(dǎo)電層41、一支撐第一導(dǎo)電層41的第一基板42及一保護(hù)蓋板45，該第一導(dǎo)電層41上設(shè)有第一壓力感測電極411及第 一觸控感測電極412。所述保護(hù)蓋板45設(shè)置在第一導(dǎo)電層41上，用于保護(hù)第一導(dǎo)電層41上的第一壓力感測電極411及第一觸控感測電極412。

所述保護(hù)蓋板45還可以添加于本實施例中任一種壓力感測輸入裝置40或壓力感測輸入裝置40’中，還可進(jìn)一步設(shè)置于本發(fā)明第一至第三實施例中任一壓力感測輸入裝置中。

其中，在本實施例中，該第一觸控感測電極412的高度為1μm-6μm，優(yōu)選為2μm-5μm，其線寬為1μm-12μm，更優(yōu)選為1μm-10μm。

請參閱圖5，本發(fā)明金屬網(wǎng)格壓力感測輸入裝置第五實施例提供一種壓力感測輸入裝置50，該壓力感測輸入裝置50包括保護(hù)蓋板51、第一基板53、第二基板56及分別形成在第一基板53和第二基板56上的第一導(dǎo)電層52和第二導(dǎo)電層55，保護(hù)蓋板51具有一第一表面和一第二表面，且第一表面和第二表面相對設(shè)置，第一表面供使用者給于按壓動作。第一導(dǎo)電層52位于保護(hù)蓋板51和第一基板53之間。第一導(dǎo)電層52包括第一壓力感測電極521和第一觸控感測電極522，該第一壓力感測電極521由金屬網(wǎng)格形成，第二導(dǎo)電層55包括間隔均勻設(shè)置的第二觸控感測電極551。當(dāng)使用者施加一觸壓動作給保護(hù)蓋板51，作用力傳遞到保護(hù)蓋板51之下的第一導(dǎo)電層52中第一壓力感測電極521，引起該第一壓力感測電極521的形變，從而引起電阻變化，該電阻變化通過壓力感測芯片(圖未示)處理從而確定壓力的大小。此外，當(dāng)使用者的手指靠近時，影響了第一觸控感測電極522和第二觸控感測電極551之間的電容耦合，從而通過相應(yīng)芯片處理可檢測出手指觸摸的相應(yīng)位置。綜上所述，通過第一導(dǎo)電層52對應(yīng)第一壓力感測電極521和第一觸控感測電極522，以及第二導(dǎo)電層55中對應(yīng)的第二觸控感測電極551感測出觸壓動作的位置及觸壓的力量，可利用不同的觸壓力量實現(xiàn)不同的功能操作，這樣的設(shè)計可以極大的提高用戶使用產(chǎn)品的體驗度和滿意度。

第一觸控感測電極522、第二觸控感測電極551的材料可以為氧化銦錫(ITO)，還可以為納米銀線，納米銅線，石墨烯，聚苯胺，PEDOT(聚噻吩的衍生物聚乙撐二氧噻吩):PSS(聚苯乙烯磺酸鈉)透明導(dǎo)電高分子材料，碳納米管，石墨烯等。

在另外的實施例中，該第一觸控感測電極522也為由金屬網(wǎng)格形成，其通過與由金屬網(wǎng)格形成的第一壓力感測電極521在同一制程中形成，因而，減少了制程的工序，降低成本。

在另外的實施例中，所述的第二導(dǎo)電層55上還可同時設(shè)置第二壓力感測電極(圖未示)及第二觸控感測電極551，也可以單獨設(shè)置第二壓力感測電極(圖未示)。在另外的實施例中，所述第一壓力感測電極521及第二壓力感測電極(圖未示)能實現(xiàn)多點壓力偵測。

請參閱圖6A-6B，本發(fā)明金屬網(wǎng)格壓力感測輸入裝置第六實施例與第三實施例的區(qū)別在于：在本實施例中壓力感測輸入裝置60的第一導(dǎo)電層603包括第一觸控感測電極6031及第一壓力感測電極6021，所述第一觸控感測電極6031可進(jìn)一步包括交錯 互補(bǔ)間隔設(shè)置的第一方向觸控感測電極6013及第二方向觸控感測電極6014。第一導(dǎo)電層603還包括第一觸控感測配置區(qū)604及第一壓力感測配置區(qū)605。第一方向觸控感測電極6013和第二方向觸控感測電極6014形成在第一觸控感測配置區(qū)604，第一壓力感測電極6021形成在第一壓力感測配置區(qū)605。

