本申請(qǐng)要求2015年7月13日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2015-0099188的韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部公開內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種電子器件，具體地，涉及一種輸出就緒-繁忙信號(hào)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及包括其的存儲(chǔ)系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以使用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP)等的半導(dǎo)體來實(shí)施。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以分類為易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ)器件。

在易失性存儲(chǔ)器件中，電源關(guān)斷可以導(dǎo)致儲(chǔ)存在其中的數(shù)據(jù)的刪除。易失性存儲(chǔ)器件可以包括靜態(tài)RAM(SRAM)、動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。在非易失性存儲(chǔ)器件中，盡管電源關(guān)斷，仍可以維持其中儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器件可以包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)和鐵電RAM(FRAM)等?？扉W存儲(chǔ)器可以分類為或非(NOR)架構(gòu)或與非(NAND)架構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的目標(biāo)之一可以提供具有提升的操作速度的存儲(chǔ)系統(tǒng)。

在本公開的一個(gè)方面中，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：多個(gè)存儲(chǔ)單元；外圍電路，適用于控制存儲(chǔ)單元且在第一模式和第二模式下操作，第一模式和第二模式分別與芯片選擇信號(hào)的使能和禁止相對(duì)應(yīng)；以及就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器，適用于在芯片選擇信號(hào)的使能期間根據(jù)外圍電路是處于就緒狀態(tài)還是繁忙狀態(tài)來對(duì)就緒-繁忙線施加偏壓，其中，在第一模式下允許半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件與外部設(shè)備之間的通信，以及其中，在第二模式下不允許半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件與外部設(shè)備之間的通信。

在本公開的一個(gè)方面中，提供了一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，該存儲(chǔ)系統(tǒng)包括：多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，耦接至單個(gè)通道；以及控制器，耦接至所述通道，且適用于響應(yīng)于芯片選擇信號(hào) 中的被使能的一個(gè)芯片選擇信號(hào)來選擇半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件之中的一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，以及適用于通過所述通道來與選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件通信，其中，控制器還通過就緒-繁忙線耦接至所述多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，控制器還在被使能的芯片選擇信號(hào)的使能期間通過檢測(cè)經(jīng)由就緒-繁忙線而從選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件提供的就緒-繁忙信號(hào)來判斷選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是處于就緒狀態(tài)還是繁忙狀態(tài)。

在本公開的一個(gè)方面中，提供了一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，該存儲(chǔ)系統(tǒng)包括適用于共享單個(gè)就緒-繁忙線的多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，每個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：外圍電路，適用于控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元且在第一模式和第二模式下操作，第一模式和第二模式分別與芯片選擇信號(hào)的使能和禁止相對(duì)應(yīng)；以及就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器，適用于在芯片選擇信號(hào)的使能期間根據(jù)外圍電路是處于就緒狀態(tài)還是繁忙狀態(tài)來對(duì)單個(gè)就緒-繁忙線施加偏壓，其中，在第一模式下允許半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件與外部設(shè)備之間的通信，以及其中，在第二模式下不允許半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件與外部設(shè)備之間的通信。

根據(jù)本公開，存儲(chǔ)系統(tǒng)可以具有提高的操作速度。

附圖說明

提供了對(duì)每個(gè)附圖的簡要描述以更充分地理解附圖，該簡要描述包含在本發(fā)明的詳細(xì)描述中。

圖1是根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。

圖2是來自多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件之中的單個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖。

圖3是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的一個(gè)實(shí)施例的框圖。

圖4是圖3中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作方法的流程圖。

圖5是圖3中的就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器的一個(gè)實(shí)施例的框圖。

圖6圖示基于芯片選擇信號(hào)的就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器的輸出的表格。

圖7是圖1中的控制器的操作方法的流程圖。

圖8是根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。

圖9是圖8中的存儲(chǔ)系統(tǒng)的變型的框圖。

圖10是圖8中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的一個(gè)實(shí)施例的框圖。

圖11是圖10中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作方法的流程圖。

圖12圖10中的就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器的一個(gè)實(shí)施例的框圖。

圖13是基于芯片選擇信號(hào)、地址鎖存使能信號(hào)和命令鎖存使能信號(hào)的就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器的輸出的表格。

圖14是圖8中的控制器的操作方法的流程圖。

圖15是根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

各種實(shí)施例的示例在附圖中示出且在以下進(jìn)一步描述。將理解的是，本文中的討論并非意在將權(quán)利要求限制為所描述的特定實(shí)施例。相反地，其意在覆蓋可以包括在如由所附權(quán)利要求書所限定的本公開的精神和范圍之內(nèi)的替代、修改和等價(jià)。

將參照附圖來更詳細(xì)地描述示例實(shí)施例。然而，本公開可以以各種不同的形式來實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)被解釋為局限于僅本文中所闡述的實(shí)施例。相反地，這些實(shí)施例被提供作為示例使得本公開將徹底且完整，且這些實(shí)施例將把本公開的方面和特征充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。

將理解的是，雖然在本文中可能使用了術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語被用來區(qū)分一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分。因此，在不脫離本公開的精神和范圍的情況下，可以將以下所描述的第一元件、第一組件、第一區(qū)域、第一層或第一部分叫做第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或第二部分。

將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一個(gè)元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接至”或“耦接至”另一個(gè)元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接在另一個(gè)元件或?qū)由?、直接連接或耦接至另一個(gè)元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谝粋€(gè)或更多個(gè)中間元件或中間層。此外，還將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”兩個(gè)元件或?qū)印爸g”時(shí)，其可以為兩個(gè)元件或?qū)又g的唯一元件或?qū)?，或者也可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間元件或?qū)印?/p>

本文中所使用的術(shù)語僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非意在限制本公開。如本文中所使用的，除非上下文另外清楚地表示，否則單數(shù)形式也意在包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括”和“包含”具體說明所述的特征、整體、 步驟、操作、元件和/或組件的存在，但不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合。如本文中所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)的列出項(xiàng)中的一種或更多種的任意組合和所有組合。當(dāng)在一列元件之后時(shí)，諸如“…中的至少一種”的表達(dá)可以修飾整列元件，而不能修飾該列中的單個(gè)元件。

