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一種航天器用數(shù)字硬IP核功能及性能評(píng)測(cè)方法與流程

文檔序號(hào):12665229閱讀:323來(lái)源:國(guó)知局

本發(fā)明涉及一種航天器用數(shù)字硬IP核功能及性能評(píng)測(cè)方法。



背景技術(shù):

IP核是構(gòu)成超大規(guī)模集成電路的基本單元,SoC甚至可以定義為基于IP核的復(fù)用技術(shù)。硬IP核是指已經(jīng)映射到一個(gè)指定的工藝中,被投片測(cè)試驗(yàn)證,具有在面積和性能方面更能預(yù)測(cè)的優(yōu)點(diǎn),但是靈活性小、可移植性差。將不同供應(yīng)商的IP集成到一個(gè)芯片上會(huì)帶來(lái)很多問題,通常會(huì)出現(xiàn):IP核的接口與系統(tǒng)的總線接口不匹配;使用不同層次的IP導(dǎo)致邏輯和時(shí)序的不可預(yù)知性、在SoC集成過程中不同IP的成熟度、可靠性水平不一等問題。為了保證宇航IP核的功能、性能、可靠性與復(fù)用性,需要對(duì)IP核的特征和屬性進(jìn)行測(cè)量和評(píng)估。

國(guó)內(nèi)已經(jīng)發(fā)布的軍用硬IP核評(píng)測(cè)規(guī)范對(duì)IP核交付內(nèi)容進(jìn)行了規(guī)范,提出了IP核的質(zhì)量要求,考慮了軍用IP核高可靠性要求的特點(diǎn)。但是航天器用IP核對(duì)于可靠性的要求更高,成熟的IP核除需經(jīng)過測(cè)試驗(yàn)證和應(yīng)用驗(yàn)證外,還需經(jīng)總劑量和單粒子等輻射環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)驗(yàn)證,目前已發(fā)布的硬IP核評(píng)測(cè)規(guī)范無(wú)法滿足宇航應(yīng)用需求。

申請(qǐng)?zhí)枮镃N201010100256.1,名稱為《規(guī)范化IP核評(píng)測(cè)方法和系統(tǒng)》的專利公開了一種規(guī)范化IP核評(píng)測(cè)方法及系統(tǒng),該方法對(duì)于硬核IP,以國(guó)家IP核標(biāo)準(zhǔn)為依據(jù),用分值表示硬核交付項(xiàng)的各質(zhì)量的度量項(xiàng)的重要程度,將所有質(zhì)量的度量項(xiàng)的評(píng)測(cè)分值求和,這種方法主要評(píng)測(cè)的是商用IP核,并不能用于航天器用硬核IP功能及性能評(píng)測(cè)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種針對(duì)航天器用數(shù)字硬IP核的功能及性能評(píng)測(cè)方法,可解決空間輻射環(huán)境和航天器高可靠應(yīng)用條件下的硬核IP功能及性能評(píng)測(cè)難題,同時(shí)還具有操作簡(jiǎn)便、評(píng)測(cè)效率高等特點(diǎn),提高了評(píng)測(cè)的可操作性及充分性。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是:一種航天器用數(shù)字硬IP核功能及性能評(píng)測(cè)方法,包括如下步驟:

(1)獲取硬IP核包括全版圖寄生電路參數(shù)的電路門級(jí)網(wǎng)表,然后根據(jù)全版圖寄生電路參數(shù)的電路門級(jí)網(wǎng)表構(gòu)建覆蓋硬IP核所有功能的測(cè)試向量;

(2)令硬IP核仿真執(zhí)行步驟(1)得到的所有測(cè)試向量獲得實(shí)際仿真結(jié)果,然后獲取各個(gè)測(cè)試向量對(duì)應(yīng)的預(yù)期功能波形,將各個(gè)測(cè)試向量的實(shí)際仿真結(jié)果與預(yù)期功能波形進(jìn)行比對(duì),如果兩者一致,則判定硬IP核功能正確,否則判定硬IP核功能不正確;

