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電阻式觸摸屏的制作方法

文檔序號(hào):11661992閱讀:853來(lái)源:國(guó)知局
電阻式觸摸屏的制造方法與工藝

本實(shí)用新型涉及觸摸屏領(lǐng)域,特別涉及一種電阻式觸摸屏。



背景技術(shù):

電阻觸摸屏的屏體部分是一塊貼在顯示屏表面的多層復(fù)合薄膜,基本上是薄膜加上玻璃的結(jié)構(gòu),薄膜和玻璃相鄰的一面上均涂有ITO(納米銦錫金屬氧化物)涂層,ITO涂層具有很好的導(dǎo)電性和透明性。在兩層ITO涂層之間有許多細(xì)小的透明絕緣隔離顆粒,使得兩層ITO涂層之間在沒(méi)有施加壓力時(shí)處于絕緣隔離狀態(tài)。當(dāng)觸摸操作時(shí),薄膜下層的ITO會(huì)接觸到玻璃上層的ITO,經(jīng)由感應(yīng)器傳出相應(yīng)的電信號(hào),經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)換電路送到處理器,通過(guò)運(yùn)算轉(zhuǎn)化為屏幕上的X、Y值,而完成點(diǎn)選的動(dòng)作,并呈現(xiàn)在屏幕上。

由于電阻觸摸屏在使用過(guò)程中,薄膜下層的ITO不斷地接觸玻璃上層的ITO,長(zhǎng)時(shí)間后,表面ITO不斷地磨損,造成靈敏度降低,部分區(qū)域短路,使用壽命降低。目前市場(chǎng)上電容式觸摸屏可以克服以上所有問(wèn)題,也因此成為主流,但部分市場(chǎng)領(lǐng)域因成本原因而仍然沿用電阻式觸摸屏,因此增強(qiáng)電阻式觸摸屏的靈敏度和延長(zhǎng)其使用壽命,成為需要攻克的課題。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的電阻觸摸屏存在的上述缺陷,本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種電阻觸摸屏,該電阻觸摸屏提高了觸摸靈敏度和使用壽命。所述技術(shù)方案如下:

一種電阻式觸摸屏,包括基層和表面層,在基層的上表面設(shè)置有第一透明導(dǎo)電層,在表面層的下表面設(shè)置有第二透明導(dǎo)電層,在第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層之間設(shè)置有透明絕緣隔離顆粒,其特征在于:所述第一透明導(dǎo)電層的上表面和第二透明導(dǎo)電層的下表面的粗糙度為1nm-6nm。

優(yōu)選的,所述第一透明導(dǎo)電層的上表面和第二透明導(dǎo)電層的下表面的粗糙度為1.5nm-3.5nm。

進(jìn)一步地,第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層的材料為In2O3:TiO2、In2O3:SnO2、In2O3:ZnO2其中的一種。

優(yōu)選的,所述第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層的材料為In2O3:TiO2,TiO2的重量百分比為1%-5%In2O3:TiO2。

進(jìn)一步地,所述第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層的厚度為15nm-25nm。

進(jìn)一步地,所述基層為玻璃層,所述表面層為薄膜層。

進(jìn)一步地,一種采用磁控濺射制備權(quán)利要求1所述的電阻式觸摸屏的方法,其特征在于:包括設(shè)置氬氣的流量為150sccm-200sccm,氧氣的流量為0.5sccm-1sccm;工作電源為交流電或直流電。

本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電阻觸摸屏,由于第一透明導(dǎo)電層的上表面和第二透明導(dǎo)電層的下表面都為粗糙表面,均設(shè)有了透明的突起顆粒,當(dāng)在屏幕上施加壓力時(shí),兩層透明導(dǎo)電層表面的透明突起顆粒會(huì)優(yōu)先接觸,從而提高了電阻觸摸屏的觸摸靈敏度,又可減少透明導(dǎo)電層的損耗,延長(zhǎng)了電阻觸摸屏的壽命。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的電阻式觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2為對(duì)比例制備的電阻式觸摸屏用導(dǎo)電層的表面微觀形貌圖(掃描電子顯微鏡,SEM);

圖3為實(shí)施例1制備的電阻式觸摸屏用導(dǎo)電層的表面微觀形貌圖(掃描電子顯微鏡,SEM);

圖4為實(shí)施例1制備的電阻式觸摸屏用導(dǎo)電層的表面微觀形貌圖(原子力顯微鏡,AFM);

圖5為實(shí)施例2制備的電阻式觸摸屏用導(dǎo)電層的表面微觀形貌圖(原子力顯微鏡,AFM);

圖6為實(shí)施例3制備的電阻式觸摸屏用導(dǎo)電層的表面微觀形貌圖(原子力顯微鏡,AFM);

具體實(shí)施方式

需要說(shuō)明的是,在不沖突的情況下,本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如背景技術(shù)所記載的,現(xiàn)有技術(shù)的電阻觸摸屏在使用過(guò)程中,上、下兩層透明導(dǎo)電ITO層在經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間不斷地接觸后出現(xiàn)磨損,造成電阻觸摸屏靈敏度降低,部分區(qū)域短路,使用壽命降低。為了解決該技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種電阻觸摸屏。

