本發(fā)明涉及信息技術領域，尤其涉及一種信息處理方法及存儲設備。

背景技術：

閃存Nand Flash是一種非易失存儲媒介，其特點是讀取/寫入(R/W)速度較機械硬盤快很多，但數(shù)據在R/W、保存過程中容易產生錯誤，需要使用較復雜的糾錯碼以及其它配套機制對用戶數(shù)據進行處理，以保證Nand Flash中數(shù)據的可靠性。

Nand Flash中存儲數(shù)據的最小存儲單位是cell，一個cell可以用于表示多個符號，如在多層單元閃存(Multi-Level Cell，MLC)閃存中，一個cell可以呈現(xiàn)四種狀態(tài)，分別用于表示2-bit數(shù)據的00、01、10及11)。在向cell寫入數(shù)據時，控制器對cell進行編程，使其具有一個特定的電壓閾值(Threshold Voltage，Vth)；在讀取數(shù)據時，使用一個或多個參考電壓Vref與Vth進行比較，確定Vth的電壓范圍，并轉換為相應的符號。

數(shù)據的可靠性由編程時和讀取時的Vth之間的差異程度決定。具體的，首先需約定一個默認的Vth電壓，在編程時作為編程的目標，并在讀取時與一組Vref比較。但是往往在數(shù)據讀取的過程中，發(fā)現(xiàn)有很高的錯誤，進而導致存儲可靠性低等問題。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例期望提供的信息處理方法及存儲設備，至少部分解決上述問題。

為達到上述目的，本發(fā)明的技術方案是這樣實現(xiàn)的：

本發(fā)明實施例第一方面提供一種信息處理方法，包括：

記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；

根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；

依據所述存儲策略進行數(shù)據寫入。

基于上述方案，所述根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)，包括：

判斷所述擦寫次數(shù)所在的次數(shù)區(qū)間；

所述根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略，包括：

根據所述擦寫次數(shù)所在的次數(shù)區(qū)間，查詢預先存儲的次數(shù)區(qū)間與存儲策略的對應關系，確定查詢結果；

根據所述查詢結果確定所述擦寫次數(shù)對應的存儲策略。

基于上述方案，所述方法還包括：

統(tǒng)計所述存儲區(qū)域的編碼成功率；

所述根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)，包括：

當所述編碼成功率低于預定閾值時，根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)。

基于上述方案，所述根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略，包括：

根據所述調整參數(shù)，確定將第一數(shù)據符號寫入所述存儲區(qū)域時輸入的作用電壓。

基于上述方案，所述根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略，還包括：

根據所述調整參數(shù)，確定將第一數(shù)據符號寫入所述存儲區(qū)域時的電壓精度。

基于上述方案，所述方法還包括：

根據所述存儲策略，讀取依據所述存儲策略寫入的數(shù)據。

本發(fā)明實施例第二方面提供一種存儲設備，包括存儲介質及與所述存儲介質連接的處理器：所述存儲介質至少包括一個存儲區(qū)域；

所述存儲介質，用于記錄所述存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

所述處理器，用于根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；依據所述存儲策略向所述存儲介質寫入數(shù)據。

基于上述方案，所述處理器，具體用于判斷所述擦寫次數(shù)所在的次數(shù)區(qū)間；根據所述擦寫次數(shù)所在的次數(shù)區(qū)間，查詢預先存儲的次數(shù)區(qū)間與存儲策略的對應關系，確定查詢結果；根據所述查詢結果確定所述擦寫次數(shù)對應的存儲策略。

基于上述方案，所述處理器，還用于統(tǒng)計所述存儲區(qū)域的編碼成功率；具體用于當所述編碼成功率低于預定閾值時，根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)。

