本發(fā)明涉及觸控面板及其制造方法，且特別系有關(guān)于一種具有對位標(biāo)記的觸控面板及其制造方法。

背景技術(shù)：

近年來，觸控方式逐漸成為最主要的輸入方式，被廣泛應(yīng)用在各種電子產(chǎn)品中，例如手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)或掌上型個(gè)人計(jì)算機(jī)等。這些觸控裝置所采用的觸控面板通常包括基板與形成于基板上的組件，如感測電極及觸控訊號導(dǎo)線等，通常，形成組件的基板需要與一蓋板貼合，蓋板上通常分為可視區(qū)和環(huán)繞可視區(qū)的非可視區(qū)。然而，基板的對位標(biāo)記系位于對應(yīng)蓋板的非可視區(qū)，對位標(biāo)記容易被上述黑色遮蔽層擋住，因此需先將兩個(gè)相距甚遠(yuǎn)的基板及蓋版以兩個(gè)觀測組件分別對位測距，再貼合。然而，此方法會(huì)有三次造成誤差的機(jī)會(huì)，分別為對兩個(gè)基板對位的誤差，以及貼合兩基板時(shí)移動(dòng)基板的誤差，以上誤差導(dǎo)致無法精準(zhǔn)對位。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對上述問題，業(yè)界仍須一種可更進(jìn)一步提高制程良率的觸控面板及其制造方法。本發(fā)明提供一種觸控面板，包括：第一基板，具有第一區(qū)間及設(shè)于第一區(qū)間周圍的第二區(qū)間，其中第一區(qū)間中具有至少一對位標(biāo)記；以及第二基板，設(shè)于第一基板上，且第二基板包括：一遮蔽層，設(shè)于第二基板上，且遮蔽層系對應(yīng)第一基板的第二區(qū)間設(shè)置，該遮蔽層包括鄰近該對位標(biāo)記的一第一側(cè)邊及第二側(cè)邊，其中該第一側(cè)邊與該第二側(cè)邊位于構(gòu)成一轉(zhuǎn)角

本發(fā)明更提供一種觸控面板的制造方法，包括：提供第一基板，第一基板包括對位標(biāo)記；提供第二基板，第二基板包括：一遮蔽層，設(shè)于第二基板的表面的周圍上，且遮蔽層具有至少一轉(zhuǎn)角；對向設(shè)置第一基板與第二基板，使第一基板與第二基板相距第三距離；以單一觀測組件同時(shí)觀測第一基板的對位標(biāo)記及第二基板的轉(zhuǎn)角，以將第一基板與第二基板對位；以及于對位第一基板與第二基板后，貼合第一基板與第二基板。

以上結(jié)構(gòu)及其方法可以僅以單一個(gè)觀測組件同時(shí)觀測第一基板的對位標(biāo)記及第二基板的轉(zhuǎn)角，而非如傳統(tǒng)的方法系以兩個(gè)觀測組件分別觀察觀測第一基板的對位標(biāo)記及第二基板的轉(zhuǎn)角或一個(gè)觀測單元分兩次觀測再進(jìn)行對位。

為讓本發(fā)明的特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1A系顯示根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例所述的觸控面板的剖面圖。

圖1B系顯示根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例所述的觸控面板的上視圖。

圖2系顯示根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例所述的觸控面板的制造方法其中一步驟的第一基板及第二基板的上視圖。

圖3A系顯示根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例所述的觸控面板的制造方法其中一步驟的第一基板及第二基板的剖面圖。

圖3B系顯示根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例所述的觸控面板的制造方法其中一步驟的第一基板及第二基板的上視圖。

