技術總結
本申請公開了一種多指狀晶體管的電阻計算方法及多指狀晶體管的仿真方法。該多指狀晶體管包括依次設置的多個柵極，以及設置于各柵極的兩側(cè)的源極和漏極，且源極和漏極依次間隔設置，該多指狀晶體管包括nf個柵極，多指狀晶體管在平行于柵極的延伸方向上的源漏電阻寬度為w，nf≥2，該計算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，nrd為多指狀晶體管的漏極方塊電阻，Ld為各漏極在垂直于柵極的延伸方向上的電阻長度之和；nrs＝Ls/nf/w，nrs為多指狀晶體管的源極方塊電阻，Ls為各源極在垂直于柵極的延伸方向上的電阻長度之和。利用該計算方法實現(xiàn)了準確地對晶體管進行仿真的目的。

技術研發(fā)人員：何丹
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201510917657
技術研發(fā)日：2015.12.10
技術公布日：2017.06.20