技術(shù)特征：

1.一種功放底層電路的行為級建模與驗(yàn)證方法，其特征在于，包含以下步驟：

S1、建立功放底層電路模型，采集功放的輸入信號和輸出信號作為實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)；

S2、建立基于數(shù)學(xué)表達(dá)式的行為模型，利用S1中采集到的輸入信號和輸出信號的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對行為模型進(jìn)行辨識；

S3、搭建相同的輸入信號激勵(lì)電路，計(jì)算功放底層電路模型與行為模型輸出信號間的歸一化均方誤差；

S4、判斷歸一化均方誤差是否滿足精度要求，驗(yàn)證行為模型對功放底層電路輸入輸出特性的準(zhǔn)確描述；如滿足，完成功放底層電路的行為級建模與驗(yàn)證；如不滿足，則返回S2，重新調(diào)整行為模型，直至歸一化均方誤差滿足精度要求。

2.如權(quán)利要求1所述的功放底層電路的行為級建模與驗(yàn)證方法，其特征在于，所述的S1中，功放底層電路模型是采用功放器件、電阻、電容或微帶線搭建的電路模型。

3.如權(quán)利要求2所述的功放底層電路的行為級建模與驗(yàn)證方法，其特征在于，所述的S1中，功放的輸入信號和輸出信號為離散形式的基帶信號，采用表示輸入信號，表示輸出信號。

4.如權(quán)利要求3所述的功放底層電路的行為級建模與驗(yàn)證方法，其特征在于，所述的S2中，基于數(shù)學(xué)表達(dá)式的行為模型是指描述功放輸入輸出特性的數(shù)學(xué)表達(dá)式，具體關(guān)系式為：

$\tilde{y}\left(l\right)=f\left(\tilde{x}\left(l\right)\right);$

其中，f(·)函數(shù)是泰勒級數(shù)，或記憶多項(xiàng)式函數(shù)，或Volterra級數(shù)。

5.如權(quán)利要求4所述的功放底層電路的行為級建模與驗(yàn)證方法，其特征在于，所述的S2中，對行為模型進(jìn)行辨識是指利用S1中采集得到的輸入信號和輸出信號的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)求解f(·)函數(shù)的待估計(jì)系數(shù)；

當(dāng)S1中采集到的輸入信號和輸出信號的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)大于待估計(jì)系數(shù)的個(gè)數(shù)時(shí)，采用最小二乘法進(jìn)行辨識，估計(jì)f(·)函數(shù)的系數(shù)的關(guān)系式為：

$\hat{H}={\left(X^{\′}X\right)}^{-1}{X}^{\′}Y;$

當(dāng)S1中采集到的輸入信號和輸出信號的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)小于待估計(jì)系數(shù)的個(gè)數(shù)時(shí)，采用最小L2范數(shù)法進(jìn)行辨識，估計(jì)f(·)函數(shù)的系數(shù)的關(guān)系式為：

$\hat{H}=X^{\′}{\left({\mathrm{XX}}^{\′}\right)}^{-1}Y;$

其中，為估計(jì)的f(·)函數(shù)的系數(shù)矩陣，X為建立的輸入信號矩陣，X'為X的共軛轉(zhuǎn)置矩陣，Y為建立的輸出信號矩陣。

6.如權(quán)利要求5所述的功放底層電路的行為級建模與驗(yàn)證方法，其特征在于，所述的S3中，相同的輸入信號激勵(lì)電路是指功放底層電路模型與行為模型的前端激勵(lì)保持一致。

7.如權(quán)利要求6所述的功放底層電路的行為級建模與驗(yàn)證方法，其特征在于，所述的S3中，計(jì)算功放底層電路模型與行為模型輸出信號間的歸一化均方誤差的關(guān)系式為：

$E_{NMSE}=10log\left(\frac{\underset{l=1}{\overset{L}{\Σ}}\left({\left|{\tilde{y}}_l-{\tilde{y}}_l^{\mathrm{mod}}\right|}^2\right)}{\underset{l=1}{\overset{L}{\Σ}}{\left|{\tilde{y}}_l\right|}^2}\right);$

其中，L為采樣點(diǎn)個(gè)數(shù)，為行為模型的輸出信號，為輸出信號的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。