圖4系本發(fā)明對位標(biāo)記的不同形態(tài)。

圖5系本發(fā)明實(shí)施例的第一基板的上視圖。

圖6A-6C系本發(fā)明的不同實(shí)施例。

圖7A系本發(fā)明另一實(shí)施例的第一基板的上視圖。

圖7B系沿著圖7A的線段7B-7B’所繪制的剖面圖。

100 觸控面板；

102 第一基板；

104 第二基板；

108 對位標(biāo)記；

108A 對位標(biāo)記；

108B 對位標(biāo)記；

108C 對位標(biāo)記；

108D 對位標(biāo)記；

108L 長度；

108W 寬度；

112 遮蔽層；

114 轉(zhuǎn)角；

116A 第一區(qū)間；

116B 第二區(qū)間；

118 觀測組件；

120 正方形區(qū)域；

122A 第一軸向感應(yīng)電極；

122B 第二軸向感應(yīng)電極；

122B1 第二軸向感應(yīng)電極；

122B2 第二軸向感應(yīng)電極；

124 連接線；

126 橋接結(jié)構(gòu)；

128 虛置電極；

130 絕緣層；

130A 絕緣部；

130B 絕緣塊；

132 膠黏層；

134 鏤空網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；

S1 第一側(cè)邊；

S2 第二側(cè)邊；

D1 距離；

D2 距離；

D3 距離；

L 邊長；

X1 第一軸向；

X2 第二軸向；

6A-6A’ 線段；

7B-7B’ 線段。

具體實(shí)施方式

以下針對本發(fā)明的觸控面板及其制造方法作詳細(xì)說明。應(yīng)了解的是，以下的敘述提供許多不同的實(shí)施例或例子，用以實(shí)施本發(fā)明的不同樣態(tài)。以下所述特定的組件及排列方式僅為簡單清楚描述本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅用以舉例而非本發(fā)明的限定。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有 任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸的情形?；蛘?，亦可能間隔有一或更多其它材料層的情形，在此情形中，第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。

本發(fā)明實(shí)施例系以將對位標(biāo)記設(shè)置于可視區(qū)中，如此可以通過單一觀測組件同時(shí)觀測第一基板的對位標(biāo)記及第二基板的轉(zhuǎn)角的方式，將第一基板與第二基板對位。如此可大幅提升基板對位的精準(zhǔn)度。

首先參見第1A-1B圖，其中圖1A系顯示根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例所述的觸控面板的剖面圖，而圖1B系顯示根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例所述的觸控面板的上視圖。如第1A-1B圖所示，本發(fā)明的觸控面板100包括第一基板102，一設(shè)于第一基板102上的第二基板104，一膠黏層132設(shè)置于第一基板102和第二基板104之間。所述第一基板102具有第一區(qū)間116A及設(shè)于第一區(qū)間116A周圍的第二區(qū)間116B。此第一區(qū)間116A中具有至少一對位標(biāo)記108。第二基板104相對于第一基板102的一側(cè)設(shè)置一遮蔽層112，以定義出觸控面板100的一可視區(qū)和一非可視區(qū)，且非可視區(qū)對應(yīng)第一基板102的第二區(qū)間116B，可視區(qū)對應(yīng)第一基板102的第一區(qū)間116A。

相較于傳統(tǒng)第一基板的對位標(biāo)記系對應(yīng)第二基板的遮蔽層設(shè)置，本發(fā)明的對位標(biāo)記108系設(shè)于未對應(yīng)至遮蔽層112的區(qū)域(亦即第一區(qū)間116A)，且由后文可知，相較于傳統(tǒng)的觸控面板，本發(fā)明的觸控面板可大幅降低對位誤差，例如，在一些實(shí)施例中，本發(fā)明的對位誤差可為0.1mm以下，例如為0.05mm以下。

參見圖2，該圖系顯示根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例所述的觸控面板100的制造方法其中一步驟的第一基板102及第二基板104的上視圖。如圖2所示，首先提供一第一基板102及一第二基板104。在一實(shí)施例中，第一基板102為感應(yīng)基板， 第二基板104為蓋板。第一基板102可為透明基板，且第一基板102的第一區(qū)間116A上設(shè)有對位標(biāo)記108，而第二基板104可為透明基板，且其表面的周圍上設(shè)有遮蔽層112，且此遮蔽層112至少具有一第一側(cè)邊和一第二側(cè)邊構(gòu)成至少一轉(zhuǎn)角114。