基于上述方案，所述處理器，具體用于根據所述調整參數(shù)，確定將第一數(shù)據符號寫入所述存儲區(qū)域時輸入的作用電壓。

基于上述方案，所述處理器，具體用于根據所述調整參數(shù)，確定將第一數(shù)據符號寫入所述存儲區(qū)域時的電壓精度。

基于上述方案，所述處理器，具體用于根據所述存儲策略，讀取依據所述存儲策略寫入的數(shù)據。

本發(fā)明實施例提供的信息處理方法將電子設備，在存儲區(qū)域擦寫的過程中，將會統(tǒng)計擦寫次數(shù)，并基于擦寫次數(shù)最終確定出適合存儲區(qū)域的當前存儲狀態(tài)的存儲策略，最后根據存儲策略向存儲區(qū)域寫入數(shù)據，可以避免不同存儲狀態(tài)的存儲區(qū)域采用同樣的存儲策略導致的存儲可靠性低的現(xiàn)象，提升了存儲可靠性及數(shù)據和讀取的正確率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的第一種信息處理方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的第二種信息處理方法的流程示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種電子設備的結構示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種存儲介質的電壓與概率分布密度的對應關系示意圖。

具體實施方式

以下結合說明書附圖及具體實施例對本發(fā)明的技術方案做進一步的詳細闡述。

實施例一：

如圖1所示，本實施例提供了一種信息處理方法，包括：

步驟S110：記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

步驟S120：根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；

步驟S130：根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；

步驟S140：依據所述存儲策略進行數(shù)據寫入。

本實施例可為應用于各種存儲設備中的信息處理方法，例如，可為應用包括閃存flash或固態(tài)硬盤等存儲介質的電子設備中。

所述步驟S110中會記錄一個存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)，一次所述擦寫次數(shù)包括一次寫入數(shù)據和一次數(shù)據擦除。

在步驟S120中會根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)。這里可包括將所述擦寫次數(shù)與調整閾值進行比較，例如，當所述擦寫次數(shù)大于調整閾值時，生成觸發(fā)調整的調整參數(shù)。所述調整參數(shù)可包括調整指令和調整操作值。在步驟S130中將根據所述調整參數(shù)，確定數(shù)據存儲策略，這里的數(shù)據存儲策略可用于確定如何向所述存儲區(qū)域寫入數(shù)據，例如，向所述存儲區(qū)域寫入不同符號的電壓，或具有相鄰關系的兩個符號之間的電壓差的范圍等與數(shù)據存儲相關的數(shù)據。

本實施例中所述存儲策略可包括進行數(shù)據存儲時的編程參數(shù)，這里的編程參數(shù)包括寫入對應數(shù)據的電壓或電壓精度等參數(shù)。在步驟S140中會根據存儲策略向對應的存儲區(qū)域寫入數(shù)據，采用這樣的方式寫入的數(shù)據，一方面能夠提升數(shù)據寫入的精確度，另一方面能夠降低寫入數(shù)據的所消耗的時間。

在具體的實現(xiàn)過程中，本實施例所述的信息處理方法還包括：

當進行數(shù)據讀取時，根據所述存儲策略讀取所述存儲區(qū)域的數(shù)據。例如，所述存儲策略包括寫入某一個數(shù)據的寫入電壓，在進行數(shù)據讀取時，該電壓作為讀取數(shù)據的一個參考電壓之一，方便正確的讀取數(shù)據。

實施例二：

如圖1所示，本實施例提供了一種信息處理方法，包括：

步驟S110：記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

步驟S120：根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；

步驟S130：根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；

步驟S140：依據所述存儲策略進行數(shù)據寫入。

本實施例可為應用于各種存儲設備中的信息處理方法，例如，可為應用包括閃存flash或固態(tài)硬盤等存儲介質的電子設備中。

所述步驟S120可包括：判斷所述擦寫次數(shù)所在的次數(shù)區(qū)間；

如圖2所示，所述步驟S130可包括：

步驟S131：根據所述擦寫次數(shù)所在的次數(shù)區(qū)間，查詢預先存儲的次數(shù)區(qū)間與存儲策略的對應關系，確定查詢結果；

步驟S132：根據所述查詢結果確定所述擦寫次數(shù)對應的存儲策略。

在本實施例中所述次數(shù)區(qū)間通常可為上區(qū)間值和下區(qū)間值的數(shù)值區(qū)間，若擦寫次數(shù)落入該次數(shù)區(qū)間內，則可通過查詢該次數(shù)區(qū)間與存儲策略的對應關系，確定存儲策略。