除非另外限定，否則本文中所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通常所理解的相同的意思。還將理解的是，術(shù)語(諸如在通用字典中定義的術(shù)語)應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中的意思一致的意思，而將不以理想化的意義或過于正式的意義(除非在本文中被明確地如此定義)來解釋。

在下面的描述中，闡述了大量的特定細(xì)節(jié)以提供對(duì)本公開的透徹理解?？梢栽跓o這些特定細(xì)節(jié)中的一些或全部的情況下實(shí)施本公開。在其他情況下，未詳細(xì)描述眾所周知的工藝結(jié)構(gòu)和/或工藝，以便于不會(huì)不必要地混淆本公開。

在下文中，將參照附圖來詳細(xì)地描述本公開的各種實(shí)施例。

圖1是根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的存儲(chǔ)系統(tǒng)1000的框圖。

參見圖1，存儲(chǔ)系統(tǒng)1000可以包括多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4和控制器1200。

第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以通過單個(gè)公共通道CH與控制器1200通信。雖然在圖1中示出了四個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4，但本公開不局限于此。將理解的是，連接至通道CH的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的數(shù)量可以根據(jù)實(shí)施方式而變化。

第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4中的每個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以接收第一芯片選擇信號(hào)CE1至第四芯片選擇信號(hào)CE4中的每個(gè)芯片選擇信號(hào)?？梢詮目刂破?200來提供第一芯片選擇信號(hào)CE1至第四芯片選擇信號(hào)CE4。第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以分別通過第一芯片選擇信號(hào)CE1至第四芯片選擇信號(hào)CE4來選擇。當(dāng)對(duì)應(yīng)的芯片選擇信號(hào)被使能時(shí)，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以在第一模式下操作，在第一模式下允許存儲(chǔ)器件與控制器1200之間的通信。當(dāng)對(duì)應(yīng)的芯片選擇信號(hào)被禁止時(shí)，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以在第二模式下操作，在第二模式下不允許存儲(chǔ)器件與控制器1200之間的通信。例如，當(dāng)控制器1200使能第一芯片選擇信號(hào)CE1至第四芯片選擇信號(hào)CE4中的一個(gè)芯片選擇信號(hào)時(shí)，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器件SMD4中的與被使能的芯片選擇信號(hào)相對(duì)應(yīng)的一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以通過通道CH來與控制器1200交換命令、地址和/或數(shù)據(jù)。第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4中的與被禁止的芯片選擇信號(hào)相對(duì)應(yīng)的一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件不能與控制器1200通信。這意味著第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4中的與被使能的芯片選擇信號(hào)相對(duì)應(yīng)的一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以占用公共通道CH，而第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4中的與被禁止的芯片選擇信號(hào)相對(duì)應(yīng)的一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件不能占用公共通道CH。在此方法中，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以通過單個(gè)公共通道CH來與控制器1200通信。

第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以耦接至公共就緒-繁忙線RBL。第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4中的每個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以產(chǎn)生就緒-繁忙信號(hào)以指示其處于就緒狀態(tài)還是繁忙狀態(tài)，并將通過就緒-繁忙線RBL輸出產(chǎn)生的就緒-繁忙信號(hào)。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的就緒狀態(tài)可以意味著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件完成了其內(nèi)部操作且當(dāng)前等待操作。例如，內(nèi)部操作可以包括由控制器1200指示的編程操作、讀取操作或擦除操作。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的繁忙狀態(tài)可以意味著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件當(dāng)前正在運(yùn)行其內(nèi)部操作。

與本公開的實(shí)施例不同的是，當(dāng)多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件分別連接至專門的就緒-繁忙線時(shí)，就緒-繁忙線的數(shù)量增大。這可以導(dǎo)致控制器1200的輸入/輸出引腳的數(shù)量增大，從而導(dǎo)致存儲(chǔ)系統(tǒng)1000的面積增大。根據(jù)圖1中的實(shí)施例，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以共享單個(gè)就緒-繁忙線RBL，以減小存儲(chǔ)系統(tǒng)1000的面積。

控制器1200可以通過公共通道CH來控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4的所有操作?？刂破?200可以在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4與主機(jī)(系統(tǒng))之間接口。在一種實(shí)施方式中，控制器1200可以以固件來實(shí)施。

響應(yīng)于來自主機(jī)系統(tǒng)的請(qǐng)求或從控制器1200內(nèi)部地產(chǎn)生的請(qǐng)求，控制器1200可以通過公共通道CH來指示半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4?？刂破?200可以指示半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4來執(zhí)行編程操作、讀取操作或擦除操作等。

控制器1200可以將第一芯片選擇信號(hào)CE1至第四芯片選擇信號(hào)CE4分別發(fā)送給第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4。

在編程操作期間，控制器1200可以使能芯片選擇信號(hào)CE1至CE4中的一個(gè)芯片選擇信號(hào)來選擇半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4中的一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。然后，控制器1200可以通過公共通道CH來提供用于選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的編程命令、地址和要被儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。接下來，選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以將數(shù)據(jù)編程在由地址指示的儲(chǔ)存區(qū)中。

在讀取操作期間，控制器1200可以使能芯片選擇信號(hào)CE1至CE4中的一個(gè)芯片選擇信號(hào)來選擇半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4中的一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。然后，控制器1200可以通過公共通道CH來提供用于選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的讀取命令和相關(guān)地址。接下來，選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以從由地址指示的儲(chǔ)存區(qū)讀取數(shù)據(jù)，并通過通道CH來將讀取的數(shù)據(jù)輸出給控制器1200。

在擦除操作期間，控制器1200可以使能芯片選擇信號(hào)CE1至CE4中的一個(gè)芯片選擇信號(hào)來選擇半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4中的一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。然后，控制器1200可以通過公共通道CH來提供用于選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的擦除命令和相關(guān)地址。接下來，選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以從由地址指示的儲(chǔ)存區(qū)擦除數(shù)據(jù)。