詳細(xì)而言，第一基板102的面積小于第二基板104，亦即后續(xù)對位時(shí)或貼合后，第二基板104可完全覆蓋第一基板102。此外，當(dāng)于后續(xù)第一基板102與第二基板104對位時(shí)，第一基板102上對應(yīng)至第二基板104的遮蔽層112的部分為一第二區(qū)間116B，而未對應(yīng)至遮蔽層112的部分為一第一區(qū)間116A，此第二區(qū)間116B系設(shè)于第一區(qū)間116A的周圍，且如圖2所示，第一區(qū)間116A及第二區(qū)間116B的邊界系以虛線表示。而上述對位標(biāo)記108系設(shè)于第一區(qū)間116A中。

在一些實(shí)施例中，對位標(biāo)記108的長度108L可為約0.03mm-0.5mm，例如為約0.1mm-0.3mm，寬度108W可為約0.02mm-0.1mm，例如為約0.03mm-0.06mm。若此對位標(biāo)記108的長度108L過長，例如長于0.5mm，則會(huì)占據(jù)過多觸控面板100的面積，使實(shí)際可觸控的面積減少。然而，若此對位標(biāo)記108的長度108L過短，例如短于0.03mm，則會(huì)使觀測組件難以對準(zhǔn)，降低對位精準(zhǔn)度。此外，若此對位標(biāo)記108的寬度108W過寬，例如寬于0.1mm，則會(huì)占據(jù)過多觸控面板100的面積，使實(shí)際可觸控的面積減少。然而，若此對位標(biāo)記108的寬度108W過小，例如小于0.02mm，則會(huì)使觀測組件難以對準(zhǔn)，降低對位精準(zhǔn)度。

上述第一基板102及第二基板104的材料可各自獨(dú)立地選自玻璃、陶瓷、塑料、藍(lán)寶石、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或其組合。而上述遮蔽層112的材料可為黑色光阻、黑色印刷油墨、黑色樹脂或其它任何適合的 遮光材料與顏色。

此外，為清楚描述本發(fā)明，第一基板102上的其它組件(例如后續(xù)的感測電極、絕緣層)并未于第1-4圖中繪出。上述第一基板102上的其它組件以及對位標(biāo)記108將于后文及第5-6B圖詳細(xì)說明。

接著，參見第3A-3B圖。圖3A系顯示根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例所述的觸控面板100的制造方法其中一步驟的第一基板102及第二基板104的剖面圖，而圖3B系顯示根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例所述的觸控面板100的制造方法其中一步驟的第一基板102及第二基板104的對位后的上視圖。如第3A-3B圖所示，對向設(shè)置第一基板102與第二基板104，使第一基板102與第二基板104相距距離D3。在一實(shí)施例中，此距離D3為約1mm至5mm，例如為約2mm至3mm。

需注意的是，若此距離D3過大，例如大于5mm，則第一基板102與第二基板104相距之距離D3過大，會(huì)使后續(xù)移動(dòng)第一基板102與第二基板104來靠近并貼合時(shí)的位移距離過大，造成精準(zhǔn)度降低。

接著，以單一觀測組件118同時(shí)觀測第一基板102的對位標(biāo)記108及第二基板104的轉(zhuǎn)角114，以將第一基板102與第二基板104對位。詳細(xì)而言，本發(fā)明將對位標(biāo)記108設(shè)計(jì)位于第一基板102的第一區(qū)間116A，也就是位于觸控面板100的可視區(qū)，如此可以僅以單一個(gè)觀測組件118同時(shí)觀測第一基板102的對位標(biāo)記108及第二基板104的轉(zhuǎn)角114，而非如傳統(tǒng)的方法系以兩個(gè)觀測組件分別觀察觀測第一基板102的對位標(biāo)記108及第二基板104的轉(zhuǎn)角114或一個(gè)觀測單元分兩次觀測再進(jìn)行對位。

