本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種物理不可克隆產(chǎn)品及其制造的方法。

背景技術(shù)：

隨著電子技術(shù)的發(fā)展，智能卡、射頻識別等物理實體得到了廣泛的應(yīng)用。但是，目前智能卡、射頻識別等物理實體存在容易被破解、復(fù)制的安全風(fēng)險。

物理不可克隆技術(shù)是一種創(chuàng)新的方式用來保障個人芯片防止數(shù)據(jù)竊取，利用每一個半導(dǎo)體器件固有的、獨特的“指紋”，來保護(hù)其加密密鑰，使得它很難被復(fù)制，從而有效保護(hù)用戶的數(shù)據(jù)文件的技術(shù)。

如何實現(xiàn)物理不可克隆，仍是需要迫切解決的難題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種實現(xiàn)物理不可克隆的方案。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種一種物理不可克隆產(chǎn)品制造的方法，所述方法包括：

生成電阻塊，所述電阻塊為具有電阻的導(dǎo)電板；

對所述電阻塊進(jìn)行阻值隨機化處理；

形成電阻塊矩陣，所述電阻塊矩陣包括兩個所述處理后的電阻塊：第一電阻塊及第二電阻塊，當(dāng)所述第一電阻塊阻值大于所述第二電阻塊時，所述電阻塊矩陣輸出1，當(dāng)所述第一電阻塊阻值小于所述第二電阻塊時，所述電阻塊矩陣輸出0；

取至少一個所述電阻塊矩陣，設(shè)置于所述產(chǎn)品上，得到所述物理不可克隆產(chǎn)品。

可選地，所述對所述電阻塊進(jìn)行阻值隨機化處理，包括：

對所述電阻塊進(jìn)行光阻處理，其中，執(zhí)行調(diào)節(jié)操作，以使對所述電阻塊 進(jìn)行光阻處理的能量無法使所述電阻塊對應(yīng)掩膜版的需曝光位置全部曝開，所述電阻塊對應(yīng)所述掩膜版的需曝光位置位于所述電阻塊上，得到所述光阻處理后的所述電阻塊。

可選地，所述執(zhí)行調(diào)節(jié)操作，包括以下至少一種：

調(diào)節(jié)所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量；

調(diào)節(jié)掩膜版的需曝光位置的大小。

可選地，所述生成的電阻塊包括至少兩個電阻塊單元：第一電阻塊單元及第二電阻塊單元，所述兩個電阻塊單元存在空隙，并且相互平行。

可選地，所述對所述電阻塊進(jìn)行阻值隨機化處理，包括：

對所述電阻塊進(jìn)行光阻處理，其中，執(zhí)行調(diào)節(jié)操作，以使對所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量無法使所述電阻塊對應(yīng)掩膜版的需曝光位置全部曝開，所述電阻塊對應(yīng)所述掩膜版的需曝光位置位于所述兩個電阻塊單元之間，得到所述光阻處理后的所述電阻塊。

可選地，所述執(zhí)行調(diào)節(jié)操作，包括以下至少一種：

調(diào)節(jié)所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量；

調(diào)節(jié)掩膜版的需曝光位置的大小。

可選地，所述生成的電阻塊包括：

至少兩個的長條狀的電阻塊單元：第三電阻塊單元及第四電阻塊單元，所述第三電阻塊單元與所述第四電阻塊單元相互連接，且所述第三電阻塊單元的寬度大于所述第四電阻塊單元的寬度。

可選地，所述對所述電阻塊進(jìn)行阻值隨機化處理，包括：

對所述電阻塊進(jìn)行光阻處理，其中執(zhí)行調(diào)節(jié)操作，使得調(diào)節(jié)后所述第三電阻塊單元處于可橋接狀態(tài)，所述第四電阻塊處于可斷掉狀態(tài)，得到所述光阻處理后的所述電阻塊。

可選地，所述執(zhí)行調(diào)節(jié)操作，包括以下至少一種：調(diào)節(jié)對所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量或所述電阻塊單元的相對寬度。