控制器1200可以通過就緒-繁忙線RBL連接至半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4?？刂破?200可以通過就緒-繁忙線RBL來從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4接收就緒-繁忙信號(hào)，并基于就緒-繁忙信號(hào)來判斷第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4中的哪一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件處于就緒狀態(tài)。在此之后，控制器1200可以選擇第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4中的處于就緒狀態(tài)的一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件并指示選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。例如，控制器1200可以指示選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件來執(zhí)行編程操作、讀取操作或擦除操作。

圖2是來自半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4之中的一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1的框圖。

參見圖2，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以包括輸入/輸出線IO1至IO8、芯片選擇線CL、就緒-繁忙線RBL、寫入使能線WEL、讀取使能線REL、地址鎖存使能線ALEL和命令鎖存使能線CLEL。

輸入/輸出線IO1至IO8可以連接至通道CH。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以通過輸入/輸出線IO1至IO8和通道CH來與控制器1200通信。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以通過芯片選擇線CL來接收對(duì)應(yīng)的芯片選擇信號(hào)CE1。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以通過就緒-繁忙線RBL輸出就緒-繁忙信號(hào)。

可以明白的是，雖然未在圖1中示出，但半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以通過寫入使能 線WEL、讀取使能線REL、地址鎖存使能線ALEL和命令鎖存使能線CLEL而連接至控制器1200。在一種實(shí)施方式中，共享單個(gè)通道CH的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4可以分別共享寫入使能線WEL、讀取使能線REL、地址鎖存使能線ALEL和命令鎖存使能線CLEL。

寫入使能信號(hào)、讀取使能信號(hào)、地址鎖存使能信號(hào)和命令鎖存使能信號(hào)可以分別通過寫入使能線WEL、讀取使能線REL、地址鎖存使能線ALEL和命令鎖存使能線CLEL而被從控制器1200提供給第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4中的每個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

寫入使能信號(hào)的使能可以導(dǎo)致數(shù)據(jù)通過通道CH從控制器1200傳輸至選中的半導(dǎo)體器件。例如，當(dāng)?shù)谝恍酒x擇信號(hào)CE1被使能且寫入使能信號(hào)被使能時(shí)，數(shù)據(jù)可以通過通道CH而被從控制器1200傳輸至第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1。

讀取使能信號(hào)的使能可以導(dǎo)致數(shù)據(jù)從選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的傳輸。例如，當(dāng)?shù)谝恍酒x擇信號(hào)CE1被使能且讀取使能信號(hào)被使能時(shí)，數(shù)據(jù)可以通過通道CH而被從第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1傳輸至控制器1200。

可以注意到，當(dāng)對(duì)應(yīng)的芯片選擇信號(hào)CE1被使能而寫入使能信號(hào)和讀取使能信號(hào)二者都未被使能時(shí)，數(shù)據(jù)不能在第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1與控制器1200之間傳送。

當(dāng)?shù)刂锋i存使能信號(hào)被使能時(shí)，相關(guān)地址可以通過通道CH而被發(fā)送至選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。當(dāng)命令鎖存使能信號(hào)被使能時(shí)，相關(guān)命令可以通過通道CH而被發(fā)送至選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

當(dāng)?shù)谝恍酒x擇信號(hào)CE1、寫入使能信號(hào)和命令鎖存使能信號(hào)被使能時(shí)，那么第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以通過通道CH從控制器1200接收命令。例如，當(dāng)寫入使能信號(hào)被觸發(fā)時(shí)，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以獲取該命令。

當(dāng)?shù)谝恍酒x擇信號(hào)CE1、寫入使能信號(hào)和地址鎖存使能信號(hào)被使能時(shí)，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以通過通道CH從控制器1200接收地址。例如，當(dāng)寫入使能信號(hào)被觸發(fā)時(shí)，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以獲取該地址。

當(dāng)?shù)谝恍酒x擇信號(hào)CE1和寫入使能信號(hào)被使能而地址鎖存使能信號(hào)和命令鎖存使能信號(hào)被禁止時(shí)，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以通過通道CH來從控制器1200接收要被儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)寫入使能信號(hào)被觸發(fā)時(shí)，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以獲取要被儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。

當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE1和讀取使能信號(hào)被使能時(shí)，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以通過通道CH來將數(shù)據(jù)發(fā)送至控制器1200。例如，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以響應(yīng)于讀取使能信號(hào)而輸出儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。

圖3是各個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4的一個(gè)實(shí)施例的框圖。

參見圖3，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100可以包括存儲(chǔ)單元陣列110、外圍電路120和就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器130。

存儲(chǔ)單元陣列110可以通過字線WL連接至地址解碼器121。存儲(chǔ)單元陣列110可以通過位線BL耦接至讀寫電路123。

存儲(chǔ)單元陣列110可以包括多個(gè)存儲(chǔ)塊。多個(gè)存儲(chǔ)塊中的每個(gè)存儲(chǔ)塊可以包括多個(gè)頁。多個(gè)頁中的每個(gè)頁可以包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。在一種實(shí)施方式中，多個(gè)存儲(chǔ)單元可以以非易失性存儲(chǔ)單元來實(shí)施。在一種實(shí)施方式中，每個(gè)存儲(chǔ)單元可以以單電平單元結(jié)構(gòu)或多電平單元結(jié)構(gòu)來實(shí)施。

外圍電路120可以包括地址解碼器121、電壓發(fā)生器122、讀寫電路123、輸入/輸出電路124和控制邏輯125。

地址解碼器121可以通過字線WL連接至存儲(chǔ)單元陣列110。地址解碼器121可以在控制邏輯125的控制下控制字線WL。地址解碼器121可以從控制邏輯125接收地址ADDR。