為了有足夠的空間布設(shè)第一壓力感測電極6021，第一觸控感測電極6031(即第一方向觸控感測電極6013和第二方向觸控感測電極6014)在第一基板602上所占的空間要相對縮小。

第一方向觸控感測電極6013和第二方向觸控感測電極6014分別包括多個沿第二方向延伸的第一方向觸控感測電極凸出部60131和第二方向觸控感測電極凸出部60141，第一方向觸控感測電極6013及第二方向觸控感測電極6014彼此交叉互補(bǔ)，第一方向觸控感測電極凸出部60131和第二方向觸控感測電極凸出部60141間隔設(shè)置，形成交錯互補(bǔ)的圖形，設(shè)置在壓力感測配置區(qū)605中的第一壓力感測電極6021曲線彎折狀設(shè)置在第一方向觸控感測電極6013和第二方向觸控感測電極6014交叉互補(bǔ)后形成的相應(yīng)的間隙中，第一壓力感測電極6021與第一方向觸控感測電極6013、第二方向觸控感測電極6014不接觸，從而可以有效避免電信號的干擾，而曲線造型分布的第一壓力感測電極6021可以大大提高其感應(yīng)外界壓力及形變能力，進(jìn)而提高其感測的精確度，為了取得足夠的空間布設(shè)第一壓力感測電極6021及取得較大的電阻變化，生產(chǎn)過程中可以將第一方向觸控感測電極6013和第二方向觸控感測電極6014的線寬適度縮小并且控制第一壓力感測電極6021的線寬小于第一方向觸控感測電極6013和第二方向觸控感測電極6014的線寬，優(yōu)選第一壓力感測電極6021的線寬為第一方向觸控感測電極6013或第二方向觸控感測電極6014的線寬0.5-0.8倍。第一方向觸控感測電極凸出部60131和第二方向觸控感測電極凸出部60141的數(shù)量形狀及其分布不限。

第一電極連接線6015分別從使第一壓力感測電極6021兩端引出，連接到壓力感測芯片(圖未示)，第一電極連接線6015的材料不局限為ITO，還可以為銀顆粒、納米銀、IZO(ZnO:In)、AZO(ZnO:Al)、GZO(ZnO:Ga)、IGZO(In:Ga:Zn)、納米銅線、石墨烯、聚苯胺、PEDOT/PSS透明導(dǎo)電高分子材料/碳納米管/石墨烯等，此時第一基板602至少兩邊可以做成無邊框設(shè)計，得到無邊框觸控輸入裝置。

在本實施例中，可實現(xiàn)在同一層導(dǎo)電層(如第一導(dǎo)電層603)上實現(xiàn)觸控位置與壓力的同時感測，且可在一次印刷中同時完成第一觸控感測電極6031(包括第一方向觸控感測電極6013及第二方向觸控感測電極6014)和第一壓力感測電極6021的制作，大大簡化了制程，降低了成本。

請參閱圖7A-7B，本發(fā)明第七實施例提供了一種壓力感測輸入裝置70，該壓力感測輸入裝置70包括一第一基板71及設(shè)置在第一基板71上的第一導(dǎo)電層72，所述第一導(dǎo)電層72包括第一觸控感測電極702、第一壓力感測電極703及第一絕緣結(jié)構(gòu)725，該 第一觸控感測電極702包括第一方向觸控感測電極721與第二方向觸控感測電極723，第一壓力感測電極703包括第一方向壓力感測電極722與第二方向壓力感測電極724，。其中，該第一方向觸控感測電極721可分為第一部分及第二部分，第一部分及第二部分位于該第一絕緣結(jié)構(gòu)725相對應(yīng)的兩側(cè)，且該第一方向觸控感測電極721為交錯分布；該第一方向壓力感測電極722可分為第一部分及第二部分，第一部分及第二部分分別位于該第一絕緣結(jié)構(gòu)725相對應(yīng)的兩側(cè)，且該第一方向壓力感測電極722為交錯分布；該第二方向觸控感測電極723可分為第一部分及第二部分，第一部分及第二部分位于該第一絕緣結(jié)構(gòu)725相對應(yīng)的兩側(cè)，且第二方向觸控感測電極723為交錯分布；第二方向壓力感測電極724可分為第一部分及第二部分，第一部分及第二部分位于該第一絕緣結(jié)構(gòu)725相對應(yīng)的兩側(cè)，且該第二方向壓力感測電極724為交錯分布。