相較之下，本案系以單一觀測組件118同時(shí)觀測第一基板102的對位標(biāo)記108及第二基板104的轉(zhuǎn)角114，以將第一基板102與第二基板104對位，故可減少一次造成對位的誤差的機(jī)會(huì)，故可提高對位的精準(zhǔn)度。此外，本案系先將 第一基板102及第二基板104移動(dòng)到非?？拷木嚯x(例如約1mm至5mm)之后才對位貼合，如此更可進(jìn)一步減少兩基板時(shí)移動(dòng)貼合時(shí)的誤差。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明貼合基板的誤差可為0.1mm以下，例如為0.05mm以下。

在一些實(shí)施例中，上述觀測組件118可包括電荷耦合觀測組件(Charge-coupled Device，CCD)，且其可藉由對焦于對位標(biāo)記108的邊緣或中心來對位。

繼續(xù)參見圖3B，需注意的是，在圖3B中，由于第一基板102及其對位標(biāo)記108系設(shè)于第二基板104之下，故其系以虛線表示。此外，在一些實(shí)施例中，第一基板102的對位標(biāo)記108與第二基板104的遮蔽層112的轉(zhuǎn)角114不重迭。

詳細(xì)而言，在一些實(shí)施例中，如圖3B所示，對位標(biāo)記108的對位點(diǎn)可設(shè)于鄰近轉(zhuǎn)角114的任何一個(gè)預(yù)定位置。例如，在一些實(shí)施例中，以轉(zhuǎn)角114及與此轉(zhuǎn)角114相連的兩個(gè)側(cè)邊作為基礎(chǔ)，作一正方形區(qū)域120，而此對位標(biāo)記108設(shè)于此正方形區(qū)域120中的任何一個(gè)預(yù)定位置。

在一些實(shí)施例中，遮蔽層112包括鄰近對位標(biāo)記108的第一側(cè)邊S1及第二側(cè)邊S2，其中第一側(cè)邊S1與第二側(cè)邊S2位于相異的兩側(cè)，且第一側(cè)邊S1與第二側(cè)邊S2互相垂直構(gòu)成一轉(zhuǎn)角。對位標(biāo)記108的中心線至第一側(cè)邊S1的最短距離為第一距離D1，對位標(biāo)記108的中心線至第二側(cè)邊S2的最短距離為第二距離D2，第一距離D1與第二距離D2的距離差為約0mm至0.5mm，例如為約0.1mm至0.4mm。在一實(shí)施例中，若此對位標(biāo)記108系在正方形區(qū)域120的正中心，則第一距離D1與第二距離D2的距離差為0mm。

易言之，在一些實(shí)施例中，此正方形區(qū)域120的邊長L為約2mm-5mm，例如為約3mm-4mm。而上述對位標(biāo)記108至與轉(zhuǎn)角114相連的兩個(gè)側(cè)邊的距離D1及D2可各自獨(dú)立地為約0.1mm-4.9mm，例如為約1mm-4mm，或約 2mm-3mm。且此距離D1及D2的距離差可為約0mm至0.5mm，例如為約0.1mm至0.4mm。

需注意的是，上述對位標(biāo)記108的對位點(diǎn)可根據(jù)每一個(gè)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)而設(shè)于不同的位置，只要能被觀測組件118觀測及對位即可。故本發(fā)明的范圍并不以圖3B的實(shí)施例為限。

接著，參見第1A-1B圖。如第1A-1B圖所示，于對位第一基板102與第二基板104后，貼合第一基板102與第二基板104，并完成觸控面板100。

接著，參見圖4，該圖為本發(fā)明另一實(shí)施例的不同對位標(biāo)記的示意圖如圖4所示，對位標(biāo)記108A、108B、108C、108D可為圓形、正方形、長方形、圓形或其它任何適合的形狀。

