技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種通用記憶器件模擬器，其特征在于：包括用于實現(xiàn)線性壓控電阻、壓控電容和壓控電感的電壓控制浮地阻抗變換模塊和用于實現(xiàn)電流積分運算的電流積分模塊，所述電壓控制浮地阻抗變換模塊包括第一電流反饋運算放大器、第二電流反饋運算放大器、第三電流反饋運算放大器、第四電流反饋運算放大器、場效應管、第一電阻、第二電阻、第一阻抗元件和第二阻抗元件，電流積分模塊包括第五電流反饋運算放大器、電容和直流電壓源。本發(fā)明在電路拓撲結(jié)構(gòu)不變的情況下，通過接入不同性質(zhì)的阻抗元件，能分別實現(xiàn)憶阻器、憶容器和憶感器，整個模擬器僅利用較少的元器件就可實現(xiàn)，具有結(jié)構(gòu)簡單、生產(chǎn)成本低、適用范圍廣的優(yōu)點。

技術(shù)研發(fā)人員：李志軍;向林波;曾以成;馬銘磷
受保護的技術(shù)使用者：湘潭大學
文檔號碼：201610580825
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.22
技術(shù)公布日：2016.12.07