具體來說，本實施例中第一方向觸控感測電極721的第一觸控感測導(dǎo)接段7211與第一方向壓力感測電極722的第一連接段7221相互連接，且第二方向觸控感測電極723的第二觸控感測導(dǎo)接段7231與第二方向壓力感測電極724的第二連接段7241相互連接，即第一方向觸控感測電極721與第一方向壓力感測電極722之間以及第二方向觸控感測電極723與第二方向壓力感測電極724之間不必維持電性絕緣。在部分實施方式中，第一連接段7221與第一觸控感測導(dǎo)接段7211可為一體式結(jié)構(gòu)，第二連接段7241與第二觸控感測導(dǎo)接段7231為一體式結(jié)構(gòu)，但其實施方式不以此為限。

當(dāng)然，在其他實施例中，第一壓力感測電極703和第一觸控感測電極702不一定是交錯排布，也可將相應(yīng)第一壓力感測電極703和第一觸控感測電極702呈對稱的方式設(shè)置，并不以此為限，任何位置的變化均屬于本發(fā)明范圍。

在其他實施例中，所述該壓力感測輸入裝置70還可包括第二導(dǎo)電層(圖未示)，該第二導(dǎo)電層上設(shè)有如本實施例中所述第一導(dǎo)電層72中一致的第二壓力感測電極(圖未示)及第二觸控感測電極(圖未示)。

在本實施例中，造第一基板71的第一導(dǎo)電層72上實現(xiàn)觸控感應(yīng)與壓力感測，一方面，可以節(jié)省制備的材料，使得壓力感測輸入裝置整體的厚度得以減薄，另一方面，第一壓力感測電極703與第一觸控感測電極702在同一平面上，還可以防止壓力感測輸入裝置在執(zhí)行壓力觸控感測時相互影響，從而保證壓力值感測與觸控感應(yīng)的精準(zhǔn)度。

請參閱圖8A，本發(fā)明第八實施例提供了一種壓力感測輸入裝置80，該納米銀線壓力感測輸入裝置80為結(jié)合了具有第一壓力感測電極811的壓力感測輸入裝置80的單層架橋結(jié)構(gòu)，其中，該所述壓力感測輸入裝置80將第一壓力感測電極811設(shè)計成與單層架橋結(jié)構(gòu)中的電極共面。所述第一導(dǎo)電層810包括第一觸控感測配置區(qū)82及第一壓力感測配置區(qū)83。所述第一觸控感測電極812設(shè)置在所述第一觸控感測配置區(qū)82內(nèi)，相鄰第一觸控感測 電極812之間交錯互補(bǔ)且存在一定間距，所述第一壓力感測電極811設(shè)置在第一觸控感測電極812之間的第一壓力感測配置區(qū)83，所述第一壓力感測電極811可為一定線寬的不規(guī)則線條，所述第一壓力感測電極811不限定于折線，其還可以是曲線等。

在本實施例中，具有第一壓力感測電極811的壓力感測輸入裝置80包括第一基板81及設(shè)置在所述第一基板81上的第一導(dǎo)電層810，該第一導(dǎo)電層810包括若干個等間距排布的第一觸控感測電極812及設(shè)置在第一觸控感測電極812之間的第一壓力感測電極811。所述第一壓力感測電極811可為一個或以上。更進(jìn)一步地，所述第一壓力感測電極811可設(shè)置在第一觸控感測電極812之間的第一壓力感測配置區(qū)83。其中，該第一觸控感測電極812可分為第一方向觸控感測電極813及第二方向觸控感測電極814，該第一方向觸控感測電極813與第二方向觸控感測電極814之間通過連接絕緣塊815橋接。所述第一觸控感測電極812與第一壓力感測電極811之間互不接觸，可以避免干擾。

在本實施例中，第一觸控感測電極812與第一壓力感測電極811排布形成一個均勻分布的電極圖形。在按壓的時候，第一壓力感測電極811除了有物理形變，納米銀線之間也會因為壓力彼此靠近，從而導(dǎo)致電阻發(fā)生變化，這樣的設(shè)計可以有效提高觸壓動作所帶來的電阻值變化的顯著程度。