當所述次數(shù)區(qū)間包括至少兩個時，所述首個區(qū)間和最后一個區(qū)間可能僅對應于一個區(qū)間值。例如，首個區(qū)間可僅對應于有上區(qū)間值，最后一個區(qū)間可能僅對應有下區(qū)間值。至于首個區(qū)間，當所述擦寫次數(shù)小于所述上區(qū)間值時，都可認為位于所述首個區(qū)間內，當所述擦寫次數(shù)大于最后一個區(qū)間的下區(qū)間值時，均可認為所述擦寫次數(shù)位于最后一個區(qū)間內。當首個區(qū)間和最后一個區(qū)間之間還設置有次數(shù)區(qū)間時，位于這首個區(qū)間和最后一個區(qū)間之間的次數(shù)區(qū)間，都包括兩個所述區(qū)間值。

在本實施例中預先建立有次數(shù)區(qū)間與存儲策略的對應關系，該對應關系可為根據用戶輸入確定的，也可以是從其他電子設備讀取的，也可以根據該存儲設備內之前存儲介質的損毀速率自動學習生成的。在本實施例中所述自動學習生成可包括利用自動學習算法，根據擦寫次數(shù)和次數(shù)區(qū)間，確定次數(shù)區(qū)間與存儲策略之間的對應關系。自動學習算法可包括向量機SVM或神經網絡等算法。

在本實施例中沒有采用單一閾值作為所述調整參數(shù)，而是作為次數(shù)區(qū)間作為所述調整參數(shù)，這樣可以避免單一閾值作為調整參數(shù)導致的調整頻繁，或單一閾值個數(shù)多的問題。

實施例三：

如圖1所示，本實施例提供了一種信息處理方法，包括：

步驟S110：記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

步驟S120：根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；

步驟S130：根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；

步驟S140：依據所述存儲策略進行數(shù)據寫入。

所述方法還包括：

統(tǒng)計所述存儲區(qū)域的編碼成功率；

所述步驟S120可包括：

當所述編碼成功率低于預定閾值時，根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)。

本實施例所述的方法還包括，統(tǒng)計該存儲區(qū)的編碼成功率，當從一個存儲區(qū)域中讀取出數(shù)據之后，存儲設備的處理器會采用各種校驗算法進行校驗，通過校驗可以確定所述編碼成功率，若當前編碼成功率高，表明所述存儲區(qū)域的當前存儲特性穩(wěn)定，利用當前存儲策略向該存儲區(qū)域寫入數(shù)據，可以方便保證數(shù)據存儲的可靠性。

有鑒于此，在本實施例中當所述編碼成功率低于預定閾值時，根據擦寫次數(shù)確定調整參數(shù)，以觸發(fā)存儲策略的調整，故所述編碼成功率將作為調整一個存儲區(qū)域的存儲策略的觸發(fā)參數(shù)。在本實施例中可以按照預定時間間隔讀取統(tǒng)計所述編碼成功率，例如實時統(tǒng)計所述編碼成功率，再例如，周期性統(tǒng)計所述編碼成功率，再比如根據該存儲區(qū)域的擦寫頻率，動態(tài)確定統(tǒng)計的時間間隔。例如，在本實施例中可為時間間隔與擦寫頻率成反比。擦寫頻率越高，則時間間隔越小。由于不停的擦寫可能導致存儲區(qū)域出現(xiàn)損壞，故擦寫次數(shù)越高，存儲區(qū)域出現(xiàn)的損壞的可能性越大，損壞的嚴重程度也可能越大，最終可能會出現(xiàn)不可逆的損壞。故在本實施例中使動態(tài)確定的時間間隔與擦寫頻率成反比，以盡可能的在存儲區(qū)域出現(xiàn)損壞時，盡早的調整存儲策略，以提高存儲的可靠性。

