本發(fā)明涉及一種半導體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種版圖的非矩形區(qū)域層次檢測方法。

背景技術：

客戶版圖的數據檢查是制作光罩前的必要步驟，不同區(qū)域的圖形層次有著不同的要求；比如某些層次在某些區(qū)域如密封環(huán)形(seal ring)區(qū)域禁止出現?，F有進行版圖數據檢測時，通常采用EDA驗證工具進行檢測，現有版圖的數據檢測中，通過只能對矩形區(qū)域內的圖形層次進行準確的識別，而隨著工藝向深亞微米發(fā)展，在客戶數據檢測的過程中，會碰到越來越多的區(qū)域，這些區(qū)域可能不是矩形區(qū)域，比如環(huán)形區(qū)域。在集成電路中，深亞微米工藝對應于0.25微米以下的工藝，客戶數據檢測過程中的區(qū)域對應于客戶區(qū)域，也即客戶需要對版圖的圖形層次進行檢測的區(qū)域，使出現在客戶區(qū)域內的圖形層次都要滿足客戶要求。

由于現有方法只能實現對矩形區(qū)域內的圖形層次進行檢測，而隨著工藝尺寸的縮小，越來越多的區(qū)域不再是矩形或者不能再近似為矩形。如圖1所示，是現有版圖的層次檢測方法無法正確識別的密封環(huán)形角(Seal Ring Corner)的示意圖，圖1中顯示了密封環(huán)形101的一個角，該角在圖1中用虛線圈102標出，這種如虛線圈102所示的角區(qū)域的出現，使得對版圖的圖形層次的檢測變得不準確。所以，如何實現對非矩形區(qū)域內的圖形層次進行準確的檢測，以適應工藝尺寸越來越小、非矩形區(qū)域出現的幾率越來越低的情形成為了一個重要的研究課題。

技術實現要素：

本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種版圖的非矩形區(qū)域層次檢測方法，能實現對版圖的非矩形區(qū)域層次的更準確的識別。

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供的版圖的非矩形區(qū)域層次檢測方法包括如下步驟：

步驟一、根據芯片的版圖上的客戶區(qū)域確定客戶區(qū)域邊界。

步驟二、根據所述客戶區(qū)域邊界計算出位于所述客戶區(qū)域邊界內的最大內置矩形并計算出位于所述最大內置矩形區(qū)域內的所述版圖的所有圖形的層次。

步驟三、根據所述客戶區(qū)域邊界計算出位于所述客戶區(qū)域邊界外的最小外置矩形并計算出位于所述最小外置矩形區(qū)域外的所述版圖的所有圖形的層次。

步驟四、將所述最小外置矩形和所述最大內置矩形之間的區(qū)域設置為邊角區(qū)域，計算出所述邊角區(qū)域內的所有圖形的層次并對對所述邊角區(qū)域內的所有圖形分別和所述邊角區(qū)域內的所述客戶區(qū)域進行布爾運算，通過布爾運算判斷所述邊角區(qū)域內的所有圖形是位于所述客戶區(qū)域邊界內還是外。

進一步的改進是，所述客戶區(qū)域邊界為非矩形。

進一步的改進是，多邊形、圓形或環(huán)形。

進一步的改進是，步驟二中采用EDA驗證工具計算位于所述最大內置矩形區(qū)域內的所述版圖的所有圖形的層次。

進一步的改進是，步驟三中采用EDA驗證工具計算位于所述最小外置矩形區(qū)域外的所述版圖的所有圖形的層次。

進一步的改進是，步驟四中的布爾運算包括用對應的圖形對所述邊角區(qū)域內的所述客戶區(qū)域進行SUB運算，如果SUB運算結果為0，則對應的所述圖形位于所述客戶區(qū)域內。

進一步的改進是，步驟四中，如果所述SUB運算的結果為1，則還需用對應的圖形對所述邊角區(qū)域內的所述客戶區(qū)域進行AND運算，如果所述AND運算的結果為0，則對于的所述圖形位于所述客戶區(qū)域外；如果所述AND運算的結果為1，則對于的所述圖形和所述客戶區(qū)域有交疊。

進一步的改進是，位于所述最小外置矩形區(qū)域外的所述版圖的所有圖形為位于所述芯片的邊界內以及所述最小外置矩形外的所述版圖的所有圖形。

進一步的改進是，所述版圖為深亞微米級工藝的版圖。

進一步的改進是，所述版圖的圖形的層次包括：N阱、P阱、有源層、P型擴散層、N型擴散層、多晶硅、金屬層或接觸孔。

本發(fā)明通過計算最大內置矩形和最小外置矩形，能夠通過現有矩形區(qū)域的層次檢測方法對最大內置矩形內和最小外置矩形外的圖形層次進行準確且快速識別；本發(fā)明僅需對邊角區(qū)域的圖形層次進行布爾運算就能對識別出邊角區(qū)域內的圖形是位于客戶區(qū)域邊界內還是外，所以本發(fā)明最后能實現對版圖的非矩形區(qū)域層次的更準確的識別。

另外，由于本發(fā)明僅需對邊角區(qū)域的圖形層次進行布爾運算，其它區(qū)域都簡化為矩形區(qū)域，故本發(fā)明的識別速度很快，并能提高客戶芯片數據版圖檢測的工作效率。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明：

圖1是現有版圖的層次檢測方法無法正確識別的密封環(huán)形角的示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例方法的流程圖；

圖3A-圖3E是本發(fā)明實施例方法各步驟中版圖示意圖。

具體實施方式

如圖2所示，是本發(fā)明實施例方法的流程圖；如圖3A至圖3E所示，是本發(fā)明實施例方法各步驟中版圖示意圖；本發(fā)明實施例版圖的非矩形區(qū)域層次檢測方法包括如下步驟：