(3)統(tǒng)計(jì)步驟(2)中對(duì)比正確的功能數(shù),進(jìn)而計(jì)算得到硬IP核對(duì)比正確的功能數(shù)與所有功能數(shù)的比值,如果比值為1,則判定硬IP核功能驗(yàn)證充分,否則判定硬IP核功能驗(yàn)證不充分;

(4)獲取硬IP核標(biāo)定的工藝信息,然后根據(jù)工藝信息將硬IP核進(jìn)行流片和封裝;

(5)利用ATE測(cè)試機(jī)臺(tái)在電壓拉偏10%條件下完成硬IP核的功能測(cè)試,得到硬IP核功能實(shí)際測(cè)試結(jié)果,然后將實(shí)際測(cè)試結(jié)果與預(yù)期功能波形進(jìn)行比對(duì),如果兩者一致,則判定硬IP核硅形態(tài)驗(yàn)證條件下功能正確,否則判定硬IP核硅形態(tài)驗(yàn)證條件下功能不正確;

(6)利用ATE測(cè)試機(jī)臺(tái)在電壓拉偏10%條件下完成硬IP核的直流電源電壓、輸入漏電流、三態(tài)輸出漏電流、輸出普通管腳驅(qū)動(dòng)測(cè)試,然后將實(shí)際測(cè)試結(jié)果與預(yù)期電性能參數(shù)進(jìn)行比對(duì),如果實(shí)際測(cè)試結(jié)果在預(yù)期電性能參數(shù)范圍內(nèi),則判定硬IP核硅形態(tài)驗(yàn)證條件下性能正確,否則判定硬IP核硅形態(tài)驗(yàn)證條件下性能不正確;

(7)利用老煉測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)硬IP核進(jìn)行動(dòng)態(tài)老煉和靜態(tài)老煉試驗(yàn),然后將實(shí)際測(cè)試結(jié)果與預(yù)期電性能參數(shù)進(jìn)行比對(duì),如果實(shí)際測(cè)試結(jié)果在預(yù)期電性能參數(shù)范圍內(nèi),則判定硬IP核的老煉結(jié)果正確,否則判定硬IP核的老煉結(jié)果不正確;

(8)利用壽命測(cè)試機(jī)臺(tái)進(jìn)行硬IP核壽命考核試驗(yàn),然后將實(shí)際測(cè)試結(jié)果與預(yù)期電性能參數(shù)進(jìn)行比對(duì),如果實(shí)際測(cè)試結(jié)果在預(yù)期電性能參數(shù)范圍內(nèi),則判定硬IP核的壽命指標(biāo)正確,否則判定硬IP核的壽命指標(biāo)不正確;

(9)利用ESD測(cè)試和閂鎖測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)硬IP核進(jìn)行抗靜電試驗(yàn)和抗閂鎖試驗(yàn),然后將實(shí)際測(cè)試結(jié)果與預(yù)期抗靜電指標(biāo)和抗閂鎖指標(biāo)進(jìn)行比對(duì),如果兩者一致,則判定硬IP核的ESD和閂鎖指標(biāo)正確,否則判定硬IP核的ESD和閂鎖指標(biāo)不正確;

(10)對(duì)硬IP核進(jìn)行電離總劑量輻照試驗(yàn)并判斷,如果電離總劑量輻照試驗(yàn)后硬IP核功能錯(cuò)誤或性能指標(biāo)異常,則判定IP核電離總劑量輻照試驗(yàn)不通過,否則判定IP核電離總劑量輻照試驗(yàn)通過,對(duì)硬IP核進(jìn)行單粒子效應(yīng)輻照試驗(yàn)并判斷,如單粒子效應(yīng)試驗(yàn)后硬IP核單粒子翻轉(zhuǎn)或超過鎖定閾值,則判定IP核單粒子輻照試驗(yàn)不通過,否則判定IP核單粒子輻照試驗(yàn)通過。

