本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種觸控面板及其制作方法、觸控顯示裝置。

背景技術(shù)：

近年來，隨著移動(dòng)電子設(shè)備操控性的提升和電子技術(shù)的發(fā)展，觸控屏技術(shù)在手機(jī)、平板、筆記本電腦等電子設(shè)備中有了廣泛的應(yīng)用。觸摸技術(shù)的發(fā)展出現(xiàn)了電阻、電容、電磁等不同的技術(shù)方向，其中，電容屏憑借低廉的成本和較好的用戶體驗(yàn)已成為主流產(chǎn)品。

ESD(Electro-Static Discharge，靜電釋放)可能造成器件性能變差，或者擊穿器件而導(dǎo)致器件永久性失效，例如器件內(nèi)部的開路或者短路。在觸摸屏的制造過程中，持續(xù)將傳感電路制作在基板上，基板在傳輸和整個(gè)制造過程中不斷地被摩擦、移動(dòng)、吸附、分離、加熱、冷卻等操作而會(huì)持續(xù)產(chǎn)生靜電?；遄鳛榻^緣玻璃材料，靜電難以釋放，在表面積累大量靜電荷，在特定情況下就會(huì)產(chǎn)生靜電釋放現(xiàn)象。

目前，電容觸摸屏通常采用以下工藝來完成：第一次光刻工藝，形成BM，第二次光刻工藝形成ITO架橋，第三次光刻工藝形成樹脂絕緣層，第四次光刻工藝形成ITO電極，第五次光刻工藝形成外圍金屬線，第六道工藝形成樹脂保護(hù)層。在第四道工藝中，ITO電極搭接在BM邊緣位置。

在上述觸摸屏工藝制造過程中，容易發(fā)生以下靜電釋放造成的不良：BM(Black Matrix，黑矩陣)邊緣搭接ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)電極的位置區(qū)域極易被擊穿。

對(duì)于這種ESD引起的不良，當(dāng)設(shè)備或人體的靜電荷接觸BM上層的ITO電極時(shí)，在不同ITO電極塊之間瞬間形成極大的放電電流，引起B(yǎng)M層的擊穿，造成ITO電極塊之間開路或短路，導(dǎo)致器件性能變差或者永久性失效。這種BM層擊穿引起的不良主要出現(xiàn)在感應(yīng)電極Rx邊緣位置，其主要原因?yàn)锽M擊穿后形成導(dǎo)電通道使得相鄰電極之間形成微Short(短路)通道。Rx作為接收電極，其信號(hào)較弱，在發(fā)生小面積BM擊穿時(shí)即容易引起產(chǎn)品不良。

對(duì)于這種ESD不良現(xiàn)象，現(xiàn)有技術(shù)并沒有提供一種有效的解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種可以及時(shí)將集聚在黑矩陣邊緣與感應(yīng)電極臨近位置處的靜電導(dǎo)出，從而可以防止靜電將BM擊穿的技術(shù)方案。

為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種觸控面板，包括觸控區(qū)域和包圍所述觸控區(qū)域的走線區(qū)域，其中，所述走線區(qū)域包括：驅(qū)動(dòng)電極走線，以及感應(yīng)電極走線；呈回路狀態(tài)的第一接地走線，圍繞所述感應(yīng)電極走線且與所述感應(yīng)電極走線存在交疊區(qū)域，所述第一接地走線能夠?qū)⑺鲇|控面板產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出至外界。

優(yōu)選地，所述第一接地走線包括：電性連接的第一部分和第二部分，其中，所述第二部分位于所述交疊區(qū)域的范圍內(nèi)，所述第一部分與所述感應(yīng)電極走線均位于第一層，所述第二部分位于不同于所述第一層的第二層，且所述第二部分在所述第一層上的正投影與所述感應(yīng)電極走線存在交疊。