此外，在本實施例中，在同一第一基板81的同一第一導(dǎo)電層810上同時實現(xiàn)觸控感測與壓力感測，且可在一次印刷中同時完成第一觸控感測電極812和第一壓力感測電極811的制作，從而簡化制程，降低制作成本。

如圖8B中所示，本發(fā)明壓力感測輸入裝置第八實施例的又一變形實施例中，提供一種壓力感測輸入裝置80’，其與所述壓力感測輸入裝置80的區(qū)別在于：第一導(dǎo)電層810上第一壓力感測配置區(qū)83分布在的第一觸控感測配置區(qū)82的四周，第一壓力感測配置區(qū)83內(nèi)設(shè)置的第一壓力感測電極821與第一觸控感測配置區(qū)82內(nèi)設(shè)置的第一觸控感測電極812之間互不接觸且形狀互補(bǔ)。

在另外的變形實施例中，所述第一壓力感測電極821的數(shù)量、形狀、分布不受限制。

請參閱圖9，本發(fā)明第九實施例提供了一種壓力感測輸入裝置的制造方法，以下所涉及的標(biāo)識符號請參開本發(fā)明第三實施例圖3A-3B，其具體包括以下的步驟：

步驟S1：提供第一基板31；及

步驟S2：在第一基板31的其中一表面上形成具有復(fù)數(shù)條壓力感測電極3211的第一導(dǎo)電層32；

所述壓力感測電極3211由金屬網(wǎng)格形成。

其中，所述步驟S2進(jìn)一步包括在所述第一導(dǎo)電層32上形成面積互補(bǔ)的第一壓力感測配置區(qū)321及第一觸控感測配置區(qū)3222，所述壓力感測電極3211設(shè)于所述第一壓力感測配置區(qū)321中，所述第一觸控感測配置區(qū)322內(nèi)設(shè)有復(fù)數(shù)條第一觸控感測電極3221。

采用本發(fā)明第九實施例中所述的方法可以實現(xiàn)在同一層上制備獲得第一壓力感測電極3211及第一觸控感測電極3221。

在上述的步驟S1中，第一基板31為整個壓力感測輸入裝置30提供支撐，其中，所述第一基板31的水滴角的角度為0°-30°，更優(yōu)選的小于0°-10°。

上述的第一基板31可包括但不受限于:剛性基板，如玻璃，強(qiáng)化玻璃，藍(lán)寶石玻璃等；也可以是柔性基板，如PEEK(polyetheretherketone，聚醚醚酮)、PI(Polyimide，聚酰亞胺)、PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PC(polycarbonate，聚碳酸酯聚碳酸酯)、PES(polyethyleneglycol succinate，聚丁二酸乙二醇酯)、PMMA(polymethylmethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)、PVC(Polyvinyl chloride，聚氯乙烯)、PP(Polyproy lene，聚丙烯)及其任意兩者的復(fù)合物等材料。其中，所述第一基板31還可為偏光片或濾光片基板。

步驟S2可以采用壓印法做成，如圖10A-10D，其包括：

步驟S211，在第一基板1002上形成壓印膠層1001；

步驟S212，在壓印膠層1001上制作出相應(yīng)的圖案化凹槽1003；

步驟S213，在上述圖案化凹槽1003中填充導(dǎo)電材料；及

步驟S214，固化上述圖案化凹槽1003內(nèi)的導(dǎo)電材料。

如圖10B所示，步驟S211即于第一基板1002的上表面或下表面涂布壓印膠，從而形成壓印膠層(此處及后述的“上”或“下”為相對位置，并非絕對定義，同時可以理解為上表面顛倒時也即成為下表面)。該壓印膠可包括但不受限于無溶劑的紫外固化亞克力樹脂、紫外固化丙烯酸酯類膠及聚碳酸酯。該壓印膠層1001的厚度為2μm-25μm，更優(yōu)為3μm-20μm。

如圖10C所示，步驟S212，即在壓印膠層1001上制作出相應(yīng)的圖案化凹槽1003。該圖案化凹槽1003的深度應(yīng)小于壓印膠層1001的厚度。該圖案化凹槽1003的寬度為500nm-10μm，更優(yōu)為1μm-10μm。該圖案化凹槽1003的深度為2μm-11μm，更優(yōu)為2μm-5μm。該圖案化凹槽1003的深度/寬度的比值為0.5-2。