所述的步驟(5)中利用ATE測(cè)試機(jī)臺(tái)在電壓拉偏10%條件下完成硬IP核的功能測(cè)試的溫度包括125℃、-55℃、25℃。

所述的步驟(6)中利用ATE測(cè)試機(jī)臺(tái)在電壓拉偏10%條件下完成硬IP核直流電源電壓、輸入漏電流、三態(tài)輸出漏電流、輸出普通管腳驅(qū)動(dòng)測(cè)試的溫度包括125℃、-55℃、25℃。

所述的步驟(7)中的動(dòng)態(tài)老煉試驗(yàn)為168小時(shí),靜態(tài)老煉試驗(yàn)為72小時(shí)。

所述的步驟(8)中的利用壽命測(cè)試機(jī)臺(tái)進(jìn)行硬IP核壽命考核試驗(yàn)的溫度為125℃。完成硬IP核2000小時(shí)壽命考核試驗(yàn);或提供相同工藝基線下4000小時(shí)的壽命考核試驗(yàn)數(shù)據(jù);將實(shí)際測(cè)試結(jié)果或相同工藝基線下4000小時(shí)壽命考核試驗(yàn)數(shù)據(jù)與理論預(yù)期結(jié)果進(jìn)行比對(duì),當(dāng)兩者一致時(shí)判定硬IP核的壽命指標(biāo)正確,當(dāng)兩者不一致時(shí)判定硬IP核的壽命指標(biāo)不正確,然后進(jìn)入下一步;

所述的步驟(8)中的利用壽命測(cè)試機(jī)臺(tái)進(jìn)行硬IP核壽命考核試驗(yàn)的時(shí)間為2000小時(shí)或者4000小時(shí)。

所述的步驟(9)中利用ESD測(cè)試和閂鎖測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)硬IP核進(jìn)行抗靜電試驗(yàn)的電壓為2000V。

所述的步驟(9)中利用ESD測(cè)試和閂鎖測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)硬IP核進(jìn)行抗閂鎖試驗(yàn)的電流為200mA。

所述的步驟(10)中進(jìn)行電離總劑量輻照試驗(yàn)為利用鈷-60射線完成。

所述的所述的步驟(10)中進(jìn)行單粒子效應(yīng)輻照試驗(yàn)為利用重離子加速器完成。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)在于:

(1)本發(fā)明方法對(duì)硬IP核進(jìn)行仿真和試驗(yàn)相結(jié)合的評(píng)測(cè)方式,充分保證了其空間環(huán)境下的可靠性與適應(yīng)性,,具體評(píng)測(cè)更為充分的優(yōu)點(diǎn);

(2)本發(fā)明通過對(duì)硬IP核進(jìn)行100%覆蓋率的后仿真功能驗(yàn)證,解決了硬IP核在設(shè)計(jì)階段可靠性評(píng)測(cè)不充分的問題;

(3)本發(fā)明通過硅形態(tài)驗(yàn)證、老煉、壽命、ESD和閂鎖、輻照試驗(yàn)等評(píng)測(cè)手段,充分保證了硬IP核在系統(tǒng)集成環(huán)境下的可靠性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提出一種針對(duì)航天器用數(shù)字硬IP核的功能及性能評(píng)測(cè)方法,可解決空間輻射環(huán)境和航天器高可靠應(yīng)用條件下的硬核IP功能及性能評(píng)測(cè)難題,同時(shí)還具有操作簡(jiǎn)便、評(píng)測(cè)效率高等特點(diǎn),提高了評(píng)測(cè)的可操作性及充分性,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明方法進(jìn)行詳細(xì)說明。

如圖1所示為本發(fā)明方法的流程圖,本發(fā)明方法主要步驟如下:

步驟1:對(duì)硬IP核進(jìn)行后仿真分析。

步驟1.1:建立IP驗(yàn)證平臺(tái)(testbench)。Testbench包含驗(yàn)證平臺(tái)頂層文件system.v和測(cè)試向量列表Vector.v兩個(gè)文件。system.v中包含待測(cè)模塊例化、測(cè)試向量引用、激勵(lì)施加和輸出監(jiān)測(cè)功能。Vector.v用于產(chǎn)生測(cè)試用的激勵(lì),激勵(lì)需要覆蓋硬IP核的所有功能,共包含測(cè)試語(yǔ)句N條(N≥1)。

