本實(shí)用新型涉及RFID標(biāo)簽領(lǐng)域技術(shù)，尤其是指一種帶保護(hù)功能的RFID標(biāo)簽電路。

背景技術(shù)：

RFID(radio frequency identification)射頻識(shí)別技術(shù)在近年來越來越受到重視。與條碼、磁卡、IC 卡等同期或早期的識(shí)別技術(shù)相比，射頻卡具有非接觸、讀取距離長(zhǎng)、可識(shí)別運(yùn)動(dòng)目標(biāo)等優(yōu)點(diǎn)。

然而，目前的RFID 標(biāo)簽電路一般僅僅具有ESD保護(hù)功能或者防拆保護(hù)功能，保護(hù)功能較為單一，不能對(duì)RFID 標(biāo)簽電路實(shí)施全方位保護(hù)，從而給使用帶來不便。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，其主要目的是提供一種帶保護(hù)功能的RFID標(biāo)簽電路，其能有效解決現(xiàn)有之RFID 標(biāo)簽電路保護(hù)功能單一的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下之技術(shù)方案：

一種帶保護(hù)功能的RFID標(biāo)簽電路，包括有天線、射頻模塊、ESD保護(hù)電路、穩(wěn)壓電路、數(shù)字基帶、非易失存儲(chǔ)器、防拆檢測(cè)電路以及防拆導(dǎo)線；該ESD保護(hù)電路連接于天線和射頻模塊之間，該穩(wěn)壓電路連接射頻模塊，該數(shù)字基帶連接穩(wěn)壓電路，該非易失存儲(chǔ)器連接數(shù)字基帶，該防拆檢測(cè)電路連接非易失存儲(chǔ)器，該防拆導(dǎo)線的兩端分別連接防拆檢測(cè)電路的兩端；

以及，該ESD保護(hù)電路具有泄放信號(hào)觸發(fā)模塊和電流泄放模塊；所述泄放信號(hào)觸發(fā)模塊具有奇數(shù)個(gè)反相器、第一電阻R1、第二NMOS晶體管N2、第二PMOS晶體管P2和第二電阻R2；所述電流泄放模塊包括第三電阻R3、CMOS反相器、電容C1和第三NMOS晶體管N3，其中，所述CMOS反相器由第一PMOS晶體管P1和第一NMOS晶體管N1構(gòu)成；其中，所述奇數(shù)個(gè)反相器以彼此首位相連的方式連接在所述第二PMOS晶體管P2的柵極和源極之間，所述第二PMOS晶體管P2的源極與第一節(jié)點(diǎn)1連接，所述第一電阻R1連接在電源VDD和所述第一節(jié)點(diǎn)1之間，所述第二NMOS晶體管N2的柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)1，并且所述第二NMOS晶體管N2的源極、漏極和襯底都接地GND，所述第二電阻R2的一端與所述第一節(jié)點(diǎn)1連接，并且所述第二電阻R2的另一端與所述電流泄放模塊的第三電阻R3的一端相連；其中，所述第三電阻R3的另一端與所述CMOS反相器的輸入端相連，所述CMOS反相器的輸出端與第二節(jié)點(diǎn)2相連，所述第三NMOS晶體管N3的柵極與所述第二節(jié)點(diǎn)2相連，并且所述第三NMOS晶體管N3的源極與所述電源VDD相連，而所述第三NMOS晶體管N3的漏極接地GND，并且在所述第二節(jié)點(diǎn)2和所述電源VDD之間還連接有所述電容C1。

作為一種優(yōu)選方案，所述天線包括有發(fā)射天線和接收天線，該ESD保護(hù)電路為兩個(gè)，該射頻模塊具有引腳1和引腳2，其中一ESD保護(hù)電路連接引腳1和發(fā)射天線之間，另一ESD保護(hù)電路連接引腳2和接收天線之間。

作為一種優(yōu)選方案，所述防拆檢測(cè)電路具有引腳3和引腳4，防拆導(dǎo)線的兩端分別連接引腳3和引腳4。

作為一種優(yōu)選方案，所述反相器為三個(gè)，其分別為反相器INV1、反相器INV2、反相器INV3。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果，具體而言，由上述技術(shù)方案可知：

本產(chǎn)品集成了ESD保護(hù)電路和防拆檢測(cè)電路于一體，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)ESD保護(hù)功能和防拆保護(hù)功能，保護(hù)功能多樣，從而可對(duì)RFID 標(biāo)簽電路實(shí)施全方位保護(hù)，并且本產(chǎn)品的ESD保護(hù)電路在泄電時(shí)不存在擊穿器件，能夠?qū)Π‥SD保護(hù)電路的整體電路進(jìn)行仿真，從而給使用帶來方便。

為更清楚地闡述本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)原理框圖；

圖2是本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例中ESD保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)識(shí)說明：

10、天線 11、發(fā)射天線

12、接收天線 20、射頻模塊

30、ESD保護(hù)電路 31、泄放信號(hào)觸發(fā)模塊

32、電流泄放模塊 40、穩(wěn)壓電路

50、數(shù)字基帶 60、非易失存儲(chǔ)器

70、防拆檢測(cè)電路 80、防拆導(dǎo)線。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參照?qǐng)D1和圖2所示，其顯示出了本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，包括有天線10、射頻模塊20、ESD保護(hù)電路30、穩(wěn)壓電路40、數(shù)字基帶50、非易失存儲(chǔ)器60、防拆檢測(cè)電路70以及防拆導(dǎo)線80。