步驟一、如圖3A所示，根據芯片的版圖上的客戶區(qū)域確定客戶區(qū)域邊界2。圖3A中，標記1表示整個芯片的邊界，客戶區(qū)域邊界2內部的為客戶區(qū)域，該客戶區(qū)域內的圖形層次為檢測方法所要準確檢測的圖形層次。所述客戶區(qū)域邊界2為非矩形，如多邊形、圓形或環(huán)形。

較佳為，圖3A中客戶邊界區(qū)域2為密閉環(huán)形(sealring)，整個芯片內的版圖的圖形層次包括位于客戶區(qū)域內(inside sealring)的圖形層次、位于客戶區(qū)域外(out sealring)的圖形層次以及橫跨客戶區(qū)域的圖形層次。

較佳為，本發(fā)明實施例的所述版圖為深亞微米級工藝的版圖。深亞微米級工藝為小于等于0.25微米的工藝。當然本發(fā)明實施例方法也能適用于大于0.25微米的工藝如亞微米級工藝，但是亞微米級工藝中非矩形區(qū)域出現的幾率較少，故使用本發(fā)明實施例方法的幾率也較少。

所述版圖的圖形的層次包括：N阱、P阱、有源層、P型擴散層、N型擴散層、多晶硅、金屬層或接觸孔。其中多晶硅可能包括由多層，每一層多晶硅對應于一個圖形的層次；金屬層也可能包括多層，每一層金屬對應于一個圖形的層次；同樣接觸孔也可能包括多層。這里列出的所述版圖的圖形的層次僅是為了更清楚的說明本發(fā)明實施例方法，并不用于對本發(fā)明實施例方法的限制，具體的版圖的圖形的層次需要根據具體工藝所對應的版圖確定。

步驟二、如圖3B所示，根據所述客戶區(qū)域邊界2計算出位于所述客戶區(qū)域邊界2內的最大內置矩形3并計算出位于所述最大內置矩形3區(qū)域內的所述版圖的所有圖形的層次。由于最大內置矩形3為矩形區(qū)域，故最大內置矩形3內的圖形層次能夠采用現有圖形檢測方法直接識別，因為現有圖形檢測方法能直接對矩形區(qū)域內的圖形層次進行準確和快速識別。

較佳為，采用EDA驗證工具計算位于所述最大內置矩形3區(qū)域內的所述版圖的所有圖形的層次。

步驟三、如圖3C所示，根據所述客戶區(qū)域邊界2計算出位于所述客戶區(qū)域邊界2外的最小外置矩形4并計算出位于所述最小外置矩形4區(qū)域外的所述版圖的所有圖形的層次。由于最小外置矩形4為矩形區(qū)域，故最小外置矩形4內的圖形層次能夠采用現有圖形檢測方法直接識別，所述最小外置矩形4區(qū)域外的所述版圖的所有圖形的層次則為最小外置矩形4所不包含的圖形層次；由圖3C所示可知，位于所述最小外置矩形4區(qū)域外的所述版圖的所有圖形為位于所述芯片的邊界1內以及所述最小外置矩形4外的所述版圖的所有圖形。

較佳為，采用EDA驗證工具計算位于所述最小外置矩形4區(qū)域外的所述版圖的所有圖形的層次。

步驟四、如圖3D所示，將所述最小外置矩形4和所述最大內置矩形3之間的區(qū)域設置為邊角區(qū)域。圖3D中將邊角區(qū)域的角落的情形用虛線圈201圈出，并給出了放大的角落的圖形，放大的角落的圖形如虛線圈202所示。

計算出所述邊角區(qū)域內的所有圖形的層次并對對所述邊角區(qū)域內的所有圖形分別和所述邊角區(qū)域內的所述客戶區(qū)域進行布爾運算，通過布爾運算判斷所述邊角區(qū)域內的所有圖形是位于所述客戶區(qū)域邊界2內還是外。

現結合圖3E對本發(fā)明實施例步驟四中的布爾運算進行如下說明：

圖3E中標記203所示區(qū)域為所述邊角區(qū)域內的所述客戶區(qū)域，圖3E中顯示了3個有代表性的圖形層次，分別為圖形A、圖形B和圖形C。

布爾運算包括用對應的圖形對所述邊角區(qū)域內的所述客戶區(qū)域進行SUB運算，如果SUB運算結果為0，則對應的所述圖形位于所述客戶區(qū)域內。在圖3E中SUB運算后，圖形A和區(qū)域203的SUB運算結果為0，故圖形A位于所述客戶區(qū)域內；而圖形B和C和區(qū)域203的SUB運算結果都分別為1，故圖形B和C都不是完全位于所述客戶區(qū)域內。

由于圖形B和C不是位于所述客戶區(qū)域內，故還需要判斷圖形B和C是否為位于所述客戶區(qū)域外還是為橫跨所述客戶區(qū)域，故還需要進行如下步驟：

如果所述SUB運算的結果為1，則還需用對應的圖形對所述邊角區(qū)域內的所述客戶區(qū)域進行AND運算，如果所述AND運算的結果為0，則對于的所述圖形位于所述客戶區(qū)域外；如果所述AND運算的結果為1，則對于的所述圖形和所述客戶區(qū)域有交疊。圖3E中圖形B和區(qū)域203的AND運算結果為1，故圖形B和所述客戶區(qū)域有交疊；圖形C和區(qū)域203的AND運算結果為0，故圖形C位于所述客戶區(qū)域外。

以上通過具體實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發(fā)明的保護范圍。