Testbench里面不但有測(cè)試輸入的向量而且還有其對(duì)應(yīng)輸出的正確波形結(jié)果,通過向待測(cè)模塊施加N條測(cè)試語(yǔ)句,輸出和testbench里面的正確波形結(jié)果進(jìn)行比較,如果結(jié)果不正確,則輸出ERROR,判定硬IP核功能不正確。

步驟1.2:創(chuàng)建模擬腳本。創(chuàng)建仿真命令腳本用以完成驗(yàn)證環(huán)境的配置。

在UNIX系統(tǒng)下使用bash語(yǔ)言設(shè)置Debussy、vcs、modelsim、Verilog XL等電子自動(dòng)化(EDA)仿真工具的環(huán)境變量,包括建立仿真工作目錄、編譯硬IP核代碼和設(shè)置運(yùn)行仿真工具命令,以實(shí)現(xiàn)EDA仿真工具調(diào)入Testbench進(jìn)行仿真驗(yàn)證。

步驟1.3:硬IP核電路門級(jí)網(wǎng)表導(dǎo)入驗(yàn)證平臺(tái)。

步驟1.4:執(zhí)行后仿真。執(zhí)行模擬腳本中的仿真工具運(yùn)行命令runsim-anno,將Testbench和電路門級(jí)網(wǎng)表調(diào)入到EDA仿真工具中,并在EDA仿真工具中執(zhí)行后仿真驗(yàn)證。在不同電壓和溫度組合下運(yùn)行N條測(cè)試語(yǔ)句,遍歷所有N條輸入測(cè)試向量后,驗(yàn)證硬IP核各獨(dú)立模塊的功能正確性、模塊在系統(tǒng)中接口功能正確性、以及硬IP核整體功能正確性。如功能覆蓋率未達(dá)到100%,則判定硬IP核后仿真驗(yàn)證不充分。

步驟1.5:模擬結(jié)果輸出。仿真記錄與結(jié)果文件為verilog.log,該文件詳細(xì)記錄了硬IP驗(yàn)證過程中每一個(gè)測(cè)試語(yǔ)句的結(jié)果信息。驗(yàn)證過程中屏幕會(huì)打印中間運(yùn)行結(jié)果,也可以在當(dāng)前目錄打開veilog.log文件,查看驗(yàn)證結(jié)果。

步驟1.6:功能覆蓋率分析:查看verilog.log仿真記錄文件中已測(cè)試功能條目,根據(jù)公式(1)計(jì)算功能覆蓋率分析結(jié)果,如功能覆蓋率未達(dá)到100%,則判定硬IP核功能驗(yàn)證不充分。

功能覆蓋率=已測(cè)試功能/硬IP核定義功能 (1)

步驟2:硅形態(tài)驗(yàn)證。

步驟2.1:選取硬IP核標(biāo)定的工藝信息進(jìn)行流片,將流片后的硬IP核晶圓進(jìn)行封裝。

步驟2.2:通過ATE(Automatic Test Equipment)測(cè)試機(jī)臺(tái),進(jìn)行電壓拉偏10%條件下,硬IP核在125℃、-55℃、25℃狀態(tài)下的功能測(cè)試,如測(cè)試過程中出現(xiàn)測(cè)試結(jié)果與硬IP核手冊(cè)中給定的波形圖不一致,則判定硬IP核功能不正確。

步驟2.3:通過ATE測(cè)試機(jī)臺(tái),進(jìn)行電壓拉偏10%條件下,硬IP核在125℃、-55℃、25℃狀態(tài)下的直流電源電壓、輸入漏電流、三態(tài)輸出漏電流、輸出普通管腳驅(qū)動(dòng)、交流參數(shù)等性能測(cè)試。如測(cè)試過程中出現(xiàn)性能參數(shù)超過硬IP核手冊(cè)規(guī)定值,則判定硬IP核性能不正確。