可選地，所述對所述電阻塊進(jìn)行阻值隨機化處理，包括：

對所述電阻塊做摻雜處理，以使得摻雜后區(qū)域較未摻雜區(qū)域的刻蝕處理速度更快；

對所述摻雜處理后的電阻塊進(jìn)行刻蝕處理，并調(diào)整所述刻蝕處理的參數(shù)，使得所述電阻塊的頂端關(guān)鍵尺寸低于所述電阻塊的底端關(guān)鍵尺寸，得到所述刻蝕處理后的所述電阻塊。

可選地，所述電阻塊的材料為多晶硅或金屬。

本發(fā)明實施例提供了一種物理不可克隆產(chǎn)品，所述產(chǎn)品包括：至少一個電阻塊矩陣，所述電阻塊矩陣包括兩個阻值隨機化的電阻塊：第一電阻塊及第二電阻塊，當(dāng)所述第一電阻塊阻值大于所述第二電阻塊時，所述電阻塊矩陣輸出1，當(dāng)所述第一電阻塊阻值小于所述第二電阻塊時，所述電阻塊矩陣輸出0。

可選地，所述電阻塊包括至少兩個電阻塊單元：第一電阻塊單元及第二電阻塊單元，所述兩個電阻塊單元存在空隙，并且相互平行。

可選地，所述電阻塊包括：至少兩個的長條狀的電阻塊單元：第三電阻塊單元及第四電阻塊單元，所述第三電阻塊單元與所述第四電阻塊單元相互連接，且所述第三電阻塊單元的寬度大于所述第四電阻塊單元的寬度。

可選地，所述電阻塊的頂端關(guān)鍵尺寸低于所述電阻塊的底端關(guān)鍵尺寸。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：

通過對所述電阻塊進(jìn)行阻值隨機化處理，接著取兩個處理后的所述電阻塊構(gòu)成一個電阻塊矩陣，然后取至少一個所述電阻塊矩陣，設(shè)置于所述產(chǎn)品上，可以得到所述物理不可克隆產(chǎn)品。由于所述電阻塊的電阻值完全隨機，即相同條件下生成的電阻塊的阻值也是也是不確定的，從而可以確保所述電阻塊矩陣的唯一性和不可克隆性，故可通過把其設(shè)置于產(chǎn)品上，制造物理不可克隆產(chǎn)品。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例中的一種用于制造物理不可克隆產(chǎn)品的方法的流程 示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例中的一種工藝下的電阻塊光阻處理后的效果圖；

圖3是本發(fā)明實施例中的另一種工藝下的電阻塊光阻處理后的效果圖；

圖4是本發(fā)明實施例中的又一種工藝下的電阻塊光阻處理后的效果圖；

圖5是本發(fā)明實施例中的一種電阻塊矩陣；

圖6是是本發(fā)明實施例中的另一種電阻塊矩陣；

圖7是本發(fā)明實施例中的另一種電阻塊矩陣；

圖8是本發(fā)明實施例中的又一種電阻塊矩陣；

圖9是本發(fā)明實施例中的一種物理不可克隆產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

物理不可克隆技術(shù)是一種用來保障個人芯片防止數(shù)據(jù)竊取的新的方式，利用每一個半導(dǎo)體器件固有的、獨特的“指紋”，來保護(hù)其加密密鑰，使得它很難被復(fù)制，從而有效保護(hù)用戶的數(shù)據(jù)文件的技術(shù)。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，智能卡、射頻識別等物理實體得到了廣泛的應(yīng)用。但是，目前智能卡、射頻識別等物理實體存在容易被破解、復(fù)制的安全風(fēng)險。如何實現(xiàn)物理不可克隆，仍是需要迫切解決的難題。