優(yōu)選地，所述第一部分的材料為金屬，所述第二部分的材料為氧化銦錫ITO。

優(yōu)選地，所述觸控面板還包括：貫通所述第一層與所述第二層之間絕緣層的第一過孔和第二過孔，所述第一部分通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述第二部分連通。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)電極走線的數(shù)量大于所述感應(yīng)電極走線的數(shù)量。

優(yōu)選地，所述走線區(qū)域還包括：包圍所述觸控區(qū)域的第二接地走線，所述第二接地走線能夠?qū)⑺鲇|控面板產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出至外界。

優(yōu)選地，所述第二接地走線與所述驅(qū)動(dòng)電極走線和所述感應(yīng)電極走線為同層設(shè)置。

優(yōu)選地，所述第二接地走線、所述驅(qū)動(dòng)電極走線及所述感應(yīng)電極走線的材料均為金屬。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種觸控顯示裝置，該觸控顯示裝置包括上述觸控面板。

根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了一種觸控面板的制作方法，所述觸控面板包括觸控區(qū)域和包圍所述觸控區(qū)域的走線區(qū)域，其中，制作所述走線區(qū)域的過程包括：形成黑矩陣；在所述黑矩陣上形成絕緣層、驅(qū)動(dòng)電極走線、感應(yīng)電極走線以及呈回路狀態(tài)的第一接地走線，所述第一接地走線圍繞所述感應(yīng)電極走線且與所述感應(yīng)電極走線存在交疊區(qū)域，所述第一接地走線能夠?qū)⑺鲇|控面板產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出至外界。

優(yōu)選地，所述第一接地走線包括：電性連接的第一部分和第二部分，其中，所述第二部分位于所述交疊區(qū)域，所述第一部分與所述感應(yīng)電極走線均位于第一層，所述第二部分位于不同于所述第一層的第二層，且所述第二部分在所述第一層上的正投影與所述感應(yīng)電極走線存在交疊。

優(yōu)選地，在所述黑矩陣上形成所述第一接地走線的過程包括：在所述黑矩陣上的預(yù)定位置形成所述第一接地走線的第二部分，所述預(yù)定位置位于所述交疊區(qū)域的范圍內(nèi)；在形成所述第一接地走線的所述黑矩陣上形成所述絕緣層，形成貫穿所述絕緣層的用于連接所述第一部分和所述第二部分的第一過孔和第二過孔，再在所述絕緣層上形成所述第一接地走線的第一部分，使得所述第一接地走線的第一部分和第二部分通過所述第一過孔和第二過孔相連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的觸控面板及其制作方法、觸控顯示裝置，將Tx與Rx之間的接地線設(shè)計(jì)成回路結(jié)構(gòu)，并在其與感應(yīng)電極走線的交疊區(qū)域設(shè)計(jì)了架橋結(jié)構(gòu)，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)能夠?qū)M邊緣區(qū)域集聚的靜電及時(shí)導(dǎo)走，從而提高了BM邊緣區(qū)域的抗ESD能力，提高整體觸控面板的產(chǎn)品良率。

附圖說明

圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的觸摸屏的接地線結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的觸摸屏的A-A’處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的觸摸屏的BM邊緣被擊穿的示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的觸控面板的接地線結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖4示出的觸控面板在交疊區(qū)域沿B-B’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的觸控面板的BM邊緣靜電釋放示意圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的觸控面板的制作方法流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的觸摸屏的接地線結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，觸摸屏中有三根接地線(GND線)，其中，觸摸屏的外圍接地線11為一個(gè)環(huán)路，其可以將觸摸屏邊緣的靜電導(dǎo)走，其次，驅(qū)動(dòng)電極(Tx)與感應(yīng)電極(Rx)之間還設(shè)置有兩根接地線12(即黑色粗線，稱為Tx/Rx間的接地線12)，從圖1可以看出，該兩根Tx/Rx間的接地線12之間是斷開的而并沒有形成一個(gè)環(huán)路，這導(dǎo)致其長(zhǎng)度不夠長(zhǎng)，傳輸靜電的能力較弱，因此，當(dāng)設(shè)備或人體產(chǎn)生的靜電無法及時(shí)導(dǎo)走時(shí)，BM邊緣13搭接ITO電極14的位置區(qū)域極易被擊穿。