在一種實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100可以基于頁來執(zhí)行編程操作和讀取操作。在編程操作和/或讀取操作期間，地址ADDR可以包括塊地址和行地址。地址解碼器121可以對(duì)來自提供的地址ADDR的塊地址解碼。地址解碼器121可以根據(jù)解碼的塊地址來選擇單個(gè)存儲(chǔ)塊。地址解碼器121還可以對(duì)來自提供的地址ADDR的行地址解碼。地址解碼器121可以根據(jù)解碼的行地址來選擇選中的存儲(chǔ)塊的字線中的一個(gè)字線。這樣，單個(gè)頁可以被選中。

在一種實(shí)施方式中，在擦除操作期間，地址ADDR可以包括塊地址。地址解碼器121可以對(duì)塊地址解碼，并根據(jù)解碼的塊地址來選擇單個(gè)存儲(chǔ)塊。

在一種實(shí)施方式中，地址解碼器121可以包括塊解碼器、行解碼器和地址緩沖器等。

電壓發(fā)生器122可以在控制邏輯125的控制下操作。電壓發(fā)生器122可以使用供給至半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的外部電源電壓來產(chǎn)生內(nèi)部電源電壓。例如，電壓發(fā)生器122可 以通過對(duì)外部電源電壓的調(diào)節(jié)來產(chǎn)生內(nèi)部電源電壓。產(chǎn)生的內(nèi)部電源電壓可以被供給至半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的可使用內(nèi)部電壓作為操作電壓的地址解碼器121、讀寫電路123、輸入/輸出電路124、控制邏輯125和就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器130。

電壓發(fā)生器122可以使用外部電壓和/或內(nèi)部電壓來產(chǎn)生多個(gè)電壓。在一種實(shí)施方式中，電壓發(fā)生器122可以包括用來接收內(nèi)部電壓的多個(gè)泵電容器(pumping capacitor)。電壓發(fā)生器122可以在控制邏輯125的控制下通過對(duì)泵電容器的選擇性激活來產(chǎn)生多個(gè)電壓。例如，電壓發(fā)生器122可以產(chǎn)生要被施加至字線WL的各種電壓，并將產(chǎn)生的電壓輸出給地址解碼器121。

讀寫電路123可以通過位線BL而連接至存儲(chǔ)單元陣列110。讀寫電路123可以在控制邏輯125的控制下操作。

在編程操作期間，讀寫電路123可以將要被儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)DATA從輸入/輸出電路124發(fā)送至位線BL?；跀?shù)據(jù)DATA，存儲(chǔ)單元被選中然后被編程。在讀取操作期間，讀寫電路123可以通過位線BL從選中的存儲(chǔ)單元讀取儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)DATA輸出給輸入/輸出電路124。在擦除操作期間，讀寫電路123可以浮置位線BL。

在一種實(shí)施方式中，讀寫電路123可以包括頁緩沖器或頁寄存器、行選擇電路等。

控制邏輯125可以連接至地址解碼器121、電壓發(fā)生器122、讀寫電路123、輸入/輸出電路124和就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器130?？刂七壿?25可以從輸入/輸出電路124接收命令CMD和地址ADDR?？刂七壿?25可以響應(yīng)于命令CMD而控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的所有操作。控制邏輯125可以將地址ADDR發(fā)送至地址解碼器121。

控制邏輯125可以連接至芯片選擇線CL。當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能時(shí)，控制邏輯125可以控制外圍電路120或輸入/輸出電路124來在第一模式下操作。在第一模式下，相關(guān)的半導(dǎo)體器件可以與外部設(shè)備(例如，控制器1220)通信。當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被禁止時(shí)，控制邏輯125可以控制外圍電路120或輸入/輸出電路124來在第二模式下操作。在第二模式下，相關(guān)的半導(dǎo)體器件不能與外部設(shè)備通信。

當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能時(shí)，控制邏輯125可以響應(yīng)于寫入使能信號(hào)的觸發(fā)而控制輸入/輸出電路124來接收數(shù)據(jù)。當(dāng)命令鎖存使能信號(hào)被使能時(shí)，控制邏輯125可以接收命令CMD。當(dāng)?shù)刂锋i存使能信號(hào)被使能時(shí)，控制邏輯125可以接收地址ADDR。當(dāng)命令鎖存使能信號(hào)和地址鎖存使能信號(hào)二者都未被使能時(shí)，控制邏輯125可以接收要被儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)DATA，并控制輸入/輸出電路124來將數(shù)據(jù)DATA發(fā)送至讀寫電路123。

當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能時(shí)，控制邏輯125可以響應(yīng)于讀取使能信號(hào)的觸發(fā)而控 制輸入/輸出電路124來將儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)DATA輸出給外部設(shè)備。

另一方面，控制邏輯125可以基于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的操作狀態(tài)來產(chǎn)生狀態(tài)信號(hào)STS，并將產(chǎn)生的狀態(tài)信號(hào)STS輸出給就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器130。狀態(tài)信號(hào)STS可以指示外圍電路120是處于就緒狀態(tài)還是繁忙狀態(tài)。例如，控制邏輯125可以在外圍電路120執(zhí)行內(nèi)部操作時(shí)或在外圍電路120處于繁忙狀態(tài)時(shí)使能狀態(tài)信號(hào)STS?？刂七壿?25可以在外圍電路120完成內(nèi)部操作時(shí)或在外部電路120處于就緒狀態(tài)時(shí)禁止?fàn)顟B(tài)信號(hào)STS。

就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器130可以連接至芯片選擇線CL。在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)提供的芯片選擇信號(hào)CE被使能時(shí)，就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器130可以根據(jù)狀態(tài)信號(hào)STS來對(duì)就緒-繁忙線RBL施加偏壓。偏置到就緒-繁忙線RBL的電壓可以作為就緒-繁忙信號(hào)RBS。對(duì)于就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器130，將參照?qǐng)D5和圖6來進(jìn)行詳細(xì)描述。

在一種實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100可以以快閃存儲(chǔ)器件來實(shí)施。