為了解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了用于制造物理不可克隆產(chǎn)品的方法，通過對所述電阻塊進(jìn)行阻值隨機化處理，接著取兩個處理后的所述電阻塊構(gòu)成一個電阻塊矩陣，然后取至少一個所述電阻塊矩陣，設(shè)置于所述產(chǎn)品上，可以得到所述物理不可克隆產(chǎn)品。由于所述電阻塊的電阻值完全隨機，即相同條件下生成的電阻塊的阻值也是也是不確定的，從而可以確保所述電阻塊矩陣的唯一性和不可克隆性，故可通過把其設(shè)置于產(chǎn)品上，制造物理不可克隆產(chǎn)品。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。

圖1示出了本發(fā)明實施例中的一種用于制造物理不可克隆產(chǎn)品的方法的 流程示意圖，以下結(jié)合圖1對所述方法的具體步驟進(jìn)行介紹：

S11：生成電阻塊。

在具體實施中，由于所述方法需要使用電阻值的隨機性，故可以生成電阻塊，所述電阻塊為具有電阻的導(dǎo)電板，這樣就可以方便后續(xù)對所述帶有電阻的導(dǎo)電板進(jìn)行處理。

在具體實施中，可以選用多種材料生成所述電阻塊。比如可以選擇金屬生成所述電阻塊。為了節(jié)約成本，并降低后續(xù)處理流程的復(fù)雜度，在本發(fā)明一實施例中，選用多晶硅作為制作所述電阻塊的材料。

需要說明的是，為使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解和實現(xiàn)本發(fā)明，以下的實施例中均以使用多晶硅材料的電阻塊的處理為例進(jìn)行說明，但是在具體實施中，所選用的電阻塊的制作材料只要能夠?qū)щ娂纯桑景l(fā)明實施例并不限制具體的導(dǎo)電材料。

S12：對所述電阻塊進(jìn)行阻值隨機化處理。

在具體實施中，為了使得所述電阻塊具有唯一性和不可克隆性，可以對所述電阻塊進(jìn)行阻值隨機化處理，從而使得本來相同阻值的電阻塊的阻值變得具有隨機性。

需要說明的是，可以有多種方法對所述電阻塊進(jìn)行阻值隨機化處理，并且根據(jù)電阻塊的形狀或組成的不同，相對應(yīng)的阻值隨機化處理的方法也會改變，為使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解和實現(xiàn)本發(fā)明，以下通過舉例對不同的阻值隨機化處理的過程進(jìn)行詳細(xì)介紹。

在具體實施中，可以通過在對電阻塊進(jìn)行光阻處理的過程中，根據(jù)所述電阻塊的形狀或構(gòu)造的不同，相應(yīng)地執(zhí)行調(diào)節(jié)操作，以使得所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量無法使所述電阻塊對應(yīng)掩膜版的需曝光位置全部曝開的方法，來使得本來相同阻值的電阻塊的阻值變得具有隨機性。

在本發(fā)明一實施例中，所述電阻塊對應(yīng)所述掩膜版的需曝光位置可以位于所述電阻塊上，此時可以使用多種操作方法使得對所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量無法使所述電阻塊對應(yīng)掩膜版的需曝光位置全部曝開。

由于在一定的用于進(jìn)行光阻處理的能量范圍內(nèi)，光阻處理的曝光能力是有限的，當(dāng)通過調(diào)節(jié)掩膜版的需曝光位置的大小使得曝光區(qū)域的圖形尺寸小于一定的尺度后，光阻處理曝光將遇到瓶頸，使得與所述掩膜版的需曝光位置的一部分圖形會被曝開，一部分圖形將不能完全開，即被曝開的區(qū)域多晶硅會被吃掉，未被打開的區(qū)域，多晶硅將保留，因而多晶硅的阻值受到影響。由于這種狀況是一種臨界狀態(tài)，因此，即使相同的條件跑出來的阻值也是不可以完全重復(fù)的。從而可以保證被處理后的電阻塊的唯一性和不可克隆性?？梢岳斫獾氖牵?dāng)保證掩膜版的需曝光位置的大小的不變時，可以通過調(diào)節(jié)所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量達(dá)到上述同樣的效果。因而可以通過調(diào)節(jié)所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量或調(diào)節(jié)掩膜版的需曝光位置的大小至少之一的方法，使得所述電阻塊對應(yīng)掩膜版的需曝光位置無法全部曝開。

