技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種提高MOS器件模擬應(yīng)用模型精準性的方法，包括：將MOS器件的電壓操作范圍劃分成至少兩個電壓區(qū)域；針對所述至少兩個電壓區(qū)域中的每個電壓區(qū)域，分別提取所述MOS器件的仿真模型，從而得到至少兩個仿真模型；針對MOS器件的電壓操作范圍中的特定操作電壓，應(yīng)用所述至少兩個仿真模型中的相應(yīng)仿真模型。根據(jù)本發(fā)明的提高MOS器件模擬應(yīng)用模型精準性的方法通過劃分多個區(qū)域來進行分別建模，從而有效地提高了MOS器件在模擬電路仿真模型的精準性。

技術(shù)研發(fā)人員：張昊
受保護的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
文檔號碼：201610596457
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.27
技術(shù)公布日：2016.12.21