步驟3:老煉試驗(yàn)。利用老煉測(cè)試機(jī)臺(tái),完成硬IP核168小時(shí)動(dòng)態(tài)老煉和72小時(shí)靜態(tài)老煉試驗(yàn)。如測(cè)試過程中出現(xiàn)功能或性能參數(shù)超過硬IP核手冊(cè)規(guī)定值,則判定硬IP核可靠性差。

步驟4:壽命試驗(yàn)。利用壽命測(cè)試機(jī)臺(tái),125℃條件下,完成硬IP核2000小時(shí)壽命考核試驗(yàn);或提供相同工藝基線下4000小時(shí)的壽命考核試驗(yàn)數(shù)據(jù)。如測(cè)試過程中出現(xiàn)功能或性能參數(shù)超過硬IP核手冊(cè)規(guī)定值、或所提供相同工藝基線下4000小時(shí)的壽命考核試驗(yàn)數(shù)據(jù)超過硬IP核手冊(cè)規(guī)定值,則判定硬IP核壽命無(wú)法滿足宇航應(yīng)用要求。

步驟5:ESD和閂鎖試驗(yàn)。利用ESD和閂鎖測(cè)試機(jī)臺(tái),對(duì)硬IP核進(jìn)行2000V抗靜電試驗(yàn)和200mA抗閂鎖試驗(yàn);如測(cè)試過程中出現(xiàn)ESD指標(biāo)或閂鎖指標(biāo)無(wú)法達(dá)到2000V或200mA,則判定硬IP核ESD和閂鎖指標(biāo)無(wú)法滿足宇航應(yīng)用要求。

步驟6:輻照試驗(yàn)。

步驟6.1:利用鈷-60射線進(jìn)行電離總劑量輻照試驗(yàn)。電離總劑量輻照試驗(yàn)后出現(xiàn)IP核功能錯(cuò)誤或性能指標(biāo)超過硬IP核手冊(cè)規(guī)定值,則判定IP核電離總劑量輻照試驗(yàn)不通過。

步驟6.2:利用重離子加速器進(jìn)行單粒子效應(yīng)輻照試驗(yàn)。如單粒子效應(yīng)試驗(yàn)后出現(xiàn)超過IP核手冊(cè)規(guī)定的單粒子翻轉(zhuǎn)和鎖定閾值,則判定IP核單粒子輻照試驗(yàn)不通過。

實(shí)施例

下面以Digital Down Converter(以下簡(jiǎn)稱DDC)硬IP核為例對(duì)本發(fā)明方法進(jìn)行進(jìn)一步說明。

(1)DDC IP核的Testbench包含驗(yàn)證平臺(tái)頂層文件system.v和測(cè)試向量列表Vector.v兩個(gè)文件。system.v中包含DDC IP模塊例化、測(cè)試向量(key1、key2、key3)引用、激勵(lì)施加和輸出監(jiān)測(cè)功能。Vector.v用于產(chǎn)生測(cè)試用的激勵(lì),包含key1、key2、key3共三條測(cè)試語(yǔ)句。通過向DDC IP例化模塊施加key1、key2、key3共三條測(cè)試語(yǔ)句,輸出結(jié)果和測(cè)試向量的DDC out進(jìn)行比較,如果key1、key2、key3任意一條測(cè)試語(yǔ)句與DDC out結(jié)果不一致,則輸出ERROR,判定IP核功能不正確。

設(shè)置synopsys公司的vcs仿真工具變量。進(jìn)入DDC/prune/ts目錄,執(zhí)行runsim命令運(yùn)行DDC IP核電路門級(jí)級(jí)驗(yàn)證。驗(yàn)證過程中屏幕會(huì)打印中間運(yùn)行結(jié)果和最終結(jié)果,也可以在當(dāng)前目錄,開veilog.log文件,查看驗(yàn)證結(jié)果。

