本發(fā)明涉及LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤，特別是一種LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護(hù)裝置和保護(hù)方法。

背景技術(shù)：

SD卡（Secure Digital Memory Card），是一種基于半導(dǎo)體快閃記憶器的新一代記憶設(shè)備，也是電子硬盤中的一種。它被廣泛地于便攜式裝置上使用，例如數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人數(shù)碼助理(外語(yǔ)縮寫PDA)和多媒體播放器等;具有大容量、高性能、安全等多種特點(diǎn)。

近年來(lái)隨著技術(shù)的高速發(fā)展，各種大容量的電子硬盤（如：SD卡）作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器被廣泛的應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域，特別對(duì)于脫機(jī)播放的LED燈光系統(tǒng)。由于人們對(duì)LED燈光系統(tǒng)的顯示效果要求越來(lái)越高，顯示內(nèi)容也越來(lái)越豐富，所需的數(shù)據(jù)容量也越來(lái)越大，對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的電子硬盤的要求也越來(lái)越高。

作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的SD卡，最容易損壞的就是在運(yùn)行過(guò)程中突然斷電或電壓不穩(wěn)；而這在LED燈光系統(tǒng)工程中確實(shí)經(jīng)常發(fā)生的事；由于LED燈光系統(tǒng)的特殊性（不可能像一些電子產(chǎn)品一樣配外部電池），因此如何經(jīng)濟(jì)高效的保護(hù)電子硬盤不受電源電壓影響成為一個(gè)課題。

SD卡損壞的主要原因：就是在SD卡運(yùn)行中（讀卡、寫卡）系統(tǒng)突然斷電或電壓突然變低，從而造成SD卡內(nèi)部數(shù)據(jù)損壞；影響LED燈光系統(tǒng)的運(yùn)行。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護(hù)裝置和保護(hù)方法，主要解決上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的技術(shù)問(wèn)題，它具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用安全、可靠的優(yōu)點(diǎn)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護(hù)裝置，它包括5V電源輸入模塊、該5V電源輸入模塊通過(guò)第一5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊連接電子硬盤、CPU、CPLD芯片和SRAM；其特征在于：該5V電源輸入模塊還通過(guò)充電回路、法拉電容連接第一5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊，該5V電源輸入模塊連接電壓檢測(cè)模塊。

所述的LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護(hù)裝置，其特征在于：該5V電源輸入模塊還通過(guò)第二5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊連接網(wǎng)絡(luò)模塊。

所述的LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護(hù)裝置，其特征在于：該5V電源輸入模塊還分別連接通訊模塊和輸出顯示模塊。

所述的LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護(hù)裝置，其特征在于：該第一5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊采用AMS1117-3.3V芯片。

所述的LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護(hù)裝置，其特征在于：該電壓檢測(cè)模塊采用MAX813L芯片。

所述的LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護(hù)裝置，其特征在于：該法拉電容采用0.1—0.5F/5.5V的電容。

一種LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護(hù)方法，其特征在于：它采用如上所述的保護(hù)裝置，其工作原理是：用法拉電容作為電子硬盤和CPU的備用電源；當(dāng)電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)到系統(tǒng)供電電壓低于CPU運(yùn)行電壓時(shí)，由法拉電容供電，在電子硬盤供電電壓低于正常電壓前，停止對(duì)電子硬盤的操作；從而保護(hù)電子硬盤。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)框圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明公開(kāi)了一種LED燈光系統(tǒng)中電子硬盤的保護(hù)裝置。如圖所示：它包括5V電源輸入模塊1、該5V電源輸入模塊1通過(guò)第一5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊2連接電子硬盤3（主要是SD卡）、CPU 4、CPLD芯片 5和SRAM 6。該5V電源輸入模塊1還通過(guò)充電回路7、法拉電容8連接第一5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊2，該5V電源輸入模塊1連接電壓檢測(cè)模塊13。