請(qǐng)同時(shí)參考圖2(圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的觸摸屏的A-A’處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖)，由于圖1中的Tx/Rx間的接地線與感應(yīng)電極(Rx Pad)并不存在交叉區(qū)域，且圖2只是示出了包括一個(gè)Rx Pad的局部區(qū)域的剖面結(jié)構(gòu)，Tx/Rx間的接地線雖然與Rx Pad同層形成，但二者距離較遠(yuǎn)，因此從圖2所示的剖面結(jié)構(gòu)中，只可以看到Rx Pad。

正是由于圖1和圖2所示的觸摸屏的接地線設(shè)計(jì)方式，導(dǎo)致現(xiàn)有的觸摸屏在BM邊緣與感應(yīng)電極臨近位置處集聚的靜電無法及時(shí)導(dǎo)出。為便于理解，請(qǐng)參考圖3(圖3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的觸摸屏的BM邊緣被擊穿的示意圖)，如圖3所示，無法及時(shí)導(dǎo)出的靜電越集聚越多，當(dāng)集聚的靜電達(dá)到一定程度時(shí)，就會(huì)很容易地將BM擊穿而產(chǎn)生觸摸屏的不良現(xiàn)象。

為了克服上述缺陷，本發(fā)明實(shí)施例主要對(duì)現(xiàn)有設(shè)計(jì)方式中的Tx/Rx間的接地線的設(shè)計(jì)方式進(jìn)行改進(jìn)，根據(jù)靜電原理對(duì)傳統(tǒng)抗ESD的GND線設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。

本發(fā)明提供了一種觸控面板，該觸控面板包括觸控區(qū)域和包圍所述觸控區(qū)域的走線區(qū)域，其中，所述走線區(qū)域包括：驅(qū)動(dòng)電極走線，以及感應(yīng)電極走線；呈回路狀態(tài)的第一接地走線(即Tx與Rx之間的GND線)，圍繞所述感應(yīng)電極走線且與所述感應(yīng)電極走線存在交疊區(qū)域，所述第一接地走線能夠?qū)⑺鲇|控面板產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出至外界。

如圖1所示，現(xiàn)有的Tx與Rx之間的GND線只是平展的一段，大致與感應(yīng)電極的排布方向平行，其由于面積太小且沒有形成一個(gè)回路，導(dǎo)走靜電能力不足，而本發(fā)明實(shí)施例將第一接地走線設(shè)置為回路且增加了長(zhǎng)度，也等于變相增加了面積，因此提高了導(dǎo)走靜電的能力。

為便于理解，請(qǐng)參考圖4(圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的觸控面板的接地線結(jié)構(gòu)示意圖)，如圖4所示，將第一接地走線10(Tx與Rx之間的GND線)設(shè)計(jì)成環(huán)路，其走線長(zhǎng)度變長(zhǎng)，疏導(dǎo)靜電的能力成倍增加，從而完全可以及時(shí)導(dǎo)出BM邊緣區(qū)域20的靜電，采用這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，當(dāng)設(shè)備或人體上的靜電荷接觸BM上層的ITO電極時(shí)，不會(huì)在不同的ITO電極塊之間瞬間形成極大的放電電流，因此不會(huì)擊穿BM邊緣區(qū)域20，自然提高了BM邊緣區(qū)域20的抗ESD能力，從而提高整體產(chǎn)品的抗ESD能力，提高制程良率。

從圖4中可以看出，所述第一接地走線10與所述感應(yīng)電極走線50存在交疊區(qū)域，而與所述驅(qū)動(dòng)電極走線40之間不存在交疊區(qū)域。