圖4是圖3中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100的操作方法的流程圖。

參見圖3和圖4，在步驟S110處，可以對(duì)與半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100相對(duì)應(yīng)的芯片選擇信號(hào)CE是否被使能進(jìn)行判斷。當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能時(shí)，該方法前進(jìn)至步驟S120。當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE未被使能時(shí)，該方法前進(jìn)至步驟S130。

在步驟S120處，基于外圍電路120是處于就緒狀態(tài)還是繁忙狀態(tài)來產(chǎn)生就緒-繁忙信號(hào)RBS。即，當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能時(shí)，可以供給就緒-繁忙信號(hào)RBS。在一種實(shí)施方式中，當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能時(shí)，就緒-繁忙線RBL可以被使能或被禁止。

在步驟S130處，不產(chǎn)生就緒-繁忙信號(hào)RBS。在一種實(shí)施方式中，當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE未被使能時(shí)，無論外圍電路120是處于就緒狀態(tài)還是繁忙狀態(tài)，就緒-繁忙線RBL都可以被禁止。

再次參見圖1，為了判斷單個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是處于就緒狀態(tài)還是繁忙狀態(tài)，控制器1200可以使能芯片選擇信號(hào)CE1至CE4之中的與該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件相對(duì)應(yīng)的芯片選擇信號(hào)CE，而禁止與其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件相對(duì)應(yīng)的芯片選擇信號(hào)。在一種實(shí)施方式中，可以禁止寫入使能信號(hào)和讀取使能信號(hào)。在這種情況下，即使芯片選擇信號(hào)CE被使能，控制器1200也不能通過公共通道CH來與對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件通信。對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器130可以響應(yīng)于對(duì)芯片選擇信號(hào)CE的使能而輸出就緒-繁忙信號(hào)RBS。除通過芯片選擇信號(hào)CE而被選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件之外的其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件不能輸出就緒-繁忙信號(hào)RBS，因?yàn)樗鼈兊膶?duì)應(yīng)的芯片選擇信號(hào)被禁止。相應(yīng)地，當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4共享就緒-繁忙線RBL時(shí)，控制器1200可以引用選 中的單個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

可選地，可以假定無論芯片選擇信號(hào)CE如何半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4中的每個(gè)都可以輸出就緒-繁忙信號(hào)RBS。即，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4中的每個(gè)都可以基于其操作狀態(tài)來對(duì)就緒-繁忙線RBL施加偏壓。例如，處于繁忙狀態(tài)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以將就緒-繁忙線RBL偏置為接地電壓，而處于就緒狀態(tài)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以浮置就緒-繁忙線RBL。在此情形下，當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4中的至少一個(gè)處于繁忙狀態(tài)時(shí)，就緒-繁忙線RBL可以被偏置為接地電壓。當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4全部處于就緒狀態(tài)時(shí)，就緒-繁忙線RBL可以被浮置。因此，當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4中的至少一個(gè)處于繁忙狀態(tài)時(shí)，不可能通過就緒-繁忙線RBL來找到半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4之中的剩余半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的哪一個(gè)處于繁忙狀態(tài)或就緒狀態(tài)。因此，即使當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4的剩余部分處于就緒狀態(tài)時(shí)，控制器1200由于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4的一部分的繁忙狀態(tài)而不能判斷半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4中的哪個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件處于就緒狀態(tài)。為此，控制器1200不能為處于就緒狀態(tài)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件立即指示新的操作。

而且，可以假定控制器1200可通過狀態(tài)讀取命令經(jīng)由通道CH的傳輸來判斷半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4中的每個(gè)的工作狀態(tài)。例如，控制器1200可以使能芯片選擇信號(hào)CE1至CE4中的一個(gè)，且可以經(jīng)由通道CH來執(zhí)行針對(duì)對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的狀態(tài)讀取操作。這種狀態(tài)讀取操作的重復(fù)可以導(dǎo)致通道CH的負(fù)載的增大。例如，用于檢查特定半導(dǎo)體器件的操作狀態(tài)的重復(fù)狀態(tài)讀取操作可以導(dǎo)致控制器1200與剩余半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件之間通過公共通道CH的通信時(shí)間減少。

根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100可以響應(yīng)于芯片選擇信號(hào)CE而輸出就緒-繁忙信號(hào)RBS?？刂破?200可以根據(jù)就緒-繁忙信號(hào)RBS來判斷半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4的與使能的芯片選擇信號(hào)CE相對(duì)應(yīng)的操作狀態(tài)。因此，當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4共享單個(gè)就緒-繁忙線RBL時(shí)，控制器1200可以選擇半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4中的一個(gè)，并立即引用選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作狀態(tài)。因此，存儲(chǔ)系統(tǒng)1000可以具有提高的操作速度。

圖5是圖3中的就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器130的一個(gè)實(shí)施例的框圖。

參見圖5，就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器130可以包括就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生模塊131、芯片選擇信號(hào)檢測(cè)器132和三態(tài)緩沖器。

就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生模塊131可以接收狀態(tài)信號(hào)STS。就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生模塊131可以經(jīng)由其第一輸出節(jié)點(diǎn)NDa輸出狀態(tài)信號(hào)STS。例如，當(dāng)狀態(tài)信號(hào)STS被使能時(shí)， 第一輸出節(jié)點(diǎn)NDa可以具有邏輯值“高”。當(dāng)狀態(tài)信號(hào)STS被禁止時(shí)，第一輸出節(jié)點(diǎn)NDa可以具有邏輯值“低”。就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生模塊131可以經(jīng)由其第二輸出節(jié)點(diǎn)NDb輸出恒定電壓。例如，該恒定電壓可以為接地電壓。