該ESD保護(hù)電路30連接于天線10和射頻模塊20之間，具體而言，如圖2所示，該ESD保護(hù)電路30具有泄放信號(hào)觸發(fā)模塊31和電流泄放模塊32；所述泄放信號(hào)觸發(fā)模塊31具有奇數(shù)個(gè)反相器、第一電阻R1、第二NMOS晶體管N2、第二PMOS晶體管P2和第二電阻R2；所述電流泄放模塊32包括第三電阻R3、CMOS反相器、電容C1和第三NMOS晶體管N3，其中，所述CMOS反相器由第一PMOS晶體管P1和第一NMOS晶體管N1構(gòu)成；其中，所述奇數(shù)個(gè)反相器以彼此首位相連的方式連接在所述第二PMOS晶體管P2的柵極和源極之間，所述第二PMOS晶體管P2的源極與第一節(jié)點(diǎn)1連接，所述第一電阻R1連接在電源VDD和所述第一節(jié)點(diǎn)1之間，所述第二NMOS晶體管N2的柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)1，并且所述第二NMOS晶體管N2的源極、漏極和襯底都接地GND，所述第二電阻R2的一端與所述第一節(jié)點(diǎn)1連接，并且所述第二電阻R2的另一端與所述電流泄放模塊的第三電阻R3的一端相連；其中，所述第三電阻R3的另一端與所述CMOS反相器的輸入端相連，所述CMOS反相器的輸出端與第二節(jié)點(diǎn)2相連，所述第三NMOS晶體管N3的柵極與所述第二節(jié)點(diǎn)2相連，并且所述第三NMOS晶體管N3的源極與所述電源VDD相連，而所述第三NMOS晶體管N3的漏極接地GND，并且在所述第二節(jié)點(diǎn)2和所述電源VDD之間還連接有所述電容C1。上述ESD保護(hù)電路30的工作原理為現(xiàn)有技術(shù)，在此對(duì)ESD保護(hù)電路30的工作原理不做詳細(xì)敘述。以及，在本實(shí)施例中，所述反相器為三個(gè)，其分別為反相器INV1、反相器INV2、反相器INV3。并且，所述天線10包括有發(fā)射天線11和接收天線12，該ESD保護(hù)電路30為兩個(gè)，該射頻模塊20具有引腳1和引腳2，其中一ESD保護(hù)電路30連接引腳1和發(fā)射天線11之間，另一ESD保護(hù)電路30連接引腳2和接收天線12之間。

該穩(wěn)壓電路40連接射頻模塊20，該數(shù)字基帶50連接穩(wěn)壓電路40，該非易失存儲(chǔ)器60連接數(shù)字基帶50，該防拆檢測(cè)電路70連接非易失存儲(chǔ)器60，該防拆導(dǎo)線80的兩端分別連接防拆檢測(cè)電路70的兩端；在本實(shí)施例中，所述防拆檢測(cè)電路70具有引腳3和引腳4，防拆導(dǎo)線80的兩端分別連接引腳3和引腳4。

詳述本實(shí)施例的工作過程如下：

工作時(shí)，接收天線12接收到的空間電磁場(chǎng)信號(hào)在經(jīng)過ESD保護(hù)電路30保護(hù)處理后輸入射頻模塊20，該射頻模塊20用于處理接收天線12接收到的空間電磁場(chǎng)信號(hào)，進(jìn)行整流、檢波，并將信息提取出來后傳遞到數(shù)字基帶50，信號(hào)輸入數(shù)字基帶50前由穩(wěn)壓電路40進(jìn)行穩(wěn)壓處理；以及，射頻模塊20同時(shí)將數(shù)字基帶50 反饋回來的信息經(jīng)過另一ESD保護(hù)電路30處理后傳遞到發(fā)射天線11上，通過發(fā)射天線11發(fā)射到空中；該數(shù)字基帶50用于處理射頻模塊20接收到的信息，根據(jù)信息的內(nèi)容，對(duì)非易失存儲(chǔ)器60進(jìn)行讀或編程操作，并將操作的結(jié)果反饋回射頻模塊20；該非易失存儲(chǔ)器60用于提供信息存儲(chǔ)；包括標(biāo)簽信息存儲(chǔ)，安全參數(shù)存儲(chǔ)、編碼信息存儲(chǔ)用戶自定義信息存儲(chǔ)和防拆檢測(cè)電路信息存儲(chǔ)。該防拆檢測(cè)電路70用于檢測(cè)防拆導(dǎo)線80是否被拆斷，當(dāng)防拆導(dǎo)線80被拆斷時(shí)，向非易失存儲(chǔ)器60用戶存儲(chǔ)體的最后一個(gè)字進(jìn)行寫的操作。

本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于：本產(chǎn)品集成了ESD保護(hù)電路和防拆檢測(cè)電路于一體，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)ESD保護(hù)功能和防拆保護(hù)功能，保護(hù)功能多樣，從而可對(duì)RFID 標(biāo)簽電路實(shí)施全方位保護(hù)，并且本產(chǎn)品的ESD保護(hù)電路在泄電時(shí)不存在擊穿器件，能夠?qū)Π‥SD保護(hù)電路的整體電路進(jìn)行仿真，從而給使用帶來方便。

以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)范圍作任何限制，故凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何細(xì)微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。