(2)在測(cè)試功能覆蓋率時(shí)所使用的工具為synopsys公司的VCS。在VCS仿真工具下遍歷key1、key2、key3共三條測(cè)試語(yǔ)句,獲得DDC IP核的功能覆蓋率結(jié)果。在VCS仿真工具下不但可以得到關(guān)于功能覆蓋率的詳細(xì)的文本報(bào)告,也可以通過運(yùn)行VCS下的圖形交互界面得到比較直觀的關(guān)于功能覆蓋率的表格,同樣也可以知道是具體的哪條源代碼沒有被執(zhí)行到。如果功能覆蓋率低于100%,判定IP核功能驗(yàn)證不充分。

(3)DDC IP核流片采用SMIC 0.18微米工藝,封裝采用陶瓷CQFP68封裝。采用美國(guó)泰瑞達(dá)J750EX測(cè)試機(jī)臺(tái),進(jìn)行3.6V電壓條件下,硬IP核在125℃、-55℃、25℃狀態(tài)下的功能測(cè)試,如測(cè)試過程中出現(xiàn)功能錯(cuò)誤,則判定硬IP核功能不正確。采用美國(guó)泰瑞達(dá)J750EX測(cè)試機(jī)臺(tái),進(jìn)行3.6V電壓條件下,硬IP核在125℃、-55℃、25℃狀態(tài)下的直流電源電壓、輸入漏電流、三態(tài)輸出漏電流、輸出普通管腳驅(qū)動(dòng)、交流參數(shù)等性能測(cè)試。如測(cè)試過程中出現(xiàn)性能參數(shù)超過硬IP核手冊(cè)規(guī)定值,則判定硬IP核性能不正確。

(4)采用美國(guó)AEHR公司MAX3高溫老煉系統(tǒng),完成DDC IP核168小時(shí)動(dòng)態(tài)老煉和72小時(shí)靜態(tài)老煉試驗(yàn)。如測(cè)試過程中出現(xiàn)功能或性能參數(shù)超過硬IP核手冊(cè)規(guī)定值,則判定硬IP核可靠性差。

(5)采用美國(guó)AEHR公司MAX4壽命試驗(yàn)系統(tǒng),125℃條件下,完成硬IP核2000小時(shí)壽命考核試驗(yàn)。如測(cè)試過程中出現(xiàn)功能或性能參數(shù)超過硬IP核手冊(cè)規(guī)定值、或所提供相同工藝基線下4000小時(shí)的壽命考核試驗(yàn)數(shù)據(jù)超過硬IP核手冊(cè)規(guī)定值,則判定硬IP核壽命無(wú)法滿足宇航應(yīng)用要求。

(6)采用滿足IEC61000-4-2和GB/T17626.2標(biāo)準(zhǔn)的ESD和閂鎖試驗(yàn)系統(tǒng),對(duì)硬IP核進(jìn)行2000V抗靜電試驗(yàn)和200mA抗閂鎖試驗(yàn);如測(cè)試過程中出現(xiàn)ESD指標(biāo)或閂鎖指標(biāo)無(wú)法達(dá)到2000V或200mA,則判定硬IP核ESD和閂鎖指標(biāo)無(wú)法滿足宇航應(yīng)用要求。

(7)利用鈷-60射線進(jìn)行電離總劑量輻照試驗(yàn),電離總劑量輻照試驗(yàn)后出現(xiàn)IP核功能錯(cuò)誤或性能指標(biāo)超過硬IP核手冊(cè)規(guī)定值,則判定IP核電離總劑量輻照試驗(yàn)不通過。利用重離子加速器進(jìn)行單粒子效應(yīng)輻照試驗(yàn),如單粒子效應(yīng)試驗(yàn)后出現(xiàn)超過IP核手冊(cè)規(guī)定的單粒子翻轉(zhuǎn)和鎖定閾值,則判定IP核單粒子輻照試驗(yàn)不通過。

本發(fā)明說明書中未作詳細(xì)描述的內(nèi)容屬本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)。

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