當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能時(shí)，芯片選擇信號(hào)檢測(cè)器132可以將第一輸出節(jié)點(diǎn)NDa的狀態(tài)信號(hào)STS輸出至開關(guān)節(jié)點(diǎn)NDc。當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被禁止時(shí)，芯片選擇信號(hào)檢測(cè)器132可以阻擋第一輸出節(jié)點(diǎn)NDa的狀態(tài)信號(hào)STS。芯片選擇信號(hào)檢測(cè)器132可以包括反相器133和與門134。反相器133可以將芯片選擇信號(hào)CE反相并將反相的芯片選擇信號(hào)CE輸出至與門134。在一種實(shí)施方式中，芯片選擇信號(hào)CE可以被使能為邏輯值“低”。當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE具有邏輯值“低”時(shí)，反相器133可以將邏輯值“高”輸出至與門134。因此，當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能時(shí)，與門134可以將第一輸出節(jié)點(diǎn)NDa的狀態(tài)信號(hào)STS輸出至開關(guān)節(jié)點(diǎn)NDc。當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被禁止時(shí)，第一輸出節(jié)點(diǎn)NDa的狀態(tài)信號(hào)STS可以被阻擋。

三態(tài)緩沖器135可以根據(jù)開關(guān)節(jié)點(diǎn)NDc的邏輯值來將第二輸出節(jié)點(diǎn)NDb與就緒-繁忙線RBL電耦接。當(dāng)開關(guān)節(jié)點(diǎn)NDc的邏輯值為“高”時(shí)，三態(tài)緩沖器135可以從第二輸出節(jié)點(diǎn)NDb將恒定電壓(例如，接地電壓)輸出至就緒-繁忙線RBL。就緒-繁忙信號(hào)RBS可以被使能為邏輯值“低”。當(dāng)開關(guān)節(jié)點(diǎn)NDc的邏輯值為“低”時(shí)，三態(tài)緩沖器135可以浮置就緒-繁忙線RBL。例如，就緒-繁忙線RBL可以耦接至高阻抗。就緒-繁忙信號(hào)RBS可以被禁止為浮置。

即，當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能時(shí)，第二輸出節(jié)點(diǎn)NDb的恒定電壓可以被輸出至就緒-繁忙線RBL，或者就緒-繁忙線RBL可以根據(jù)狀態(tài)信號(hào)STS而被浮置。

圖6圖示了就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器130基于芯片選擇信號(hào)CE的輸出的表格。

參見圖6，當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能為具有邏輯值“低”時(shí)，就緒-繁忙信號(hào)RBS取決于狀態(tài)信號(hào)STS。當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100進(jìn)入繁忙狀態(tài)從而狀態(tài)信號(hào)STS具有邏輯值“高”時(shí)，就緒-繁忙信號(hào)RBS可以被使能為具有邏輯值“低”。當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件100進(jìn)入就緒狀態(tài)從而狀態(tài)信號(hào)STS具有邏輯值“低”時(shí)，就緒-繁忙信號(hào)RBS可以被禁止為浮置。

與此相反的是，當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被禁止為具有邏輯值“高”時(shí)，無論狀態(tài)信號(hào)STS如何，就緒-繁忙信號(hào)RBS都可以被禁止為浮置。

圖7是圖1中的控制器1200的操作方法的流程圖。

參見圖1和圖7，在步驟S210處，控制器1200可以使能芯片選擇信號(hào)CE1至CE4 中的任意一個(gè)。然后，控制器1200可以禁止寫入使能信號(hào)和讀取使能信號(hào)。因此，在無經(jīng)由通道CH的數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，芯片選擇信號(hào)CE可以被提供以確定半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作狀態(tài)。

在步驟S220處，控制器1200可以檢測(cè)經(jīng)由就緒-繁忙線RBL傳輸?shù)木途w-繁忙信號(hào)RBS。就緒-繁忙信號(hào)RBS可以經(jīng)由就緒-繁忙線RBL而從第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4中的與被使能的芯片選擇信號(hào)CE相對(duì)應(yīng)的一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件傳輸。

在步驟S230處，控制器1200可以判斷就緒-繁忙信號(hào)RBS是否被使能。例如，就緒-繁忙信號(hào)RBS可以被使能為具有邏輯值“低”，以及可以被禁止為浮置。

在步驟S240處，控制器1200可以在就緒-繁忙信號(hào)RBS被使能時(shí)確定對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件處于繁忙狀態(tài)。在步驟S250處，控制器1200可以在就緒-繁忙信號(hào)RBS被禁止時(shí)確定對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件處于就緒狀態(tài)。

圖8是根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的存儲(chǔ)系統(tǒng)2000的框圖。

參見圖8，存儲(chǔ)系統(tǒng)2000可以包括多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4以及控制器2200。

第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以經(jīng)由單個(gè)公共通道CH來與控制器1200通信。第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以耦接至公共就緒-繁忙線RBL。

與參照?qǐng)D1至圖7而描述的存儲(chǔ)系統(tǒng)1000不同的是，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以劃分為多個(gè)存儲(chǔ)器組，且每個(gè)存儲(chǔ)器組中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以共享單個(gè)芯片選擇信號(hào)CE。在圖8的示例中，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1與第二半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD2可以共享第一芯片選擇信號(hào)CE1，而第三半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD3與第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以共享第二芯片選擇信號(hào)CE2。

在一種實(shí)施方式中，控制器2200可以通過對(duì)單個(gè)芯片選擇信號(hào)CE的使能來選擇單個(gè)存儲(chǔ)器組。然后，控制器2200可以通過添加數(shù)據(jù)位至地址ADDR以指示選中存儲(chǔ)器組中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件來從選中存儲(chǔ)器組中選擇單個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

圖9是圖8中的存儲(chǔ)系統(tǒng)2000的變型的框圖。

參見圖9，單個(gè)存儲(chǔ)器組可以用單個(gè)封裝體來實(shí)施。在圖9中，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 件SMD1和第二半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD2可以形成以單個(gè)封裝體來實(shí)施的第一存儲(chǔ)器組2110。而且，第三半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD3和第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以形成以另一單個(gè)封裝體來實(shí)施的第二存儲(chǔ)器組2120。在一種實(shí)施方式中，每個(gè)存儲(chǔ)器組可以體現(xiàn)單個(gè)邏輯單元LUN。

圖10是圖8中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4中的每個(gè)的實(shí)施例200的框圖。