總之，不管采用哪種方式以何種時間間隔統(tǒng)計所述編碼成功率，在本實施例中將會在編碼成功率低于預定閾值時，才觸發(fā)根據存儲策略調整的步驟S120和步驟S130，以盡可能的避免減少原先編碼成功率高的存儲區(qū)域的存儲策略的錯誤調整，以減少不必要的調整。

當然，本實施例可認為時在實施例一或實施例二提供的任意一個方案上的改進，在本實施例中所述步驟S120中也可以是將擦寫次數(shù)與次數(shù)區(qū)間的區(qū)間值進行匹配，判斷出當前的擦寫次數(shù)所在的次數(shù)區(qū)間，再根據次數(shù)區(qū)間確定所述存儲策略，當然也不局限于次數(shù)區(qū)間，也可以是與單一的閾值進行比較來確定所述存儲策略。

實施例四：

如圖1所示，本實施例提供了一種信息處理方法，包括：

步驟S110：記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

步驟S120：根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；

步驟S130：根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；

步驟S140：依據所述存儲策略進行數(shù)據寫入。

所述步驟S130可包括：

根據所述調整參數(shù)，確定將第一數(shù)據符號寫入所述存儲區(qū)域時輸入的作用電壓。

在本實施例中具體將根據所述調整參數(shù)，確定寫入第一數(shù)據符號的作用電壓。這里的第一數(shù)據符號可為寫入存儲區(qū)域的任意一個符號向存儲區(qū)域對應的存儲陣列施加的電壓。例如，所述存儲區(qū)域有flash組成，每一個符號對應于2個bit的數(shù)據，例如，00，01，10以及11。在本實施例中所述作用電壓可為向存儲區(qū)域寫入00，01，10和/或11時向存儲區(qū)域中存儲陣列施加的電壓。

這里的所述作用電壓可對應于寫入數(shù)據時的編程閾值，編程閾值作為向存儲區(qū)域寫入不同符號的分割值，以實現(xiàn)不同符號的存儲。

總之，本實施例中確定所述存儲策略，至少包括確定所述第一數(shù)據符號對應的作用電壓。這里的第一數(shù)據符號可為一個或多個，優(yōu)選為該存儲區(qū)域將寫入的各種符號對應的電壓值。

當然，本實施例是在前述任意一個實施例基礎上的改進，在不沖突的情況下，可與前述任意實施例提供的技術方案結合，組合形成組合方案，以從多維度提升本發(fā)明實施例提供的信息處理方法的存儲區(qū)域的存儲性能及數(shù)據存儲的存儲可靠性。

實施例五：

如圖1所示，本實施例提供了一種信息處理方法，包括：

步驟S110：記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

步驟S120：根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；

步驟S130：根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；

步驟S140：依據所述存儲策略進行數(shù)據寫入。

所述步驟S130可還包括：

根據所述調整參數(shù)，確定將第一數(shù)據符號寫入所述存儲區(qū)域時的電壓精度。

在本實施例中素數(shù)存儲策略包括寫入數(shù)據時的電壓精度，通常電壓精度越高，所消耗的數(shù)據寫入的時間越高。一般情況下，一個新投入使用的存儲區(qū)域，由于其尚未出現(xiàn)磨損，存儲性能好，即便為了維持可靠的存儲性能，也無需較高的電壓精度，若電壓精度過高會導致寫入數(shù)據的時間長，讀取數(shù)據的時間也長，故在本實施例中會根據擦寫次數(shù)對應的次數(shù)區(qū)間，確定所述電壓精度。一般情況下，擦寫次數(shù)越多，為了確保存儲可靠性，需要電壓精度也越高。故所述擦寫次數(shù)與電壓精度成正比。當然這里的電壓精度為在向存儲區(qū)域寫入數(shù)據時，施加的電壓精度。所述電壓精度也是寫入數(shù)據的編程參數(shù)之一，作為存儲策略的一個重要參數(shù)。在讀取數(shù)據時，也將根據所述電壓精度來確定讀取電壓，以精確的讀取存儲區(qū)域存儲的數(shù)據。