該5V電源輸入模塊1還通過(guò)第二5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊9連接網(wǎng)絡(luò)模塊10。

該5V電源輸入模塊1還分別連接通訊模塊11和輸出顯示模塊12。

該第一5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊2和第二5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊9采用AMS1117-3.3V芯片，它可把5V輸入電壓轉(zhuǎn)換成3.3V工作電壓。

該電壓檢測(cè)模塊13采用MAX813L芯片。它為5V供電，當(dāng)5V供電電壓小于4.8V時(shí)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)低點(diǎn)平信號(hào)送給CPU 4。

該法拉電容8采用0.1—0.5F/5.5V的電容，只需保證當(dāng)外部電源失電或電壓過(guò)低時(shí)，能保證CPU 4和電子硬盤3有足夠時(shí)間完成保護(hù)動(dòng)作。

該電子硬盤3為普通的SD卡，如ScanDisk的2G/4G/8G/16G卡、Kingston的2G/4G/8G/16G卡。

該CPU 4采用NUVOTON的NUC130LE3CN芯片，是32位的內(nèi)嵌ARM? Cortex?-M0核的微控制器 ，適用于工業(yè)控制和需要豐富的通信接口的應(yīng)用領(lǐng)域；最高速度可運(yùn)行至50 MHz，內(nèi)建128K字節(jié)的Flash存儲(chǔ)器，以及16K字節(jié)SRAM。

該CPLD芯片5采用LATTICE的LCMX02-1200系列芯片，內(nèi)置64KbitsSRAM、10KbitsRAM、1280個(gè)寄存器。

該SRAM 6采用ISSI的IS61LV5128芯片，數(shù)據(jù)容量為512K x 8bit；是高速CMOS靜態(tài)SRAM；最高讀寫速率可達(dá)125MHZ。

該網(wǎng)絡(luò)模塊10的網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)處理芯片采用DAVICOM的DM9000A芯片，10/100M速率自適應(yīng)，內(nèi)有4KSRAM。

本發(fā)明保護(hù)方法原理具體說(shuō)明如下:

1)、5V供電電壓正常情況下，5V電源通過(guò)充電回路7對(duì)法拉電容8進(jìn)行充電，直到電壓達(dá)到法拉電容8的最高電壓；同時(shí)通過(guò)第一5.5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊2生成3.3V電源對(duì)CPU、電子硬盤、CPLD芯片、SRAM等3.3V設(shè)備供電。

2）、當(dāng)5V電源電壓斷開(kāi)時(shí)，電壓檢測(cè)模塊13會(huì)產(chǎn)生一個(gè)中斷信號(hào)給CPU。同時(shí)法拉電容8開(kāi)始對(duì)第一5.5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊2供電；維持CPU、電子硬盤的正常3.3V供電。

3）、CPU接收到電壓檢測(cè)模塊13的中斷信號(hào)后，立刻開(kāi)始停止當(dāng)前程序，進(jìn)入運(yùn)行電子硬盤停止程序；按正常步驟停止對(duì)電子硬盤的操作；從而保護(hù)電子硬盤。

本發(fā)明保護(hù)方法的要點(diǎn)如下：

1）、5V電源電壓斷開(kāi)時(shí)，電壓檢測(cè)模塊的電壓是漸漸變低的，可以調(diào)節(jié)中斷信號(hào)產(chǎn)生時(shí)的電壓閥值。以相應(yīng)不同的工作環(huán)境。

2）、CPU停止對(duì)電子硬盤操作的時(shí)間一般在100MS左右，因此法拉電容的容量選擇只需保證維持3.3V電壓500MS時(shí)間就可以了。

3）、盡量使法拉電容維持的3.3V只對(duì)CPU、電子硬盤供電。

綜上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本發(fā)明的實(shí)施范圍。即凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍的內(nèi)容所作的等效變化與修飾，都應(yīng)為本發(fā)明的技術(shù)范疇。