該圖案化凹槽1003中還包括壓力感測電極網(wǎng)格圖案凹槽1004及觸控感測電極網(wǎng)格圖案凹槽1005，為了使壓力感測電極1006獲得更大的形變量，其中，壓力感測電極網(wǎng)格圖案凹槽1004的深度大于觸控感測電極網(wǎng)格圖案凹槽1005的深度，壓力感測電極網(wǎng)格圖案凹槽1004的深度為2μm-6μm，線寬為1μm-7μm、更優(yōu)為1μm-6μm、更進(jìn)一步優(yōu)選為1μm-5μm，觸控感測電極網(wǎng)格圖案凹槽1005的深度為1μm-5μm，線寬為2μm-10μm、更優(yōu)為2μm-6μm。

如圖10D所示，步驟S213，即在上述圖案化凹槽1003中填充導(dǎo)電材料，具體為形成圖案化的若干個壓力感測電極1006，及圖案化相互連通的若干個觸控感測電極1007。導(dǎo)電材料均勻填設(shè)于圖案化凹槽1003的底部并相互連通。

所述導(dǎo)電材料中還可加入暗色物質(zhì)添加劑顆粒。其中，所述暗色物質(zhì)添加劑顆?？砂▉單⒚准?粒度直徑為100nm-1μm) 的碳粉、鐵粉、氧化鐵或氧化銅中的至少一種或幾種的組合。所述暗色添加劑顆粒的粒徑為20nm-800nm，其粒徑還可進(jìn)一步優(yōu)選為40nm-600nm，更優(yōu)為50nm-500nm。所述暗色添加劑顆粒占導(dǎo)電材料的重量百分比的范圍為5％-40％，其范圍優(yōu)選為10％-35％，更優(yōu)選為10％-30％。

步驟S214，即固化圖案化凹槽內(nèi)的導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電網(wǎng)格圖案。采用紫外光固化導(dǎo)電材料，紫外光固化的波長優(yōu)選為400nm。

在某些情況下(如溢膠、平整度不佳等)，還可選擇進(jìn)行拋光工藝。去除透明絕緣層(圖未示)表面多余的導(dǎo)電材料，只保留圖案化凹槽(圖未示)中的導(dǎo)電材料，從而形成第一導(dǎo)電層1008；該拋光工藝可以采用機(jī)械拋光、化學(xué)電解或化學(xué)腐蝕中的任意一種或其組合。

請參閱圖11A-11C，系步驟S2的一變形方案，即在第一基板1002的上表面與下表面上同時涂布形成壓印膠層1001，對壓印膠層1001進(jìn)行壓印形成圖案化凹槽1003，在上述圖案化凹槽1003中填充導(dǎo)電材料后，在第一基板1002的上表面與下表面的壓印膠層1001中形成多個由導(dǎo)電材料(如金屬)制成的細(xì)線(金屬細(xì)線)構(gòu)成的網(wǎng)格而形成了相互連通的若干個壓力感測電極1006及圖案化相互連通的若干個第一觸控感測電極1007。

請參閱圖12，本發(fā)明第十實施例提供了又一種壓力感測輸入裝置的制造方法，其與本發(fā)明第九實施例的不同之處在于，步驟S2’中可具體包括以下步驟：

S221，在第一基板1002的上下表面形成感光性銀鹽乳劑層；

S222，對感光性銀鹽乳劑層中感光材料進(jìn)行曝光處理；及

S223，對曝光后的感光材料進(jìn)行顯影處理。

在步驟S221中，制作長條的感光材料，在第一基板1002的其中一表面形成第一感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)，而在第一基板1002的另一表面形成第二感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)。

其中，感光材料包括感光銀鹽和粘接劑，還包括溶劑和染料等添加劑。所述感光材料用于形成的感光性鹵化銀乳化劑層。

該感光材料中的感光銀鹽還可使用無機(jī)銀鹽，如氯化銀、溴化銀和碘化銀及醋酸銀等有機(jī)銀鹽。在本實施例中，優(yōu)選為光傳感器特性優(yōu)良的鹵化銀。

其中，所述粘接劑包括但不限受限于如下材料：明膠、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、淀粉等多糖類、纖維素及其誘導(dǎo)體、聚環(huán)氧乙烷、聚乙烯胺、脫乙酰殼多糖、多熔素、聚丙烯酸、聚藻酸、透明質(zhì)酸、羧基纖維素等。