實施例六：

如圖1所示，本實施例提供了一種信息處理方法，包括：

步驟S110：記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

步驟S120：根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；

步驟S130：根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；

步驟S140：依據所述存儲策略進行數(shù)據寫入。

所述方法還包括：

步驟S150：根據所述存儲策略，讀取依據所述存儲策略寫入的數(shù)據。

在本實施例中寫入存儲區(qū)域的存儲策略變了，對應的為了提高讀寫的正確率，將根據存儲策略讀取數(shù)據。

在具體的實現(xiàn)過程中所述步驟S150可包括：

記錄所述策略的執(zhí)行時間及寫入數(shù)據的寫入時間，

在讀取數(shù)據時，比較寫入時間和執(zhí)行時間；

若執(zhí)行時間早于寫入時間，則根據當前的存儲策略從所述存儲區(qū)域讀取數(shù)據；

若執(zhí)行時間晚于寫入時間，則根據之前的存儲策略從多個存儲區(qū)域讀取數(shù)據?？傊?，在讀取數(shù)據時將采用相對于的存儲策略讀取數(shù)據，以確保數(shù)據的讀取正確率。

實施例七：

如圖3所示，本實施例提供一種存儲設備，包括存儲介質110及與所述存儲介質110連接的處理器120：所述存儲介質110至少包括一個存儲區(qū)域；

所述存儲介質110，用于記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

所述處理器120，用于根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；依據所述存儲策略向所述存儲介質寫入數(shù)據。

在本實施例中所述存儲介質可為各種類型的存儲介質，例如，隨機存儲介質RAM或閃存flash等。所述存儲介質110與所述處理器120連接。在本實施例中所述處理器可為中央處理器CPU、微處理器MCU、數(shù)字信號處理器DSP、應用處理器AP或可編程陣列等。

所述處理器可通過執(zhí)行預定指令，根據所述擦寫次數(shù)，最終確定出所述存儲策略，并會最終在寫入數(shù)據時，根據所述存儲策略進行數(shù)據存儲。

在本實施例中根據擦寫次數(shù)，調整存儲策略，這樣可以很好的根據當前存儲區(qū)域的磨損程度，調整存儲策略，以確保存儲可靠性。

實施例八：

如圖3所示，本實施例提供一種存儲設備，包括存儲介質110及與所述存儲介質110連接的處理器120：所述存儲介質110至少包括一個存儲區(qū)域；

所述存儲介質110，用于記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

所述處理器120，用于根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；依據所述存儲策略向所述存儲介質寫入數(shù)據。

所述處理器120，具體用于判斷所述擦寫次數(shù)所在的次數(shù)區(qū)間；根據所述擦寫次數(shù)所在的次數(shù)區(qū)間，查詢預先存儲的次數(shù)區(qū)間與存儲策略的對應關系，確定查詢結果；根據所述查詢結果確定所述擦寫次數(shù)對應的存儲策略。

在本實施例中所述處理器，間給判斷擦寫次數(shù)所在的次數(shù)區(qū)間，這里的次數(shù)區(qū)間的詳細描述可以參見方式實施例二，在此就不重復了。再根據次數(shù)區(qū)間與存儲策略的對應關系，選擇適用于所述存儲區(qū)域當前存儲性能的當前存儲策略，該存儲策略是預先通過仿真或歷史數(shù)據統(tǒng)計或大數(shù)據統(tǒng)計等確定出最適宜擦寫了這么多次數(shù)的存儲區(qū)域的存儲策略，故能夠確保該狀態(tài)下存儲區(qū)域的存儲可靠性。

實施例九：

如圖3所示，本實施例提供一種存儲設備，包括存儲介質110及與所述存儲介質110連接的處理器120：所述存儲介質110至少包括一個存儲區(qū)域；

所述存儲介質110，用于記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

所述處理器120，用于根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；依據所述存儲策略向所述存儲介質寫入數(shù)據。