作為一個(gè)優(yōu)選示例，所述走線區(qū)域還可以包括：包圍所述觸控區(qū)域的第二接地走線60，所述第二接地走線60能夠?qū)⑺鲇|控面板產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出至外界。如圖4所示，該第二接地走線60與圖1中的外圍接地線11相同，同樣為一個(gè)環(huán)路，疏導(dǎo)靜電的效果大致相同。

進(jìn)一步地，所述第二接地走線20與所述驅(qū)動(dòng)電極走線40和所述感應(yīng)電極走線50為同層設(shè)置。而且，所述第二接地走線60、所述驅(qū)動(dòng)電極走線40及所述感應(yīng)電極走線50的材料均為金屬)。

對(duì)于所述第一接地走線10與所述感應(yīng)電極走線50之間的交疊區(qū)域，作為較佳的設(shè)計(jì)方式，可以采用架橋結(jié)構(gòu)。

為便于理解，請(qǐng)參考圖5(圖5是圖4示出的觸控面板在交疊區(qū)域沿B-B’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖)，如圖5所示，所述第一接地走線10可以包括：第一部分15和第二部分16，其中，所述第一部分15與所述感應(yīng)電極走線20均位于第一層A(金屬層)，所述第二部分16位于不同于所述第一層A的第二層B(ITO層)，且所述第二部分16在所述第一層A(金屬層)上的正投影與所述感應(yīng)電極走線50存在交疊。

作為一個(gè)較佳的實(shí)現(xiàn)方式，所述第一部分15的材料可以為金屬，所述第二部分16的材料可以為氧化銦錫(ITO)，這樣設(shè)計(jì)的好處在于，由于所述第一部分15與所述驅(qū)動(dòng)電極走線40和所述感應(yīng)電極走線50為同層形成，因此可以采用同樣的金屬制作工藝，所述第二部分16與ITO電極均位于ITO層，因此，在掩膜工藝中，只需要增加掩膜版的開孔圖形即可，不需要額外增加其他工藝，避免過多增加工藝復(fù)雜度，從而保證產(chǎn)品生產(chǎn)效率。

如圖5所示，所述觸控面板還可以包括：貫通所述第一層A與所述第二層B之間的絕緣層的第一過孔17和第二過孔18，所述第一部分15通過所述第一過孔17和所述第二過孔18與所述第二部分16連通。這種將所述第一接地走線10的分別位于兩層的第一部分15和第二部分16通過兩個(gè)過孔(17和18)連接的方式即為架橋結(jié)構(gòu)。

由于第二接地走線60(最外圍GND線)是與所述驅(qū)動(dòng)電極走線40和所述感應(yīng)電極走線50同層形成的環(huán)路走線，與其它走線沒有交疊區(qū)域，自然就無需設(shè)計(jì)架橋結(jié)構(gòu)，與所述第一部分15一樣，第二接地走線60、所述驅(qū)動(dòng)電極走線40和所述感應(yīng)電極走線50同樣可以采用相同的金屬材料形成。

由于每一個(gè)驅(qū)動(dòng)電極或感應(yīng)電極必然有一根走線與其連接，因此驅(qū)動(dòng)電極和與其連接的驅(qū)動(dòng)電極走線40的數(shù)量是相同的，感應(yīng)電極和與其連接的感應(yīng)電極走線50的數(shù)量也是相同的。

在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選示例中，所述驅(qū)動(dòng)電極走線40的數(shù)量大于所述感應(yīng)電極走線50的數(shù)量，這也是符合觸控面板的設(shè)計(jì)要求的，例如前者可以是后者的1.5倍或2倍，還例如，如圖4所示，驅(qū)動(dòng)電極及與其連接的驅(qū)動(dòng)電極走線40的數(shù)量為8，感應(yīng)電極及與其連接的感應(yīng)電極走線50的數(shù)量為6，也就是說，只要滿足前者比后者大都是可行的，相應(yīng)地，驅(qū)動(dòng)電極的數(shù)量大于感應(yīng)電極的數(shù)量，驅(qū)動(dòng)電極抗靜電的能力也大于感應(yīng)電極抗靜電的能力。實(shí)際應(yīng)用中，所述驅(qū)動(dòng)電極走線40的數(shù)量比所述感應(yīng)電極走線50的數(shù)量大多少，則可以根據(jù)產(chǎn)品要求進(jìn)行設(shè)計(jì)，對(duì)此不予限制。