參見圖10，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件200可以包括存儲(chǔ)單元陣列210、外圍電路220和就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器230。外圍電路220可以包括地址解碼器221、電壓發(fā)生器222、讀寫電路223、輸入/輸出電路224和控制邏輯225。地址解碼器221、電壓發(fā)生器222、讀寫電路223、輸入/輸出電路224和控制邏輯225可以類似于參照?qǐng)D3至圖7而描述的地址解碼器121、電壓發(fā)生器122、讀寫電路123、輸入/輸出電路124和控制邏輯125。

就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器230可以連接至芯片選擇線CL、地址鎖存使能線ALEL和命令鎖存使能線CLEL。通過芯片選擇線CL、地址鎖存使能線ALEL和命令鎖存使能線CLEL，就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器230可以分別接收芯片選擇信號(hào)CE、地址鎖存使能信號(hào)ALE和命令鎖存使能信號(hào)CLE。芯片選擇信號(hào)CE、地址鎖存使能信號(hào)ALE和命令鎖存使能信號(hào)CLE也可以被供給至控制邏輯225。

在本公開的一種實(shí)施方式中，就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器230可以通過引用芯片選擇信號(hào)CE、地址鎖存使能信號(hào)ALE和命令鎖存使能信號(hào)CLE而根據(jù)狀態(tài)信號(hào)STS來對(duì)就緒-繁忙線RBL施加偏壓。施加至就緒-繁忙線RBL的偏置電壓可以充當(dāng)就緒-繁忙信號(hào)RBS。

圖11是圖10中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件200的操作方法的流程圖。

參見圖8和圖11，在步驟S310處，可以對(duì)芯片選擇信號(hào)CE是否被使能進(jìn)行判斷。當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能時(shí)，該方法可以前進(jìn)至步驟S120。當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE未被使能時(shí)，該方法可以前進(jìn)至步驟S130。

在步驟S320處，可以對(duì)通過地址鎖存使能信號(hào)ALE和命令鎖存使能信號(hào)CLE來限定的控制位是否具有預(yù)定值進(jìn)行判斷。在肯定情況下，該方法可以前進(jìn)至步驟S330，而在否定的情況下，該方法可以前進(jìn)至步驟S340。

在一種實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件之間，預(yù)定值可以具有不同的值。例如，第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1可以對(duì)應(yīng)于邏輯值“00”；第二半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD2可以對(duì)應(yīng)于邏輯值“01”；第三半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD3可以對(duì)應(yīng)于邏輯值“10”；以及第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4可以對(duì)應(yīng)于邏輯值“11”。

在此方法中，可以通過控制位來選擇半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1至SMD4之中的通過芯片選擇信號(hào)CE而選中的選中存儲(chǔ)器組中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。因此，當(dāng)兩個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件共享單個(gè)芯片選擇信號(hào)CE時(shí)，可以通過地址鎖存使能信號(hào)和命令鎖存使能信號(hào)來選擇選中存儲(chǔ)器組中包括的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的一個(gè)。

在步驟S330處，可以根據(jù)外圍電路120是處于就緒狀態(tài)還是處于繁忙狀態(tài)來產(chǎn)生就緒-繁忙信號(hào)RBS。在步驟S340處，可以不產(chǎn)生就緒-繁忙信號(hào)RBS。

圖12是圖10中的就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器230的一個(gè)實(shí)施例的框圖。

參見圖12，就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器230可以包括就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生模塊231、芯片選擇信號(hào)檢測(cè)器232和三態(tài)緩沖器237。

就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生模塊231可以接收狀態(tài)信號(hào)STS。就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生模塊231可以經(jīng)由其第一輸出節(jié)點(diǎn)NDa輸出狀態(tài)信號(hào)STS，以及可以經(jīng)由其第二輸出節(jié)點(diǎn)NDb輸出恒定電壓，例如，接地電壓。

當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能且通過地址鎖存使能信號(hào)ALE和命令鎖存使能信號(hào)CLE限定的控制位具有預(yù)定值時(shí)，芯片選擇信號(hào)檢測(cè)器232可以將狀態(tài)信號(hào)STS從第一輸出節(jié)點(diǎn)NDa輸出至開關(guān)節(jié)點(diǎn)NDc。芯片選擇信號(hào)檢測(cè)器232可以包括反相器233、狀態(tài)請(qǐng)求信號(hào)發(fā)生模塊234以及第一與門235和第二與門236。反相器233可以將芯片選擇信號(hào)CE反相，并將反相的芯片選擇信號(hào)CE輸出至第一與門235。

當(dāng)通過地址鎖存使能信號(hào)ALE和命令鎖存使能信號(hào)CLE限定的控制位具有預(yù)定值時(shí)，狀態(tài)請(qǐng)求信號(hào)發(fā)生模塊234可以將狀態(tài)請(qǐng)求信號(hào)SRS使能為具有邏輯值“高”。狀態(tài)請(qǐng)求信號(hào)SRS可以被傳送至第一與門235。例如，當(dāng)狀態(tài)請(qǐng)求信號(hào)發(fā)生模塊234被包括在第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD1中時(shí)，對(duì)應(yīng)的預(yù)定值可以具有邏輯值“00”。當(dāng)狀態(tài)請(qǐng)求信號(hào)發(fā)生模塊234被包括在第二半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD2中時(shí)，對(duì)應(yīng)的預(yù)定值可以具有邏輯值“01”。當(dāng)狀態(tài)請(qǐng)求信號(hào)發(fā)生模塊234被包括在第三半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD3中時(shí)，對(duì)應(yīng)的預(yù)定值可以具有邏輯值“10”。當(dāng)狀態(tài)請(qǐng)求信號(hào)發(fā)生模塊234被包括在第四半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD4中時(shí)，對(duì)應(yīng)的預(yù)定值可以具有邏輯值“11”。

第一與門235可以施加“與”運(yùn)算至反相的芯片選擇信號(hào)CE與狀態(tài)請(qǐng)求信號(hào)SRS。當(dāng)反相的芯片選擇信號(hào)CE具有邏輯值“高”且狀態(tài)請(qǐng)求信號(hào)SRS具有邏輯值“高”時(shí)，第一與門235可以輸出邏輯值“高”。