例如，如圖2所示，電阻塊21-24分別為經(jīng)過上述處理的電阻塊。由圖2可以看出，經(jīng)過同樣的處理后的電阻塊，有的部分被完全曝開，比如所述電阻塊23上的區(qū)域231，有的部分并沒有完全曝開，比如所述電阻塊21上的區(qū)域211及所述電阻塊22上的區(qū)域221，有的部分則直接完全沒有曝開，比如所述電阻塊24上的區(qū)域241，因而會造成所述電阻塊的阻值不可以完全重復(fù)。需要說明的是，圖2中所示出的電阻塊上的具體位置，只是為了便于說明和比較，以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解和實現(xiàn)本發(fā)明，但可說明所述效果的位置并不僅僅只有上述的位置，并且也不代表所有的電阻塊經(jīng)過上述處理后都可形成圖2示出的結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明一實施例中，所述生成的電阻塊包括至少兩個電阻塊單元：第一電阻塊單元及第二電阻塊單元，所述兩個電阻塊單元存在空隙，并且相互平行，所述電阻塊對應(yīng)所述掩膜版的需曝光位置位于所述兩個電阻塊單元之間，此時可以使用多種操作方法使得對所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量無法使所述電阻塊對應(yīng)掩膜版的需曝光位置全部曝開。

由于在用于對所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的一定能量范圍內(nèi)，光阻處理的曝光能力是有限的，所述電阻塊上被曝光區(qū)域相鄰的圖形會影響曝光的效果。當(dāng)圖形保留區(qū)的尺寸較大又較長時，較小的間隔設(shè)計會導(dǎo)致圖形變形，從而使兩個相鄰的圖形橋接。繼而影響接入電路中所述電阻塊的電阻的大小。由 于這種狀況是一種臨界狀態(tài)，因此，即使相同的條件跑出來的阻值也是不可以完全重復(fù)的。從而可以保證其唯一性和不可克隆性。

可以理解的是，當(dāng)保證掩膜版的需曝光位置的大小的不變時，可以通過調(diào)節(jié)所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量達(dá)到上述同樣的效果。因而可以執(zhí)行以下至少一種調(diào)節(jié)，來達(dá)到所述電阻塊對應(yīng)掩膜版的需曝光位置無法全部曝開的效果：調(diào)節(jié)所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量；調(diào)節(jié)掩膜版的需曝光位置的大小。

例如，如圖3所示為示本發(fā)明實施例中的另一種工藝下的電阻塊光阻處理后的效果圖，電阻塊31及32為經(jīng)過上述處理后的電阻塊。從圖3可見，經(jīng)過同樣的處理后的電阻塊，兩個電阻塊單元之間有的部分被曝開，比如所述電阻塊32上的區(qū)域322，有的部分完全沒有被曝開，比如所述電阻塊32上的區(qū)域321，有的部分被完全曝開，比如所述電阻塊31上的區(qū)域311，因而會造成所述電阻塊的阻值不可以完全重復(fù)。

在本發(fā)明一實施例中，所述生成的電阻塊包括：至少兩個的長條狀的電阻塊單元：第三電阻塊單元及第四電阻塊單元，所述第三電阻塊單元與所述第四電阻塊單元相互連接，且所述第三電阻塊單元的寬度大于所述第四電阻塊單元的寬度，與所述電阻塊對應(yīng)的所述掩膜版的需曝光位置分別設(shè)置于所述兩個電阻塊單元之上。此時，可以使用多種操作方法使得對所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量無法使所述電阻塊對應(yīng)掩膜版的需曝光位置全部曝開。