如圖1所示,圖1示出了本實(shí)用新型提供的電阻觸摸屏中的多層復(fù)合結(jié)構(gòu),所述電阻觸摸屏包括基層1和表面層2,在基層1的上表面設(shè)置有第一透明導(dǎo)電層3,在表面層2的下表面設(shè)置有第二透明導(dǎo)電層4,在第一透明導(dǎo)電層3和第二透明導(dǎo)電層4之間設(shè)置有透明絕緣隔離顆粒5;所述第一透明導(dǎo)電層的上表面和第二透明導(dǎo)電層的下表面均設(shè)有一體成型的透明突起顆粒,且其粗糙度為1nm-6nm,從而使得電阻觸摸屏中的兩層透明導(dǎo)電層更加容易接觸,從而提高了電阻觸摸屏的觸摸靈敏度。

為了進(jìn)一步改善上述電阻觸摸屏的使用壽命,第一透明導(dǎo)電層的上表面和第二透明導(dǎo)電層的下表面的粗糙度優(yōu)選為1.5nm-3.5nm。

為了獲得良好的導(dǎo)電性能和透明性,上述第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層的材料主要選自In2O3和TiO2的復(fù)合氧化物,In2O3和SnO2的復(fù)合氧化物,In2O3和ZnO2復(fù)合氧化物其中的一種。

在本申請(qǐng)一種優(yōu)選的實(shí)施例中,上述第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層的材料為In2O3和TiO2的復(fù)合氧化物,并且TiO2的重量百分比占該總復(fù)合氧化物1%-5%,使得最終得到的透明導(dǎo)電層的表面粗糙度較易控制。

上述透明導(dǎo)電層的厚度最好大于10nm,尤其是處于15nm-25nm的范圍更佳。透明導(dǎo)電層的厚度小于10nm時(shí),阻值偏高,導(dǎo)致觸摸屏的觸摸靈敏度偏低。

本實(shí)用新型所采用的表面層或基層,只要能夠滿足透明性的材料即可,沒(méi)有特別限制,可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的各種適用玻璃板或柔性薄膜片材,例如,玻璃板可優(yōu)先自硼硅玻璃、鈉鈣玻璃等;柔性薄膜片材的材料優(yōu)選為聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸樹脂(PC)、聚甲基丙烯酸酯(PMMA)、聚萘二甲酸乙二醇脂(PEN)等。在本申請(qǐng)一種優(yōu)選的實(shí)施例中,上述基層設(shè)為玻璃層,表面層設(shè)為薄膜層。

作為本實(shí)用新型的透明導(dǎo)電層的成膜方法,有真空蒸鍍法、濺射法、CVD法、離子鍍法、噴鍍法等,可以隨著所需膜厚來(lái)適當(dāng)選擇上述方法。本實(shí)用新型優(yōu)選了磁控濺射法作為透明導(dǎo)電層的成膜方法,其中,作為反應(yīng)性氣體,含氧氣體可以為氧氣與惰性氣體的混合氣,也可以為空氣,優(yōu)選為氧氣與惰性氣體的混合氣。惰性氣體可以為氮?dú)?、氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣及氡氣中的至少一種。還有,在不損害本實(shí)用新型的目的的范圍內(nèi),也可以對(duì)基材施加直流、交流、高頻等偏壓。在本申請(qǐng)一種優(yōu)選的實(shí)施例中,優(yōu)選設(shè)置了氬氣的流量為150sccm-200sccm,氧氣的流量為0.5sccm-1sccm。

以下將結(jié)合實(shí)施例和對(duì)比例,進(jìn)一步說(shuō)明本申請(qǐng)的有益效果。

實(shí)施例1~5

在室溫條件下,采用磁控濺射的方法在基層(玻璃層),表面層(薄膜層)上形成In2O3:TiO2膜,其中,TiO2的重量為In2O3和TiO2的復(fù)合氧化物重量總和的1%-5%,主要的工藝參數(shù)詳見表1。

實(shí)施例6

與實(shí)施例1的不同之處在于在基層(玻璃層),表面層(薄膜層)上形成In2O3:ZnO2膜,其中,ZnO2的重量為In2O3和ZnO2的復(fù)合氧化物重量總和的3%。

對(duì)比例

與實(shí)施例1的不同之處在于在基層(玻璃層),表面層(薄膜層)上形成In2O3:SnO2膜,其中,SnO2的重量為In2O3和SnO2的復(fù)合氧化物重量總和的4%。

另外,表1還示出了實(shí)施例1~6以及對(duì)比例制備得到的電阻式觸摸屏所用的透明導(dǎo)電層的表面粗糙度、電阻式觸摸屏打點(diǎn)測(cè)試等性能測(cè)試結(jié)果,以及圖2~圖6分別展示了實(shí)施例1~3和對(duì)比例制備的導(dǎo)電層的表面微觀形貌圖,從而可以得知,實(shí)施例1~3制備的導(dǎo)電層的表面凹凸結(jié)構(gòu)較對(duì)比例制備的導(dǎo)電層明顯,從而使電阻式觸摸屏的觸摸靈敏度得到提高;實(shí)施例1~6制備的電阻式觸摸屏的打點(diǎn)次數(shù)明顯比對(duì)比例制備的電阻式觸摸屏要多,即實(shí)施例1~6制備導(dǎo)電層延長(zhǎng)了電阻式觸摸屏的壽命。

表1

以上所述,僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式,但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。

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