所述處理器120，還用于統(tǒng)計所述存儲區(qū)域的編碼成功率；具體用于當所述編碼成功率低于預定閾值時，根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)。

在本實施例中所述處理器120還會統(tǒng)計編碼成功率，在編碼成功率過低時，才會觸發(fā)存儲策略的調整，以減少誤調整和不必要的調整。所述預定閾值可為事先確定的閾值，具體的數(shù)值根據存儲介質的類型等參數(shù)來決定。

本實施例所述處理器120當然可以用于根據單一閾值確定所述存儲策略，也可以如前一實施例提供的根據擦寫次數(shù)所在的次數(shù)區(qū)間來確定，具有結構簡單及實現(xiàn)簡便的特點。

實施例十：

如圖3所示，本實施例提供一種存儲設備，包括存儲介質110及與所述存儲介質110連接的處理器120：所述存儲介質110至少包括一個存儲區(qū)域；

所述存儲介質110，用于記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

所述處理器120，用于根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；依據所述存儲策略向所述存儲介質寫入數(shù)據。

所述處理器120，具體用于根據所述調整參數(shù)，確定將第一數(shù)據符號寫入所述存儲區(qū)域時輸入的作用電壓。

在本實施例中所述處理器120，具體用于根據所述調整參數(shù)，調整第一數(shù)據符號的作用電壓，故在本實施例中不同的存儲策略對應的同一個數(shù)據符號的作用電壓是不同的，該作用電壓既可作為寫入數(shù)據的寫入電壓，也將作為讀取數(shù)據時的讀取電壓。所述寫入電壓為寫入數(shù)據時作用于存儲區(qū)域的電壓，讀取電壓為讀取數(shù)據作用于存儲區(qū)域的電壓。

不管是那種，在本實施例中所述電子設備的處理器120，將調整存儲策略中的作用電壓，以提升存儲可靠性。

實施例十一：

如圖3所示，本實施例提供一種存儲設備，包括存儲介質110及與所述存儲介質110連接的處理器120：所述存儲介質110至少包括一個存儲區(qū)域；

所述存儲介質110，用于記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

所述處理器120，用于根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；依據所述存儲策略向所述存儲介質寫入數(shù)據。

所述處理器120，具體用于根據所述調整參數(shù)，確定將第一數(shù)據符號寫入所述存儲區(qū)域時的電壓精度。

本實施例中所述處理器，在調整所述存儲策略時，還可用于調整所述存儲策略中作用電壓的電壓精度，電壓精度越高，產生對應精度的作用電壓越困難，所消耗的時間越長，當電壓精度越高時，可能會導致寫入速度和讀取速度慢，但是若電壓精度過低，可能就會導致寫入數(shù)據錯誤或讀取數(shù)據錯誤，但是電壓精度對數(shù)據讀取和寫入錯誤的存儲可靠性的影響，與存儲區(qū)域當前的磨損度等狀態(tài)相關。而所述擦寫次數(shù)是能夠精確反映所述存儲區(qū)域的當前狀態(tài)的一個參數(shù)，故在本實施例中所述處理器120還將會根據所述調整參數(shù)，調整電壓精度。這樣的話，不同的存儲策略對應的電壓精度可能不同和/或作用電壓不同。

實施例十二：

如圖3所示，本實施例提供一種存儲設備，包括存儲介質110及與所述存儲介質110連接的處理器120：所述存儲介質110至少包括一個存儲區(qū)域；

所述存儲介質110，用于記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

所述處理器120，用于根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；依據所述存儲策略向所述存儲介質寫入數(shù)據。

所述處理器120，具體用于根據所述存儲策略，讀取依據所述存儲策略寫入的數(shù)據。

本實施例中所述處理器120可用于向所述存儲區(qū)域寫入數(shù)據，還可用于向所述存儲區(qū)域讀取數(shù)據，讀取數(shù)據時，利用與寫入數(shù)據時相對應的存儲策略來讀取數(shù)據，以提高讀取的正確率。例如，以第一數(shù)據符號的寫入電壓對應的讀取電壓，讀取所述第一數(shù)據符號，以第一數(shù)據符號寫入電壓的電壓精度對應的讀取電壓的電壓精度讀取所述第一數(shù)據符號，這樣可以盡可能提升的讀取操作的正確率。