由于當(dāng)用于做光阻處理的能量處于一定的范圍時，光阻處理的曝光能力是有限的，而所述電阻塊上被曝光區(qū)域相鄰的圖形會影響曝光的效果。當(dāng)圖形寬度較小即較細(xì)時，會發(fā)生斷線的風(fēng)險或者可能性，當(dāng)圖形寬度較大即較粗而使二者間隔過小時，則所述不同寬度的電阻塊單元有橋接的風(fēng)險或者可能性，繼而影響接入電路中電阻的大小。由于這種狀況是一種臨界狀態(tài)，因此，即使相同的條件跑出來的阻值也是不可以完全重復(fù)的。從而可以保證其唯一性和不可克隆性?？梢岳斫獾氖牵?dāng)保證所述不同寬度的電阻塊單元之間的相對寬度不變時，可以通過調(diào)節(jié)所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量達(dá)到上述同樣的效果。

因此，為了要使得本來相同阻值的電阻塊的阻值變得具有隨機性，可以通過執(zhí)行以下至少一種調(diào)節(jié)操作：調(diào)節(jié)所述電阻塊進(jìn)行光阻處理的能量或調(diào)節(jié)所述電阻塊單元之間的相對寬度，來使得所述第三電阻塊單元可能橋接，并使所述第四電阻塊可能斷掉。

綜上所述，利用以上所述的光阻處理，可以使得經(jīng)過同樣的處理后的電阻塊，寬度較小的多晶硅電阻塊單元可以部分?jǐn)嗟簦鴮挾容^大的多晶硅電阻塊單元可以部分發(fā)生橋接，因而會造成所述電阻塊的阻值不可以完全重復(fù)。

在具體實施中，還可以通過在對電阻塊進(jìn)行光阻處理之前，對所述電阻塊做摻雜處理來使得本來相同阻值的電阻塊的阻值變得具有隨機性。

比如可以首先對所述電阻塊做摻雜處理，以使得摻雜后區(qū)域較未摻雜區(qū)域的刻蝕處理速度更快，接著對所述摻雜處理后的電阻塊進(jìn)行刻蝕處理，并調(diào)整所述刻蝕處理的參數(shù)，使得所述電阻塊的頂端關(guān)鍵尺寸低于所述電阻塊的底端關(guān)鍵尺寸，得到所述刻蝕處理后的所述電阻塊。

在具體實施中，由于在多晶硅表面注入一定的摻雜離子，可使得表層有摻雜的區(qū)域在蝕刻時，刻蝕速率會較未摻雜區(qū)域快，因此調(diào)整刻蝕的參數(shù)設(shè)定，就可以形成一種花瓶狀的多晶硅的形狀，這種所述多晶硅的形狀的頂端關(guān)鍵尺寸難于控制，繼而會影響其電阻，帶有完全的隨機性。由于這種狀況是一種臨界狀態(tài)，因此，即使相同的條件跑出來的阻值也是不可以完全重復(fù)的，從而可以保證其唯一性和不可克隆性。

例如，如圖4所示，所述圖4示出的是電阻塊的剖面圖，電阻塊41及42為經(jīng)過上述處理后電阻塊，經(jīng)過同樣的處理后的電阻塊，由于表面的摻雜處理，可形成花瓶狀的圖像，且關(guān)鍵尺寸大小不一，比如所述電阻塊41上的區(qū)域411，及所述電阻塊42上的區(qū)域421。因而會造成所述電阻塊的阻值不可以完全重復(fù)。

可以理解的是，此處對阻值隨機化的處理方法的舉例只是為了使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解和實現(xiàn)本發(fā)明，而不是要對本發(fā)明的保護(hù)范圍構(gòu)成任何限制，本領(lǐng)域的技術(shù)人員也可以根據(jù)實際需要，選用其他的方法對電阻塊做阻值隨機化處理，但只要是對電阻塊做阻值隨機化的方法，均在本發(fā)明 的保護(hù)范圍之內(nèi)。

S13：形成電阻塊矩陣，所述電阻塊矩陣包括兩個所述處理后的電阻塊：第一電阻塊及第二電阻塊，當(dāng)所述第一電阻塊阻值大于所述第二電阻塊時，所述電阻塊矩陣輸出1，當(dāng)所述第一電阻塊阻值小于所述第二電阻塊時，所述電阻塊矩陣輸出0。

