技術(shù)特征：

1.一種高透過率的OnCell的電容觸摸屏，其特征在于，依次包括TFT基板、二氧化鈦膜層、二氧化硅膜層和ITO透過導(dǎo)電膜層，所述的ITO透過導(dǎo)電膜層的厚度為1000~2000埃米。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過率的OnCell的電容觸摸屏，其特征在于，所述的二氧化鈦膜層厚度為100~300埃米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過率的OnCell的電容觸摸屏，其特征在于，所述的二氧化硅膜層厚度為200~800埃米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過率的OnCell的電容觸摸屏，其特征在于，當(dāng)電容觸摸屏與視窗保護(hù)蓋板貼合后，可視區(qū)和邊框區(qū)的顏色都趨于黑色。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過率的OnCell的電容觸摸屏，其特征在于，所述的ITO透過導(dǎo)電膜層的電阻值為15~60歐姆/口。

6.一種權(quán)利要求1所述的高透過率的OnCell的電容觸摸屏的制備方法，其特征在于，對TFT基板的CF玻璃背面進(jìn)行功能層鍍膜加工，依次鍍一層TiO₂膜層，TiO₂膜層上再鍍一層SiO₂膜層、SiO₂膜層上再鍍一層ITO透明導(dǎo)電膜層。