當(dāng)?shù)谝慌c門235的輸出具有邏輯值“高”時(shí)，第二與門236可以將狀態(tài)信號(hào)STS從第一輸出節(jié)點(diǎn)NDa輸出至開關(guān)節(jié)點(diǎn)NDc。當(dāng)?shù)谝慌c門235的輸出具有邏輯值“低”時(shí)， 第二與門236可以不允許輸出狀態(tài)信號(hào)STS。

三態(tài)緩沖器237可以根據(jù)開關(guān)節(jié)點(diǎn)NDc處的邏輯值而電連接在第二輸出節(jié)點(diǎn)NDb與就緒-繁忙線RBL之間。

當(dāng)芯片選擇信號(hào)CE被使能且通過地址鎖存使能信號(hào)ALE和命令鎖存使能信號(hào)CLE限定的控制位具有預(yù)定值時(shí)，可以將恒定電壓(例如，接地電壓)從第二輸出節(jié)點(diǎn)NDb輸出至就緒-繁忙線RBL，或者可以根據(jù)狀態(tài)信號(hào)STS來浮置就緒-繁忙線RBL。

圖13是就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器230基于芯片選擇信號(hào)CE、地址鎖存使能信號(hào)ALE和命令鎖存使能信號(hào)CLE的輸出的表格。

參見圖13，當(dāng)通過地址鎖存使能信號(hào)ALE和命令鎖存使能信號(hào)CLE限定的控制位具有邏輯值“00”時(shí)，就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器230可以產(chǎn)生如以上關(guān)于圖6描述的就緒-繁忙信號(hào)RBS。將理解的是，雖然未在圖13中示出，但當(dāng)通過地址鎖存使能信號(hào)ALE和命令鎖存使能信號(hào)CLE限定的控制位不具有邏輯值“00”時(shí)，無論芯片選擇信號(hào)CE和狀態(tài)信號(hào)STS如何，就緒-繁忙信號(hào)發(fā)生器230都可以將就緒-繁忙信號(hào)RBS禁止為浮置。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式，當(dāng)單個(gè)芯片選擇信號(hào)CE可以在兩個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件之間共享時(shí)，可以通過地址鎖存使能信號(hào)和命令鎖存使能信號(hào)來選擇半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的一個(gè)。因此，控制器2200在無額外線路的情況下選擇單個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，并立即引用選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作狀態(tài)。

圖14是圖8中的控制器2200的操作方法的流程圖。

參見圖8和圖14，在步驟S410處，控制器2200可以使能芯片選擇信號(hào)CE1和CE2中的一個(gè)。此時(shí)，控制器2200可以禁止寫入使能信號(hào)和讀取使能信號(hào)。

在步驟S420處，控制器2200可以輸出地址鎖存使能信號(hào)ALE和命令鎖存使能信號(hào)CLE以選擇通過芯片選擇信號(hào)CE1和CE2中的被使能的一個(gè)芯片選擇信號(hào)選擇的存儲(chǔ)器組中包括的單個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，地址鎖存使能信號(hào)ALE和命令鎖存使能信號(hào)CLE包括具有預(yù)定值的控制位。

在步驟S430處，控制器2200可以檢測(cè)經(jīng)由就緒-繁忙線RBL傳輸?shù)木途w-繁忙信號(hào)RBS。在步驟S440處，控制器2200可以判斷就緒-繁忙信號(hào)RBS是否被使能。例如，就緒-繁忙信號(hào)RBS可以被使能為具有邏輯值“低”，以及可以被禁止為浮置。在步驟S450處，當(dāng)就緒-繁忙信號(hào)RBS被使能時(shí)，控制器2200可以確定選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件處于 繁忙狀態(tài)。在步驟S460處，當(dāng)就緒-繁忙信號(hào)RBS被禁止時(shí)，控制器2200可以確定選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件處于就緒狀態(tài)。

圖15是根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的存儲(chǔ)系統(tǒng)3000的框圖。

參見圖15，存儲(chǔ)系統(tǒng)3000可以包括多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD11至SMD14和SMDk1至SMDk4以及控制器3200。多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件SMD11至SMD14和SMDk1至SMDk4可以經(jīng)由第一通道CH1至第k通道CHk連接至控制器3200?？刂破?200可以分別經(jīng)由第一通道CH1至第k通道CHk來控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。在此方法中，存儲(chǔ)系統(tǒng)3000可以提供更大的儲(chǔ)存面積。

將理解的是，雖然在圖15中省略了就緒-繁忙線RBL，但共享單個(gè)通道的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以耦接至單個(gè)就緒-繁忙線。類似于上述的關(guān)于圖3的描述，控制器3200可以將芯片選擇信號(hào)供給至共享單個(gè)通道的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。類似于上述的關(guān)于圖8和圖9的描述，共享單個(gè)通道的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以劃分為多個(gè)存儲(chǔ)器組，且在此情況下，控制器3200可以將芯片使能信號(hào)分別供給至存儲(chǔ)器組。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以響應(yīng)于芯片選擇信號(hào)而輸出就緒-繁忙信號(hào)RBS。當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件共享就緒-繁忙線時(shí)，控制器可以選擇單個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，且立即引用選中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作狀態(tài)。結(jié)果，在存儲(chǔ)系統(tǒng)中可以實(shí)現(xiàn)提高的操作速度。

在本文中已經(jīng)公開了本公開的示例實(shí)施例，盡管采用了特定術(shù)語，但僅以一般意義和描述性意義來使用和解釋它們，而非出于限制的目的。在一些情況下，如自提交本申請(qǐng)之日起對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言所將明顯的是，除非另外明確指出，否則關(guān)于特定實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件可以單獨(dú)使用，或者結(jié)合關(guān)于其他實(shí)施例而描述的特征、特性和/或元件來使用。相應(yīng)地，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由所附權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以作出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。