所述第一感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)及第二感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)形成過程中所使用的溶劑沒有特別限定，可以包括但不受限于：水、有機(jī)溶劑(如甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲酰胺等酰胺類、二甲基亞砜等亞砜類、乙酸乙酯等酯類)、離子性液體及其任意組合的混合溶劑。上述溶劑的含有量，相對于第一感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)或第二感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)所含的鹵化銀鹽、粘接劑等的合計的質(zhì)量， 所述溶劑的質(zhì)量百分比范圍為30-90％、優(yōu)選為50-80％。

對于其它添加劑，沒有特別限制，可以擇優(yōu)選擇公知的添加劑使用。

在步驟S222中，對上述的在第一基板1002兩個相對應(yīng)的表面形成的第一感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)及第二感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)的感光材料進(jìn)行曝光。

為了避免對感光材料從單側(cè)進(jìn)行曝光會影響另一單側(cè)的圖像形成，限制射向第一感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)的光向第二感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)背面的光透射(或射向第一感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)的光向第二感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)背面透射)，第一、第二感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)的厚度分別設(shè)定為1μm-4μm，更優(yōu)為1μm-3μm，其上限值優(yōu)選2.5μm。此外，由于鹵化銀自身可吸收光，通過將第一、第二感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)的涂敷銀量規(guī)定為5-20g/m²，也可以限制上述的光透射問題。

進(jìn)一步地，為了防止附著在薄膜(film)表面上的塵埃等帶來的曝光妨礙所引起的圖像缺陷問題出現(xiàn)，采用現(xiàn)有解決上述圖像缺陷問題方法中，在薄膜上涂敷導(dǎo)電性物質(zhì)的方法會殘留金屬氧化物，進(jìn)而會損害最終制品的透明性且使制品不穩(wěn)定，帶來導(dǎo)電性高分子在保存方面的問題。而本實施例中通過調(diào)整感光性鹵化銀乳劑層中感光銀鹽(如鹵化銀)與粘接劑之間的比例，以減少薄膜表面對塵埃等小顆粒雜質(zhì)的吸附力。其中，感光銀鹽(如鹵化銀)與粘接劑的體積比大于1:1、優(yōu)選為大于2:1。

在步驟S223中，通過對曝光后的感光材料進(jìn)行顯影處理，從而在第一基板1002上制作得到導(dǎo)電網(wǎng)格圖案。其中，對第一感光性鹵化銀乳劑層及第二感光性鹵化銀乳劑層的曝光時間及顯影時間可根據(jù)光源的種類和顯影液的種類等變化而變化，所以無法確定優(yōu)選的數(shù)值范圍，但可調(diào)整成顯影率為100％的曝光時間及顯影時間。

在本實施例中，在第一感光性鹵化銀乳劑層及第二感光性鹵化銀乳劑層之上還可設(shè)置保護(hù)層(圖未示)，該保護(hù)層是指明膠、高分子聚合物這些粘接劑構(gòu)成的層，可以有效防止擦傷，并改良力學(xué)特性。此外，在銀鹽乳劑層之下，例如可以設(shè)置下涂層。

在本實施例中，在第一感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)及第二感光性鹵化銀乳劑層(圖未示)之上還可形成光學(xué)匹配層(圖未示)，該光學(xué)匹配層(圖未示)使其具有保護(hù)層的效果，又能夠減少電極網(wǎng)格的光學(xué)反射。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，首先，本發(fā)明中提供了一種壓力感測輸入裝置，所述的壓力感測輸入裝置包括由金屬網(wǎng)格形成的復(fù)數(shù)條壓力感測電極，其中，所述金屬網(wǎng)格由納米級金屬顆粒構(gòu)成，其在受到壓力后相互擠壓導(dǎo)致所述金屬網(wǎng)格電阻發(fā)生變化。與現(xiàn)有技術(shù)中采用ITO材料制備感應(yīng)電極相比，本發(fā)明中的金屬網(wǎng)格在受到壓力時能夠產(chǎn)生更大的形變。而在本發(fā)明中，當(dāng)使用 者施加一觸壓動作，作用力傳遞到壓力感測電極后，壓力感測電極產(chǎn)生相應(yīng)動作，金屬網(wǎng)格相應(yīng)發(fā)生物理形變，此外，由于構(gòu)成壓力感測電極的金屬網(wǎng)格由納米級金屬顆粒形成，納米級金屬顆粒在受力過程中，納米級金屬顆粒與顆粒之間也會帶來微觀空間位置的變化，與物理形變共同作用，帶來更為顯著的電阻值變化，由壓力感測輸入裝置中的壓力感測芯片對信號進(jìn)行處理，從而計算獲得觸壓動作的位置及觸壓的力量大小，并進(jìn)一步實現(xiàn)不同的觸壓力量可實現(xiàn)的不同的功能操作。