上述觸控面板，通過獨(dú)特的架橋設(shè)計(jì)形成內(nèi)環(huán)GND線環(huán)路，從而可以導(dǎo)出BM邊緣區(qū)域集聚的靜電。為便于理解，請(qǐng)參考圖6(圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的觸控面板的BM邊緣靜電釋放示意圖)，如圖6所示，BM邊緣區(qū)域與感應(yīng)電極(Rx Pad)的臨近區(qū)域的靜電被及時(shí)疏導(dǎo)至第一接地走線(Tx與Rx之間的GND線)，并最終導(dǎo)出至外界，避免了如圖3所示的靜電擊穿BM現(xiàn)象的發(fā)生。此種設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)在于提高了BM邊緣區(qū)域的抗ESD能力，從而提高整體產(chǎn)品的抗ESD能力，提高制程良率。

在上述觸控面板的基礎(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種觸控顯示裝置，該觸控顯示裝置包括上述觸控面板。由于該顯示裝置的改進(jìn)之處在于上述觸控面板，且前述內(nèi)容已經(jīng)對(duì)上述觸控面板進(jìn)行了詳細(xì)描述，此處不在對(duì)該顯示裝置進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種觸控面板的制作方法，用于制作上述觸控面板，上述觸控面板包括觸控區(qū)域和包圍所述觸控區(qū)域的走線區(qū)域。圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的觸控面板的走線區(qū)域的制作方法流程圖，如圖7所示，該流程包括以下步驟(步驟S702和步驟S704)：

步驟S702、形成黑矩陣；

步驟S704、在所述黑矩陣上形成絕緣層、驅(qū)動(dòng)電極走線、感應(yīng)電極走線以及呈回路狀態(tài)的第一接地走線，所述第一接地走線圍繞所述感應(yīng)電極走線且與所述感應(yīng)電極走線存在交疊區(qū)域，所述第一接地走線能夠?qū)⑺鲇|控面板產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出至外界。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一接地走線由兩部分構(gòu)成，即電性連接的第一部分和第二部分，其中，所述第二部分位于所述交疊區(qū)域，所述第一部分與所述感應(yīng)電極走線均位于第一層，所述第二部分位于不同于所述第一層的第二層，且所述第二部分在所述第一層上的正投影與所述感應(yīng)電極走線存在交疊。

基于此，對(duì)于在所述黑矩陣上形成所述第一接地走線的過程，可以采用這樣的步驟來實(shí)現(xiàn)：

(1)在所述黑矩陣上的預(yù)定位置形成所述第一接地走線的第二部分，所述預(yù)定位置位于所述交疊區(qū)域的范圍內(nèi)。

(2)在形成所述第一接地走線的所述黑矩陣上形成所述絕緣層，形成貫穿所述絕緣層的用于連接所述第一部分和所述第二部分的第一過孔和第二過孔，再在所述絕緣層上形成所述第一接地走線的第一部分，使得所述第一接地走線的第一部分和第二部分通過所述第一過孔和第二過孔相連接。

通過本發(fā)明實(shí)施例，將Tx與Rx之間的接地線設(shè)計(jì)成回路結(jié)構(gòu)，并在其與感應(yīng)電極走線的交疊區(qū)域設(shè)計(jì)了架橋結(jié)構(gòu)，提高了BM邊緣區(qū)域的抗ESD能力，進(jìn)而提高整體觸控面板的抗ESD能力，并降低生產(chǎn)中的ESD不良比例，提高產(chǎn)品制程良率，且不影響觸控面板的底層結(jié)構(gòu)，不增加掩膜板的數(shù)量，不增加工藝難度，保證了生成效率。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。