在具體實施中，由于所述處理后的電阻塊的阻值都是隨機的，故取兩個所述處理后的第一電阻塊及第二電阻塊，作為一個電阻塊矩陣，當(dāng)所述第一電阻塊阻值大于所述第二電阻塊時，所述電阻塊矩陣輸出1，當(dāng)所述第一電阻塊阻值小于所述第二電阻塊時，所述電阻塊矩陣輸出0，這樣的話，實際所述電阻塊矩陣輸出的值也是不定的，可以作為一個密碼。

圖5示出了本發(fā)明實施例中的一種設(shè)置在物理不可克隆產(chǎn)品上的電阻塊矩陣A1及B1，所述電阻塊矩陣A1包括至少有兩個電阻塊A11，所述電阻塊矩陣B1包括至少兩個電阻塊B11，所述電阻塊A11及B11與圖2中的電阻塊是經(jīng)過的相同的工藝處理后的電阻塊，故無論是矩陣A1還是矩陣B1，所輸出的值均是具有唯一性和不可克隆性的。

結(jié)合圖2、圖5及以上所述可知，此實施例利用光阻處理在工作區(qū)間外臨界狀態(tài)下會產(chǎn)生不穩(wěn)定的結(jié)果，即利用不同圖形造成多晶硅阻值差異，并利用電阻差異用于硬件安全認(rèn)證。因而設(shè)計一種帶孔的多晶硅電阻塊矩陣，調(diào)整孔洞大小使其在光阻處理的過程中有些孔洞能夠打開，有些則不能，帶有完全的隨機性。

圖6示出了本發(fā)明實施例中的一種設(shè)置在物理不可克隆產(chǎn)品上的電阻塊矩陣A2及B2，所述電阻塊矩陣A2包括至少有兩個電阻塊A21，所述電阻塊矩陣B2包括至少兩個電阻塊B21，所述電阻塊A21及B21與圖3中的電阻塊是經(jīng)過的相同的工藝處理后的電阻塊，故無論是矩陣A2還是矩陣B2，所輸出的值均是具有唯一性和不可克隆性的。

結(jié)合圖3、圖6及以上所述可知，此實施例有效利用光阻處理在工作區(qū)間外臨界狀態(tài)下會產(chǎn)生不穩(wěn)定的結(jié)果，即圖形對光阻處理曝光影響造成圖形變形從而導(dǎo)致多晶硅的橋接，繼而影響接入電路中的多晶硅阻值差異。故此實 施例設(shè)計一種由大塊多晶硅組成的距離較近又相互平行的電阻塊矩陣，調(diào)整多晶硅之間距離大小，使其在光阻處理的過程中有些間隔處不能完全被曝開，造成相鄰多晶硅的橋接，影響實際接入電路的電阻阻值大小。

圖7示出了本發(fā)明實施例中的一種設(shè)置在物理不可克隆產(chǎn)品上的電阻塊矩陣A3及B3，所述電阻塊矩陣A3包括至少有兩個電阻塊A31，所述電阻塊矩陣B3包括至少兩個電阻塊B31，所述電阻塊A31及B31與圖3中的電阻塊是經(jīng)過的相同的工藝處理后的電阻塊，故無論是矩陣A3還是矩陣B3，所輸出的值均是具有唯一性和不可克隆性的。

參見圖7及以上所述可知，此實施例利用光阻處理在工作區(qū)間外臨界狀態(tài)下會產(chǎn)生不穩(wěn)定的結(jié)果，即圖形對光阻處理曝光影響造成圖形變形從而導(dǎo)致多晶硅的橋接或者斷開，繼而影響接入電路中的多晶硅阻值差異，并利用電阻差異用于硬件安全認(rèn)證。因而設(shè)計一種粗細(xì)間隔出現(xiàn)的多晶硅電阻塊矩陣，由于多晶硅粗細(xì)不同對光阻處理的響應(yīng)不同，當(dāng)光阻處理能量在一定范圍內(nèi)時，細(xì)的多晶硅會有斷掉的風(fēng)險或者可能性，而粗的多晶硅則有橋接的危險。因而接入電路中的阻值會有所不同。比較矩陣A3、B3的阻值大小，設(shè)A3>B3,輸出1，A3<B3，輸出0，設(shè)計n組A3+B3的矩陣組合，就可以作為一個身份驗證的鑰匙了。