本發(fā)明創(chuàng)新性地采用金屬網(wǎng)格制備壓力感測電極，有效將金屬網(wǎng)格的電阻特性及納米級金屬顆粒的受壓后微觀空間位置的變化特點相結(jié)合，從而獲得一種具有高靈敏度及精準(zhǔn)度壓力感測的壓力感測輸入裝置，這樣的設(shè)計可以極大的提高用戶使用產(chǎn)品的體驗度和滿意度。

本發(fā)明中由金屬網(wǎng)格構(gòu)成的壓力感測電極中靠近基板的壓力感測電極下部的線徑小于遠(yuǎn)離基板的壓力感測電極的上部的線徑，且所述壓力感測電極的橫截面的形狀可為半弧形、倒三角形、梯形等，這樣的設(shè)置有利于應(yīng)力集中，以使壓力感測電極在“觸”和“壓”過程中的電阻值的變化更為顯著。

在本發(fā)明所提供的由金屬網(wǎng)格構(gòu)成的壓力感測輸入裝置中，在一個導(dǎo)電層(如第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層)上可同時形成金屬網(wǎng)格圖案化的壓力感測電極及觸控感測電極，從而在一個導(dǎo)電層(如第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層)中實現(xiàn)壓力檢測及觸控位置檢測的功能。其中，壓力感測電極可以根據(jù)手指按壓壓力感測觸控屏，造成壓力感測電極發(fā)生微觀形變而造成阻值的變化，然后與觸控感測電極共同作用，通過壓力感測芯片偵測該阻值變化大小從而可以準(zhǔn)確判定按壓力度的大小，可以兼顧二維坐標(biāo)和三維觸壓力度的精準(zhǔn)檢測。

本發(fā)明所提供由金屬網(wǎng)格構(gòu)成的壓力感測輸入裝置中可包括兩層及以上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層可包括壓力感測電極與觸控感測電極中的至少一種。所述的壓力感測輸入裝置還可進(jìn)一步包括保護(hù)層和/或光學(xué)匹配層和/或保護(hù)蓋板，從而可以根據(jù)需求獲得性能更佳的壓力感測輸入裝置。其中，當(dāng)壓力感測電極與觸控感測電極在同一層壓力感測輸入裝置時，相較于傳統(tǒng)的壓力感測外貼在觸控屏的結(jié)構(gòu)，壓力感測輸入裝置的厚度更小，成本更低。而且在整合的時候，壓力感測電極與觸控感測電極分別位于面積互補(bǔ)的第一壓力感測配置區(qū)域和第一觸控感測配置區(qū)，從而可實現(xiàn)在降低壓力感測輸入裝置厚度的同時降低其可視性的效果。

本發(fā)明所提供的壓力感測輸入裝置中，所述金屬網(wǎng)格壓力感測電極的線寬小于觸控感測電極的線寬，在單位面積內(nèi)，壓力感測電極的線長大于觸控感測電極的線長，可進(jìn)一步使施加的作用力集中，從而使金屬網(wǎng)格壓力感測電極獲得更大的形變，從而提高觸控位置與壓力感測的精準(zhǔn)度和靈敏度。

本發(fā)明中還提供了一種由金屬網(wǎng)格構(gòu)成的壓力感測輸入裝置的制備方法，可實現(xiàn)在同一基板上同時制備壓力感測電極及 觸控感測電極，從而大大簡化制程，降低制作的成本。本發(fā)明中用于制造壓力感測輸入裝置的金屬網(wǎng)格的納米級金屬顆粒中可加入粒徑大小為50nm-500nm的暗色物質(zhì)添加劑顆粒，由于暗色物質(zhì)添加劑顆粒加入，可以有效減少金屬網(wǎng)格中納米級金屬顆粒的光線反射，降低其可視性。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的原則之內(nèi)所作的任何修改，等同替換和改進(jìn)等均應(yīng)包含本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。