本發(fā)明涉及信息存儲(chǔ)領(lǐng)域，尤其涉及一種NAND FLASH的壞塊管理方法。

背景技術(shù)：

NAND FLASH由于其制造工藝和存儲(chǔ)原理決定了在生產(chǎn)過(guò)程和使用過(guò)程中必然會(huì)產(chǎn)生壞塊，因此關(guān)于壞塊管理是NAND應(yīng)用場(chǎng)景中所必需的策略。在芯片出廠時(shí)需要識(shí)別出壞塊，并作標(biāo)識(shí)；同時(shí)在使用過(guò)程中產(chǎn)生的壞塊也必須要隔離出來(lái)，否則繼續(xù)使用會(huì)導(dǎo)致潛在的數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)。NAND FLASH由多個(gè)塊Block構(gòu)成，每個(gè)Block由多個(gè)頁(yè)P(yáng)age構(gòu)成。Block是擦除操作的最小單元，Page為編程的最小單元?，F(xiàn)有技術(shù)普遍的做法是以Block為整體判斷該Block是否為壞塊，整個(gè)Block中只要有一個(gè)Page存在無(wú)法糾錯(cuò)的bit數(shù)，就判定該Block為壞塊，該Block的所有Page都無(wú)法繼續(xù)使用。實(shí)際上該Block中其它Page的存儲(chǔ)單元都還是正常的，還是可以正常存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，因此該壞塊管理方法存在較大的浪費(fèi)，空間損耗較大，也降低了NAND FLASH的使用壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)以上缺陷，本發(fā)明目的在于如何降低NAND FLASH的空間損失，提高NAND FLASH的使用壽命。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種NAND FLASH的壞塊管理方法，其特征在于增加了壞頁(yè)判斷機(jī)制，當(dāng)某個(gè)block發(fā)生壞塊時(shí)，增加對(duì)該壞塊中的各個(gè)頁(yè)再分別進(jìn)行是否為壞頁(yè)判斷，對(duì)該壞塊中正常的頁(yè)繼續(xù)正?；厥帐褂?。

所述的NAND FLASH的壞塊管理方法，其特征在于增加了壞塊的頁(yè)狀態(tài)表和待偵測(cè)塊鏈表；壞塊的頁(yè)狀態(tài)表存儲(chǔ)了各個(gè)壞塊中各個(gè)Page是否為壞頁(yè)標(biāo)識(shí)；當(dāng)系統(tǒng)擦除、寫入或讀取的操作中檢測(cè)到某個(gè)block存在壞塊，則將該block序號(hào)加入到待偵測(cè)塊鏈表中，系統(tǒng)在NAND FLASH上電時(shí)或空閑時(shí)讀取待偵測(cè)塊鏈表，對(duì)待偵測(cè)塊鏈表中標(biāo)識(shí)的各個(gè)序號(hào)的block進(jìn)行依次頁(yè)級(jí)壞塊掃描，先是對(duì)該block進(jìn)行忽略擦除錯(cuò)誤的擦除,并依次寫入測(cè)試數(shù)據(jù)到各個(gè)頁(yè)中，在寫入過(guò)程中如果某個(gè)頁(yè)寫入存在錯(cuò)誤時(shí)，則將壞塊的頁(yè)狀態(tài)表中該block對(duì)應(yīng)的該頁(yè)的標(biāo)識(shí)為壞頁(yè)；所有頁(yè)數(shù)據(jù)寫完后，保持一段時(shí)間后依次讀取各個(gè)頁(yè)數(shù)據(jù)，并逐個(gè)判斷各個(gè)頁(yè)錯(cuò)誤bit數(shù)量，如果某個(gè)頁(yè)的錯(cuò)誤bit數(shù)量超過(guò)閥值時(shí)，則則將壞塊的頁(yè)狀態(tài)表中該block對(duì)應(yīng)的該頁(yè)的標(biāo)識(shí)為壞頁(yè)；所有待偵測(cè)塊鏈表中標(biāo)識(shí)的block都進(jìn)行頁(yè)級(jí)壞塊掃描。

本發(fā)明通過(guò)打破常規(guī)的壞塊處理機(jī)制，對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中判定為壞塊的block,再進(jìn)行壞頁(yè)判斷，將壞塊中正常的頁(yè)進(jìn)行回收利用，有效的提升了NAND FLASH的空間利用率和使用壽命。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的壞塊判定策略示意圖；