圖8示出了本發(fā)明實施例中的一種設(shè)置在物理不可克隆產(chǎn)品上的電阻塊矩陣A4及B4，電阻塊A41與A42為同一個電阻塊的不同截面的剖視圖，電阻塊B41與B42為同一個電阻塊的不同截面的剖視圖，所述電阻塊矩陣A4包括至少有兩個電阻塊A42，所述電阻塊矩陣B4包括至少兩個電阻塊B42，所述電阻塊A42及B42為經(jīng)過了上述隨機化工藝處理后的電阻塊，故無論是矩陣A4還是矩陣B4，所輸出的值均是具有唯一性和不可克隆性的。

結(jié)合圖4、圖8及以上所述可知，此實施例利用摻雜多晶硅刻蝕速率加快，在刻蝕時會形成特殊圖性的特點，使得相同條件下產(chǎn)生不同尺寸多晶硅電阻的一種特殊結(jié)構(gòu)，即不同圖形不同關(guān)鍵尺寸造成多晶硅阻值差異，并利用電阻差異用于硬件安全認(rèn)證。因而設(shè)計一種S型的多晶硅電阻塊矩陣，在多晶硅表面注入一定的摻雜離子，由于摻雜原因，表層有摻雜的區(qū)域在蝕刻時，刻蝕速率會較未摻雜區(qū)域快，因此調(diào)整刻蝕的參數(shù)設(shè)定，就可以形成一種花 瓶狀的多晶硅形狀，這種形狀其頂端關(guān)鍵尺寸難于控制，繼而會影響其電阻，帶有完全的隨機性。

S14：取至少一個所述電阻塊矩陣，設(shè)置于所述產(chǎn)品上，得到所述物理不可克隆產(chǎn)品。

在具體實施中，由于所述電阻塊矩陣輸出值的唯一性，故可以取至少一個所述電阻塊矩陣，設(shè)置于所述產(chǎn)品上，得到所述物理不可克隆產(chǎn)品。

可以理解的是，采用矩陣比對的方式可以實現(xiàn)密碼長度的定義，故所述制造物理不可克隆產(chǎn)品的方法可以實現(xiàn)大尺寸密碼的應(yīng)用。

為使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解和實現(xiàn)本發(fā)明，以下還提供了通過所述用于制造物理不可克隆產(chǎn)品的方法所制造出的物理不可克隆產(chǎn)品。

圖9示出了本發(fā)明實施例中的一種物理不可克隆產(chǎn)品，所述產(chǎn)品可以包括：至少一個電阻塊矩陣9，所述電阻塊矩陣9包括兩個阻值隨機化的電阻塊：第一電阻塊91及第二電阻塊92，當(dāng)所述第一電阻塊91阻值大于所述第二電阻塊92時，所述電阻塊矩陣9輸出1，當(dāng)所述第一電阻塊91阻值小于所述第二電阻塊92時，所述電阻塊矩陣9輸出0。

在具體實施中，所述電阻塊可以包括至少兩個電阻塊單元：第一電阻塊單元及第二電阻塊單元，所述兩個電阻塊單元之間存在空隙，并且相互平行。

在具體實施中，所述電阻塊可以包括：至少兩個的長條狀的電阻塊單元：第三電阻塊單元及第四電阻塊單元，所述第三電阻塊單元與所述第四電阻塊單元相互連接，且所述第三電阻塊單元的寬度大于所述第四電阻塊單元的寬度。

在本發(fā)明一實施例中，所述電阻塊的頂端關(guān)鍵尺寸可以低于所述電阻塊的底端關(guān)鍵尺寸。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解上述實施例的各種方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成，該程序可以存儲于以計算機可讀存儲介質(zhì)中，存儲介質(zhì)可以包括：ROM、RAM、磁盤或光盤等。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員， 在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。