以下結合上述任意實施例提供一個具體示例：

A：在Nand Flash的整個生命周期中，由擦寫P/E造成的錯誤是不可逆的，不能通過簡單的刷新實現(xiàn)錯誤數(shù)的下降。實現(xiàn)此方案需要在Nand Flash映射表中存有各個物理塊的P/E數(shù)目，并在整個生命周期里進行維護。

B：在默認的讀寫方案下，進行大量的讀寫操作，并記錄Nand Flash控制器中錯誤糾正單元(ECU)無法正確解碼時，錯誤塊的P/E次數(shù)，以此作為觸發(fā)編程參數(shù)調整的閾值。

C：編程參數(shù)可以分為多個等級(例如，編程精度是一個能決定Vth分布的參數(shù)，精度越高，如圖1中高斯分布方差越小，但需要的編程時間就越長)，將多個等級依照能力分檔，如b)中方法依次確定需要啟動的時機。在保證解碼成功率的前提下，盡晚啟動較耗時的參數(shù)方案。在本實施例中所述編程精度對應了所述電壓精度，這里的電壓精度即為前述的作用電壓的電壓精度。所述Vth即為所述作用電壓在寫入數(shù)據或讀取數(shù)據時的作用電壓的表示符號。

示例二：

圖4提供的是存儲介質在各種噪聲干擾情況下，存儲了數(shù)據符號X1、X2、X3及X4的電壓分布概率密度。橫軸表示的電壓，縱軸表示的概率分布。

在(a)中，當只有編程噪聲時顯然不同數(shù)據符號的電壓分布的概率密度的集中度是較高的。

在(b)中，當編程噪聲和磨損噪聲時，顯然不同數(shù)據符號的電壓分布的概率密度的集中度相對于(a)中降低了，所述磨損噪聲的導致原因之一就包括過度的擦寫次數(shù)。

在(c)中，當編程噪聲、磨損噪聲和電子流逝噪聲時，顯然不同數(shù)據符號的電壓分布的概率密度的集中度相對于(a)中也降低了。這里的電子流失噪聲為存儲區(qū)域長期保持一個數(shù)據沒有更新導致的。

故在本實施例中為了消除磨損噪聲導致的存儲可靠性的降低，通過分析如圖4所示的現(xiàn)象，將利用處理器至少執(zhí)行以下步驟：

記錄存儲區(qū)域的擦寫次數(shù)；

根據所述擦寫次數(shù)，確定針對所述存儲區(qū)域的調整參數(shù)；

根據所述調整參數(shù)確定所述存儲區(qū)域的數(shù)據存儲策略；

依據所述存儲策略進行數(shù)據寫入；

并采用向對應的存儲策略從各個存儲區(qū)域讀取數(shù)據

總之，采用本示例提供的處理器，執(zhí)行上述操作，可以提升存儲可靠性。

在本申請所提供的幾個實施例中，應該理解到，所揭露的設備和方法，可以通過其它的方式實現(xiàn)。以上所描述的設備實施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，如：多個單元或組件可以結合，或可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另外，所顯示或討論的各組成部分相互之間的耦合、或直接耦合、或通信連接可以是通過一些接口，設備或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性的、機械的或其它形式的。

上述作為分離部件說明的單元可以是、或也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是、或也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，也可以分布到多個網絡單元上；可以根據實際的需要選擇其中的部分或全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各實施例中的各功能單元可以全部集成在一個處理模塊中，也可以是各單元分別單獨作為一個單元，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中；上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用硬件加軟件功能單元的形式實現(xiàn)。

本領域普通技術人員可以理解：實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟；而前述的存儲介質包括：移動存儲設備、只讀存儲器(ROM，Read-Only Memory)、隨機存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。