參見第5-6A圖，圖5系本發(fā)明實(shí)施例的第一基板102的上視圖，而圖6A系沿著圖5的線段6A-6A’所繪制的剖面圖。第一基板102包括設(shè)于其上的感應(yīng)層122。在一實(shí)施例中，感應(yīng)層122系設(shè)置于第一區(qū)間116A上，第二區(qū)間116B圍繞感應(yīng)層122。此感應(yīng)層122包括多個(gè)沿第一軸向X1排列的第一軸向感應(yīng)電極122A及多個(gè)沿第二軸向X2排列的第二軸向感應(yīng)電極122B，此多個(gè)第一軸向感應(yīng)電極122A與多個(gè)第二軸向感應(yīng)電極122B之間彼此電性絕緣，且此第一軸向X1垂直于第二軸向X2。

感應(yīng)層122更包括連接相鄰第一軸向感應(yīng)電極122A的復(fù)數(shù)條連接線124，且各第二軸向感應(yīng)電極122B設(shè)置于連接線124兩側(cè)。第一基板102更包括設(shè)于感應(yīng)層122上的橋接結(jié)構(gòu)126，此橋接結(jié)構(gòu)126于第二軸向X2上電性連接相鄰的兩個(gè)第二軸向感應(yīng)電極122B(例如122B1及122B2)。

感應(yīng)層122更包括設(shè)于多個(gè)虛置電極(dummy electrode)128，設(shè)有第一區(qū)間中第一軸向感應(yīng)電極122A與多個(gè)第二軸向感應(yīng)電極122B之外的區(qū)域。如圖5 所示，在一些實(shí)施例中，對位標(biāo)記108系設(shè)于第一基板102上對應(yīng)虛置電極128的區(qū)域中，可以設(shè)置在虛置電極128之上，也可以設(shè)置在虛置電極128的區(qū)域中但不與虛置電極128相連接。此外，此虛置電極128并未與第一軸向感應(yīng)電極122A及第二軸向感應(yīng)電極122B電性連接。

上述第一軸向感應(yīng)電極122A、第二軸向感應(yīng)電極122B、連接線124、橋接結(jié)構(gòu)126及虛置電極128的材料可為透明導(dǎo)電材料，例如為銦錫氧化物(ITO)氧化錫(TO)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化銻鋅(AZO)、上述的組合或其它適合的透明導(dǎo)電材料。第一軸向感應(yīng)電極122A、第二軸向感應(yīng)電極122B、連接線124、橋接結(jié)構(gòu)126及虛置電極128可利用沈積制程以及微影與蝕刻等制程形成。沈積制程可為濺鍍法、電鍍法、電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、或其它任何適合的沈積方式。此蝕刻制程包括干蝕刻、濕蝕刻或上述的組合。在其它實(shí)施例中，橋接結(jié)構(gòu)126可包括金屬材料。

圖6A系本發(fā)明另一實(shí)施例的第一基板102的剖面圖。如圖6A所示，對位標(biāo)記108為虛置電極128中的一貫孔，其完全貫穿虛置電極128。

詳細(xì)而言，在一實(shí)施例中，可先毯覆性沈積一透明導(dǎo)電材料層于第一基板102上，再將此透明導(dǎo)電材料層經(jīng)微影與蝕刻制程分別圖案化以形成第一軸向感應(yīng)電極122A、第二軸向感應(yīng)電極122B、連接線124及具有作為對位標(biāo)記108的貫孔的虛置電極128。

在一些實(shí)施例中，如圖6B所示，第一基板102更包括設(shè)于感應(yīng)層122上的絕緣層130，此絕緣層130包括設(shè)于感應(yīng)層122與橋接結(jié)構(gòu)126之間的絕緣部130A以及設(shè)于感應(yīng)層122的虛置電極128上的對位標(biāo)記108。易言之，在此實(shí)施例中，對位標(biāo)記108為絕緣材料制成的有形圖案。

詳細(xì)而言，絕緣層130的材料(亦即絕緣部130A以及設(shè)于感應(yīng)層122的材料)可包括聚酰亞酰胺(Polyimide)、聚丙烯(Polypropylene)、丙烯酸樹脂(Acrylic)、氧化硅(Silicon Dioxide，SiO2)、氮化硅(Silicon Nitride，Si3N4)、氧化鋁(Aluminum Oxide，Al2O3)或六甲基二硅氮烷(Hexamethyldisilazane，HMDS)，或前述的組合，或其它任何適合的絕緣材料。