圖2是頁(yè)級(jí)壞塊掃描的處理流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的壞塊判定策略示意圖，假設(shè)該NAND FLASH的Block X中Page 2出現(xiàn)了的錯(cuò)誤bit數(shù)量超過(guò)閥值時(shí)則，整個(gè)Block X都被標(biāo)識(shí)為壞塊，該Block X上所有的Page都作為壞塊空間直接丟棄，系統(tǒng)在使用中直接跳過(guò)該Block X。實(shí)際上該Block上除了Page 2無(wú)法正常使用外，其它Page都是正常的，都還可以正常使用的，該壞塊處理策略帶來(lái)了非常大的空間浪費(fèi)。

針對(duì)該壞塊處理策略，本發(fā)明提出了改進(jìn)，增加了對(duì)被判定為壞塊的Block進(jìn)行頁(yè)級(jí)壞塊掃描。系統(tǒng)增加了待偵測(cè)塊鏈表，在FLASH使用過(guò)程中根據(jù)傳統(tǒng)的壞塊判斷機(jī)制判斷出某個(gè)Block存在壞塊，則將該Block的序號(hào)添加到該待偵測(cè)塊鏈表中，系統(tǒng)可以選擇在系統(tǒng)空閑時(shí)或系統(tǒng)上電時(shí)對(duì)所述待偵測(cè)塊鏈表中存儲(chǔ)的壞塊進(jìn)行逐一的頁(yè)級(jí)壞塊少描，并將掃描的結(jié)果添加到壞塊頁(yè)狀態(tài)表中。系統(tǒng)在使用這些壞塊時(shí)，根據(jù)壞塊頁(yè)狀態(tài)表中描述的標(biāo)識(shí)，自動(dòng)跳過(guò)壞頁(yè)，實(shí)現(xiàn)壞塊的再回收利用。

表1是壞塊頁(yè)狀態(tài)表示例：

DIE Index為該Block所在的通道號(hào)，Block Index為壞塊所在的通道的塊序列號(hào)，Retired Page Map為壞塊的各個(gè)頁(yè)的狀態(tài)信息，為了方便使用，該數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的bit數(shù)根據(jù)Block的包含的頁(yè)數(shù)來(lái)確定，按頁(yè)序號(hào)順序標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)頁(yè)的狀態(tài)，0表示壞頁(yè)，1表示正常頁(yè)。在需要往該Block中操作數(shù)據(jù)時(shí)，先讀取該Block頁(yè)的狀態(tài)信息，根據(jù)頁(yè)的狀態(tài)信息自動(dòng)實(shí)現(xiàn)跳壞頁(yè)操作。

圖2是頁(yè)級(jí)壞塊掃描的處理流程圖，當(dāng)系統(tǒng)擦除、寫入或讀取的操作中檢測(cè)到某個(gè)block存在壞塊，則將該block序號(hào)加入到待偵測(cè)塊鏈表中，為了進(jìn)一步確定各個(gè)壞塊的各個(gè)Page的具體狀態(tài)，需要對(duì)各個(gè)壞塊進(jìn)行掃描；系統(tǒng)在NAND FLASH上電時(shí)或空閑時(shí)讀取待偵測(cè)塊鏈表，對(duì)待偵測(cè)塊鏈表中標(biāo)識(shí)的各個(gè)序號(hào)的block進(jìn)行依次頁(yè)級(jí)壞塊掃描：首先是對(duì)該block進(jìn)行擦除操作，由于本身是壞塊，可能正常的操作可能會(huì)報(bào)錯(cuò)，因此該軟件處理時(shí)需要忽略擦除操作的報(bào)錯(cuò),繼續(xù)執(zhí)行；接著依次寫入測(cè)試數(shù)據(jù)到各個(gè)物理頁(yè)中；在寫入過(guò)程中如果監(jiān)測(cè)到某個(gè)頁(yè)寫入操作存在錯(cuò)誤，則將壞塊頁(yè)狀態(tài)表中該block對(duì)應(yīng)的該頁(yè)的狀態(tài)標(biāo)識(shí)為壞頁(yè)；所有物理頁(yè)數(shù)據(jù)寫完后，需要保持?jǐn)?shù)據(jù)填充狀態(tài)一段時(shí)間后依次再讀取各個(gè)頁(yè)數(shù)據(jù)，并逐個(gè)判斷各個(gè)頁(yè)的錯(cuò)誤bit數(shù)量，如果監(jiān)測(cè)到某個(gè)頁(yè)的錯(cuò)誤bit數(shù)量超過(guò)閥值時(shí)，則將壞塊頁(yè)狀態(tài)表中該block對(duì)應(yīng)的該頁(yè)的狀態(tài)標(biāo)識(shí)為壞頁(yè)，所有的頁(yè)讀完并判斷完，則完成本block的頁(yè)級(jí)壞塊掃描。

以上所揭露的僅為本發(fā)明一種實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于本發(fā)明所涵蓋的范圍。