此外，在一實(shí)施例中，可先毯覆性沈積一絕緣材料層于第一基板102上，再將此介電材料層經(jīng)微影與蝕刻制程分別圖案化以形成絕緣部130A及對位標(biāo)記108(亦即絕緣層130)。因此，在此實(shí)施例中，絕緣部130A的高度與對位標(biāo)記108的高度相同。

在另一實(shí)施例中，請參考圖6C，該實(shí)施例中的對位標(biāo)記是虛置電極128區(qū)域中的一絕緣塊130B，具體而言，在虛置電極128中設(shè)置一貫孔，設(shè)置一絕緣塊130B嵌入該貫孔中，其中該絕緣塊不與虛置電極相連接。

需注意的是，雖然在一些實(shí)施例中，對位標(biāo)記108為透明材料形成的結(jié)構(gòu)，但此對位標(biāo)記108仍可以觀測組件118藉由特定波長的光線觀測。應(yīng)注意的是本發(fā)明的范圍并不以上述的實(shí)施例為限。

第7A-7B圖系本發(fā)明另一實(shí)施例的第一基板102的剖面圖。圖7A系本發(fā)明另一實(shí)施例的第一基板102的上視圖。圖7B系沿著圖7A的線段7B-7B’所繪制的剖面圖。本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)大致與第5、6A圖的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同，差異點(diǎn)在于，本實(shí)施例的對位標(biāo)記108為虛置電極128中的鏤空網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)134。其中網(wǎng)狀的部分可為與感應(yīng)層122相同的透明導(dǎo)電材料。

詳細(xì)而言，在一實(shí)施例中，對位標(biāo)記108可為與絕緣部130A相同的絕緣材料，且可與絕緣部130A于同一道制程中形成。然而，在其它實(shí)施例中，對位標(biāo)記108可為與感應(yīng)層122相同的透明導(dǎo)電材料，且可與感應(yīng)層122于同一道制 程中形成。此技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者亦可了解對位標(biāo)記108亦可為與橋接結(jié)構(gòu)126相同的導(dǎo)電材料或金屬材料，且可與橋接結(jié)構(gòu)126于同一道制程中形成。

綜上所述，本結(jié)構(gòu)將對位標(biāo)記108設(shè)計(jì)位于第一基板102的第一區(qū)間116A，也就是位于觸控面板100的可視區(qū)，如此可以以單一觀測組件同時(shí)觀測第一基板的對位標(biāo)記及第二基板的轉(zhuǎn)角，以將第一基板與第二基板對位，故可減少一次造成對位的誤差的機(jī)會(huì)，故可提高對位的精準(zhǔn)度。此外，本案系先將第一基板及第二基板移動(dòng)到非常靠近的距離(例如約1mm至5mm)，之后才對位貼合，不像傳統(tǒng)的方法先對位后再將兩個(gè)相距甚遠(yuǎn)的基板移動(dòng)并貼合，故本發(fā)明實(shí)施例可減少兩基板時(shí)移動(dòng)貼合時(shí)的誤差。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明貼合基板的誤差可為0.1mm以下，例如為0.05mm以下。

值得注意的是，以上所述的組件尺寸、組件參數(shù)、以及組件形狀皆非為本發(fā)明的限制條件。此技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者可以根據(jù)不同需要調(diào)整這些設(shè)定值。另外，本發(fā)明的觸控面板及其制造方法并不僅限于第1-7B圖所圖示的狀態(tài)。本發(fā)明可以僅包括第1-7B圖的任何一或復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)施例的任何一或復(fù)數(shù)項(xiàng)特征。換言之，并非所有圖標(biāo)的特征均須同時(shí)實(shí)施于本發(fā)明的觸控面板及其制造方法中。